【IN74LV04HEXINVERTER该IN74LV04是低电压硅栅CMOS器件是销和功能上与74H】,IC型号IN74LV04D,IN74LV04D PDF资料,IN74LV04D经销商,ic,电子元器件-51电子网

IN74LV04

H

EX

I

NVERTER

该IN74LV04是低电压硅栅CMOS器件是销

和功能上与74HC / HCT04A兼容。

该IN74LV04提供了六个反相缓冲器。

宽工作电压范围： 1.0 ÷ 5.5 V

优化的低电压应用： 1.0 ÷ 3.6 V

接受V的TTL电平输入

CC

= 2.7 V和V

CC

=3.6 V

低输入电流

订购信息

IN74LV04N

塑料

IN74LV04D

SOIC

IZ74LV04

芯片

T

A

= -40 ° ÷ 125°C的所有

套餐

逻辑图

引脚分配

引脚14 = V

CC

PIN 7 = GND

功能表

输入

产量

A

Y

L

H

L

1

IN74LV04

最大额定值

*

符号

参数

价值

单位

V

CC

直流电源电压（参考GND）

V

-0.5

÷

+7.0

1

I

IK

*

DC输入二极管电流

mA

±20

2

I

OK

*

DC输出二极管电流

mA

±50

3

IO *

DC

产量

来源

or

SINK

当前

mA

±25

- 总线驱动器输出

I

GND

DC

GND

当前

为

类型

同

mA

±50

- 总线驱动器输出

I

CC

DC

V

CC

当前

为

类型

同

mA

±50

- 总线驱动器输出

750

mW

P

D

每包功耗，塑料DIP +

500

SOIC

套餐+

TSTG

储存温度

-65

÷

+150

°C

260

T

L

铅的温度，1.5毫米案例10

°C

秒

（塑料DIP ），0.3毫米（ SOIC封装）

*

最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。

功能操作应仅限于推荐工作条件。

+降额 - 塑料DIP ： - 12毫瓦/°C， 70° 125°C

SOIC封装： - 8毫瓦/°C， 70° 125°C

1

* : V

I

＆ LT ;

-0.5V或V

I

＆ GT ;

V

CC

+0.5V

*

2

：武

＆ LT ;

-0.5V或武

＆ GT ;

V

CC

+0.5V

*

3

: -0.5V

＆ LT ;

Vo

＆ LT ;

V

CC

+0.5V

推荐工作条件

符号

参数

民

最大

单位

V

CC

直流电源电压（参考GND）

1.0

5.5

V

IN

, V

OUT

直流输入电压，输出电压（参照

0

V

CC

V

GND ）

T

A

工作温度，所有封装类型

-40

+125

°C

ns

1000

t

r

, t

f

输入上升和下降时间

V

CC

=1.2

V

0

700

V

CC

0

=2.0

V

500

0

V

CC

=3.0

V

400

0

V

CC

=3.6 V

该器件包含保护电路，以防止损坏，由于高静

电压或电场。然而，必须采取预防措施，以避免任何电压的应用

超过最大额定电压，这个高阻抗电路更高。为了正常工作，V

IN

和

V

OUT

应限制到范围GND≤ （Ⅴ

IN

或V

OUT

)≤V

CC

.

未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或

V

CC

）。未使用的输出必须悬空。

2

IN74LV04

DC电气特性

（电压参考GND）

保证限额

TEST

V

CC

,

25°C

-40°C

÷

-40°C

÷

符号参数

条件

V

85°C

125°C

最小值最大值最小值最大值最小值最大值

-

0.9

-

0.9

-

V

IH

高级别输入

1.2 0.9

-

1.4

-

1.4

-

电压

2.0 1.4

-

2.1

-

2.1

-

3.0 2.1

-

2.5

-

2.5

-

3.6 2.5

0.3

-

0.3

-

0.3

-

V

IL

低电平输入

1.2

0.6

-

0.6

-

0.6

-

电压

2.0

0.9

-

0.9

-

0.9

-

3.0

1.1

-

1.1

-

1.1

-

3.6

-

1.0

-

1.0

-

1.2 1.1

V

OH

高电平的输出V

I

= V

IL

-

1.9

-

1.9

2.0 1.92 -

电压

I

O

= -50

A

-

2.9

-

2.9

* 2.92 -

V

I

= V

IL

* 2.48 - 2.34 - 2.20 -

I

O

= -6.0

A

0.1

-

0.1

- 0.09 -

V

OL

低电平输出V

I

= V

IH

1.2

0.1

-

0.1

- 0.09 -

电压

2.0

I

O

= 50

A

0.1

-

0.1

- 0.09 -

- 0.33 -

0.4

-

0.5

V

I

= V

IH

或V

IL

3.0

I

O

= 6.0 mА

低电平输入

漏电流

I

IН

高级别输入

漏电流

I

СС

静态电源

当前

（每包）

* : V

CC

= (3.3±0.3) V

I

IL

-

V

I

= V

CC

V

I

= 0

В

or

V

CC

I

O

= 0

A

*

-

-0.1

0.1

2.0

-

-1.0

1.0

20

-

-1.0

1.0

40

单位

V

A

3

IN74LV04

AC电气特性

(C

L

= 50 pF的，T

LH

= t

HL

= 6.0纳秒，V

IL

=0V, V

IH

=V

CC,

R

L

=1 k)

V

CC

保证限额

V

25°C

-40°C ÷ 85°C

-40°C ÷

单位

符号

参数

125°C

最小值最大值最小值最大值最小值最大值

ns

100

-

85

-

70

-

t

THL ，

(t

TLH ）

输出转换1.2

24

-

20

-

16

-

时间，任何输出2.0

15

-

13

-

10

*

（图1）

150

-

120

-

90

-

1.2

t

PHL ，

(t

PLH ）

传播

34

-

28

-

23

-

延迟，输入A至2.0

21

-

18

-

14

-

输出Y （图*

1)

C

I

输入电容3.0

-

3.5

-

3.5

pF

-

C

PD

功率耗散电容（每

逆变器）

Т

А

=25°С, V

I

=0V÷V

CC

pF

消费：

42

二手

to

DETERMINE

该

NO- LOAD

动态

动力

2

P

D

= C

PD

V

CC

f

I

+

∑(C

L

V

CC

FO ），F

I

- 输入频率fo - 在输出频率（MHz）

∑(C

L

V

CC2

FO ） - 输出的总和

t

HL

0.9

V

1

0.1

0.9

t

LH

V

CC

V

1

0.1

输入

А

t

PHL

0.9

t

PLH

0.9

V

1

V

1

0.1

GND

V

CC

输出y

V

1

= 0.5 V

CC

t

THL

t

TLH

GND

图1.开关波形

V

CC

V

I

脉冲

发电机

设备

下

TEST

V

O

端接阻抗R

T

–

应等于到Z

OUT

脉冲

发电机

R

T

C

L

R

L

图2.测试电路

4

IN74LV04

CHIP PAD图IZ74LV04

12

13

芯片标记

25LV04

（X = 0.127 ， Y = 0.580 ）

11

10

09

08

1.20

±

0.03

Y

0.228

0.111

0.293

0.477

0.786

0.970

0.855

0.619

14

07

01

02

03

04

05

06

1.35

±

0.03

焊盘尺寸0.108 X 0.108毫米（焊盘尺寸给出每个金属化层）

芯片0.46的厚度

±

0,02 mm

PAD位置

垫无

01

02

03

04

05

06

07

08

09

10

11

12

13

14

符号

А1

Y1

A2

Y2

A3

Y3

GND

Y4

A4

Y5

A5

Y6

A6

VCC

X

0.111

0.333

0.600

0.770

1.006

1.138

1.006

0.771

0.600

0.332

0.111

5