IN74HC273A
O
CTAL
D F
LIP
-F
与LOP
C
OMMON
C
锁定和
R
ESET
高性能硅栅CMOS
该IN74HC273A在引出线的LS / ALS273相同。该
设备输入与标准CMOS输出兼容;同
上拉电阻，它们与LS / ALSTTL输出兼容。
此设备由八个D触发器与普通时钟
和复位输入。每个触发器中装入了一个低到高的
时钟输入的过渡。复位是异步的，活跃的
低。
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
订购信息
IN74HC273AN塑料
IN74HC273ADW SOIC
T
A
= -55 °至125 ℃下进行所有
套餐
引脚分配
逻辑图
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
RESET
L
H
H
H
H
功能表
输入
时钟
X
D
X
H
L
X
X
产量
Q
L
H
L
没有变化
没有变化
L
X =无关
1
IN74HC273A
最大额定值
*
符号
参数
价值
单位
V
CC
直流电源电压（参考GND）
-0.5到+7.0
V
V
IN
DC输入电压（参考GND）
-1.5到V
CC
+1.5
V
V
OUT
DC输出电压（参考GND）
-0.5到V
CC
+0.5
V
I
IN
DC输入电流，每个引脚
mA
±20
I
OUT
直流输出电流，每个引脚
mA
±35
I
CC
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
mA
±75
P
D
在静止空气中，塑料DIP功耗+
750
mW
SOIC封装+
500
TSTG
储存温度
-65到+150
°C
260
T
L
焊接温度1毫米案例10
°C
秒
（塑料DIP或SOIC封装）
*
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
参数
V
CC
直流电源电压（参考GND）
V
IN
, V
OUT
直流输入电压，输出电压（参照
GND ）
T
A
工作温度，所有封装类型
t
r
, t
f
输入上升和下降时间
（图五
CC
=2.0 V
1)
V
CC
=4.5 V
V
CC
=6.0 V
民
2.0
0
-55
0
0
0
最大
6.0
V
CC
+125
1000
500
400
单位
V
V
°C
ns
该器件包含保护电路，以防止损坏，由于高静
电压或电场。然而，必须采取预防措施，以避免任何电压的应用
超过最大额定电压，这个高阻抗电路更高。为了正常工作，V
IN
和
V
OUT
应限制到范围GND≤ （Ⅴ
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或
V
CC
） 。未使用的输出必须悬空。
2
技术参数
IN74HC273A
八路D触发器与
公共时钟和复位
高性能硅栅CMOS
该IN74HC273A在引出线的LS / ALS273相同。该
设备输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LS / ALSTTL输出兼容。
此设备由八个D触发器与普通时钟和
复位输入。每个触发器中装入了一个低到高的过渡
时钟输入。复位是异步的，低电平有效。
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
订购信息
IN74HC273AN塑料
IN74HC273ADW SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
引脚分配
逻辑图
功能表
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
输入
RESET
L
H
H
H
H
X =无关
L
时钟
X
D
X
H
L
X
X
产量
Q
L
H
L
没有变化
没有变化
启示录00
IN74HC273A
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中，塑料DIP功耗+
SOIC封装+
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
价值
-0.5到+7.0
-1.5到V
CC
+1.5
-0.5到V
CC
+0.5
±20
±35
±75
750
500
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
V
CC
=2.0 V
V
CC
=4.5 V
V
CC
=6.0 V
民
2.0
0
-55
0
0
0
最大
6.0
V
CC
+125
1000
500
400
单位
V
V
°C
ns
该器件包含保护电路，以防止损坏防范因高静态电压或电场。
然而，必须采取预防措施，以避免任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
IN
和V
OUT
应限制到范围GND≤ （Ⅴ
IN
or
V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或V
CC
） 。未使用
输出必须保持打开状态。
启示录00
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