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IN74HCT109
D
UAL
J-K· F
LIP
-F
垂耳
有设定和
R
ESET
高性能硅栅CMOS
该IN74HCT109在引出线的LS / ALS109相同。该
IN74HCT109可以用作一个电平转换器,用于连接
TTL或NMOS输出高速CMOS输入。
这个装置包括两个J形
K
触发器与个别设定,
复位和时钟输入。在输入端变化的反映
随着时钟的下一个从低到高的跳变输出。这两个Q以
Q
输出可从各个触发器。
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS , NMOS和TTL
工作电压范围: 4.5 5.5 V
低输入电流: 1.0
A
订购信息
IN74HCT109N塑料
IN74HCT109D SOIC
T
A
= -55 °至125 ℃下进行所有
包。
引脚分配
逻辑图
功能表
SET
L
H
L
H
H
H
H
H
输入
复位时钟
H
L
L
H
H
H
H
H
X
X
X
J
X
X
X
L
H
L
H
X
K
X
X
X
L
L
H
H
X
产量
Q
Q
H
L
L
H
*
H
H
*
L
H
切换
No
变化
H
L
No
变化
PIN 16 = V
CC
PIN 8 = GND
L
X =无关
*
两个输出将维持高位,只要
置位和复位是低的。 ,但输出
国家是不可预测的,如果设置和复位
同时高。
1
IN74HCT109
最大额定值
*
SYMB
参数
价值
单位
ol
V
CC
直流电源电压(参考GND)
-0.5到+7.0
V
V
IN
DC输入电压(参考GND)
-1.5到V
CC
+1.5
V
V
OUT
DC输出电压(参考GND)
-0.5到V
CC
+0.5
V
I
IN
DC输入电流,每个引脚
mA
±20
I
OUT
直流输出电流,每个引脚
mA
±25
I
CC
直流电源电流,V
CC
和GND引脚
mA
±50
P
D
在静止空气中,塑料DIP功耗+
750
mW
SOIC封装+
500
TSTG储存温度
-65到+150
°C
260
T
L
焊接温度1毫米案例10
°C
(塑料DIP或SOIC封装)
*
最大额定值超出女巫损坏设备的价值可能会发生。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/°C, 65 °至125°C
SOIC封装: - 7毫瓦/°C, 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
参数
V
CC
直流电源电压(参考GND)
V
IN
, V
OUT
直流输入电压,输出电压(参照
GND )
T
A
工作温度,所有封装类型
t
r
, t
f
输入上升和下降时间(图1 )
4.5
0
-55
0
最大
5.5
V
CC
+125
500
单位
V
V
°C
ns
2
IN74HCT109
DC电气特性(电压
参考GND )
保证限额
V
CC
单位
SYMB参数
测试条件
V
≤85
≤125
25
°C
ol
to
°C
°C
-55°C
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
-0.1 V
V
IH
最低
4.5
2.0
2.0
2.0
V
高位
5.5
2.0
2.0
2.0
I
OUT
20
A
输入电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
-0.1 V
V
IL
最大
4.5
0.8
0.8
0.8
V
低-Level
5.5
0.8
0.8
0.8
I
OUT
20
A
输入电压
V
IN
=V
IH
或V
IL
V
OH
最低
4.5
4.4
4.4
4.4
V
高位
5.5
5.4
5.4
5.4
I
OUT
20
A
产量
电压
V
IN
=V
IH
或V
IL
4.5
3.98
3.84
3.7
I
OUT
4.0毫安
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
OL
最大
4.5
0.1
0.1
0.1
V
低电平
5.5
0.1
0.1
0.1
I
OUT
20
A
产量
电压
V
IN
= V
IL
或V
IH
4.5
0.26
0.33
0.4
I
OUT
≤4.0
mA
V
IN
=V
CC
或GND
I
IN
最大
5.5
±0.1
±1.0
±1.0
A
输入
泄漏
当前
V
IN
=V
CC
或GND
I
CC
最大
5.5
4.0
40
80
A
I
OUT
=0A
供应
电流(每
包)
另外
V
IN
= 2.4 V ,任何一个输入
≥-55°C
25 ° C至125°C
A
I
CC
V
IN
=V
CC
或GND ,其他
输入
5.5
2.9
2.4
供应
I
OUT
=0A
当前
该器件包含保护电路,以防止损坏,由于高静
电压或电场。然而,必须采取预防措施,以避免任何电压的应用
超过最大额定电压,这个高阻抗电路更高。为了正常工作,V
IN
V
OUT
应限制到范围GND≤ (Ⅴ
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平(例如, GND或
V
CC
) 。未使用的输出必须悬空。
3
IN74HCT109
AC电气特性(V
CC
=5.5 V
±
10%, C
L
= 50pF的,输入吨
r
=t
f
= 6.0纳秒)
保证限额
单位
符号
参数
≤85
≤125
25
°C
to
°C
°C
-55°C
f
最大
最大时钟频率(50%占空比
30
24
20
兆赫
周期)(图1和4 )
35
44
53
ns
t
PLH
,
最大传输延迟,时钟到Q
t
PHL
or
Q
(图1和4 )
46
58
69
ns
t
PHL
最大传播延迟,设置或
重置为Q或
Q
(图2和4)
t
TLH
, t
THL
最大输出转换时间,任何
15
19
22
ns
输出(图1和4 )
C
IN
最大输入电容
10
10
10
pF
功率耗散电容(每倒装
翻牌)
用于确定空载动态
动力
消费:
2
P
D
=C
PD
V
CC
F +我
CC
V
CC
+I
CC
V
CC
典型的25°C ,V
CC
=5.0
V
60
C
PD
pF
时序要求
(V
CC
=5.5 V
±
10%, C
L
= 50pF的,输入吨
r
=t
f
= 6.0纳秒)
保证限额
符号
参数
25
°C
to
≤85°C
≤125°C
-55°C
t
SU
最小建立时间,J
20
25
30
或K时钟(图3 )
t
h
最小保持时间,
5
5
5
时钟到J或K (图3 )
5
5
5
t
REC
最低
恢复
时间,设置或重置
不活跃时钟(图
2)
t
w
最小脉冲宽度,
16
20
24
设置或重置(图2 )
t
w
最低
脉冲
16
20
24
宽度,时钟(图1)
t
r,
t
f
最大输入上升和
500
500
500
下降时间(图1 )
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4
IN74HCT109
图1.开关波形
图2的开关波形
图3.开关波形
图4.开关波形
膨胀逻辑图
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IN74HCT109
    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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