IN74HCT153
D
UAL
4-I
NPUT
D
ATA
S
ELECTOR
/M
ULTIPLEXER
高性能硅栅CMOS
该IN74HCT153在引出线的LS / ALS153相同。该
IN74HCT153可以用作一个电平转换器，用于连接的TTL
或NMOS输出到高速CMOS输入。
地址输入选择的四个数据输入的每一个
多路复用器。每个多路复用器有一个活跃的低频闪控制
同相输出。
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 4.5 5.5 V
低输入电流： 1.0
A
订购信息
IN74HCT153N塑料
IN74HCT153D SOIC
T
A
= -55 °至125 ℃下进行所有
套餐
逻辑图
引脚分配
PIN 16 = V
CC
PIN 8 = GND
功能表
输入
产量
A1 A0 STROB
Y
e
X
X
H
L
L
L
L
D0
L
H
L
D1
H
L
L
D2
H
H
L
D3
D0 ， D1 ... = D3的水平
相应的数据输入
X =无关
1
IN74HCT153
最大额定值
*
符号
参数
价值
单位
V
CC
直流电源电压（参考GND）
-0.5到+7.0
V
V
IN
DC输入电压（参考GND）
-1.5到V
CC
+1.5
V
V
OUT
DC输出电压（参考GND）
-0.5到V
CC
+0.5
V
I
IN
DC输入电流，每个引脚
mA
±20
I
OUT
直流输出电流，每个引脚
mA
±25
I
CC
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
mA
±50
P
D
在静止空气中，塑料DIP功耗+
750
mW
SOIC封装+
500
TSTG
储存温度
-65到+150
°C
260
T
L
焊接温度1毫米案例10
°C
秒
（塑料DIP或SOIC封装）
*
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
参数
V
CC
直流电源电压（参考GND）
V
IN
, V
OUT
直流输入电压，输出电压（参照
GND ）
T
A
工作温度，所有封装类型
t
r
, t
f
输入上升和下降时间（图1 ）
民
4.5
0
-55
0
最大
5.5
V
CC
+125
500
单位
V
V
°C
ns
该器件包含保护电路，以防止损坏，由于高静
电压或电场。然而，必须采取预防措施，以避免任何电压的应用
超过最大额定电压，这个高阻抗电路更高。为了正常工作，V
IN
和
V
OUT
应限制到范围GND≤ （Ⅴ
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或
V
CC
） 。未使用的输出必须悬空。
2
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