INA163
SBOS177D - 2000年11月 - 修订2005年5月
低噪声，低失真
仪表放大器器
特点
q
q
q
q
q
q
q
低噪音： 1nV / √Hz的在1kHz
低THD + N ： 1kHz时为0.002％ ， G = 100
高带宽： 800kHz的在G = 100
宽电源范围：
±
4.5V至
±
18V
高CMR ： >百分贝
通过外部电阻设置增益
SO- 14表面贴装封装
描述
该INA163是一个非常低噪声，低失真， MON-
olithic仪表放大器。其电流反馈
电路实现了非常宽的带宽和优异
动态响应在宽范围的增益。它是理想
对于低级别的音频信号，诸如均衡低
阻抗话筒。许多工业，使用仪器
塔季翁和医疗应用也受益于它的
低噪声，宽带宽。
独特的失真消除电路可降低失真
重刑非常低的水平，即使在高增益。该
INA163提供接近理论上的噪声性能
为200Ω源阻抗。其差分输入，低
噪声和低失真提供卓越的性能
专业话筒放大器应用。
该INA163的宽电源电压，出色的输出
电压摆幅和高输出电流的驱动器允许其
在高级音响阶段使用为好。
该INA163可在一个节省空间的SO- 14
表面贴装封装，工作于指定
在-40 ° C至+ 85 °C温度范围。
V
O
1
1
INA163
V
IN-
4
3
A1
3k
6k
6k
SENSE
8
应用
q
专业话放
q
动圈式换能放大器
q
差分接收器
q
桥传感器放大器
R
G
A3
3k
9
V
O
G=1+
6000
R
G
12
V
IN +
5
6k
A2
6k
REF
10
14
V
O
2
11
V+
6
V
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权所有2000-2005 ，德州仪器
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引脚配置
顶视图
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。得克萨斯州
仪器建议所有集成电路
用适当的预防措施处理。如果不转播
担任适当的处理和安装程序，可以
造成损坏。
V
O
1
NC
GS1
V
IN-
V
IN +
V
NC
1
2
3
4
5
6
7
14 V
O
2
13 NC
12 GS2
11 V+
10 REF
9
8
V
O
SENSE
ESD损害的范围可以从细微的性能deg-
radation完成设备故障。精密集成
电路可以更容易受到损伤，因为
很小的参数变化可能导致设备
不能满足其公布的规格。
绝对最大额定值
(1)
电源电压............................................... ........................
±18V
信号输入端子，电压
(2)
.................. （ V-） - 0.5V至（V + ） + 0.5V
当前
(2)
.................................................. .. 10毫安
输出短路接地............................................连续...
工作温度................................................ .. -55 ° C至+ 125°C
存储温度................................................ ..... -55 ° C至+ 125°C
结温................................................ .................... + 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ........................................... ... + 300℃
注： （ 1 ）工作条件超过这些额定值可能会造成永久性的损害。
长期在绝对最大条件下长时间可能会降低
器件的可靠性。这些压力额定值只，以及功能操作
设备在超出规定的这些或任何其他条件不暗示。
（2）输入端子的二极管钳位到电源轨。输入信号
可摆动超过0.5V至供电轨以外应该是当前
限制为10mA或更小。
NC - 无内部连接
封装/订购信息
(1)
产品
INA163UA
PACKAGE -LEAD
SO- 14表面贴装
代号
D
记号
INA163UA
注： （ 1 ）对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录位于本文档的末尾，或者看到TI网站
在www.ti.com 。
INA163
2
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SBOS177D
典型特征
在T
A
= + 25 ° C，V
S
= 5V, V
CM
= 1/2 V
S
, R
L
=为25kΩ ， CL = 50pF的，除非另有说明。
增益与频率
70
60
50
G = 1000
0.01
0.1
V
O
= 5VRMS
R
L
= 10k
THD + N与频率
G = 1000
增益（dB ）
G = 100
30
20
10
0
10
20
10k
100k
频率（Hz）
1M
10M
G=1
G = 10
THD + N （％）
40
G = 100
0.001
G = 10
G=1
0.0001
20
100
1k
频率（Hz）
10k 20k
噪声电压（ RTI）与频率
1k
10
电流噪声频谱密度
100
G=1
电流噪声密度（PA / √Hz的）
噪声（ RTI） （NV / √Hz的）
1
10
G = 10
G = 100
1
10
100
频率（Hz）
G = 500 G = 1000
0.1
1k
10k
1
10
100
频率（Hz）
1k
10k
共模抑制与频率
140
电源抑制比（分贝）
120
G = 1000
120
100
140
电源抑制与频率
G = 100, 1000
G = 10
G=1
80
60
40
20
0
输入简称CMR （分贝）
100
80
60
40
20
0
10
G = 100
G = 10
G=1
100
1k
10k
100k
1M
1
10
100
1k
频率（Hz）
10k
100k
1M
频率（Hz）
INA163
4
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SBOS177D
典型特征
（续）
在T
A
= + 25 ° C，V
S
= 5V, V
CM
= 1/2 V
S
, R
L
=为25kΩ ， CL = 50pF的，除非另有说明。
输出电压摆幅与输出电流
V+
(V+)
2
输出电压轨（V ）
稳定时间VS GAIN
10
20V步骤
8
稳定时间（微秒）
(V+)
4
(V+)
6
(V) + 6
(V) + 4
(V) + 2
V
0
10
20
30
40
50
60
输出电流（mA ）
6
0.01%
4
2
0.1%
0
1
10
收益
100
1000
小信号瞬态响应
(G = 1)
小信号瞬态响应
(G = 100)
20mV/div
20mV/div
2.5s/div
10s/div
大信号瞬态响应
(G = 1)
大信号瞬态响应
(G = 100)
5V/div
2.5s/div
5V/div
2.5s/div
INA163
SBOS177D
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