INA2134-EP
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SBOS595C - 2012年3月 - 修订2012年3月
音频差动线路接收器0分贝（G = 1 ）
检查样品：
INA2134-EP
1
特点
单路和双路版本
低失真：在f = 1kHz的0.0005 ％
高压摆率： 14 V / ms的
快速建立时间： 3毫秒至0.01 ％
宽电源电压范围： ± 4 V至± 18 V
低静态电流：最大3.1毫安
高CMRR ： 90分贝
固定增益= 0分贝（ 1V / V）
双14引脚SOIC封装
支持国防，航天，
和医疗应用
控制基线
一个封装/测试网站
一个网站制作
提供军用（ -55°C / 125°C ）
温度范围
(1)
延长产品生命周期
扩展产品更改通知
产品可追溯性
包
（ TOP VIEW ）
应用
音频差动线路接收器
求和放大器
单位增益反相放大器
PSUEDOGROUND发电机
仪表积木
电流分流监控器
压控电流源
接地回路消除
NC
1
14
REF A
-IN一
2
A
13
OUT A
+ IN A
3
12
感
V–
4
11
V+
+ IN B
5
B
10
感B
-IN B
6
9
OUT B
NC
7
8
REF B
NC =无连接
(1)
额外的温度范围内工作 - 联系工厂
描述
该INA2134是一个差分线路接收机组成的高性能运算放大器，具有片上精密
电阻器。所述装置被用于高性能音频应用完全指定，并具有出色的交流
规格，包括低失真（在1kHz 0.0005 ％）和高的转换速率（14伏/毫秒） ，保证良好的动态
反应。另外，宽的输出电压摆幅和高输出驱动能力允许在各种各样的用途
苛刻的应用。双版本功能完全独立的电路最低串扰和
从交往的自由，过载或过载时也是如此。
该INA2134片内电阻经过激光调整的精确的增益和最佳共模抑制比。
此外，电阻器的优良TCR跟踪保持的增益精度和共模抑制比
温度。操作从± 4 V保证± 18 V （ 8 V至36 V总供给） 。
该INA2134是在一个14引脚SOIC表面安装封装，工作在军队指定的操作
温度范围-55°C至125°C 。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
T
A
-55 ° C至125°C
包
SOIC - 14 - D
顶部端标记
INA2134M
订购零件
数
INA2134MDREP
INA2134MDEP
VID号
V62/12613-01XE
V62/12613-02XE
传输介质
磁带和卷轴，大
管
(1)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
V+
11
25kW
25kW
-IN一
2
12
感
A
13
OUT A
+ IN A
3
25kW
25kW
14
REF A
-IN B
6
25kW
25kW
10
感B
B
9
OUT B
+ IN B
5
25kW
25kW
8
REF B
INA2134
4
V–
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
价值
电源电压，V +至V-
输入电压范围
输出短路（接地）
(2)
工作温度
储存温度
结温
焊接温度（焊接， 10秒）
ESD额定值
人体模型（ HBM ）
机器模型（ MM ）
(1)
(2)
40
±80
连续
-55至125
-65到150
150
300
500
100
°C
°C
°C
°C
V
V
单位
V
V
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
每包一个通道。
2
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热信息
INA2134
热公制
θ
JA
θ
JC
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
结至环境热阻
(2)
结到外壳热阻
结至电路板的热阻
(3)
结至顶部的特征参数
(4)
(1)
D
14个引脚
73.1
31.1
27.6
3.2
27.3
单位
° C / W
结至电路板的特征参数
(5)
xxx
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
电气特性
在T
A
= 25 ° C，V
S
= ± 18 V ，R
L
= 2 kΩ，并将REF引脚连接到地（除非另有说明） 。
参数
音频性能
总谐波失真+噪声， F = 1千赫
本底噪声
(1)
净空
(1)
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
IN
= 10 Vrms的
20 kHz的带宽
THD + N < 1 ％
0.0005
-100
23
%
dBu的
dBu的
频率响应
小信号带宽
压摆率
建立时间：
0.1%
0.01%
过载恢复时间
声道分离度（双） ， F = 1千赫
输出噪声电压
F = 20赫兹到20千赫兹
F = 1千赫
失调电压
(3)
输入失调电压
与温度
VS电源
供应
输入
共模电压范围：
积极
负
差分电压范围
共模抑制
阻抗：
(4)
迪FF erential
共模
V
CM
= ± 31 V ，R
S
= 0
Ω
V
CM
= ± 31 V ，R
S
= 0
Ω,
-55 ° C至125°C
V
O
= 0 V
V
O
= 0 V
2(V+) – 5
2(V-) + 5
2(V+) – 4
2(V-) + 2
V
V
V
CM
= 0 V
-55 ° C至125°C
V
S
= ± 4 V至± 18 V ， -55 ° C至125°C
±100
±2
±5
±60
±1000
V
μV/°C
V/V
(2)
3.1
14
10 -V步，C
L
= 100 pF的
10 -V步，C
L
= 100 pF的
50 ％过载
2
3
3
117
兆赫
V / μs的
s
s
s
dB
7
52
μVRMS
纳伏/赫兹÷
见典型曲线
74
72
90
85
50
50
dB
dB
kΩ
kΩ
(1)
(2)
(3)
(4)
dBu的= 20log （ V有效值/ 0.7746 ） 。
包括放大器的输入电流噪声和电阻网络的热噪声贡献的影响。
包括放大器的输入偏置电流和偏置电流的影响。
25 kΩ的电阻率相匹配，但有± 25 ％的绝对价值。
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3
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电气特性（续）
在T
A
= 25 ° C，V
S
= ± 18 V ，R
L
= 2 kΩ，并将REF引脚连接到地（除非另有说明） 。
参数
收益
初始
错误
与温度
非线性
产量
电压输出：
积极
负
积极
负
限流，连续常见
容性负载（稳定运行）
电源
额定电压
电压范围
静态电流（每个放大器）
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
–55
–55
–65
125
125
150
°C
°C
°C
I
O
= 0 A
I
O
= 0 ， -55 ° C至125°C
±4
±2.4
±2.7
±18
±18
±2.9
±3.1
V
V
mA
mA
特定网络版温度范围
特定网络版温度范围
(V+) – 2
(V-) + 2
(V+) – 2.45
(V-) + 2.45
(V+) – 1.8
(V-) + 1.6
(V+) – 2.1
(V-) + 1.8
±60
500
V
V
V
V
mA
pF
V
O
= -16 V至16 V
V
O
= -16 V至16 V ， -55 ° C至125°C
V
O
= -16 V至16 V
1
±0.02
±2
0.0001
±0.1
±3.5
V/V
%
%
%
测试条件
民
典型值
最大
单位
xxx
1000000
估计寿命（小时）
100000
电迁移失效模式
引线键合的生活
10000
1000
125
130
135
140
145
150
连续T
J
(°
C
)
A.
B.
C.
请查阅技术资料绝对最高和最低推荐的工作条件。
硅的工作寿命的设计目标是在105℃的结温10年（不包括封装互连
生活） 。
预测的工作寿命与结温是使用电作为基于可靠性建模
主要失效机制影响设备的耗损为特定的设备工艺和设计特性研究。
图1. INA2134电迁移失效模式/引线键合寿命减额图
4
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典型特征
在T
A
= 25 ° C，V
S
= ± 18 V （除非另有说明） 。
总谐波失真+噪声
与频率
1
V
O
= 10Vrms
5
BW = 100kHz的
DIM互调失真
与输出振幅
0.1
总谐波失真+噪声（ ％ ）
1
0.010
R
L
= 100kW的
DIM （％）
0.1
R
L
= 2k
W
, 600
W
R
L
= 2千瓦
0.001
R
L
= 600W
0.0001
0.001
0.010
20
100
1k
频率（Hz）
10k 20k
–10
–5
0
5
10
15
20
25
输出幅度（ DBU）
HEADROOM - 总谐波失真+噪声
与输出振幅
1
F = 1kHz时
振幅（的基本％ ）
谐波失真产物
与频率
0.01
0.1
总谐波失真+噪声（ ％ ）
0.001
R
L
= 600
W
,
二阶谐波
R
L
= 2k
W
,
二阶谐波
R
L
= 600
W
,
第三谐波
0.010
R
L
= 600W
0.0001
(
噪声的限制）
0.001
R
L
= 2k
W
,
100kW
0.0001
0
5
10
15
20
25
30
输出幅度（ DBU）
0.00001
R
L
= 2k
W
,
第三谐波
V
O
= 1VRMS
0.000001
20
100
1k
频率（Hz）
10k 20k
输出电压噪声谱密度
与频率
10k
输出噪声电压
VS噪声带宽
100
电压噪声（NV /
赫兹）
1k
噪声电压（ μVRMS ）
1
10
100
1k
频率（Hz）
10k
100k
1M
10
100
1
10
0.1
1
10
100
1k
10k
100k
频率（Hz）
版权所有2012，德州仪器
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5
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