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INA128
INA129
SBOS051B - 1995年10月 - 修订2005年2月
高精度,低功耗
仪表放大器器
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
描述
低失调电压:最大50μV
低漂移: 0.5μV / 5C最大
低输入偏置电流:最大消耗5nA
高CMR : 120分贝分钟
INPUTS保护,
+40V
宽电源范围:
+2.25V
to
+18V
低静态电流: 700μA
8引脚塑料DIP , SO- 8
应用
桥式放大器
热电偶放大器
RTD传感器放大器
医疗器械
数据采集
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
PRODUCTION数据信息为出版日期。制品
符合每德州仪器标准保修条款的规范。
生产加工并不包括所有参数进行测试。
有 2
技 83 器
科 16 元
子 29 子
电 -8 电
创 55 温
德 07 高
鸿 话 油
圳 电 石
深 系 理
联 代
V+
7
INA128 :
G=1+
该INA128与INA129是低功耗,一般
目的仪表放大器具有优异的
准确度。多功能的三运放设计和小尺寸
使它们非常适用于广泛的应用。
电流反馈输入电路提供了广阔
带宽,即使在高增益(在200kHz时,G = 100)。
单个外部电阻器设定从1到10000的任何增益。
该INA128提供了一个符合行业标准的增
方程; INA129的增益公式为兼容
该AD620 。
该INA128 / INA129是激光调整,具有极低的失调
电压( 50μV ) ,
漂移( 0.5μV / ° C)和高
共模抑制( 120分贝于G1
100)。它
与电源低至操作
±2.25V,
静态电流仅为700μA ,非常适合电池
供电系统。可内置输入保护
承受高达
±40V
而不损坏。
该INA128 / INA129采用8引脚塑料DIP和
SO- 8表面贴装封装,指定-40°C
至+ 85 °C温度范围。该INA128还
在双配置中可用的INA2128 。
V
IN
2
INA128 , INA129
过电压
保护
50k
R
G
A
1
40k
40k
INA129 :
G=1+
1
25k(1)
49.4k
R
G
R
G
A
3
6
V
O
8
25k(1)
+
V
IN
3
过电压
保护
A
2
40k
4
V
40k
5
REF
注: ( 1 ) INA129 : 24.7kΩ
版权
1995-2005年,德州仪器
www.ti.com
INA128
INA129
www.ti.com
SBOS051B - 1995年10月 - 修订2005年2月
绝对最大额定值
(1)
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±18V
模拟输入电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±40V
输出短路(接地) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。连续
工作温度
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
焊接温度(焊接, 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
( 1 )工作条件超过这些额定值可能会造成永久性的损害。
长期在绝对最大条件下工作
可能会降低设备的可靠性。这些压力额定值只,和
该器件在这些或任何其他条件的功能操作
超出这些规定的,是不是暗示。
静电放电敏感度
这种集成电路可通过被损坏
ESD 。德州仪器建议所有
集成电路与适当处理
预防措施。如果不遵守正确的操作和
安装程序会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能
下降,完成设备故障。精确
集成电路可能更容易受到损坏
因为非常小的参数变化可能导致的
设备不能满足其公布的规格。
订购信息
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录位于该数据的末尾
表。
引脚配置
有 2
技 83 器
科 16 元
子 29 子
电 -8 电
创 55 温
德 07 高
鸿 话 油
圳 电 石
深 系 理
联 代
8引脚DIP和SO- 8
顶视图
R
G
1
2
3
4
8
7
6
5
R
G
V+
V
O
V
IN
V
+ IN
V
REF
2
INA128
INA129
www.ti.com
SBOS051B - 1995年10月 - 修订2005年2月
电气特性
在T
A
= + 25 ° C,V
S
=
±15V,
R
L
= 10kΩ的,除非另有说明。
INA128P ,U
INA129P 。 ü
参数
输入
失调电压, RTI
初始
与温度
VS电源
长期稳定性
共模
阻抗,差动
T
A
= +25°C
T
A
= TMIN至TMAX
V
S
=
±2.25V
to
±18V
±10±100/G
±0.2±2/G
±0.2±20/G
±0.1±3/G
10
10
|| 2
10
11
|| 9
±50±500/G
±0.5±20/G
±1±100/G
±25±100/G
±0.2±5/G
±125±1000/G
±1±20/G
±2±200/G
V
μV/°C
V/V
μV /月
|| pF的
|| pF的
V
V
V
dB
dB
dB
dB
±10
±10
nA
PA / ℃,
nA
PA / ℃,
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
V
PP
PA / ÷赫兹
PA / ÷赫兹
帕普
V/V
V/V
±0.1
±0.5
±0.7
±2
±0.002
±0.004
±0.004
V/V
%
%
%
%
PPM /°C的
PPM /°C的
% FSR的
% FSR的
% FSR的
% FSR的
INA128PA , UA
INA129PA , UA
最大
典型值
最大
单位
条件
典型值
共模电压范围
(1)
安全的输入电压
共模抑制
偏置电流
失调电流
与温度
与温度
F = 10Hz的
F = 100Hz的
F = 1kHz时
噪声电压, RTI
f
B
= 0.1Hz至10Hz的
噪声电流
F = 10Hz的
F = 1kHz时
收益
f
B
= 0.1Hz至10Hz的
增益公式, INA128
增益公式,
INA129
增益范围
增益误差
增益与温度
(2)
非线性
50k的(或49.4kΩ )电阻
(2)(3)
注意:
规格是一样的INA128P , U或INA129P , U.
( 1)输入共模范围与输出电压 - 见典型曲线。
( 2 )通过指定的晶圆测试。
( 3 )温度的50kΩ的(或49.4kΩ )项的增益方程的系数。
( 4) G = 1000非线性测量噪声的控制。典型的非线性度
±0.001%.
有 2
技 83 器
科 16 元
子 29 子
电 -8 电
创 55 温
德 07 高
鸿 话 油
圳 电 石
深 系 理
联 代
V
O
= 0V
(V+) 2
(V) + 2
(V+) 1.4
(V) + 1.7
±40
V
CM
=
± 13V , ΔR
S
= 1k
G=1
G = 10
80
86
73
93
100
120
120
106
125
130
±2
±1
±30
±30
10
8
8
G = 100
110
110
G = 1000
±5
±5
G = 1000 ,R
S
= 0
0.2
0.9
0.3
30
1 + ( 50kΩ的/ R
G
)
1+( 49.4kΩ /右
G
)
±0.01
±0.02
±0.05
±0.5
±1
±25
1
10000
±0.4
±0.5
±1
±10
G=1
±0.024
G = 10
G = 100
G=1
G = 1000
±100
V
O
=
±13.6V,
G = 1
G = 10
G = 100
±0.0001
±0.0003
±0.0005
±0.001
±0.001
±0.002
±0.002
(4)
G = 1000
3
INA128
INA129
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SBOS051B - 1995年10月 - 修订2005年2月
电气特性(续)
在T
A
= + 25 ° C,V
S
=
±15V,
R
L
= 10kΩ的,除非另有说明。
INA128P ,U
INA129P 。 ü
参数
产量
电压:正
电压:
负载电容的稳定性
短路电流
频率响应
带宽-3dB
G=1
R
L
= 10k
R
L
= 10k
(V+) 1.4
(V) + 1.4
(V+) 0.9
(V) + 0.8
1000
+6/15
1.3
V
V
pF
mA
兆赫
千赫
千赫
千赫
V / μs的
s
s
s
s
s
V
A
°C
°C
° C / W
° C / W
INA128PA , UA
INA129PA , UA
最大
典型值
最大
单位
条件
典型值
有 2
技 83 器
科 16 元
子 29 子
电 -8 电
创 55 温
德 07 高
鸿 话 油
圳 电 石
深 系 理
联 代
G = 10
700
200
20
4
7
7
9
4
G = 100
G = 1000
G=1
V
O
=
±10V,
G = 10
G = 10
G = 100
G = 1000
80
50 %过载
±2.25
±15
±18
V
IN
= 0V
±700
±750
+85
40
40
+125
80
150
压摆率
建立时间, 0.01 %
过载恢复
电源
电压范围
目前,道达尔
规范
操作
q
JA
温度范围
8引脚DIP
SO- 8 SOIC
注意:
规格是一样的INA128P , U或INA129P , U.
( 1)输入共模范围与输出电压 - 见典型曲线。
( 2 )通过指定的晶圆测试。
( 3 )温度的50kΩ的(或49.4kΩ )项的增益方程的系数。
( 4) G = 1000非线性测量噪声的控制。典型的非线性度
±0.001%.
4
INA128
INA129
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SBOS051B - 1995年10月 - 修订2005年2月
典型特征
在T
A
= + 25 ° C,V
S
=
±15V,
除非另有说明。
增益与频率
60
G = 1000V / V
共模抑制比(分贝)
50
40
G = 100V / V
增益(dB )
30
20
10
0
10
20
120
100
140
共模抑制与频率
G = 1000V / V
G = 100V / V
G = 10V / V
G = 1V / V
80
60
40
20
G = 10V / V
G = 1V / V
1k
有 2
技 83 器
科 16 元
子 29 子
电 -8 电
创 55 温
德 07 高
鸿 话 油
圳 电 石
深 系 理
联 代
0
10k
100k
1M
10M
10
100
1k
频率(Hz)
正电源抑制
与频率
140
120
100
80
60
40
20
电源抑制(分贝)
G = 1000V / V
G = 100V / V
G = 10V / V
G = 10V / V
G = 1V / V
100
1k
10k
100k
1M
0
10
100
1k
频率(Hz)
输入共模范围
VS的输出电压, VS =
±15V
G
10
G
10
5
4
3
2
1
0
G
10
共模电压(V)的
G=1
G=1
G=1
V
D/2
V
D/2
+
+
10k
100k
1M
频率(Hz)
负电源抑制
与频率
G = 1000V / V
G = 100V / V
140
电源抑制(分贝)
120
100
80
60
40
20
0
G = 1V / V
10
10k
100k
1M
频率(Hz)
输入共模范围
VS的输出电压, VS =
±5V, ±2.5V
G
10
G=1
15
共模电压(V)的
10
5
0
5
10
+15V
G
10
V
O
G=1
+
REF
1
2
3
4
V
CM
15V
VS =
±5V
VS =
±2.5V
4
3
2
1
0
1
2
3
4
5
15
15
5
10
5
0
5
10
15
5
输出电压(V)
输出电压(V)
5
INA128 -HT , INA129 -HT
www.ti.com
SBOS501D - 2010年1月 - 修订2012年6月
精密低功耗仪表放大器
检查样品:
INA128 -HT , INA129 -HT
1
特点
(1)
低失调电压
低输入偏置电流: 50 nA的典型值
高CMR 95 dB典型值
输入保护至± 40 V
宽电源电压范围: ± 2.25 V至± 18 V
低静态电流: 2毫安典型值
SUPPORTS极端气温
应用
控制基线
一个封装/测试网站
一个网站制作
可在极端( -55°C / 210 ° C)
温度范围
(2)
延长产品生命周期
扩展产品更改通知
产品可追溯性
德州仪器的高温产品
利用高度优化的硅(芯片)解决方案
与设计和工艺改进
在扩展性能最大化
温度。
自定义的温度范围内工作
HKQ包装
( TOP VIEW )
8
1
应用
(1)
桥式放大器
热电偶放大器
RTD传感器放大器
医疗器械
数据采集
210 ° C应用程序的典型值
(2)
D, JD或HKJ包装
( TOP VIEW )
R
G
V-
IN
V
+ IN
V-
1
2
3
4
8
7
6
5
R
G
R
G
V+
V+
R
G
V-
IN
V
+ IN
V
O
REF
V
O
REF
5
V-
4
HKQ所形成或HKJ安装死的bug
描述
该INA128与INA129是低功耗,通用仪表放大器具有出色的精度。
多功能的3运算放大器的设计和小尺寸使它们非常适用于广泛的应用。
电流反馈输入电路提供高带宽,即使在高增益。
单个外部电阻器设定从1到10000的任何增益。该INA128提供了一个符合行业标准的增
方程; INA129的增益公式与AD620兼容。
该INA128 / INA129经过激光调整,具有极低的失调电压( 50
μV)
和高共模抑制比( 93分贝
于G1
100)。它工作在电源低至± 2.25 V和2 mA静态电流 - 典型。国内
输入保护可承受高达± 40 V无损坏。
该INA129采用8引脚陶瓷DIP和8引脚陶瓷表面贴装封装,指定-55°C
至210 ° C的温度范围内。该INA128采用8引脚SO - 8表面贴装封装,指定
-55°C至175 ° C的温度范围内。
1
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2010-2012 ,德州仪器
INA128 -HT , INA129 -HT
SBOS501D - 2010年1月 - 修订2012年6月
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V+
7
INA128 , INA129
V
IN
-
2
过电压
保护
INA128 :
G=1+
50千瓦
R
G
INA129 :
A
1
40千瓦
25千瓦
(1)
1
40千瓦
G=1+
49.4千瓦
R
G
R
G
8
25千瓦
A
2
40千瓦
4
注: ( 1 ) INA129 : 24.7千瓦
V-
(1)
A
3
6
V
O
5
40千瓦
+
V
IN
3
过电压
保护
REF
订购信息
T
A
HKJ
-55°C至210℃
HKQ
KGD
JD
-55°C至175℃
D
订购型号
INA129SHKJ
INA129SHKQ
INA129SKGD1
INA129SJD
INA128HD
顶部端标记
INA129SHKJ
INA129SHKQ
NA
INA129SJD
128HD
裸芯片信息
模具厚度
15密耳
背面完成
硅与研磨用
背面
潜力
GND
焊盘
金属化成分
铝 - 硅 - 铜(0.5%)
起源
a
b
c
d
2
提交文档反馈
版权所有2010-2012 ,德州仪器
产品文件夹链接( S) :
INA128 -HT INA129 -HT
INA128 -HT , INA129 -HT
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SBOS501D - 2010年1月 - 修订2012年6月
表1.债券垫坐标以微米
详细描述
NC
V-
IN
V+
IN
V-
REF
V
O
V+
NC
R
G
R
G
R
G
R
G
盘数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
a
-57.4
-9.85
25.05
56.2
53.75
50.35
7.75
-57.4
-57.4
-57.5
-57.5
-57.4
b
-31.1
-31.4
-31.4
-34.3
-17.6
27.8
30.2
28.4
13.4
2.7
-7.9
-18.6
c
-53.3
-5.75
29.15
60.3
57.85
56.95
11.85
-53.3
-53.3
-53.4
-53.4
-53.3
d
-27
-27.3
-27.3
-30.2
-11
31.9
34.3
32.5
20
9.3
-1.3
-12
NC
R
G
R
G
R
G
R
G
NC
V-
IN
V+
IN
PAD # 1
V+
V
O
V-
REF
版权所有2010-2012 ,德州仪器
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3
产品文件夹链接( S) :
INA128 -HT INA129 -HT
INA128 -HT , INA129 -HT
SBOS501D - 2010年1月 - 修订2012年6月
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
价值
V
S
电源电压
模拟输入电压范围
输出短路(接地)
T
A
工作温度
HKJ , HKQ , KGD和JD
套餐
T
英镑
存储温度范围
焊接温度(焊接, 10秒)
(1)
HKJ , HKQ , KGD和JD
套餐
±18
±40
连续
-55 210
-55至175
-55 210
-55至175
300
°C
°C
°C
单位
V
V
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只,设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定是不是暗示。
热特性对于三角形包装
INA128
热公制
(1)
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
结至环境热阻
结至电路板的热阻
(4)
(2)
D
8引脚
110
57
54
11
53
不适用
单位
结至外壳(顶部)热阻
(3)
结至顶部的特征参数
(5)
结至电路板的特征参数
(6)
结至外壳(底部)热阻
(7)
° C / W
有关传统和新的热度量的更多信息,请参阅
IC封装热度量
申请报告,
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准,高K板上的模拟获得,如
在JESD51-7指定,在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体(顶部)的热阻。没有具体JEDEC-
标准测试存在,但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度,如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数,
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中,并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法(第6和7)。
结至电路板的特征参数,
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中,并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法(第6和7)。
通过在暴露的(功率)垫模拟冷板试验获得的结到壳体(底部)的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在,但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
XXX
热特性针对JD包装
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
参数
θ
JA
θ
JB
θ
JC
(1)
(2)
结到环境的热
阻力
(1)
测试条件
高-K主板
没有空气流动
(2)
典型值
64.9
83.4
27.9
6.49
最大
单位
° C / W
° C / W
° C / W
,没有气流
结至电路板的热阻的High-K主板没有底部填充胶
结到外壳热阻
的意图
θ
JA
规范是专为一个包到另一个在标准化环境的热性能比较。
这种方法并不意味着,不会在一个特定应用的环境中预测的封装件的性能。
JED51-7 ,高效热传导测试板引线表面贴装封装
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SBOS501D - 2010年1月 - 修订2012年6月
热特性FOR HKJ或HKQ包装
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
参数
θ
JC
结到外壳热阻
以案件的陶瓷面
到壳体的盖的顶部(金属壳的侧面)
典型值
最大
5.7
13.7
单位
° C / W
FOR INA128电气特性
T
A
= 25 ° C,V
S
= ± 15 V ,R
L
= 10千欧(除非另有说明)
参数
输入
失调电压, RTI
初始
与温度
VS电源
长期稳定性
阻抗,差动
共模
共模电压
范围
(2)
安全的输入电压
V
CM
= ±13 V,
ΔR
S
= 1 kΩ
G=1
共模抑制
G = 10
G = 100
G = 1000
当前
偏置电流
与温度
失调电流
与温度
噪音
噪声电压, RTI
F = 10赫兹
F = 100赫兹
F = 1千赫
f
B
= 0.1赫兹到10赫兹
噪声电流
F = 10赫兹
F = 1千赫
f
B
= 0.1赫兹到10赫兹
(1)
(2)
0.9
0.3
30
PA / ÷赫兹
PA / ÷赫兹
pA
PP
G = 1000,
R
S
= 0
Ω
10
8
8
0.2
10
8
8
0.8
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
V
PP
±2
±30
±1
±30
±10
±550
±10
±550
±45
±45
nA
PA / ℃,
nA
PA / ℃,
58
78
99
113
86
106
125
130
58
78
99
113
75
85
110
120
dB
V
O
= 0 V
(V+)
2
(V) + 2
T
A
= 25°C
T
A
= T
给T
最大
V
S
= ± 2.25 V至
±18 V
±1 ±3/G
10
10
|| 2
10
11
||9
(V+)
1.4
(V) + 1.7
±40
(V+)
2
(V) + 2
±25
±100/G
±0.2
±5/G
±125
±1000/G
±1
±20/G
±2
±200/G
±1 ±3/G
10
10
|| 2
10
11
||9
(V+)
1.4
(V) + 1.7
±40
±3.5
±80/G
±5
±500/G
V
μV/°C
V/V
μV /月
Ω
|| pF的
Ω
|| pF的
V
V
V
TEST
条件
T
A
= -55 ° C至125°C
典型值
最大
T
A
= 175°C
(1)
典型值
最大
单位
在T最小值和最大值参数的特点是操作
A
= 175 ℃,但可以不制作在该测试
温度。用统计学保护带生产测试限制使用,以确保高温性能。
输入共模范围与输出电压 - 见典型曲线。
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