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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第200页 > IN74HC573A
技术参数
IN74HC573A
八路三态同相
透明锁存器
高性能硅栅CMOS
该IN74HC573A在引出线的LS / ALS573相同。该
设备输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LS / ALSTTL输出兼容。
这些锁存器出现透明的数据（即输出改变
异步方式），当锁存使能高。当锁存使能云
低，数据满足建立和保持时间变得锁定。
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
订购信息
IN74HC573AN塑料
IN74HC573ADW SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
引脚分配
逻辑图
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
功能表
输入
产量
启用
L
L
L
H
LATCH
启用
H
H
L
X
D
H
L
X
X
产量
Q
H
L
没有变化
Z
X =无关
Z =高阻抗
403
IN74HC573A
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中，塑料DIP功耗+
SOIC封装+
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
价值
-0.5到+7.0
-1.5到V
CC
+1.5
-0.5到V
CC
+0.5
±20
±35
±75
750
500
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图1 ）
V
CC
=2.0 V
V
CC
=4.5 V
V
CC
=6.0 V
民
2.0
0
-55
0
0
0
最大
6.0
V
CC
+125
1000
500
400
单位
V
V
°C
ns
该器件包含保护电路，以防止损坏，由于高静电压或电
场。但是，必须采取预防措施，以避免超过最大额定更高的任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作，V
IN
和V
OUT
应限制到范围
GND≤ （V
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
404
IN74HC573A
DC电气特性
（电压参考GND）
V
CC
符号
参数
测试条件
V
保证限额
25
°C
to
-55°C
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
±0.5
≤85
°C
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1.0
±5.0
≤125
°C
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1.0
±10
A
A
V
单位
V
IH
最小高级别
输入电压
最大的低 -
电平输入电压
最小高级别
输出电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
-0.1 V
I
OUT
≤
20
A
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
-0.1 V
I
OUT
≤
20
A
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OUT
≤
20
A
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OUT
≤
6.0毫安
I
OUT
≤
7.8毫安
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
6.0
6.0
V
V
IL
V
V
OH
V
V
OL
最底层
输出电压
V
IN
= V
IL
或V
IH
I
OUT
≤
20
A
V
IN
= V
IL
或V
IH
I
OUT
≤
6.0毫安
I
OUT
≤7.8
mA
I
IN
I
OZ
最大输入
漏电流
最多三个
状态漏泄
当前
最大静态
电源电流
（每包）
V
IN
=V
CC
或GND
输出高阻抗
状态
V
IN
=V
IH
或V
IL
V
OUT
= V
CC
或GND
V
IN
=V
CC
或GND
I
OUT
=0A
I
CC
6.0
4.0
40
160
A
405
IN74HC573A
AC电气特性
(C
L
= 50pF的，输入吨
r
=t
f
= 6.0纳秒）
V
CC
符号
参数
V
保证限额
25
°C
to
-55°C
150
30
26
160
32
27
150
30
26
150
30
26
60
12
10
10
15
≤85°C
≤125°C
单位
t
PLH
, t
PHL
最大传输延迟，输入D到Q
（图1和5）
最大传输延迟，锁存使能
至Q （图2和5）
最大传输延迟，输出使能到Q
（图3和6）
最大传输延迟，输出使能到Q
（图3和6）
最大输出转换时间，任何输出
（图1和5）
最大输入电容
最大三态输出电容
（输出高阻抗状态）
功率耗散电容（每启用
输出）
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
-
-
190
38
33
200
40
34
190
38
33
190
38
33
75
15
13
10
15
225
45
38
240
48
41
225
45
38
225
45
38
90
18
15
10
15
ns
t
PLH
, t
PHL
ns
t
PLZ
, t
PHZ
ns
t
PZH
, t
PZL
ns
t
TLH
, t
THL
ns
C
IN
C
OUT
pF
pF
典型的25°C ，V
CC
=5.0 V
23
pF
C
PD
用于确定空载动态功率
消费：P
D
=C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
时序要求
(C
L
= 50pF的，输入吨
r
=t
f
= 6.0纳秒）
V
CC
符号
t
SU
参数
最小建立时间，输入端D
到锁存使能
（图4）
最小保持时间，锁存
启用以输入端D
（图4）
最小脉冲宽度，锁
使（图2）
最大输入兴衰
倍（图1）
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
25
°C
to
-55°C
50
10
9
5
5
5
75
15
13
1000
500
400
保证限额
≤85°C
65
13
11
5
5
5
95
19
16
1000
500
400
≤125°C
75
15
13
5
5
5
110
22
19
1000
500
400
单位
ns
t
h
ns
t
w
ns
t
r,
t
f
ns
406
IN74HC573A
图1.开关波形
图2的开关波形
图3.开关波形
图4.开关波形
膨胀逻辑图
图5.测试电路
图6.测试电路
407
技术参数
IN74HC573A
八路三态同相
透明锁存器
高性能硅栅CMOS
SUF科幻X
塑料DIP
该IN74HC573A在引出线的LS / ALS573相同。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉电阻，
它们与LS / ALSTTL输出兼容。
这些锁存器出现透明的数据（即输出改变
异步）当LE是高的。当LE变为低电平时，数据符合
建立和保持时间变得锁定。
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
20
1
20
1
DW后缀
SOIC
订购信息
IN74HC573AN
IN74HC573ADW
塑料DIP
SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
引脚分配
逻辑图
19
18
17
16
15
14
13
12
OE
D0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V CC
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
LE
D0
D1
D2
数据
输入
D3
D4
D5
D6
D7
2
3
4
5
6
7
8
9
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
同相
输出
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
GND
LE
11
OE
1
功能表
输入
OE
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
L
L
L
H
LE
H
H
L
X
D
H
L
X
X
产量
Q
H
L
没有变化
Z
H =高电平
L =低电平
X =无关
Z =高阻抗
启示录00
IN74HC573A
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中，塑料DIP功耗+
SOIC封装+
储存温度
焊接温度，1.5毫米的表壳，持续4秒
（塑料DIP或SOIC封装）
价值
-0.5到+7.0
-1.5到V
CC
+1.5
-0.5到V
CC
+0.5
±20
±35
±75
750
500
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图1 ）
V
CC
=2.0 V
V
CC
=4.5 V
V
CC
=6.0 V
民
2.0
0
-55
0
0
0
最大
6.0
V
CC
+125
1000
500
400
单位
V
V
°C
ns
该器件包含保护电路，以防止损坏防范因高静态电压或电场。
然而，必须采取预防措施，以避免任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
IN
和V
OUT
应限制到范围GND≤ （Ⅴ
IN
or
V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或V
CC
） 。未使用
输出必须保持打开状态。
启示录00
IN74HC573A
DC电气特性
（电压参考GND）
V
C
C
保证限额
25
°C
to
-55°C
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
±0.5
≤85
°C
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1.0
±5.0
≤125
°C
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1.0
±10
A
A
V
单位
V
符号
V
IH
参数
最小高级别
输入电压
最大的低-Level
输入电压
最小高级别
输出电压
测试条件
V
OUT
≥
V
CC
-0.1 V
I
OUT
≤
20
A
V
OUT
≤
0.1 V
I
OUT
≤
20
A
V
IN
=V
IH
I
OUT
≤
20
A
V
IN
=V
IH
I
OUT
≤
6.0毫安
I
OUT
≤
7.8毫安
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
6.0
6.0
V
IL
V
V
OH
V
V
OL
最底层
输出电压
V
IN
= V
IL
I
OUT
≤
20
A
V
IN
= V
IL
I
OUT
≤
6.0毫安
I
OUT
≤7.8
mA
I
IN
I
OZ
最大输入
漏电流
最大的三个国家
漏电流
V
IN
=V
CC
或GND
输出高阻抗
状态
V
IN
=V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
V
IN
=V
CC
或GND
I
OUT
=0A
I
CC
最大静态
电源电流
（每包）
6.0
4.0
40
160
A
启示录00
IN74HC573A
AC电气特性
(C
L
= 50pF的，输入吨
r
=t
f
= 6.0纳秒）
V
CC
符号
t
PLH
, t
PHL
参数
最大传输延迟，输入D到Q
（图1和5）
最大传输延迟， LE为Q
（图2和5）
最大传输延迟， OE为Q
（图3和6）
最大传输延迟， OE为Q
（图3和6）
最大输出转换时间，任何输出
（图1和5）
最大输入电容
最大三态输出电容
（输出高阻抗状态）
功率耗散电容（每启用
输出）
C
PD
用于确定空载动态功率
消费：P
D
=C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
-
-
保证限额
25
°C
to
-55°C
150
30
26
160
32
27
150
30
26
150
30
26
60
12
10
10
15
≤85°C
190
38
33
200
40
34
190
38
33
190
38
33
75
15
13
10
15
≤125°C
225
45
38
240
48
41
225
45
38
225
45
38
90
18
15
10
15
单位
ns
t
PLH
, t
PHL
ns
t
PLZ
, t
PHZ
ns
t
PZH
, t
PZL
ns
t
TLH
, t
THL
ns
C
IN
C
OUT
pF
pF
典型的25°C ，V
CC
=5.0 V
23
pF
时序要求
(C
L
= 50pF的，输入吨
r
=t
f
= 6.0纳秒）
V
CC
符号
t
SU
参数
最小建立时间，输入D钮
LATCH ENABLE
（图4）
最小保持时间，锁存使能
到输入端D
（图4）
最小脉冲宽度，锁
使（图2）
最大输入兴衰
倍（图1）
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
25
°C
to
-55°C
50
10
9
5
5
5
75
15
13
1000
500
400
保证限额
≤85°C
65
13
11
5
5
5
95
19
16
1000
500
400
≤125°C
75
15
13
5
5
5
110
22
19
1000
500
400
单位
ns
t
h
ns
t
w
ns
t
r,
t
f
ns
启示录00
IN74HC573A
V
CC
0
В
t
w
t
PLH
Q
t
THL
50%
tr
D
t
PLH
Q
t
TLH
50%
10%
90%
90%
50%
10%
tf
LE
V
CC
0
В
t
PHL
50%
t
PHL
图1.开关波形
OE
t
PZL
Q
t
PZH
Q
50%
50%
50%
图2的开关波形
V
CC
0
В
高
阻抗
D
50%
t
PLZ
10%
t
PHZ
90%
V
CC
0
В
t
su
t
h
50%
V
OL
V
OH
高
阻抗
LE
V
CC
0
В
图3.开关波形
*包括所有探测和夹具电容
测试点
设备
下
TEST
图4.开关波形
*包括所有探测和夹具电容
测试点
1k
C
L
*
产量
C
L
*
设备
下
TEST
产量
连接到V
CC
当
测试吨
PLZ
和T
PZL
连接到GND WHEN
测试吨
PHZ
和T
PZH
图5.测试电路
图6.测试电路
膨胀逻辑图
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D
Q
D
Q
D
Q
D
Q
D
Q
D
Q
D
Q
D
Q
LE
LE
LE
LE
LE
LE
LE
LE
LE
OE
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
启示录00
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IS61NVP25618A-200B3I
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