【1 GHz的低噪声硅MMIC扩音器技术参数INA-30311特点内部偏置，单3 V供应（6 mA）的】,IC型号INA-30311-TR1,INA-30311-TR1 PDF资料,INA-30311-TR1经销商,ic,电子元器件-51电子网

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1 GHz的低噪声硅MMIC

扩音器

技术参数

INA-30311

特点

内部偏置，单3 V

供应（6 mA）的

3.5分贝NF

12 dB增益

无条件稳定

SOT -143表面贴装

包

描述

惠普旗下的INA - 30311是一种

硅单片放大器

应用1.0 GHz的。包装

在一个小型的SOT -143封装，

它需要很少的电路板空间。

该INA - 30311使用内部

偏颇的拓扑结构，消除了

无需外部元件

并提供灵敏度下降

性接地电感。

该INA - 30311设计了

而变化的输出阻抗

从近200

低

频率接近50

在高

频率。这提供了一种

配套优势IF

电路，以及改进

功率效率，使之成为

适用于电池供电

设计。

该INA - 30311采用捏造

HP的30 GHz的F

最大

ISOSAT

TM

硅双极工艺，

使用氮化物自对准的子

微米光刻技术，地沟

隔离，离子注入，金

金属化，以及聚酰亚胺

金属间电介质和划痕

保护，以实现卓越

性能，均匀性和

可靠性。

应用

LNA或IF放大器

蜂窝，无绳，特别

移动无线， PCS ， ISM和

无线局域网的应用

引脚连接和

包装标志

输入

GND

N30

V

CC

RF

产量

V

CC

产量

等效电路（简体）

RF

输入

地

5963-6679E

6-140

绝对最大额定值

符号

V

CC

P

in

T

j

T

英镑

参数

设备的电压，对地

CW RF输入功率

结温

储存温度

单位

V

DBM

°C

°C

绝对

最大

[1]

12

+13

150

-65到150

热阻

[2]

:

θ

J-

= 550 ° C / W

注意事项：

1.操作这个设备上面的任何一个

这些限制可能会造成永久性

损害。

2. T

C

= 25°C （T

C

被定义为在

温度在所述封装引脚，其中

接触形成于电路板）。

INA - 30311电气规格

[3]

, T

C

= 25 ° C，Z

O

= 50

,

V

CC

= 3 V

符号

G

p

NF

P

1dB

IP

3

VSWR

I

cc

ι

d

参数和测试条件

功率增益（ | S

21

|

2

)

噪声系数

1 dB增益压缩输出功率

三阶截点

输入VSWR

器件的电流

群时延

F = 900兆赫

F = 900兆赫

F = 900兆赫

F = 900兆赫

F = 900兆赫

F = 900兆赫

mA

ps

单位

dB

dB

DBM

DBM

分钟。

11

典型值。

13

3.5

-11

-2

1.7

6.3

325

7.5

马克斯。

INA - 30311典型的散射参数

[3]

, T

C

= 25 ° C，Z

O

= 50

,

V

CC

= 3 V

频率。

GHz的

0.05

0.10

0.20

0.30

0.40

0.50

0.60

0.70

0.80

0.90

1.00

1.20

1.40

1.60

1.80

2.00

2.20

2.40

2.50

S

11

MAG

昂

0.09

0.09

0.10

0.13

0.16

0.18

0.21

0.22

0.24

0.25

0.26

0.27

0.27

0.27

0.27

0.27

0.27

0.26

0.26

-1

-2

-6

-16

-29

-42

-59

-75

-92

-107

-122

-144

-162

-177

173

163

156

150

147

dB

16.12

16.11

16.12

16.14

16.07

15.90

15.56

15.04

14.34

13.44

12.53

10.50

8.50

6.69

5.01

3.58

2.35

1.21

0.75

S

21

MAG

6.40

6.39

6.40

6.41

6.36

6.24

6.00

5.65

5.21

4.70

4.23

3.35

2.66

2.16

1.78

1.51

1.31

1.15

1.09

昂

-6

-12

-25

-38

-52

-66

-81

-95

-109

-122

-135

-155

-173

172

159

147

136

126

122

dB

-38.1

-38.2

-38.4

-38.9

-39.4

-40.1

-40.7

-40.7

-39.6

-37.6

-35.5

-32.3

-29.6

-27.5

-25.7

-24.1

-22.5

-21.4

-20.9

S

12

MAG

0.012

0.012

0.012

0.011

0.011

0.010

0.009

0.009

0.011

0.013

0.017

0.024

0.033

0.042

0.052

0.062

0.075

0.085

0.091

S

22

昂

2

4

8

13

19

27

40

57

74

86

94

100

101

100

99

97

95

92

91

MAG

0.57

0.56

0.56

0.55

0.54

0.52

0.50

0.47

0.46

0.44

0.43

0.42

0.42

0.42

0.42

0.42

0.42

0.41

0.41

昂

-1

-3

-7

-11

-14

-18

-20

-23

-24

-24

-25

-26

-27

-28

-30

-32

-35

-37

-39

K

因素

4.35

4.43

4.41

4.83

4.88

5.60

6.58

7.26

6.49

6.23

5.35

4.83

4.43

4.31

4.22

4.17

3.97

4.04

3.99

注意：

按照图9中应用信息部分3.参考平面。

6-141

INA - 30311的典型表现，

T

C

= 25 ° C，Z

O

= 50

,

V

CC

= 3 V

20

4.0

3.5

噪声系数（dB ）

0

2.7 V

3.0 V

3.3 V

-2

-4

P 1分贝（ dBm的）

15

增益（dB ）

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

-6

-8

-10

-12

3.3 V

3.0 V

2.7 V

1.5

10

3.3 V

3.0 V

2.7 V

5

0

0.1

0.3

0.5

0.7

0.9

1.1

1.3

1.5

0

0.1

0.3

0.5

0.7

0.9

1.1

1.3

1.5

-14

0.1

0.3

0.5

0.7

0.9

1.1

1.3

频率（GHz ）

频率（GHz ）

频率（GHz ）

图1.功率增益与频率的关系

和电压。

图2.噪声系数与频率的关系

和电压。

图3.输出功率1 dB增益

压缩与频率和

电压。

20

5

+85

+25

-40

3

P 1分贝（ dBm的）

-8

10

-40

+25

+85

噪声系数（dB ）

15

增益（dB ）

4

-9

-10

+85

+25

-40

2

5

1

0

0.1

-11

0.3

0.5

0.7

0.9

1.1

1.3

1.5

0

0.1

0.3

0.5

0.7

0.9

1.1

1.3

1.5

-12

0.1

0.3

0.5

0.7

0.9

1.1

1.3

1.5

频率（GHz ）

频率（GHz ）

频率（GHz ）

图4.增益与频率和

温度。

图5.噪声系数与频率的关系

和温度。

图6.输出功率1 dB增益

压缩与频率和

温度。

4.0

3.5

16

12

驻波比（N ： 1 ）

3.0

2.5

2.0

4

产量

I

CC

（MA ）

8

1.5

输入

1

0.1

0

+85

+50

+25

0

-40

0.3

0.5

0.7

0.9

1.1

1.3

1.5

0

1

2

3

4

5

频率（GHz ）

V

CC

(V)

图7.输入和输出VSWR主场迎战

频率。

图8.电源电流与电压

和温度。

6-142

INA- 30311应用

信息

介绍

该INA - 30311是硅射频

集成电路，提供了一个

易于使用的溶液为低噪声

或多用途增益模块

应用最高到1000 MHz 。这

两级放大器的设计用途

电阻反馈提供平

增益在很宽的频率范围内。

本装置组装在一

小型，表面贴装封装

并适用于在低使用

低成本的无线通信

产品。

在INA - 30311的一个独特之处

是，它被设计为具有50

输入阻抗和输出

阻抗接近200

在较低的频率。这种阻抗

ANCE转换功能非常

的应用，如用于

接收机中频电路，其中所述

INA- 30311之后是高

像输入阻抗的设备

信号处理电路，滤波器，

或混合信号集成电路。

除了简化

匹配阻抗较高

设备的一个关键优势

高输出阻抗特性

在电源的改进

EF网络效率。

相位参考平面

基准的位置

面用于测量

S参数示于

如图9中所见的插图

化，参考平面

位于该点处的

封装引线接触测试

电路。

参考

飞机

偏置

该INA - 30311是一个偏置电压

设备和从单一操作

3伏电源。有

6毫安，该电流漏

放大器适合于在使用中

电池供电的应用。所有

偏置电路完全集成

入IC省去

外部直流分量。 RF

性能是非常稳定的

3伏电池提供了可能

范围从2.7到3.3伏，

根据电池“保鲜”

还是在的情况下，充电状态

可再充电电池。

而INA- 30311是

在3伏电池设计使用

驱动的应用程序，该

内部偏置调节电路

使得它能够与任何使用

从2.7电源电压

为+5伏。

典型配置

其中一路的INA- 30311

使用依赖于特定的

应用程序和操作系统

频率。

对于接收机中频放大器应用程序

阳离子高达几百

兆赫，相对较高的输出

放的阻抗水平

INA- 30311可被用于

优势接口连接时，

直接与具有设备

高于50

输入阻抗

元代，如某些信号

加工或混合信号集成电路。

本申请中示出

网络连接gure 10 。

第二个实现，

如图11所示，采用的是

在简单的反应网络

放大器的输出，以匹配

输出阻抗到50

.

这种匹配输出装置

将提供一个附加的0.9分贝

增益和输出功率的

开车到50时， 900 MHz的

阶段。

第三种方式使用INA-

30311是简单地级联

几个INA - 30311与50

阶段和忽视的影响

输出不匹配。

50

无级联

阻抗匹配，以示

图12中，折衷的

提高级增益和

输出功率进行更

简化的级间电路

减少了电路板空间。

INA-30

MATCHED

50

产量

图11.阻抗匹配

输出。

50

输入

INA-30

INA-30

高Z

产量

INA-30

高投入

阻抗

舞台

图12.简单的级联无

阻抗匹配。

测试电路

图10. INA - 30311驱动高

输入阻抗阶段。

图9.参考平面。

6-143

操作细节

该INA-的基本应用

30311是示于图13的直流

隔直电容应该是

放置在一系列的RF输入

和RF输出隔离adjoin-

从内部偏置电路荷兰国际集团

电压是存在于这些

终端。的值

隔直电容的阻止 -

通过的最低频率采

操作对于特定应用

化。电容的电抗

被选择为的5％或更少

放大器的输入或输出阻抗

ANCE以最低的经营

频率。例如，扩增

在应用程序中要使用的费里

覆盖902到928 MHz频段

将需要输入阻塞

至少为70 pF的，的电容器，该电容器

2.5

电抗，或5％的

50

在902兆赫。

在V

CC

连接到所述放大器

必须通过放置一个将射频旁路

电容直接在地面

包装件的偏置销。喜欢

隔直电容，

在V值

CC

旁路电容

是由最低的确定

工作频率为扩增

费里。这个值通常是

相同的DC阻断的

电容器。如果长期偏线

用于放大器至V

CC

供应，额外的旁路

电容可能需要

防止共振那会

否则会导致不希望的

获得响应。良好的旁路

V

CC

线还期望

防止可能出现的振荡的

由于反馈可能发生

通过从其它偏置线

阶段中的级联。

适当的接地是必要的，以

获得最高的性能。

在INA - 30311的接地引脚

应连接到直接

通过使用镀RF接地

通孔（通孔）附近

封装端子。

FR-4或G- 10的PCB材料是一种

对于大多数低成本不错的选择

无线应用。典型

板的厚度是0.025或

0.031英寸。 50的宽度

在这些PCB微带

厚度也方便

安装芯片等组件

作为该系列的DC阻塞

电容器。

50

例子

该演示电路如图

图14显示使用的INA- 30311

无输出阻抗

匹配的和是的一个例子

级联如图12所示的这

布局说明了最简单

实施INA- 30311的

通过使用50

微带

与隔直流电容器

的输入和输出。该

V

CC

电源连接RF

旁路非常接近的引线

该RFIC 。此外，还规定

额外的旁路电容

在V

CC

的边缘附近行

在PCB上。

900 MHz的匹配示例

本节介绍

为演示电路

900兆赫，基于所述

匹配的输出配置

在图11中示出。

该INA-输出VSWR

30311大约是2.6 ： 1 ，在

900 MHz和导致0.9分贝

在使用时，失配损耗

50

系统。使用一个简单的

阻抗匹配电路的

产量将增加增益和

输出功率为0.9分贝。该

该放大器的噪声系数

保持相同，并且不

取决于是否

输出匹配。

有许多电路拓扑结构

可用于匹配

的输出阻抗

INA- 30311于50

负载。该

例如，在图15介绍的是

设计，以配合放大器的

输出频率附近

900兆赫。

这个电路是代表对

在800 MHz的应用

蜂窝或900 MHz的无管制

频带。这个例子

使用一系列的电容器产生谐振

与分流，高阻抗

传输线。的数据发送

锡永线抽头在50

水平

为输出。该电路

提供期望的阻抗

变换以最小

部件，只用一个

贴片电容也增加一倍

作为输出DC模块。

RF

产量

RF

输入

V

CC

图13.基本放大器

应用程序。

6-144

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