技术参数
IN74LV620
O
CTAL
3-S
TATE
I
NVERTING
B
US
T
RANSCEIVER
微型IN74LV620引脚对引脚兼容
系列74ALS620 ， 74HC620 ， 74HCT620的微型电路。输入
电压值与标准的C -MOS电平兼容
产品特点：
输出电压电平与输入电平的C- MOS兼容
N型MOS和TTL微型电路。
电源电压范围为1.2 3.6 V.
最大输入电流： 1.0 MKA ; 0.1在MKA
Т
= 25
°С.
消耗电流8 mA 。
订购信息
IN74LV620N
塑料
IN74LV620D
SOIC
T
A
= -40 °至125°C的所有软件包
框图
真值表
01
OEB
OEA
19
02
A
1
B
1
18
输入
OEB
OEA
L
L
H
H
L
H
H
H
输入/输出
А
В
A-B
输入
输入
B-A
Z
Z
A-B
B-A
03
A
2
B
2
引脚
17
04
A
3
B
3
16
OEB
01
A
1
02
A
2
03
15
20
V
CC
19
OEA
18
B
1
17
B
2
05
A
4
B
4
06
A
5
B
5
14
A
3
04
A
4
05
A
5
06
13
07
A
6
B
6
620
16
B
3
15
B
4
14
B
5
13
B
6
12
B
7
11
B
8
08
A
7
B
7
12
A
6
07
A
7
08
09
A
8
B
8
A
8
09
11
GND
10
1
IN74LV620
绝对最大额定值*
符号
V
CC
I
IK
*
1
I
OK
*
2
I
O
*
3
I
CC
I
GND
P
D
参数
电源电压
输入二极管电流
输出二极管电流
输出电流的源极 - 漏极
电源输出电流
常见的输出电流
耗散功率为免费
塑料
DIP
价值
从-0.5到
+5.0
±20
±50
±35
±70
±70
空气
4
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
mW
750
SOIC *
500
TSTG
储存温度
从-65
°C
+150
T
L
260
°C
*
在绝对最大条件下微电路的操作不能保证。下运行
最大的条件是保证。
*
1
如果V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V.
*
2
如果V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V.
*
3
如果-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V.
*
4
下的温度范围内运行，从65 °С ，以耗散力下降125°C的值
下来 - 在10 mW / ℃的塑料DIP
- 7毫瓦/ °下SOIC
变化，
*
4
最大条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
t
LH
, t
HL
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度。对于所有的软件包
信号的上升和V期
CC
=1.2
В
下降沿（图1）
V
CC
=2.0
В
V
CC
=3.0
В
V
CC
=3.6
В
民
1.2
0
0
-40
0
最大
3.6
V
CC
V
CC
125
1000
700
500
400
单位
V
V
V
°C
ns
2
IN74LV620
O
CTAL
3-S
TATE
I
NVERTING
B
US
T
RANSCEIVER
微型IN74LV620引脚对引脚兼容
系列74ALS620 ， 74HC620 ， 74HCT620的微型电路。
输入电压值与标准的C -MOS兼容
水平
产品特点：
输出电压电平与输入电平兼容C-
MOS ，N -MOS和TTL微型电路。
电源电压范围为1.2 3.6 V.
最大输入电流： 1.0 MKA ; 0.1在MKA
Т
= 25
°С.
消耗电流8 mA 。
订购信息
IN74LV620N
塑料
IN74LV620D
SOIC
IZ74LV620
芯片
T
A
= -40 ° ÷ 125°C的所有软件包
框图
真值表
01
OEB
OEA
19
02
03
04
05
06
07
08
09
A
1
B
1
A
2
B
2
A
3
B
3
A
4
B
4
A
5
B
5
A
6
B
6
A
7
B
7
A
8
B
8
18
17
16
15
14
13
12
11
输入
OEB
OEA
L
L
H
H
L
H
H
H
输入/输出
А
В
A-B
输入
输入
B-A
Z
Z
A-B
B-A
引脚
OEB
01
A
1
02
A
2
03
A
3
04
A
4
05
A
5
06
A
6
07
A
7
08
A
8
09
GND
10
620
20
V
CC
19
OEA
18
B
1
17
B
2
16
B
3
15
B
4
14
B
5
13
B
6
12
B
7
11
B
8
1
IN74LV620
绝对最大额定值*
符号
参数
V
CC
电源电压
I
IK
*
1
I
OK
*
2
I
O
*
3
I
CC
I
GND
P
D
输入二极管电流
输出二极管电流
输出电流的源极 - 漏极
电源输出电流
常见的输出电流
耗散功率在自由空气的变化，
塑料
DIP
*
4
SOIC *
4
储存温度
价值
从-0.5到
+5.0
±20
±50
±35
±70
±70
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
mW
750
500
TSTG
从-65
°C
+150
T
L
260
°C
*
在绝对最大条件下微电路的操作不能保证。
最大的条件下，保证工作。
*
1
如果V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V.
*
2
如果V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V.
*
3
如果-0.5V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V.
*
4
下的温度范围内运行，从65 °С ，以耗散功率的125°C的值
滴下来 - 在10 mW / ℃的塑料DIP
- 7毫瓦/ °下SOIC
最大条件
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
t
LH
, t
HL
参数
民
1.2
0
0
-40
0
最大
3.6
V
CC
V
CC
125
1000
700
500
400
单位
V
V
V
°C
ns
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度。对于所有的软件包
信号的上升和V期
CC
=1.2
В
下降沿（图1）
V
CC
=2.0
В
V
CC
=3.0
В
V
CC
=3.6
В
2
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