INA - 03100绝对最大额定值
参数
器件的电流
功耗
[2,3]
RF输入功率
结温
储存温度
绝对最大
[1]
50毫安
200毫瓦
+13 dBm的
200°C
-65 ℃200℃
热阻
[2]
:
θ
jc
= 70 ° C / W
注意事项：
如果可能发生1.永久伤害
任何超出这些限制。
2. T
安装面
(T
MS
) = 25°C.
3.减免14.3毫瓦/°C，对于T
MS
＆ GT ;
186°C.
INA - 03100电气规格
[1,3]
, T
A
= 25°C
符号
G
P
G
P
f
3分贝
ISO
VSWR
NF
P
1分贝
IP
3
t
D
V
d
dv / dt的
参数和测试条件
[2]
: I
d
= 12毫安，Z
O
= 50
功率增益（ | S
21
|
2
)
增益平坦度
3 dB带宽
反向隔离（ | S
12
|
2
)
输入VSWR
输出VSWR
50
噪声系数
1 dB增益压缩输出功率
三阶截点
群时延
器件电压
器件电压温度系数
F = 0.01至2.0千兆赫
F = 0.01至2.0千兆赫
F = 0.01至2.0千兆赫
F = 1.5 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 0.01至2.0千兆赫
单位
dB
dB
GHz的
dB
分钟。
典型值。
26.0
±
0.5
2.8
37
2.0
5
3.0
5
马克斯。
dB
DBM
DBM
皮秒
V
毫伏/°C的
3.5
2.5
1.0
10
200
4.5
+
5
5.5
注意事项：
1.推荐的工作电流范围为这个设备是8至20毫安。典型表现为电流的函数是
在下面的页面。
芯片2的RF性能被包装测定和测试每个晶片10的设备。
3.值是可实现的性能为INA- 03100安装在一个70密耳带状线包。
INA - 03100典型的散射参数
[1]
(Z
O
= 50
,
T
A
= 25 ° C，I
d
= 12 mA）的
频率。
GHz的
S
11
MAG
昂
dB
S
21
MAG
昂
dB
S
12
MAG
昂
MAG
S
22
昂
k
0.05
0.10
0.20
0.40
0.60
0.80
1.00
1.20
1.40
1.60
1.80
2.00
2.50
3.00
0.35
0.35
0.33
0.31
0.27
0.23
0.19
0.16
0.13
0.12
0.13
0.18
0.40
0.81
176
172
165
150
137
125
113
99
76
51
21
–5
–52
–86
26.6
26.6
26.4
26.1
25.6
25.0
24.5
24.0
23.8
23.6
23.6
23.8
24.7
25.6
21.4
21.3
21.0
20.1
19.0
17.8
16.7
15.9
15.4
15.2
15.5
15.5
17.2
19.1
–4
–8
–15
–29
–42
–53
–63
–72
–81
–88
–97
–106
–132
–167
–36.0
–36.5
–36.4
–36.0
–37.6
–36.1
–35.1
–36.9
–36.4
–35.6
–34.1
–34.3
–30.2
–27.0
.016
.015
.015
.016
.013
.016
.018
.014
.015
.017
.020
.019
.031
.045
8
–4
–5
–13
–14
–13
–16
–21
–12
–11
–5
–13
–9
–12
.56
.56
.56
.54
.54
.53
.53
.54
.55
.56
.58
.60
.67
.70
–1
–3
–4
–7
–8
–9
–10
–12
–15
–17
–20
–25
–38
–64
1.25
1.30
1.30
1.33
1.58
1.49
1.43
1.72
1.65
1.54
1.24
1.18
0.53
0.03
注意：
通过在设备中找到的封装模式1. S参数去嵌入，从70万包测量数据
的模型节
Avantek微波半导体
数据手册。
6-103
INA - 03100的典型表现，T
A
= 25°C
（除非另有说明，否则这些数值是安装在一个70密耳所能达到的性能为INA- 03100
带状线封装）。
30
增益平坦直流
20
25
4.0
5.0
25
T
MS
= +125°C
T
MS
= +25°C
T
MS
= –55°C
30
F = 0.1 - 2 GHz的
25
F = 3 GHz的
I
d
（MA ）
NF（ dB）的
I
d
（MA ）
15
G
p
（ dB）的
20
3.0
20
F = 4 GHz的
15
10
15
2.0
5
10
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
1.0
5.0
0
0
2
4
V
d
(V)
6
8
10
10
5
10
15
I
d
（MA ）
20
25
频率（GHz ）
图1.典型的增益和噪声系数
与频率，T
A
= 25 ° C，I
d
= 12 mA的电流。
图2.设备电流与电压。
图3.功率增益与电流。
27
8
G
p
4
P
1分贝
4
2
5.0
G
p
（ dB）的
26
25
24
I
d
= 20毫安
4.0
P
1分贝
（ dBm的）
P
1分贝
（ dBm的）
I
d
= 12毫安
0
I
d
= 8毫安
–4
NF（ dB）的
3.0
3.5
0
–2
NF
I
d
= 8毫安
NF（ dB）的
2.0
2.5
1.0
1.5
–55
–25
+25
+85
2.0
I
d
= 12到20毫安
+125
–8
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
1.0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
温度（℃）
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图4.输出功率1 dB增益
压缩， NF和功率增益与
CaseTemperature ， F = 1.5 GHz的，我
d
= 12 mA的电流。
图5.输出功率为1 dB增益
压缩与频率。
图6.噪声系数与频率的关系。
INA - 03100芯片尺寸
C
M
7891 KA
RF
OUT
(3)
GND
2
(2)
500
±
13
m
19.7
±
0.5密耳
(4)
30AN
(1)
RF
IN
GND
1
375
±
13
m
14.8
±
0.5密耳
切屑厚度是140
m/5.5
密耳。键垫是
41
m/1.6
MIL典型的两侧。注：地面
结合是至关重要的。请参阅应用报告，
“ AB -0007 ： INA绑定配置” 。
6-104
QQ：2881677436 复制
