技术参数
O
CTAL
3-S
TATE
N
ONINVERTING
B
US
T
RANSCEIVER
微型IN74LV623引脚对引脚兼容
系列74HC623A ， 74HCT623A的微型电路。输入
电压值与标准的C -MOS兼容
水平
产品特点：
输出电压电平与输入电平兼容
C- MOS ，N -MOS和TTL微型电路。
电源电压范围为1.2 3.6 V.
最大输入电流： 1.0 MKA ; 0.1在MKA
Т
= 25
°С.
消耗电流8 mA 。
IN74LV623
订购信息
IN74LV623N
塑料
IN74LV623D
SOIC
T
A
= -40 °至125°C的所有软件包
框图
真值表
OEA
01
OEB
19
02
A
1
B
1
18
输入
OEB
OEA
L
L
H
H
L
H
H
H
输入/输出
А
В
A-B
输入
输入
B-A
Z
Z
A-B
B-A
03
A
2
B
2
17
OEB
01
引脚
20
V
CC
OEA
B
1
B
2
B
3
B
4
B
5
B
6
B
7
B
8
04
A
3
B
3
16
A
1
02
19
05
A
4
B
4
15
A
2
03
18
A
3
04
17
06
A
5
B
5
14
A
4
05
16
623
15
07
A
6
B
6
13
A
5
06
A
6
07
14
08
A
7
B
7
12
A
7
08
A
8
09
13
12
09
A
8
B
8
GND
10
11
11
1
IN74LV623
绝对最大额定值*
符号
V
CC
I
IK
*
1
I
OK
*
2
I
O
*
3
I
CC
I
GND
P
D
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出电流的源极 - 漏极
电源输出电流
常见的输出电流
耗散
塑料
动力
at
自由空气的变化，
DIP
*
4
SOIC *
4
参数
价值
从-0.5到
+5.0
±20
±50
±35
±70
±70
750
500
从-65
+150
260
°C
°C
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
mW
TSTG
T
L
*
储存温度
在绝对最大条件下微电路的操作不能保证。手术
最大的条件下得到保证。
*
1
如果V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V.
*
2
如果V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V.
*
3
如果-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V.
*
4
下的温度范围内运行，从65 °С ，以耗散功率的125°C的值
滴下来 - 在10 mW / ℃的塑料DIP
- 7毫瓦/ °下SOIC
最大条件
符号
参数
民
最大
单位
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
t
LH
, t
HL
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度。对于所有的软件包
信号的上升和V期
CC
=1.2
В
V
CC
=2.0
В
下降沿（图1）
V
CC
=3.0
В
V
CC
=3.6
В
1.2
0
0
-40
0
3.6
V
CC
V
CC
125
1000
700
500
400
V
V
V
°C
ns
2
IN74LV623
O
CTAL
3-S
TATE
N
ONINVERTING
B
US
T
RANSCEIVER
微型IN74LV623是引脚对引脚兼容
同系列的微电路
74HC623A,
74HCT623A 。输入电压电平是兼容的
与标准的C-MOS水平
产品特点：
输出电压电平与输入兼容
级别C- MOS ，N -MOS和TTL微型电路。
电源电压范围为1.2 3.6 V.
最大输入电流： 1.0 MKA ; 0.1在MKA
Т
=
25
°С.
消耗电流8 mA 。
订购信息
IN74LV623N
塑料
IN74LV623D
SOIC
IZ74LV623
芯片
T
A
= -40 ° ÷ 125°C的所有软件包
框图
OEB
OEA
真值表
19
01
02
03
04
05
06
07
08
09
A
1
B
1
A
2
B
2
A
3
B
3
A
4
B
4
A
5
B
5
A
6
B
6
A
7
B
7
A
8
B
8
18
17
16
15
14
13
12
11
输入
OEB
OEA
L
L
H
H
L
H
H
H
输入/输出
А
В
A-B
输入
输入
B-A
Z
Z
A-B
B-A
引脚
OEB
01
A
1
02
A
2
03
A
3
04
A
4
05
A
5
06
A
6
07
A
7
08
A
8
09
GND
10
623
20
V
CC
19
OEA
18
B
1
17
B
2
16
B
3
15
B
4
14
B
5
13
B
6
12
B
7
11
B
8
1
IN74LV623
绝对最大额定值*
符号
V
CC
I
IK
*
1
I
OK
*
2
I
O
*
3
I
CC
I
GND
P
D
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出电流的源极 - 漏极
电源输出电流
常见的输出电流
耗散功率在自由空气的变化，
塑料
DIP
*
4
SOIC *
4
储存温度
参数
价值
从-0.5到
+5.0
±20
±50
±35
±70
±70
750
500
从-65
+150
260
°C
°C
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
mW
TSTG
T
L
*
在绝对最大条件下微电路的操作不能保证。
最大的条件下，保证工作。
*
1
如果V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V.
*
2
如果V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V.
*
3
如果-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V.
*
4
在操作温度范围从65 °С ，以耗散125°C的值
电力滴下来 - 到10毫瓦/°C的塑料DIP
- 7毫瓦/ °下SOIC
最大条件
符号
参数
民
最大
单位
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
t
LH
, t
HL
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度。对于所有的软件包
信号的上升和V期
CC
=1.2
В
V
CC
=2.0
В
下降沿（图1）
V
CC
=3.0
В
V
CC
=3.6
В
1.2
0
0
-40
0
3.6
V
CC
V
CC
125
1000
700
500
400
V
V
V
°C
ns
2
QQ：2880707522 复制
