INA110
快速建立FET输入
仪表放大器器
特点
q
q
q
q
q
q
低偏置电流： 50PA最大
快速建立： 4
s至0.01％
高CMR ： 106分贝分钟; 90分贝在10kHz
内部联网： 1 ，10， 100 ，200， 500
非常低增益漂移： 10 50PPM /
°
C
低失调漂移： 2
V/
°
C
应用
q
复用输入数据
采集系统
q
FAST差分脉冲放大器
q
高速增益模块
q
扩增高阻抗
来源
q
低成本
q
类似引脚TO AD524和AD624
描述
该INA110是一款多功能的单片FET输入
仪表放大器。其电流反馈电路
拓扑结构和激光微调输入级提供
出色的动力性能和精度。该
INA110落户4微秒至0.01 ％ ，使其成为理想的
高速或复用输入的数据采集
系统。
提供了1涨势内部增益设置电阻器，
10 ，100， 200 ，和500V / V 。输入用于保护
向上差动和共模电压，以
±V
CC
.
它的非常高的输入阻抗和低输入偏置
电流使INA110应用的理想选择
需要输入过滤器或输入保护电路。
该INA110采用16引脚塑料和陶瓷提供
DIP封装，并在SOL - 16表面贴装封装。
军事，工业和商业温度范围
等级是可用的。
1
In
X
10
12
X
100
(1)
FET
输入
A
1
404
201
80.2
20k
20k
INA110
13 4.44k
10k
10k
10
SENSE
16
X
200
11
X
500
A
3
9
产量
3
R
G
10k
A
2
2
+ IN
FET
输入
4
输入
OFFSET
调整
5
8
+V
CC
7
–V
CC
14
15
10k
6
REF
产量
OFFSET
调整
注： （ 1 ）连接至R
G
对于所需的增益。
国际空港工业园邮寄地址：PO Box 11400
联系电话： （ 520 ） 746-1111 TWX ： 910-952-1111 电缆： BBRCORP
图森，亚利桑那州85734 街道地址： 6730 S.图森大道。 图森，亚利桑那州85706
电传： 066-6491 传真： （ 520 ） 889-1510 即时产品信息： （ 800 ） 548-6132
PDS-645E
美国印刷1993年9月
1986年的Burr-Brown公司
特定网络阳离子
电动
（续）
在+ 25 ° C，
±V
CC
15VDC和R
L
= 2kΩ的，除非另有规定。
INA110AG
参数
动态响应（续）
建立时间：
0.01%,G = 1
G = 10
G = 100
G = 200
G = 500
恢复
(5)
电源
额定电压
电压范围
静态电流
温度范围
产品规格： A，B ，K
S
手术
存储
θ
JA
条件
民
典型值
最大
民
INA110BG ， SG
典型值
最大
民
INA110KP ， KU
典型值
最大
单位
V
O
= 20V步骤
50 ％过载
5
3
4
7
16
1
±15
±3
12.5
7.5
7.5
12.5
25
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
s
s
s
s
s
s
V
V
mA
°C
°C
°C
°C
° C / W
±6
V
O
= 0V
–25
–55
–65
±18
±4.5
+85
+125
+150
*
*
*
–55
*
*
*
*
*
*
+125
*
*
*
*
0
–25
–40
*
*
*
+70
+85
+85
100
*同INA110AG 。
注意：其它（1 ）增益大于1 ，10， 100 ，200，和500可以通过增加一个外部电阻R设置
G
引脚3和引脚11之间， 12和16的增益的精度是一个函数
的R
G
和内部电阻具有一
±20%
公差带为20ppm /°C的漂移。 （2 ）可调节至零。 （3）为差分输入电压不为零，见典型
性能曲线。 （4 ）V
RTI噪声
=
√V
N2输入
+ (V
N个输出
/增益）
2
。 （5）输出所需时间从饱和度以下的去除返回到线性工作
输入过驱动电压。
引脚配置
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
x200
输出失调调。
输出失调调。
x10
x100
x500
输出检测
产量
绝对最大额定值
DIP / SOIC
电源电压................................................ ..................................
±18V
输入电压范围............................................... ...........................
±V
CC
工作温度系列：G ................................. -55 ° C至+ 125°C
P，U ............................... -25 ° C至+ 85°C
存储温度系列：G .................................... -65 ° C至+ 150°C
P，U .................................. -40 ° C至+ 85°C
焊接温度（焊接， 10秒） ： G，P ..................................... 300 ℃，
（焊接， 3S ） ：U ........................................... + 260℃
输出短路持续时间...............................连续常见
In
+ IN
R
G
输入失调调。
输入失调调。
参考
–V
CC
+V
CC
包装信息
模型
INA110AG
INA110BG
INA110SG
INA110KP
INA110KU
包
16引脚陶瓷DIP
16引脚陶瓷DIP
16引脚陶瓷DIP
16引脚塑料DIP
SOL- 16 SOIC
封装图
数
(1)
109
109
109
180
211
注： （ 1 ）有关详细的图纸和维表，请参阅数据结束
片，或的Burr-Brown IC数据手册附录D 。
订购信息
模型
INA110AG
INA110BG
INA110SG
INA110KP
INA110KU
包
16引脚陶瓷DIP
16引脚陶瓷DIP
16引脚陶瓷DIP
16引脚塑料DIP
SOL- 16 SOIC
温度范围
-25 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
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对使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息的使用应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有
更改，恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 BURR -BROWN不
授权或保证任何Burr-Brown产品用于生命支持设备和/或系统。
3
INA110
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