添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第953页 > INA149AID
INA149
www.ti.com
SBOS579A
2011年9月
经修订的2011年11月
高共模电压差动放大器
1
特点
共模电压范围:
±275
V
最小共模抑制比:从90分贝
–40°C
至+ 125°C
DC产品规格:
最大失调电压: 1100
μV
最大失调电压漂移: 15
μV/°C
最大增益误差: 0.02 %
最大增益误差漂移: 10 PPM /°C的
最大增益非线性: 0.001 % FSR
AC性能:
带宽: 500 kHz的
典型的压摆率: 5 V / μs的
宽电源范围:
±2.0
V到
±18
V
最大静态电流: 900
μA
输出摆幅在
±15-V
供应:
±13.5
V
输入保护:
普通模式:
±500
V
鉴别:
±500
V
描述
该INA149是一种精密的单位增益差
放大器具有非常高的输入共模
电压范围。它是一个单一的,整体设备
由一个精密运算放大器和集成的
薄膜电阻器网络。该INA149能够准确
在存在测量小差分电压
共模信号,可
±275
五, INA149
输入免受瞬时共模
或差分高达500 V的过载
在许多应用中,在没有在那里的电隔离
需要时, INA149可代替隔离放大器。
这种能力可以消除昂贵的隔离输入端
电源和相关的纹波,噪声和
静态电流。优秀的0.0005 %非线性
和INA149的500 - kHz带宽均优于
那些传统的隔离放大器。
该INA149是引脚兼容的
INA117
INA148
高输入共模电压放大器
并提供了两种设备性能的提高。
该INA149可在SOIC- 8封装,
规定工作在扩展工业
的温度范围内
–40°C
至+ 125°C 。
120
共模抑制比(dB )
110
100
90
80
70
60
50
40
10
100
1k
频率(Hz)
10k
100k
INA149
竞争对手A
2
应用
高压电流检测
电池单元电压监控
电源电流监控
电机控制
更换隔离电路
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权
2011年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
INA149
SBOS579A
2011年9月
经修订的2011年11月
www.ti.com
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序,可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降,完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害,因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
封装/订购信息
(1)
产品
INA149
(1)
PACKAGE -LEAD
SOIC-8
封装标识
D
包装标志
INA149AID
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或者访问
器件产品文件夹在
www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内,除非另有说明。
INA149
电源电压
输入电压范围
共模和差, 10秒
在REF最大电压
A
和REF
B
在任何输入引脚的输入电流
工作温度范围
存储温度范围
结温
人体模型( HBM )
ESD额定值
带电器件模型( CDM)
机器模型( MM )
(1)
(2)
(2)
单位
V
V
V
V
mA
不定
°C
°C
°C
V
V
V
(V+)
(V–)
连续
40
300
500
(V–)
0.3至(V +) + 0.3
10
–55
+150
–65
+150
+150
1500
1000
100
输出短路电流持续时间
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只,设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定是不是暗示。
REF
A
和REF
B
是二极管钳位到电源轨。施加到这些引脚可摆动超过0.3伏以外的信号
电源电压应限制在10 mA或更小。
2
提交文档反馈
产品文件夹链接( S) :
INA149
版权
2011年,德州仪器
INA149
www.ti.com
SBOS579A
2011年9月
经修订的2011年11月
电气特性: V + = + 15V和V- =
–15
V
在T
A
= + 25 ° C,R
L
= 2 kΩ的连接到地,而V
CM
= REF
A
= REF
B
= GND时,除非另有说明。
INA149
参数
收益
初始
增益误差
收益
非线性
失调电压
350
初始偏移
输入
阻抗
电压范围
迪FF erential
共模
迪FF erential
共模
在DC ,V
CM
=
±275
V
共模抑制
( CMRR )
与温度,T
A
=
–40°C
至+ 125°C ,在DC
在AC , 500赫兹,V
CM
= 500 V
PP
在AC , 1 kHz时, V
CM
= 500 V
PP
产量
电压范围
短路电流
容性负载驱动
输出噪声电压
0.01 Hz至10 Hz
10千赫
动力响应
小信号带宽
压摆率
全功率带宽
建立时间
电源
电压范围
静态电流
温度范围
特定网络版
操作
存储
–40
–55
–65
+125
+150
+150
°C
°C
°C
V
S
=
±18
V, V
OUT
= 0 V
与温度,T
A
=
–40°C
至+ 125°C
±2
810
±18
900
1.1
V
A
mA
V
OUT
=
±10-V
V
OUT
= 20 V
PP
0.01%, V
OUT
= 10 -V步
1.7
500
5
32
7
千赫
V / μs的
千赫
s
20
550
V
PP
纳伏/赫兹÷
没有持续振荡
–13.5
±25
10
13.5
V
mA
nF
–13.5
–275
90
90
90
90
100
800
200
13.5
275
V
V
dB
dB
dB
dB
与温度,T
A
=
–40°C
至+ 125°C
与电源( PSRR ) ,V
S
=
±2
V到
±18
V
90
3
120
1100
15
V
μV/°C
dB
V
OUT
=
±10.0
V
V
OUT
=
±10.0
V
与温度,T
A
=
–40°C
至+ 125°C
1
±0.005
±1.5
±0.0005
±0.02
±10
±0.001
V/V
% FSR
PPM /°C的
% FSR
测试条件
典型值
最大
单位
版权
2011年,德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接( S) :
INA149
3
INA149
SBOS579A
2011年9月
经修订的2011年11月
www.ti.com
电气特性: V + = 5 V和V- = 0 V
在T
A
= + 25 ° C,R
L
= 2 kΩ的连接到2.5 V ,和V
CM
= REF
A
= REF
B
= 2.5 V时,除非另有说明。
INA149
参数
收益
初始
增益误差
收益
非线性
失调电压
350
初始偏移
输入
阻抗
电压范围
迪FF erential
共模
迪FF erential
共模
在DC ,V
CM
=
–20
V到25 V
共模抑制
与温度,T
A
=
–40°C
至+ 125°C ,在DC
在AC , 500赫兹,V
CM
= 49 V
PP
在AC , 1 kHz时, V
CM
= 49 V
PP
产量
电压范围
短路电流
容性负载驱动
输出噪声电压
0.01 Hz至10 Hz
10千赫
动力响应
小信号带宽
压摆率
全功率带宽
建立时间
电源
电压范围
静态电流
V
S
= 5 V
与温度,T
A
=
–40°C
至+ 125°C
5
810
1
V
A
mA
V
OUT
= 2 V
PP
V
OUT
= 2 V
PP
0.01%, V
OUT
= 2 V
PP
500
5
32
7
千赫
V / μs的
千赫
s
20
550
V
PP
纳伏/赫兹÷
没有持续振荡
1.5
±15
10
3.5
V
mA
nF
1.5
–20
100
100
100
90
800
200
3.5
25
V
V
dB
dB
dB
dB
与温度,T
A
=
–40°C
至+ 125°C
与电源( PSRR ) ,V
S
= 4 V至5 V
3
120
V
μV/°C
dB
V
OUT
= 1.5 V至3.5 V
V
OUT
= 1.5 V至3.5 V
与温度,T
A
=
–40°C
至+ 125°C
1
±0.005
±1.5
±0.0005
V/V
% FSR
PPM /°C的
% FSR
测试条件
典型值
最大
单位
4
提交文档反馈
产品文件夹链接( S) :
INA149
版权
2011年,德州仪器
INA149
www.ti.com
SBOS579A
2011年9月
经修订的2011年11月
热信息
INA149
热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
结至环境热阻
结至外壳(顶部)热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳(底部)热阻
(1)
D( SOIC )
8引脚
110
57
54
11
53
不适用
单位
° C / W
有关传统和新的热度量的更多信息,请参阅
IC封装热度量
申请报告,
SPRA953.
引脚配置
SOIC-8
( TOP VIEW )
20 k
380 k
8
REF
B
1
NC
380 k
In
2
380 k
+
7
V+
+ IN
3
6
V
OUT
19 k
V
4
5
REF
A
引脚说明
名字
In
+ IN
NC
REF
A
REF
B
V–
V+
V
OUT
(1)
2
3
8
5
1
4
7
6
反相输入
同相输入
无内部连接
参考输入
参考输入
负电源
正电源。
(1)
产量
描述
在本文档中, (V +)
( V形)被称为V
S
.
版权
2011年,德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接( S) :
INA149
5
INA149
www.ti.com
SBOS579A
2011年9月
经修订的2011年11月
高共模电压差动放大器
1
特点
共模电压范围:
±275
V
最小共模抑制比:从90分贝
–40°C
至+ 125°C
DC产品规格:
最大失调电压: 1100
μV
最大失调电压漂移: 15
μV/°C
最大增益误差: 0.02 %
最大增益误差漂移: 10 PPM /°C的
最大增益非线性: 0.001 % FSR
AC性能:
带宽: 500 kHz的
典型的压摆率: 5 V / μs的
宽电源范围:
±2.0
V到
±18
V
最大静态电流: 900
μA
输出摆幅在
±15-V
供应:
±13.5
V
输入保护:
普通模式:
±500
V
鉴别:
±500
V
描述
该INA149是一种精密的单位增益差
放大器具有非常高的输入共模
电压范围。它是一个单一的,整体设备
由一个精密运算放大器和集成的
薄膜电阻器网络。该INA149能够准确
在存在测量小差分电压
共模信号,可
±275
五, INA149
输入免受瞬时共模
或差分高达500 V的过载
在许多应用中,在没有在那里的电隔离
需要时, INA149可代替隔离放大器。
这种能力可以消除昂贵的隔离输入端
电源和相关的纹波,噪声和
静态电流。优秀的0.0005 %非线性
和INA149的500 - kHz带宽均优于
那些传统的隔离放大器。
该INA149是引脚兼容的
INA117
INA148
高输入共模电压放大器
并提供了两种设备性能的提高。
该INA149可在SOIC- 8封装,
规定工作在扩展工业
的温度范围内
–40°C
至+ 125°C 。
120
共模抑制比(dB )
110
100
90
80
70
60
50
40
10
100
1k
频率(Hz)
10k
100k
INA149
竞争对手A
2
应用
高压电流检测
电池单元电压监控
电源电流监控
电机控制
更换隔离电路
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权
2011年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
INA149
SBOS579A
2011年9月
经修订的2011年11月
www.ti.com
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序,可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降,完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害,因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
封装/订购信息
(1)
产品
INA149
(1)
PACKAGE -LEAD
SOIC-8
封装标识
D
包装标志
INA149AID
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或者访问
器件产品文件夹在
www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内,除非另有说明。
INA149
电源电压
输入电压范围
共模和差, 10秒
在REF最大电压
A
和REF
B
在任何输入引脚的输入电流
工作温度范围
存储温度范围
结温
人体模型( HBM )
ESD额定值
带电器件模型( CDM)
机器模型( MM )
(1)
(2)
(2)
单位
V
V
V
V
mA
不定
°C
°C
°C
V
V
V
(V+)
(V–)
连续
40
300
500
(V–)
0.3至(V +) + 0.3
10
–55
+150
–65
+150
+150
1500
1000
100
输出短路电流持续时间
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只,设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定是不是暗示。
REF
A
和REF
B
是二极管钳位到电源轨。施加到这些引脚可摆动超过0.3伏以外的信号
电源电压应限制在10 mA或更小。
2
提交文档反馈
产品文件夹链接( S) :
INA149
版权
2011年,德州仪器
INA149
www.ti.com
SBOS579A
2011年9月
经修订的2011年11月
电气特性: V + = + 15V和V- =
–15
V
在T
A
= + 25 ° C,R
L
= 2 kΩ的连接到地,而V
CM
= REF
A
= REF
B
= GND时,除非另有说明。
INA149
参数
收益
初始
增益误差
收益
非线性
失调电压
350
初始偏移
输入
阻抗
电压范围
迪FF erential
共模
迪FF erential
共模
在DC ,V
CM
=
±275
V
共模抑制
( CMRR )
与温度,T
A
=
–40°C
至+ 125°C ,在DC
在AC , 500赫兹,V
CM
= 500 V
PP
在AC , 1 kHz时, V
CM
= 500 V
PP
产量
电压范围
短路电流
容性负载驱动
输出噪声电压
0.01 Hz至10 Hz
10千赫
动力响应
小信号带宽
压摆率
全功率带宽
建立时间
电源
电压范围
静态电流
温度范围
特定网络版
操作
存储
–40
–55
–65
+125
+150
+150
°C
°C
°C
V
S
=
±18
V, V
OUT
= 0 V
与温度,T
A
=
–40°C
至+ 125°C
±2
810
±18
900
1.1
V
A
mA
V
OUT
=
±10-V
V
OUT
= 20 V
PP
0.01%, V
OUT
= 10 -V步
1.7
500
5
32
7
千赫
V / μs的
千赫
s
20
550
V
PP
纳伏/赫兹÷
没有持续振荡
–13.5
±25
10
13.5
V
mA
nF
–13.5
–275
90
90
90
90
100
800
200
13.5
275
V
V
dB
dB
dB
dB
与温度,T
A
=
–40°C
至+ 125°C
与电源( PSRR ) ,V
S
=
±2
V到
±18
V
90
3
120
1100
15
V
μV/°C
dB
V
OUT
=
±10.0
V
V
OUT
=
±10.0
V
与温度,T
A
=
–40°C
至+ 125°C
1
±0.005
±1.5
±0.0005
±0.02
±10
±0.001
V/V
% FSR
PPM /°C的
% FSR
测试条件
典型值
最大
单位
版权
2011年,德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接( S) :
INA149
3
INA149
SBOS579A
2011年9月
经修订的2011年11月
www.ti.com
电气特性: V + = 5 V和V- = 0 V
在T
A
= + 25 ° C,R
L
= 2 kΩ的连接到2.5 V ,和V
CM
= REF
A
= REF
B
= 2.5 V时,除非另有说明。
INA149
参数
收益
初始
增益误差
收益
非线性
失调电压
350
初始偏移
输入
阻抗
电压范围
迪FF erential
共模
迪FF erential
共模
在DC ,V
CM
=
–20
V到25 V
共模抑制
与温度,T
A
=
–40°C
至+ 125°C ,在DC
在AC , 500赫兹,V
CM
= 49 V
PP
在AC , 1 kHz时, V
CM
= 49 V
PP
产量
电压范围
短路电流
容性负载驱动
输出噪声电压
0.01 Hz至10 Hz
10千赫
动力响应
小信号带宽
压摆率
全功率带宽
建立时间
电源
电压范围
静态电流
V
S
= 5 V
与温度,T
A
=
–40°C
至+ 125°C
5
810
1
V
A
mA
V
OUT
= 2 V
PP
V
OUT
= 2 V
PP
0.01%, V
OUT
= 2 V
PP
500
5
32
7
千赫
V / μs的
千赫
s
20
550
V
PP
纳伏/赫兹÷
没有持续振荡
1.5
±15
10
3.5
V
mA
nF
1.5
–20
100
100
100
90
800
200
3.5
25
V
V
dB
dB
dB
dB
与温度,T
A
=
–40°C
至+ 125°C
与电源( PSRR ) ,V
S
= 4 V至5 V
3
120
V
μV/°C
dB
V
OUT
= 1.5 V至3.5 V
V
OUT
= 1.5 V至3.5 V
与温度,T
A
=
–40°C
至+ 125°C
1
±0.005
±1.5
±0.0005
V/V
% FSR
PPM /°C的
% FSR
测试条件
典型值
最大
单位
4
提交文档反馈
产品文件夹链接( S) :
INA149
版权
2011年,德州仪器
INA149
www.ti.com
SBOS579A
2011年9月
经修订的2011年11月
热信息
INA149
热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
结至环境热阻
结至外壳(顶部)热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳(底部)热阻
(1)
D( SOIC )
8引脚
110
57
54
11
53
不适用
单位
° C / W
有关传统和新的热度量的更多信息,请参阅
IC封装热度量
申请报告,
SPRA953.
引脚配置
SOIC-8
( TOP VIEW )
20 k
380 k
8
REF
B
1
NC
380 k
In
2
380 k
+
7
V+
+ IN
3
6
V
OUT
19 k
V
4
5
REF
A
引脚说明
名字
In
+ IN
NC
REF
A
REF
B
V–
V+
V
OUT
(1)
2
3
8
5
1
4
7
6
反相输入
同相输入
无内部连接
参考输入
参考输入
负电源
正电源。
(1)
产量
描述
在本文档中, (V +)
( V形)被称为V
S
.
版权
2011年,德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接( S) :
INA149
5
INA149
www.ti.com
SBOS579A
2011年9月
经修订的2011年11月
高共模电压差动放大器
1
特点
共模电压范围:
±275
V
最小共模抑制比:从90分贝
–40°C
至+ 125°C
DC产品规格:
最大失调电压: 1100
μV
最大失调电压漂移: 15
μV/°C
最大增益误差: 0.02 %
最大增益误差漂移: 10 PPM /°C的
最大增益非线性: 0.001 % FSR
AC性能:
带宽: 500 kHz的
典型的压摆率: 5 V / μs的
宽电源范围:
±2.0
V到
±18
V
最大静态电流: 900
μA
输出摆幅在
±15-V
供应:
±13.5
V
输入保护:
普通模式:
±500
V
鉴别:
±500
V
描述
该INA149是一种精密的单位增益差
放大器具有非常高的输入共模
电压范围。它是一个单一的,整体设备
由一个精密运算放大器和集成的
薄膜电阻器网络。该INA149能够准确
在存在测量小差分电压
共模信号,可
±275
五, INA149
输入免受瞬时共模
或差分高达500 V的过载
在许多应用中,在没有在那里的电隔离
需要时, INA149可代替隔离放大器。
这种能力可以消除昂贵的隔离输入端
电源和相关的纹波,噪声和
静态电流。优秀的0.0005 %非线性
和INA149的500 - kHz带宽均优于
那些传统的隔离放大器。
该INA149是引脚兼容的
INA117
INA148
高输入共模电压放大器
并提供了两种设备性能的提高。
该INA149可在SOIC- 8封装,
规定工作在扩展工业
的温度范围内
–40°C
至+ 125°C 。
120
共模抑制比(dB )
110
100
90
80
70
60
50
40
10
100
1k
频率(Hz)
10k
100k
INA149
竞争对手A
2
应用
高压电流检测
电池单元电压监控
电源电流监控
电机控制
更换隔离电路
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权
2011年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
INA149
SBOS579A
2011年9月
经修订的2011年11月
www.ti.com
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序,可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降,完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害,因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
封装/订购信息
(1)
产品
INA149
(1)
PACKAGE -LEAD
SOIC-8
封装标识
D
包装标志
INA149AID
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或者访问
器件产品文件夹在
www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内,除非另有说明。
INA149
电源电压
输入电压范围
共模和差, 10秒
在REF最大电压
A
和REF
B
在任何输入引脚的输入电流
工作温度范围
存储温度范围
结温
人体模型( HBM )
ESD额定值
带电器件模型( CDM)
机器模型( MM )
(1)
(2)
(2)
单位
V
V
V
V
mA
不定
°C
°C
°C
V
V
V
(V+)
(V–)
连续
40
300
500
(V–)
0.3至(V +) + 0.3
10
–55
+150
–65
+150
+150
1500
1000
100
输出短路电流持续时间
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只,设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定是不是暗示。
REF
A
和REF
B
是二极管钳位到电源轨。施加到这些引脚可摆动超过0.3伏以外的信号
电源电压应限制在10 mA或更小。
2
提交文档反馈
产品文件夹链接( S) :
INA149
版权
2011年,德州仪器
INA149
www.ti.com
SBOS579A
2011年9月
经修订的2011年11月
电气特性: V + = + 15V和V- =
–15
V
在T
A
= + 25 ° C,R
L
= 2 kΩ的连接到地,而V
CM
= REF
A
= REF
B
= GND时,除非另有说明。
INA149
参数
收益
初始
增益误差
收益
非线性
失调电压
350
初始偏移
输入
阻抗
电压范围
迪FF erential
共模
迪FF erential
共模
在DC ,V
CM
=
±275
V
共模抑制
( CMRR )
与温度,T
A
=
–40°C
至+ 125°C ,在DC
在AC , 500赫兹,V
CM
= 500 V
PP
在AC , 1 kHz时, V
CM
= 500 V
PP
产量
电压范围
短路电流
容性负载驱动
输出噪声电压
0.01 Hz至10 Hz
10千赫
动力响应
小信号带宽
压摆率
全功率带宽
建立时间
电源
电压范围
静态电流
温度范围
特定网络版
操作
存储
–40
–55
–65
+125
+150
+150
°C
°C
°C
V
S
=
±18
V, V
OUT
= 0 V
与温度,T
A
=
–40°C
至+ 125°C
±2
810
±18
900
1.1
V
A
mA
V
OUT
=
±10-V
V
OUT
= 20 V
PP
0.01%, V
OUT
= 10 -V步
1.7
500
5
32
7
千赫
V / μs的
千赫
s
20
550
V
PP
纳伏/赫兹÷
没有持续振荡
–13.5
±25
10
13.5
V
mA
nF
–13.5
–275
90
90
90
90
100
800
200
13.5
275
V
V
dB
dB
dB
dB
与温度,T
A
=
–40°C
至+ 125°C
与电源( PSRR ) ,V
S
=
±2
V到
±18
V
90
3
120
1100
15
V
μV/°C
dB
V
OUT
=
±10.0
V
V
OUT
=
±10.0
V
与温度,T
A
=
–40°C
至+ 125°C
1
±0.005
±1.5
±0.0005
±0.02
±10
±0.001
V/V
% FSR
PPM /°C的
% FSR
测试条件
典型值
最大
单位
版权
2011年,德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接( S) :
INA149
3
INA149
SBOS579A
2011年9月
经修订的2011年11月
www.ti.com
电气特性: V + = 5 V和V- = 0 V
在T
A
= + 25 ° C,R
L
= 2 kΩ的连接到2.5 V ,和V
CM
= REF
A
= REF
B
= 2.5 V时,除非另有说明。
INA149
参数
收益
初始
增益误差
收益
非线性
失调电压
350
初始偏移
输入
阻抗
电压范围
迪FF erential
共模
迪FF erential
共模
在DC ,V
CM
=
–20
V到25 V
共模抑制
与温度,T
A
=
–40°C
至+ 125°C ,在DC
在AC , 500赫兹,V
CM
= 49 V
PP
在AC , 1 kHz时, V
CM
= 49 V
PP
产量
电压范围
短路电流
容性负载驱动
输出噪声电压
0.01 Hz至10 Hz
10千赫
动力响应
小信号带宽
压摆率
全功率带宽
建立时间
电源
电压范围
静态电流
V
S
= 5 V
与温度,T
A
=
–40°C
至+ 125°C
5
810
1
V
A
mA
V
OUT
= 2 V
PP
V
OUT
= 2 V
PP
0.01%, V
OUT
= 2 V
PP
500
5
32
7
千赫
V / μs的
千赫
s
20
550
V
PP
纳伏/赫兹÷
没有持续振荡
1.5
±15
10
3.5
V
mA
nF
1.5
–20
100
100
100
90
800
200
3.5
25
V
V
dB
dB
dB
dB
与温度,T
A
=
–40°C
至+ 125°C
与电源( PSRR ) ,V
S
= 4 V至5 V
3
120
V
μV/°C
dB
V
OUT
= 1.5 V至3.5 V
V
OUT
= 1.5 V至3.5 V
与温度,T
A
=
–40°C
至+ 125°C
1
±0.005
±1.5
±0.0005
V/V
% FSR
PPM /°C的
% FSR
测试条件
典型值
最大
单位
4
提交文档反馈
产品文件夹链接( S) :
INA149
版权
2011年,德州仪器
INA149
www.ti.com
SBOS579A
2011年9月
经修订的2011年11月
热信息
INA149
热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
结至环境热阻
结至外壳(顶部)热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳(底部)热阻
(1)
D( SOIC )
8引脚
110
57
54
11
53
不适用
单位
° C / W
有关传统和新的热度量的更多信息,请参阅
IC封装热度量
申请报告,
SPRA953.
引脚配置
SOIC-8
( TOP VIEW )
20 k
380 k
8
REF
B
1
NC
380 k
In
2
380 k
+
7
V+
+ IN
3
6
V
OUT
19 k
V
4
5
REF
A
引脚说明
名字
In
+ IN
NC
REF
A
REF
B
V–
V+
V
OUT
(1)
2
3
8
5
1
4
7
6
反相输入
同相输入
无内部连接
参考输入
参考输入
负电源
正电源。
(1)
产量
描述
在本文档中, (V +)
( V形)被称为V
S
.
版权
2011年,德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接( S) :
INA149
5
INA149
www.ti.com
SBOS579A
2011年9月
经修订的2011年11月
高共模电压差动放大器
1
特点
共模电压范围:
±275
V
最小共模抑制比:从90分贝
–40°C
至+ 125°C
DC产品规格:
最大失调电压: 1100
μV
最大失调电压漂移: 15
μV/°C
最大增益误差: 0.02 %
最大增益误差漂移: 10 PPM /°C的
最大增益非线性: 0.001 % FSR
AC性能:
带宽: 500 kHz的
典型的压摆率: 5 V / μs的
宽电源范围:
±2.0
V到
±18
V
最大静态电流: 900
μA
输出摆幅在
±15-V
供应:
±13.5
V
输入保护:
普通模式:
±500
V
鉴别:
±500
V
描述
该INA149是一种精密的单位增益差
放大器具有非常高的输入共模
电压范围。它是一个单一的,整体设备
由一个精密运算放大器和集成的
薄膜电阻器网络。该INA149能够准确
在存在测量小差分电压
共模信号,可
±275
五, INA149
输入免受瞬时共模
或差分高达500 V的过载
在许多应用中,在没有在那里的电隔离
需要时, INA149可代替隔离放大器。
这种能力可以消除昂贵的隔离输入端
电源和相关的纹波,噪声和
静态电流。优秀的0.0005 %非线性
和INA149的500 - kHz带宽均优于
那些传统的隔离放大器。
该INA149是引脚兼容的
INA117
INA148
高输入共模电压放大器
并提供了两种设备性能的提高。
该INA149可在SOIC- 8封装,
规定工作在扩展工业
的温度范围内
–40°C
至+ 125°C 。
120
共模抑制比(dB )
110
100
90
80
70
60
50
40
10
100
1k
频率(Hz)
10k
100k
INA149
竞争对手A
2
应用
高压电流检测
电池单元电压监控
电源电流监控
电机控制
更换隔离电路
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权
2011年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
INA149
SBOS579A
2011年9月
经修订的2011年11月
www.ti.com
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序,可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降,完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害,因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
封装/订购信息
(1)
产品
INA149
(1)
PACKAGE -LEAD
SOIC-8
封装标识
D
包装标志
INA149AID
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或者访问
器件产品文件夹在
www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内,除非另有说明。
INA149
电源电压
输入电压范围
共模和差, 10秒
在REF最大电压
A
和REF
B
在任何输入引脚的输入电流
工作温度范围
存储温度范围
结温
人体模型( HBM )
ESD额定值
带电器件模型( CDM)
机器模型( MM )
(1)
(2)
(2)
单位
V
V
V
V
mA
不定
°C
°C
°C
V
V
V
(V+)
(V–)
连续
40
300
500
(V–)
0.3至(V +) + 0.3
10
–55
+150
–65
+150
+150
1500
1000
100
输出短路电流持续时间
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只,设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定是不是暗示。
REF
A
和REF
B
是二极管钳位到电源轨。施加到这些引脚可摆动超过0.3伏以外的信号
电源电压应限制在10 mA或更小。
2
提交文档反馈
产品文件夹链接( S) :
INA149
版权
2011年,德州仪器
INA149
www.ti.com
SBOS579A
2011年9月
经修订的2011年11月
电气特性: V + = + 15V和V- =
–15
V
在T
A
= + 25 ° C,R
L
= 2 kΩ的连接到地,而V
CM
= REF
A
= REF
B
= GND时,除非另有说明。
INA149
参数
收益
初始
增益误差
收益
非线性
失调电压
350
初始偏移
输入
阻抗
电压范围
迪FF erential
共模
迪FF erential
共模
在DC ,V
CM
=
±275
V
共模抑制
( CMRR )
与温度,T
A
=
–40°C
至+ 125°C ,在DC
在AC , 500赫兹,V
CM
= 500 V
PP
在AC , 1 kHz时, V
CM
= 500 V
PP
产量
电压范围
短路电流
容性负载驱动
输出噪声电压
0.01 Hz至10 Hz
10千赫
动力响应
小信号带宽
压摆率
全功率带宽
建立时间
电源
电压范围
静态电流
温度范围
特定网络版
操作
存储
–40
–55
–65
+125
+150
+150
°C
°C
°C
V
S
=
±18
V, V
OUT
= 0 V
与温度,T
A
=
–40°C
至+ 125°C
±2
810
±18
900
1.1
V
A
mA
V
OUT
=
±10-V
V
OUT
= 20 V
PP
0.01%, V
OUT
= 10 -V步
1.7
500
5
32
7
千赫
V / μs的
千赫
s
20
550
V
PP
纳伏/赫兹÷
没有持续振荡
–13.5
±25
10
13.5
V
mA
nF
–13.5
–275
90
90
90
90
100
800
200
13.5
275
V
V
dB
dB
dB
dB
与温度,T
A
=
–40°C
至+ 125°C
与电源( PSRR ) ,V
S
=
±2
V到
±18
V
90
3
120
1100
15
V
μV/°C
dB
V
OUT
=
±10.0
V
V
OUT
=
±10.0
V
与温度,T
A
=
–40°C
至+ 125°C
1
±0.005
±1.5
±0.0005
±0.02
±10
±0.001
V/V
% FSR
PPM /°C的
% FSR
测试条件
典型值
最大
单位
版权
2011年,德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接( S) :
INA149
3
INA149
SBOS579A
2011年9月
经修订的2011年11月
www.ti.com
电气特性: V + = 5 V和V- = 0 V
在T
A
= + 25 ° C,R
L
= 2 kΩ的连接到2.5 V ,和V
CM
= REF
A
= REF
B
= 2.5 V时,除非另有说明。
INA149
参数
收益
初始
增益误差
收益
非线性
失调电压
350
初始偏移
输入
阻抗
电压范围
迪FF erential
共模
迪FF erential
共模
在DC ,V
CM
=
–20
V到25 V
共模抑制
与温度,T
A
=
–40°C
至+ 125°C ,在DC
在AC , 500赫兹,V
CM
= 49 V
PP
在AC , 1 kHz时, V
CM
= 49 V
PP
产量
电压范围
短路电流
容性负载驱动
输出噪声电压
0.01 Hz至10 Hz
10千赫
动力响应
小信号带宽
压摆率
全功率带宽
建立时间
电源
电压范围
静态电流
V
S
= 5 V
与温度,T
A
=
–40°C
至+ 125°C
5
810
1
V
A
mA
V
OUT
= 2 V
PP
V
OUT
= 2 V
PP
0.01%, V
OUT
= 2 V
PP
500
5
32
7
千赫
V / μs的
千赫
s
20
550
V
PP
纳伏/赫兹÷
没有持续振荡
1.5
±15
10
3.5
V
mA
nF
1.5
–20
100
100
100
90
800
200
3.5
25
V
V
dB
dB
dB
dB
与温度,T
A
=
–40°C
至+ 125°C
与电源( PSRR ) ,V
S
= 4 V至5 V
3
120
V
μV/°C
dB
V
OUT
= 1.5 V至3.5 V
V
OUT
= 1.5 V至3.5 V
与温度,T
A
=
–40°C
至+ 125°C
1
±0.005
±1.5
±0.0005
V/V
% FSR
PPM /°C的
% FSR
测试条件
典型值
最大
单位
4
提交文档反馈
产品文件夹链接( S) :
INA149
版权
2011年,德州仪器
INA149
www.ti.com
SBOS579A
2011年9月
经修订的2011年11月
热信息
INA149
热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
结至环境热阻
结至外壳(顶部)热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳(底部)热阻
(1)
D( SOIC )
8引脚
110
57
54
11
53
不适用
单位
° C / W
有关传统和新的热度量的更多信息,请参阅
IC封装热度量
申请报告,
SPRA953.
引脚配置
SOIC-8
( TOP VIEW )
20 k
380 k
8
REF
B
1
NC
380 k
In
2
380 k
+
7
V+
+ IN
3
6
V
OUT
19 k
V
4
5
REF
A
引脚说明
名字
In
+ IN
NC
REF
A
REF
B
V–
V+
V
OUT
(1)
2
3
8
5
1
4
7
6
反相输入
同相输入
无内部连接
参考输入
参考输入
负电源
正电源。
(1)
产量
描述
在本文档中, (V +)
( V形)被称为V
S
.
版权
2011年,德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接( S) :
INA149
5
查看更多INA149AIDPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    INA149AID
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1274131982 复制 点击这里给我发消息 QQ:3470449835 复制

电话:0755-23306107
联系人:业务员
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园4栋
INA149AID
TI
21+
16000
SOIC (D)
原装正品欢迎你询价
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制

电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
INA149AID
TI(德州仪器)
22+
10957
原装原厂公司现货
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
INA149AID
TI/德州仪器
22+
12450
SOP8
只做原装 原包正品
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
INA149AID
TI
21+
14550
SOP-8
只做原装实单申请
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:421123133 复制

电话:13410941925
联系人:李先生【原装正品,可开发票】
地址:深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
INA149AID
TI(德州仪器)
24+
7800
SOIC-8
原装正品现货,可开增值税专用发票
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2276945435 复制 点击这里给我发消息 QQ:2801615837 复制

电话:0755-82522939
联系人:彭小姐
地址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
INA149AID
TI原厂渠道
1000
21+
原包装原标现货,假一罚十,
0.1
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1115451969 复制

电话:13316817713
联系人:张先生
地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋西6楼
INA149AID
TI原厂原包装
24+
9850
SOIC8
进口原装正品现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881724897 复制

电话:0755-82525087
联系人:肖
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园四栋西4楼4B20
INA149AID
TI/德州仪器
21+
10000
SOIC-8
原装正品,特价
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1316406779 复制
电话:075584505750
联系人:刘生
地址:龙岗区横岗街道华侨新村社区荣德时代广场A2301
INA149AID
TI
22+
18260
SOIC8
原装代理现货,价格最优
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:229754250 复制

电话:0755-83254070/18680328178
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技工业园4栋9层9B10房
INA149AID
TI/德州仪器
新年份
15000
SOIC-8
原装现货,质量保证,可出样品,可开发票
查询更多INA149AID供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!