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INA106
INA
1
06
INA
106
SBOS152A - 1987年8月 - 修订2003年10月
精密增益= 10
差分放大器
特点
q
精确的增益：
±
0.025 ％最大
q
高共模抑制比： 86分贝分钟
q
非线性： 0.001 ％最大
q
EASY TO USE
q
塑料8引脚DIP ， SO- 8 SOIC
套餐
应用
q
G = 10差动放大器
q
G = 10放大器
q
G = -10放大器
q
G = +11放大器
q
仪表放大器器
描述
该INA106是单片增益= 10差动放大器
由一个精密运算放大器和片上的金属膜的
电阻器。该电阻经过激光调整，具有精确的增益
和高共模抑制比。优秀的TCR跟踪
电阻器的保持增益精度和共模
甩过温。
差分放大器是很多的COM的基础
常用的电路。该INA106提供了这种精度
电路的功能，而无需使用昂贵的电阻网络。
该INA106采用8引脚塑料DIP和SO- 8可
表面贴装封装。
In
2
R
1
10k
R
2
100k
5
7
SENSE
V+
6
产量
4
3
R
3
10k
R
4
100k
1
V–
参考
+ IN
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权所有 1987-2003年，德州仪器
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特定网络阳离子
电动
在+ 25 ° C，V
S
=
±15V,
除非另有规定ED 。
INA106KP ，U
参数
收益
初始
(1)
错误
与温度
非线性
(2)
产量
相关电压
额定电流
阻抗
电流限制
容性负载
输入
阻抗
电压范围
共模抑制
(3)
失调电压
初始
与温度
与电源
对时间
噪声电压
f
B
=从0.01Hz到10Hz
f
O
= 10kHz的
动力响应
小信号
全功率带宽
压摆率
建立时间： 0.1 ％
0.01%
0.01%
电源
评级
电压范围
静态电流
温度范围
规范
手术
存储
I
O
= + 20mA时， -5mA
V
O
= 10V
常见
稳定运行
迪FF erential
共模
迪FF erential
共模
T
A
= T
民
给T
最大
RTI
(4)
50
0.2
1
10
1
30
–3dB
V
O
= 20Vp -P
V
O
= 10V步骤
V
O
= 10V步骤
V
CM
= 10V步骤，V
差异
= 0V
5
50
3
5
10
5
±15
±1.5
200
10
V
μV/°C
V/V
μV /月
μVp -P
纳伏/赫兹÷
兆赫
千赫
V / μs的
s
s
s
V
V
mA
°C
°C
°C
10
+20, –5
条件
民
典型值
10
0.01
–4
0.0002
12
0.01
+40/–10
1000
10
110
±1
±11
86
最大
单位
V/V
%
PPM /°C的
%
V
mA
mA
pF
k
k
V
V
dB
0.025
0.001
100
±V
S
= 6V至18V
RTI
(5)
30
2
性能会下降
V
O
= 0V
±5
±18
±2
+70
+85
+150
0
–40
–65
注： （ 1 ）连接的差分放大器（见图1） 。 （2）非线性距离的最佳拟合直线，作为满量程峰值 - 一个百分比的最大峰偏差
至峰输出。 （ 3）零信号源阻抗（参见“维护CMR ”一节） 。 （4 ）包括的放大器的输入偏置效应和偏移电流。 （ 5 ）包括影响
放大器的输入电流噪声和电阻网络的热噪声贡献。
2
INA106
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SBOS152A
引脚配置
顶视图
DIP / SOIC
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。得克萨斯仪器
ments建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作
和安装程序，会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能降解
重刑完成设备故障。精密集成电路
可能更容易受到损伤，因为非常小的
参数变化可能导致设备不能满足其
公布的规格。
(1)
REF
1
10k
In
2
10k
+ IN
3
100k
V–
4
INA106
注： （ 1 ）引脚1 indentifier的SO- 8封装。
模型数识别有时简称
在SO - 8封装，由于有限的可用空间。
5
SENSE
6
产量
100k
7
V+
8
NC
封装/订购信息
对于最新的封装和订购信息，请参阅
封装选项附录位于本月底
数据表。
绝对最大额定值
电源电压............................................... .......................
±18V
输入电压范围............................................... .............................
±V
S
工作温度范围： P，U ................................ -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围............................................ -40 ° C至+ 85°C
焊接温度（焊接， 10秒） ：P ......................................... 。 + 300℃
波峰焊（ 3S ，最大）U .......................................... ................ + 260℃
输出短路常见............................................. 。连续
注： （ 1 ）强调上述“绝对最大额定值”
可能对器件造成永久性损坏。暴露在绝对最大
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
INA106
SBOS152A
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3
典型性能曲线
在T
A
= + 25 ° C，V
S
=
±15V,
除非另有说明。
阶跃响应
小信号响应
（无负载）
50
输出电压（毫伏）
0
–50
2s/div
2s/div
小信号响应
(R
负载
=
∞,
C
负载
= 100pF的）
1
总谐波失真及噪声
与频率
A = 20分贝， 3Vrms ，为10kΩ负载
50
输出电压（毫伏）
0
THD + N （％）
0.1
反相
同相
0.01
–50
30kHz的低通滤波
0.001
2s/div
1k
10k
频率（Hz）
100k
最大V
OUT
VS我
OUT
（负电压）
–17.5
–15
–12.5
V
OUT
(V)
17.5
最大V
OUT
VS我
OUT
（正摇摆）
V
S
= ±18V
V
S
= ±15V
V
S
= ±12V
V
OUT
(V)
15
V
S
= ±18V
12.5
V
S
= ±15V
10
7.5
5
V
S
= ±12V
–10
–7.5
–5
–2.5
0
0
–2
V
S
= ±5V
2.5
0
V
S
= ±5V
0
6
12
18
I
OUT
（MA ）
24
30
36
–4
–6
–I
OUT
（MA ）
–8
–10
–12
4
INA106
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SBOS152A
典型性能曲线
（续）
在T
A
= + 25 ° C，V
S
=
±15V,
除非另有说明。
CMR与频率
110
140
电源抑制
与频率
100
120
90
PSRR （分贝）
CMR（ dB）的
100
V–
80
80
70
60
10
100
1k
频率（Hz）
10k
100k
60
V+
40
1
10
100
1k
10k
100k
频率（Hz）
应用信息
图1示出操作所需的基本连接
的INA106 。电源旁路电容应
连靠近器件的引脚，如图所示。
V–
1F
4
INA106
2
R
1
10k
R
2
100k
5
R
1
参考终端将被相加的输出信号。该
信号源阻抗应用到REF端
应小于10Ω ，以保持良好的共模
排斥反应。
图2示出了施加到引脚1到修剪的偏移电压
电压INA106的。已知100Ω源阻抗
调整电路是由10Ω电阻补偿
系列引脚3 ，保持良好的CMR 。
V+
1F
7
V
2
INA106
R
2
5
2
V
3
3
R
3
10k
6
+
–
R
4
100k
1
V
OUT
= 10(V
3
–V
2
)
V
2
10
V
3
补偿
一些阻抗
引脚1.见文。
3
R
3
6
V
O
R
4
+15V
1
499k
100k
100
–15V
图1.基本电源和信号连接。
差分输入信号被连接到管脚2和3的
如图所示。连接到输入端的源阻抗必须
是相等的，以确保良好的共模抑制。一个5Ω
不匹配的源阻抗会降低共
模抑制比典型的设备大约86分贝的。如果
源具有已知的源阻抗不匹配，一个
串联一个输入附加电阻器可用于
保持良好的共模抑制比。
输出被称为输出参考端
（引脚1 ），它通常是接地的。施加于电压
V
O
= V
2
– V
3
偏移调整范围为± 3mV的
图2.偏移调整。
参看图1， CMR取决于的匹配
在内部研发
4
/R
3
比到R
1
/R
2
比。 106分贝的CMR
需要0.005 ％的电阻匹配。为了保持高
CMR随温度，电阻器TCR跟踪必须
超过2ppm的好/ °以下。这些精度是困难的，
昂贵的分立元件可靠地实现。
INA106
SBOS152A
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IPD65R600E6
IH5047MFD
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IRFIBC40GPBF
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