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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第359页 > INA-52063
1.5 GHz的低噪声硅
MMIC放大器
技术参数
INA-52063
特点
超小型封装
5 V单电源（30 mA）的
22分贝增益
8 dBm的P
1dB
无条件稳定
表面贴装SOT- 363
（ SC - 70 ）封装
描述
惠普旗下的INA - 52063是一种
硅单片放大器
提供出色的增益和功率
输出为应用程序
1.5 GHz的。封装在一个超
微型SOT- 363封装，
需要的一半的电路板空间
SOT- 143封装。
该INA - 52063采用捏造
HP的30 GHz的F
最大
ISOSAT
TM
硅双极工艺，
使用氮化物自对准的子
微米光刻技术，地沟
隔离，离子注入，金
金属化，以及聚酰亚胺
金属间电介质和划痕
保护，以实现卓越
性能，均匀性和
可靠性。
应用
放大器蜂窝，
无绳电话，手机专用
收音机， PCS ， ISM ，无线
LAN ，星展银行， TVRO和电视
调谐器应用
引脚连接和
包装标志
GND 2
产量
6和V
CC
5 GND 3
4 V
CC
52
GND 1
输入3
注意：
包装标识提供
定位和识别。
等效电路
（简体）
V
CC
RF
产量
＆放大器; V
CC
RF
输入
地面1
地2
地面3
5965-9681E
6-156
绝对最大额定值
符号
V
CC
P
in
T
j
T
英镑
参数
电源电压，接地
CW RF输入功率
结温
储存温度
单位
V
DBM
°C
°C
绝对
最大
[1]
12
+13
150
-65到150
热阻
[2]
:
θ
J-
= 170 ° C / W
注意事项：
1.操作这个设备上面的任何一个
这些限制可能会造成永久性
损害。
2. T
C
= 25°C （T
C
被定义为在
温度在所述封装引脚，其中
接触形成于电路板）
INA - 52063电气规格，
T
C
= 25 ° C，Z
O
= 50
,
V
CC
= 5 V ，除非另有说明
符号
G
p
NF
P
1dB
IP
3
IP
3
VSWR
I
CC
ι
d
参数和测试条件
功率增益（ | S
21
|
2
)
噪声系数
1 dB增益压缩输出功率
三阶截点
三阶截点
输入VSWR
输出VSWR
器件的电流
群时延
F = 900兆赫
F = 900兆赫
F = 900兆赫
F = 900兆赫
F = 900兆赫
F = 2100 MHz的
F = 900兆赫
F = 900兆赫
mA
ps
单位
dB
dB
DBM
DBM
DBM
分钟。
20
典型值。
22
4.0
+
8
+20
+15
1.4
1.3
30
238
38
马克斯。
6-157
INA - 52063的典型表现，
T
C
= 25 ° C，Z
O
= 50
,
V
CC
= 5 V ，除非另有说明
24.0
23.0
22.0
21.0
增益（dB ）
6.0
5.5 V
5.0 V
4.5 V
噪声系数（dB ）
12.0
5.5
5.5 V
5.0 V
4.5 V
P1dB的（ DBM）
11.0
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
5.5 V
5.0 V
4.5 V
0.30
0.60
1.20
1.80
2.40
20.0
19.0
18.0
17.0
16.0
15.0
0.05
0.65
1.25
1.85
2.45
5.0
4.5
4.0
4.0
3.0
3.5
0.09 0.2 0.5 0.8 1.1 1.4 1.7 2.0 2.3 2.6
频率（GHz ）
2.0
0.05
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图1.增益与频率，
电压。
图2.噪声系数与频率的关系
和电压。
图3.输出功率1 dB增益
压缩与频率和
电压。
12
24.0
23.0
22.0
21.0
增益（dB ）
7.0
-40 °C
+25 °C
+85 °C
噪声系数（dB ）
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
-40 °C
+25 °C
+85 °C
P1dB的（ DBM）
11
10
9
8
7
6
5
-40 °C
+25 °C
+85 °C
20.0
19.0
18.0
17.0
16.0
15.0
0.05
0.60
1.20
1.80
2.40
3.0
0.05 0.40
0.80
1.20
1.60
2.00
2.40
4
0.05
0.30
0.60
1.20
1.80
2.40
频率（GHz ）
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图4.增益与频率和
温度。
图5.噪声系数与频率的关系
和温度。
图6.输出功率1 dB增益
压缩与频率和
温度。
2.2
2.0
1.8
电压驻波比（ dB）的
60
在VSWR
VSWR OUT
50
40
I
CC
（MA ）
-40 °C
+25 °C
+85 °C
1.6
1.4
1.2
1.0
0.0
5
30
20
10
0
0.0
0.4
0
0.7 1.1 1.4 1.8
5
5
0
0
频率（GHz ）
2.1
5
2.5
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
V
CC
(V)
图7.输入和输出VSWR主场迎战
频率。
图8.电源电流与电压
和温度。
6-158
INA - 52063典型的散射参数
[3]
,
T
C
= 25 ° C，Z
O
= 50
,
V
CC
= 5.0 V
频率。
GHz的
0.05
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
1.20
1.40
1.60
1.80
2.00
2.20
2.40
2.60
2.80
3.00
S
11
MAG
0.06
0.06
0.06
0.07
0.07
0.09
0.10
0.12
0.13
0.15
0.17
0.21
0.24
0.27
0.30
0.32
0.33
0.35
0.36
0.36
0.36
昂
165
154
131
104
80
66
46
30
14
0
-12
-33
-50
-66
-80
-93
-105
-117
-128
-139
-149
dB
23.5
23.4
23.4
23.3
23.1
23.0
22.8
22.6
22.3
22.0
21.7
21.0
20.2
19.4
18.6
17.8
17.1
16.3
15.5
14.8
14.1
S
21
MAG
14.88
14.84
14.72
14.57
14.33
14.08
13.76
13.41
13.01
12.59
12.14
11.22
10.28
9.38
8.55
7.80
7.13
6.52
5.98
5.52
5.08
昂
-5
-9
-19
-28
-37
-46
-55
-64
-73
-82
-90
-106
-122
-137
-151
-164
-177
170
159
147
136
dB
-29.3
-29.3
-29.4
-29.5
-29.4
-29.4
-29.4
-29.3
-29.2
-29.0
-28.8
-28.4
-28.1
-27.7
-27.5
-27.4
-27.6
-27.8
-28.1
-28.9
-29.5
S
12
MAG
0.034
0.034
0.034
0.034
0.034
0.034
0.034
0.034
0.035
0.036
0.036
0.038
0.040
0.041
0.042
0.043
0.042
0.041
0.039
0.036
0.033
S
22
昂
0
0
0
1
2
3
4
5
6
6
7
7
6
4
2
-1
-5
-8
-12
-15
-16
MAG
0.05
0.05
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.11
0.13
0.14
0.16
0.20
0.23
0.25
0.27
0.29
0.30
0.31
0.32
0.33
0.33
昂
1
0
-1
-5
-10
-14
-21
-29
-37
-45
-52
-67
-81
-94
-107
-118
-129
-139
-149
-158
-168
K
因素
1.24
1.24
1.25
1.25
1.26
1.27
1.28
1.29
1.28
1.27
1.28
1.25
1.24
1.26
1.29
1.33
1.44
1.56
1.74
2.01
2.37
注意：
按照图9中应用信息部分3.参考平面。
INA- 52063应用
信息
介绍
该INA - 52063是硅RFIC
放大器，其被设计用
内部反馈电阻网络
合作，提供一个50
输入
50
输出阻抗。有
三阶截点
+20 dBm的和低噪声系数
4 dB时， INA- 52063是
用于RF和IF特别有用
放大器的应用要求
高动态范围。
相位参考平面
基准的位置
面用于测量
S参数此设备是
如图9所示可以看出，在
图中，参考平面
位于该点处的
封装引线接触测试
电路。
SOT- 363的PCB布局
该INA - 52063打包在
微型SOT- 363 （ SC- 70 ）
表面贴装封装。 A PCB
为SOT- 363键盘布局
包示于图10中
（尺寸单位：英寸） 。这
布局提供充足的津贴
由包放置
自动化装配设备
无添加垫寄生效应
可能削弱高频
在INA - 52063的性能。
该布局被示为具有
标称SOT- 363封装
足迹叠加在
PCB焊盘，以供参考。
0.026
参考
飞机
0.035
0.07
测试电路
0.016
图9.相位参考平面。
图10. PCB焊盘布局
（以英寸尺寸）。
6-159
操作细节
该INA - 52063是一个偏置电压
设备工作在
采用+5伏电源
为30 mA的典型电流消耗。
所有偏置调节电路是
集成到RFIC 。
图11示出了一个典型的imple-
心理状态的INA - 52063的。该
电源电压为INA- 52063
必须施加到两个端子
在V
CC
引脚和RF输出引脚。
在V
CC
连接扩增
费里的射频旁路通过将
电容到地靠近V
CC
引脚的放大器封装。
电源连接
RF输出引脚由实现
指的RF扼流圈（电感） 。
RF扼流圈的值必须
大相50
为了
以防止加载射频的
输出。
该RF的电源电压端
呛旁路至地
一个电容器。如果物理布局
证，这可以是相同的
是，用于在旁路电容器
在V
CC
放大器的终端。
隔直电容通常
放置在一系列的RF输入
和RF输出，以隔离
对这些引脚的直流电压
相邻的放大器电路。
阻止的价值观和
旁路电容被选择为
提供一个电抗在最低
操作的频率是
相对于50小
.
RF布局
对于一个示例性布局
使用放大器的INA- 52063的
在图12中所示。
本示例使用一个microstrip-
线设计（上接地面固
在电路板的背面） 。
电路板的材料是
0.031英寸厚的FR-4 。镀
贯通孔（通孔）被用来
使地面的顶侧
电路的需要的地方。
多个过孔，用于减少
路径的电感
地面上。
图13示出的组装
放大器。 +5伏电源
馈直接插入V
CC
针
在INA - 52063和到RF
通过RF扼流圈输出引脚
（ RFC ） 。电容C3提供RF
绕过了两个V
CC
针
并在电源处
RFC 。
电容器C4是可选的，并且可
用于添加额外bypass-
荷兰国际集团对于V
CC
线。良好
旁路V
CC
行特别
必要扩增级联
费里级，以防止振荡
这可能会发生如射频的结果
通过功率反馈
供应线。
对于这个演示电路，
选择用于RF的值
憋了220 NH（ Coilcraft在
1008CS -221或同等学历）。所有
阻塞和旁路电容
itors 1000 pF的。这些值
提供出色的放大器
从下50 MHz的性能
至1 GHz的。对于较大的值
扼流圈和电容器可
用于扩展的下端
的带宽。自的增益
在INA - 52063向下延伸至
直流，对频率响应
放大器是由只限于
电容值和
呛。
制作一个方便的方法
射频连接到demonstra-
灰板是用一个电路板
SMA连接器的安装型
（约翰森142-0701-881 ，或
相当于） 。这些连接器
可滑过的边缘
PCB与中心传导
器焊接到输入和
输出线。的接地销
该连接器被焊接到
在背面上的接地平面
董事会。额外地
引脚电路板的顶部是
不需要和被剪切掉。
PCB材料
对于PCB材料的典型选择
对于低成本的无线应用
是FR-4或G- 10的厚度
0.025或0.031英寸。一个厚
的0.062英寸内斯是马克西 -
妈妈说推荐
与此特定设备上使用。
使用较厚的板mate-
里亚尔增加的电感
通过使用通孔电镀
射频接地，并且可以deterior-
吃了电路的性能。充足
接地是必要的，不仅
获得最大的放大器
性能，而且还减少
不稳定的可能性。
H
INA - 5XX63演示板
05/95
C
块
RF
产量
输入
产量
52
RFC
V
CC
C
绕行
V
CC
RF
输入
C
块
图11.基本放大器
应用程序。
图12. RF布局。
6-160
查看更多INA-52063PDF信息
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IRS27952
IRKT136-12
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