INA
121
INA121
INA
121
FET输入,低功耗
仪表放大器器
特点
q
低偏置电流:
±
4pA
q
低静态电流:
±
450
A
q
低输入失调电压:
±
200
V
q
低输入失调漂移:
±
2
V/
°
C
q
低输入噪声:
20nV / √Hz的在f = 1kHz时(G = 100 )
q
高CMR : 106分贝
q
宽电源范围:
±
2.25V至
±
18V
q
低非线性误差: 0.001 %最大
q
输入保护,以
±
40V
q
8引脚DIP和SO- 8表面贴装
描述
该INA121是一个FET输入,低功耗instrumenta-
化放大器提供出色的精度。它的多功能
三运放的设计和非常小的尺寸使其非常适合
为各种通用应用。低偏置
电流( ± 4PA )允许与高阻抗
源。
增益可从1V被设置为10,000V / V与单个
外部电阻。内部输入保护可与 -
站起来
±40V
而不损坏。
该INA121是激光调整,具有极低的失调
电压( ± 200μV ) ,低失调漂移( ± 2μV / ° C)和
高共模抑制比( 106分贝在G = 100 ) 。它
工作在电源低至
±2.25V
(+4.5V),
在电池允许使用操作和单5V系
TEMS 。静态电流仅为450μA 。
封装选项包括8引脚塑料DIP和SO- 8
表面贴装。一切都工作在-40° C至指定
+ 85°C工业温度范围。
应用
q
LOW- LEVEL传感器放大器
桥, RTD ,热电偶
q
生理放大器
心电图,脑电图,肌电图,呼吸
q
高阻抗换能器
q
电容式传感器
q
多通道数据采集
q
便携式,电池供电系统
q
通用仪器
V+
7
INA121
V
IN
–
2
过电压
保护
A
1
40k
25k
40k
G=1+
1
50k
R
G
R
G
8
25k
A
2
40k
A
3
6
V
O
5
40k
V
IN
+
3
过电压
保护
REF
4
V–
国际空港工业园邮寄地址:PO Box 11400 ,图森,亚利桑那州85734 街道地址: 6730 S.图森大道,图森,亚利桑那州85706 电话: ( 520 ) 746-1111 TWX : 910-952-1111
互联网: http://www.burr-brown.com/图文传真: ( 800 ) 548-6133 (美国/加拿大)电缆: BBRCORP 电传: 066-6491 传真: ( 520 ) 889-1510 立即产品信息: ( 800 ) 548-6132
1997年的Burr-Brown公司
PDS-1412A
1
美国印刷
INA121
1998年5月
规格: V
S
=
±
15V
在T
A
= + 25 ° C,V
S
=
±15V,
R
L
= 10kΩ的,和IA参考= 0V时,除非另有说明。
INA121P ,U
参数
输入
失调电压, RTI
与温度
VS电源
长期稳定性
阻抗,差动
共模
输入电压范围
安全的输入电压
共模抑制
条件
民
典型值
最大
民
INA121PA , UA
典型值
最大
单位
V
μV/°C
V/V
μV /月
|| pF的
|| pF的
V
dB
dB
dB
dB
T
pA
pA
V
S
=
±2.25V
to
±18V
V
O
= 0V
±200±200/G ±500±500/G
±2±2/G
±5±20/G
±5±20/G
±50±150/G
±0.5
10
12
|| 1
10
12
|| 12
看到文本和典型曲线
±40
78
91
96
86
100
106
106
±4
见典型曲线
±0.5
见典型曲线
30
21
20
1
1
1 + ( 50kΩ的/ R
G
)
1
10,000
±0.01
±0.03
±0.05
±0.5
±1
±25
±0.0002
±0.0015
±0.0015
±0.002
(V+)–0.9
(V–)+0.15
(V+)–0.9
(V–)+0.25
1000
±14
600
300
50
5
0.7
20
35
260
5
±2.25
±15
±450
±18
±525
85
125
125
100
150
T
±0.05
±0.4
±0.5
±10
±100
±0.001
±0.005
±0.005
T
±50
72
85
90
±300±200/G ±1000±1000/G
T
±15±20/G
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
±0.1
±0.5
±0.7
T
T
±0.002
±0.008
±0.008
V
CM
= -12.5V到13.5V
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
V
CM
= 0V
偏置电流
与温度
失调电流
与温度
噪音, RTI
电压噪声: F = 10Hz的
F = 100Hz的
F = 1kHz时
F = 0.1Hz至10Hz的
电流噪声: F = 1kHz时
收益
增益公式
增益范围
增益误差
R
S
= 0
G = 100
G = 100
G = 100
G = 100
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
μVp -P
FA / √Hz的
V/V
V/V
%
%
%
%
PPM /°C的
PPM /°C的
%
%
%
%
of
of
of
of
FSR
FSR
FSR
FSR
增益与温度
(1)
非线性
V
O
= -14V至13.5V
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
G=1
G>1
V
O
= -14V至13.5V
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
R
L
= 100k
R
L
= 100k
R
L
= 10k
R
L
= 10k
产量
电压:正
负
积极
负
电容负载驱动
短路电流
频率响应
带宽-3dB
(V+)–1.5
(V–)+1
T
T
V
V
V
V
pF
mA
千赫
千赫
千赫
千赫
V / μs的
s
s
s
s
V
A
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
压摆率
建立时间, 0.01 %
过载恢复
电源
电压范围
静态电流
温度范围
规范
操作
存储
热阻,
θ
JA
8引脚DIP
SO- 8表面贴装
T
规格相同INA121P , U.
G=1
G = 10
G = 100
G = 1000
V
O
=
±10V,
G
≤
10
G = 1至10
G = 100
G = 1000
50%的输入过载
I
O
= 0V
–40
–55
–55
T
T
T
注: ( 1 )温度的增益公式“内部电阻”的系数。不包括TCR增益设置电阻,R
G
.
INA121
2
引脚配置
顶视图
8引脚DIP和SO- 8
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。的Burr-Brown
建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作
和安装程序,会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降
完成设备故障。精密集成电路可能
更容易受到伤害,因为很小的参数
变化可能导致设备不能满足其公布
特定连接的阳离子。
顶视图
R
G
V
In
V
+ IN
V–
1
2
3
4
8
7
6
5
R
G
V+
V
O
REF
绝对最大额定值
(1)
电源电压................................................ ..................................
±18V
模拟输入电压范围.............................................. ...............
±40V
输出短路(接地) ..........................................连续....
工作温度................................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度................................................ ..... -55 ° C至+ 125°C
结温................................................ .................... + 150°C
焊接温度(焊接, 10秒) ........................................... ... + 300℃
注: ( 1 )工作条件超过这些额定值可能会造成永久性的损害。
长期在绝对最大条件下长时间可能会降低
器件的可靠性。
封装/订购信息
包
制图
NUMBER(1)
006
006
182
& QUOT ;
182
& QUOT ;
特定网络版
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
& QUOT ;
-40 ° C至+ 85°C
& QUOT ;
包
记号
INA121P
INA121PA
INA121U
& QUOT ;
INA121UA
& QUOT ;
订购
NUMBER(2)
INA121P
INA121PA
INA121U
INA121U/2K5
INA121UA
INA121UA/2K5
运输
媒体
轨道
轨道
轨道
磁带和卷轴
轨道
磁带和卷轴
产品
单身
INA121P
INA121PA
INA121U
& QUOT ;
INA121UA
& QUOT ;
包
8引脚DIP
8引脚DIP
SO- 8表面贴装
& QUOT ;
SO- 8表面贴装
& QUOT ;
注: ( 1 )有关详细的图纸和维表,请参见数据资料的最后,还是的Burr-Brown IC数据手册附录C 。 ( 2 )模型以斜杠( / )是
仅在磁带和卷轴中所示的数量(例如, / 2K5表示每卷2500设备) 。订购2500件“ INA121U / 2K5 ”将得到一个单一的
2500件磁带和卷轴。有关详细的磁带和卷轴机械信息,请参阅对的Burr-Brown IC数据手册的附录B中。
本文提供的信息被认为是可靠的;但是, BURR -BROWN承担不准确或遗漏不承担任何责任。 BURR -BROWN承担
对于使用这些信息,所有此类信息的使用不承担任何责任应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更,
恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 BURR -BROWN没有授权或保证
任何Burr-Brown产品用于生命支持设备和/或系统。
3
INA121