IN74HC299
8-B
IT
B
IDIRECTIONAL
U
NIVERSAL
S
HIFT
R
EGISTER WITH
P
ARALLEL
I / O
高性能硅栅CMOS
该IN74HC299在引出线的LS / ALS299相同。该
设备输入与标准CMOS输出兼容;同
上拉电阻，它们与LS / ALSTTL输出兼容。
该IN74HC299features一个复用的并行输入/输出
数据端口实现全8位处理的20引脚封装。应有
到大的输出驱动能力和三态功能，这
装置非常适合于接口与一个巴士─总线线路
导向系统。
两种模式选择输入和两个输出使能输入都
用于选择操作模式在函数上市
表。同步并行加载，采取完成
这两个模式选择线，S
1
和S
2
高。这将把输出
在高阻抗状态，这允许施加到数据
数据端口进行读入寄存器。读出的
注册时启用输出可以实现。该
低电平有效的异步复位覆盖所有其他投入。
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
订购信息
IN74HC299N塑料
IN74HC299DW SOIC
T
A
= -55 °至125 ℃下进行所有
套餐
引脚分配
逻辑图
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
1
IN74HC299
最大额定值
*
符号
参数
价值
单位
V
CC
直流电源电压（参考GND）
-0.5到+7.0
V
V
IN
DC输入电压（参考GND）
-1.5到V
CC
+1.5
V
V
OUT
DC输出电压（参考GND）
-0.5到V
CC
+0.5
V
I
IN
DC输入电流，每个引脚
mA
±20
I
OUT
直流输出电流，每个引脚
mA
±35
I
CC
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
mA
±75
P
D
在静止空气中，塑料DIP功耗+
750
mW
SOIC封装+
500
TSTG
储存温度
-65到+150
°C
260
T
L
焊接温度1毫米案例10
°C
秒
（塑料DIP或SOIC封装）
*
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
参数
V
CC
直流电源电压（参考GND）
V
IN
, V
OUT
直流输入电压，输出电压（参考GND）
T
A
工作温度，所有封装类型
t
r
, t
f
输入上升和下降时间（图1 ）V
CC
=2.0
V
V
CC
=4.5
V
V
CC
=6.0 V
民
2.0
0
-55
0
0
0
最大
6.0
V
CC
+125
1000
500
400
单位
V
V
°C
ns
该器件包含保护电路，以防止损坏，由于高静
电压或电场。然而，必须采取预防措施，以避免任何电压的应用
超过最大额定电压，这个高阻抗电路更高。为了正常工作，V
IN
和
V
OUT
应限制到范围GND≤ （Ⅴ
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或
V
CC
） 。未使用的输出必须悬空。 I / O引脚都必须连接到一个正确终止线
或公共汽车。
2
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