INA1
28
INA1
29
INA1
28
INA1
INA128
INA129
29
高精度，低功耗
仪表放大器器
特点
q
低失调电压： 50
V最大
q
低漂移： 0.5
V/
°
C（最大值）
q
低输入偏置电流：最大消耗5nA
q
高CMR ： 120分贝分钟
q
INPUTS保护，
±
40V
q
宽电源范围：
±
2.25
±
18V
q
低静态电流： 700
A
q
8引脚塑料DIP ， SO- 8
描述
该INA128与INA129是低功耗，一般
目的仪表放大器具有优异的
准确度。其多功能三运放设计和小
尺寸使其非常适用于广泛的应用。
电流反馈输入电路提供了广泛的频带 -
宽，即使在高增益（在200kHz时，G = 100）。
单个外部电阻设置从1到任何收益
万。 INA128提供了一个行业标准增益
方程; INA129的增益公式为兼容
该AD620 。
该INA128 / INA129经过激光调整，具有非常低
失调电压（ 50μV ） ，漂移（ 0.5μV / ° C）和高的COM
共模抑制比（ 120分贝于G1
≥
100）。它的工作
与电源低至
±2.25V,
和静态
电流仅为700μA ，适合于电池供电
系统。内部输入保护可承受高达
±40V
而不损坏。
该INA128 / INA129采用8引脚塑料可
DIP和SO- 8表面贴装封装，指定
在-40 ° C至+ 85 °C温度范围。该INA128
也是在双重配置中， INA2128可用。
V+
7
INA128 ：
G=1+
50k
R
G
应用
q
桥式放大器
q
热电偶放大器
q
RTD传感器放大器
q
医疗器械
q
数据采集
V
IN
–
2
INA128 ， INA129
过电压
保护
A
1
40k
25k
(1)
40k
INA129 ：
G=1+
6
49.4k
R
G
1
R
G
8
25k
(1)
A
2
40k
4
V–
A
3
V
O
5
40k
+
V
IN
3
过电压
保护
REF
注： （ 1 ） INA129 ： 24.7kΩ
国际空港工业园邮寄地址：PO Box 11400 ，图森，亚利桑那州85734 街道地址： 6730 S.图森大道，图森，亚利桑那州85706 电话： （ 520 ） 746-1111 TWX ： 910-952-1111
互联网： http://www.burr-brown.com/图文传真： （ 800 ） 548-6133 （美国/加拿大）电缆： BBRCORP 电传： 066-6491 传真： （ 520 ） 889-1510 立即产品信息： （ 800 ） 548-6132
1995年的Burr-Brown公司
PDS-1296C
美国印刷1996年10月
特定网络阳离子
在T
A
= + 25 ° C，V
S
=
±15V,
R
L
= 10kΩ的，除非另有说明。
INA128P ，U
INA129P ，U
参数
条件
民
典型值
最大
民
INA128PA ， UA
INA129PA ， UA
典型值
最大
单位
输入
失调电压， RTI
初始
T
A
= +25°C
与温度
T
A
= T
民
给T
最大
VS电源
V
S
=
±2.25V
to
±18V
长期稳定性
阻抗，差动
共模
V
O
= 0V
共模电压范围
(1)
安全的输入电压
共模抑制
V
CM
=
± 13V ， ΔR
S
= 1k
G=1
G=10
G=100
G=1000
(V+) – 2
(V–) + 2
±10 ±100/G
±0.2 ±
2/G
±0.2 ±20/G
±0.1 ±3/G
10
10
|| 2
10
11
|| 9
(V+) – 1.4
(V–) + 1.7
±50 ±500/G
±0.5 ±
20/G
±1 ±100/G
T
T
±40
73
93
110
110
±5
±5
±25 ±100/G ±125 ±1000/G
±0.2 ±
5/G
±1 ±
20/G
T
±2 ±200/G
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
±10
±10
V
μV/°C
V/V
μV /月
|| pF的
|| pF的
V
V
V
dB
dB
dB
dB
nA
PA / ℃，
nA
PA / ℃，
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
μVp -P
PA / ÷赫兹
PA / ÷赫兹
PAP -P
V/V
V/V
V/V
%
%
%
%
PPM /°C的
PPM /°C的
％ FSR的
％ FSR的
％ FSR的
％ FSR的
V
V
pF
mA
兆赫
千赫
千赫
千赫
V / μs的
s
s
s
s
s
80
100
120
120
86
106
125
130
±2
±30
±1
±30
偏置电流
与温度
失调电流
与温度
噪声电压， RTI
F = 10Hz的
F = 100Hz的
F = 1kHz时
f
B
= 0.1Hz至10Hz的
噪声电流
f=10Hz
f=1kHz
f
B
= 0.1Hz至10Hz的
收益
增益公式， INA128
INA129
增益范围
增益误差
G = 1000 ，R
S
= 0
10
8
8
0.2
0.9
0.3
30
1 + （ 50kΩ的/ R
G
)
1+（ 49.4kΩ /右
G
)
1
G=1
G=10
G=100
G=1000
G=1
V
O
=
±13.6V,
G=1
G=10
G=100
G=1000
R
L
= 10k
R
L
= 10k
(V+) – 1.4
(V–) + 1.4
±0.01
±0.02
±0.05
±0.5
±1
±25
±0.0001
±0.0003
±0.0005
±0.001
(V+) – 0.9
(V–) + 0.8
1000
+6/–15
1.3
700
200
20
4
7
7
9
80
4
±2.25
V
IN
= 0V
–40
–40
80
150
±15
±700
±18
±750
85
125
T
10000
±0.024
±0.4
±0.5
±1
±10
±100
±0.001
±0.002
±0.002
（注4 ）
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
增益与温度
(2)
50k的（或49.4kΩ ）电阻
(2, 3)
非线性
T
±0.1
±0.5
±0.7
±2
T
T
±0.002
±0.004
±0.004
T
产量
电压：正
负
负载电容的稳定性
短路电流
频率响应
带宽-3dB
压摆率
建立时间， 0.01 ％
过载恢复
电源
电压范围
目前，道达尔
温度范围
规范
操作
θ
JA
8引脚DIP
SO- 8 SOIC
G=1
G=10
G=100
G=1000
V
O
=
±10V,
G=10
G=1
G=10
G=100
G=1000
50 ％过载
T
T
T
T
V
A
°C
°C
° C / W
° C / W
T
T
T
T
T
规格相同INA128P ， U或INA129P ， U.
注： （ 1 ）与输出输入共模范围的电压变化，看到典型曲线。 （ 2 ）保证了晶圆测试。 （ 3 ）在50kΩ的（或49.4kΩ ）的温度系数
长期的增益公式。 （ 4） G = 1000非线性测量噪声的控制。典型的非线性度
±0.001%.
引脚配置
8引脚DIP和SO- 8
静电
放电敏感度
顶视图
8
7
6
5
R
G
V+
V
O
REF
R
G
V
In
V
+ IN
V–
1
2
3
4
这个集成电路可以被ESD损坏。的Burr-Brown
建议所有集成电路与AP-处理
propriate注意事项。如果不遵守正确的操作和
安装程序会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降
完成设备故障。精密集成电路可能
更容易受到伤害，因为很小的参数
变化可能导致设备不能满足其公布
特定连接的阳离子。
订购信息
包
制图
数
(1)
006
006
182
182
006
006
182
182
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
绝对最大额定值
电源电压................................................ ..................................
±18V
模拟输入电压范围.............................................. ...............
±40V
输出短路（接地） ..........................................连续....
工作温度................................................ -40 ° C至+ 125°C
存储温度................................................ ..... -40 ° C至+ 125°C
结温................................................ .................... + 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ........................................... ... + 300℃
产品
INA128PA
INA128P
INA128UA
INA128U
INA129PA
INA129P
INA129UA
INA129U
包
8引脚塑料DIP
8引脚塑料DIP
SO- 8表面贴装
SO- 8表面贴装
8引脚塑料DIP
8引脚塑料DIP
SO- 8表面贴装
SO- 8表面贴装
注： （ 1 ）有关详细的图纸和维表，请参阅数据结束
片，或的Burr-Brown IC数据手册附录C 。
本文提供的信息被认为是可靠的;但是， BURR -BROWN承担不准确或遗漏不承担任何责任。 BURR -BROWN不承担任何责任
对于使用这些信息，所有此类信息的使用应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。没有专利权或
许可证以本文所述的任何电路被暗示或任何第三方授权。 BURR -BROWN没有授权或担保任何Burr-Brown产品用于生命支持应用
设备和/或系统。
INA128
INA129
SBOS051B - 1995年10月 - 修订2005年2月
高精度，低功耗
仪表放大器器
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
低失调电压：最大50μV
低漂移： 0.5μV / 5C最大
低输入偏置电流：最大消耗5nA
高CMR ： 120分贝分钟
INPUTS保护，
+40V
宽电源范围：
+2.25V
to
+18V
低静态电流： 700μA
8引脚塑料DIP ， SO- 8
描述
该INA128与INA129是低功耗，一般
目的仪表放大器具有优异的
准确度。多功能的三运放设计和小尺寸
使它们非常适用于广泛的应用。
电流反馈输入电路提供了广阔
带宽，即使在高增益（在200kHz时，G = 100）。
单个外部电阻器设定从1到10000的任何增益。
该INA128提供了一个符合行业标准的增
方程; INA129的增益公式为兼容
该AD620 。
该INA128 / INA129是激光调整，具有极低的失调
电压（ 50μV ） ，
漂移（ 0.5μV / ° C）和高
共模抑制（ 120分贝于G1
≥
100）。它
与电源低至操作
±2.25V,
和
静态电流仅为700μA ，非常适合电池
供电系统。可内置输入保护
承受高达
±40V
而不损坏。
该INA128 / INA129采用8引脚塑料DIP和
SO- 8表面贴装封装，指定-40°C
至+ 85 °C温度范围。该INA128还
在双配置中可用的INA2128 。
V+
7
INA128 ：
INA128 ， INA129
过电压
保护
应用
桥式放大器
热电偶放大器
RTD传感器放大器
医疗器械
数据采集
V
IN
2
G=1+
INA129 ：
G=1+
6
50k
R
G
A
1
40k
1
25k(1)
A
3
8
25k(1)
A
2
40k
4
V
40k
5
40k
49.4k
R
G
R
G
V
O
+
V
IN
3
过电压
保护
REF
注： （ 1 ） INA129 ： 24.7kΩ
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
PRODUCTION数据信息为出版日期。制品
符合每德州仪器标准保修条款的规范。
生产加工并不包括所有参数进行测试。
版权
1995-2005年，德州仪器
www.ti.com
INA128
INA129
www.ti.com
SBOS051B - 1995年10月 - 修订2005年2月
绝对最大额定值
(1)
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±18V
模拟输入电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±40V
输出短路（接地） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。连续
工作温度
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
（ 1 ）工作条件超过这些额定值可能会造成永久性的损害。
长期在绝对最大条件下工作
可能会降低设备的可靠性。这些压力额定值只，和
该器件在这些或任何其他条件的功能操作
超出这些规定的，是不是暗示。
静电放电敏感度
这种集成电路可通过被损坏
ESD 。德州仪器建议所有
集成电路与适当处理
预防措施。如果不遵守正确的操作和
安装程序会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能
下降，完成设备故障。精确
集成电路可能更容易受到损坏
因为非常小的参数变化可能导致的
设备不能满足其公布的规格。
订购信息
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录位于该数据的末尾
表。
引脚配置
8引脚DIP和SO- 8
顶视图
R
G
V
IN
V
+ IN
V
1
2
3
4
8
7
6
5
R
G
V+
V
O
REF
2
INA128
INA129
www.ti.com
SBOS051B - 1995年10月 - 修订2005年2月
电气特性
在T
A
= + 25 ° C，V
S
=
±15V,
R
L
= 10kΩ的，除非另有说明。
INA128P ，U
INA129P 。 ü
参数
输入
失调电压， RTI
初始
与温度
VS电源
长期稳定性
阻抗，差动
共模
共模电压范围
(1)
安全的输入电压
共模抑制
V
CM
=
± 13V ， ΔR
S
= 1k
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
偏置电流
与温度
失调电流
与温度
噪声电压， RTI
F = 10Hz的
F = 100Hz的
F = 1kHz时
f
B
= 0.1Hz至10Hz的
噪声电流
F = 10Hz的
F = 1kHz时
f
B
= 0.1Hz至10Hz的
收益
增益公式， INA128
增益公式，
INA129
增益范围
增益误差
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
增益与温度
(2)
50k的（或49.4kΩ ）电阻
(2)(3)
非线性
V
O
=
±13.6V,
G = 1
G = 10
G = 100
G = 1000
G=1
1
±0.01
±0.02
±0.05
±0.5
±1
±25
±0.0001
±0.0003
±0.0005
±0.001
1 + （ 50kΩ的/ R
G
)
1+（ 49.4kΩ /右
G
)
10000
±0.024
±0.4
±0.5
±1
±10
±100
±0.001
±0.002
±0.002
(4)
INA128PA ， UA
INA129PA ， UA
最大
民
典型值
最大
单位
条件
民
典型值
T
A
= +25°C
T
A
= TMIN至TMAX
V
S
=
±2.25V
to
±18V
±10±100/G
±0.2±2/G
±0.2±20/G
±0.1±3/G
10
10
|| 2
10
11
|| 9
±50±500/G
±0.5±20/G
±1±100/G
±25±100/G
±0.2±5/G
±125±1000/G
±1±20/G
±2±200/G
V
μV/°C
V/V
μV /月
|| pF的
|| pF的
V
V
V
O
= 0V
(V+) 2
(V) + 2
(V+) 1.4
(V) + 1.7
±40
73
93
110
110
±0.1
±0.5
±0.7
±2
±0.002
±0.004
±0.004
±10
±10
V
dB
dB
dB
dB
nA
PA / ℃，
nA
PA / ℃，
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
V
PP
PA / ÷赫兹
PA / ÷赫兹
帕普
V/V
V/V
V/V
%
%
%
%
PPM /°C的
PPM /°C的
％ FSR的
％ FSR的
％ FSR的
％ FSR的
80
100
120
120
86
106
125
130
±2
±30
±1
±30
±5
±5
G = 1000 ，R
S
= 0
10
8
8
0.2
0.9
0.3
30
注意：
规格是一样的INA128P ， U或INA129P ， U.
（ 1）输入共模范围与输出电压 - 见典型曲线。
（ 2 ）通过指定的晶圆测试。
（ 3 ）温度的50kΩ的（或49.4kΩ ）项的增益方程的系数。
（ 4） G = 1000非线性测量噪声的控制。典型的非线性度
±0.001%.
3
INA128
INA129
www.ti.com
SBOS051B - 1995年10月 - 修订2005年2月
电气特性（续）
在T
A
= + 25 ° C，V
S
=
±15V,
R
L
= 10kΩ的，除非另有说明。
INA128P ，U
INA129P 。 ü
参数
产量
电压：正
电压：
负
负载电容的稳定性
短路电流
频率响应
带宽-3dB
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
压摆率
建立时间， 0.01 ％
V
O
=
±10V,
G = 10
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
过载恢复
电源
电压范围
目前，道达尔
温度范围
规范
操作
q
JA
8引脚DIP
SO- 8 SOIC
40
40
80
150
+85
+125
°C
°C
° C / W
° C / W
V
IN
= 0V
±2.25
±15
±700
±18
±750
V
A
50 ％过载
1.3
700
200
20
4
7
7
9
80
4
兆赫
千赫
千赫
千赫
V / μs的
s
s
s
s
s
R
L
= 10k
R
L
= 10k
(V+) 1.4
(V) + 1.4
(V+) 0.9
(V) + 0.8
1000
+6/15
V
V
pF
mA
INA128PA ， UA
INA129PA ， UA
最大
民
典型值
最大
单位
条件
民
典型值
注意：
规格是一样的INA128P ， U或INA129P ， U.
（ 1）输入共模范围与输出电压 - 见典型曲线。
（ 2 ）通过指定的晶圆测试。
（ 3 ）温度的50kΩ的（或49.4kΩ ）项的增益方程的系数。
（ 4） G = 1000非线性测量噪声的控制。典型的非线性度
±0.001%.
4
INA128
INA129
www.ti.com
SBOS051B - 1995年10月 - 修订2005年2月
典型特征
在T
A
= + 25 ° C，V
S
=
±15V,
除非另有说明。
增益与频率
60
G = 1000V / V
共模抑制比（分贝）
50
40
G = 100V / V
增益（dB ）
30
20
10
0
10
20
1k
10k
100k
频率（Hz）
1M
10M
G = 1V / V
G = 10V / V
120
100
140
共模抑制与频率
G = 1000V / V
G = 100V / V
G = 10V / V
G = 1V / V
80
60
40
20
0
10
100
1k
10k
100k
1M
频率（Hz）
正电源抑制
与频率
140
电源抑制（分贝）
电源抑制（分贝）
120
100
80
60
40
20
0
10
100
1k
10k
100k
1M
频率（Hz）
G = 10V / V
G = 1V / V
140
负电源抑制
与频率
G = 1000V / V
G = 1000V / V
G = 100V / V
120
100
80
60
40
20
0
10
G = 10V / V
G = 100V / V
G = 1V / V
100
1k
10k
100k
1M
频率（Hz）
输入共模范围
VS的输出电压， VS =
±15V
15
共模电压（V）的
10
G=1
5
0
5
10
15
15
+
输入共模范围
VS的输出电压， VS =
±5V, ±2.5V
G
≥
10
共模电压（V）的
5
4
3
2
1
0
1
2
3
4
5
VS =
±5V
VS =
±2.5V
4
3
2
1
0
1
2
3
4
5
G=1
G
≥
10
G=1
G=1
G
≥
10
G
≥
10
G
≥
10
G=1
+
+
+15V
V
O
REF
15V
V
D/2
V
D/2
V
CM
10
5
0
5
10
15
5
输出电压（V）
输出电压（V）
5
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