技术参数
8位串行或并行输入/
串行输出移位寄存器
高性能硅栅CMOS
该IN74HC165A在引出线的LS / ALS165相同。该
设备输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LS / ALSTTL输出兼容。
该装置是一个8位的移位寄存器，由互补输出
的最后阶段。数据可以被加载到寄存器或者并行地或在
串行形式。当串行移位/并行加载输入为低电平时，数据是
并行异步加载。当串行移位/并行加载
输入为高时，数据被串行地加载在任一时钟的上升沿
或时钟禁止（见功能表） 。
在二输入NOR时钟可以通过组合两个来使用，也可以
独立的时钟源，或通过指定的时钟输入中的一个充当
作为时钟禁止。
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
IN74HC165A
订购信息
IN74HC165AN塑料
IN74HC165AD SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
逻辑图
引脚分配
PIN 16 = V
CC
PIN 8 = GND
功能表
输入
串行移位/
并行加载
L
H
H
H
H
H
H
L
L
X
H
H
X
时钟
H
时钟
抑制
X
L
L
S
A
内部阶段
A-H
一... H
X
X
X
X
X
X
没有变化
Q
A
a
L
H
L
H
Q
B
-Q
G
B-G
Q
An
-Q
Fn
Q
An
-Q
Fn
Q
An
-Q
Fn
Q
An
-Q
Fn
没有变化
产量
Q
H
h
Q
Gn
Q
Gn
Q
Gn
Q
Gn
手术
X
L
H
L
H
X
X
异步并行加载
通过时钟串行移位
通过时钟串行移位
抑制
抑制时钟
无时钟
H
L
L
X
X
X =无关
Q
An
-Q
Fn
=数据从前面级移位
启示录00
IN74HC165A
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中，塑料DIP功耗+
SOIC封装+
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
价值
-0.5到+7.0
-1.5到V
CC
+1.5
-0.5到V
CC
+0.5
±20
±25
±50
750
500
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图1 ）
V
CC
=2.0 V
V
CC
=4.5 V
V
CC
=6.0 V
民
2.0
0
-55
0
0
0
最大
6.0
V
CC
+125
1000
500
400
单位
V
V
°C
ns
该器件包含保护电路，以防止损坏防范因高静态电压或电场。
然而，必须采取预防措施，以避免任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
IN
和V
OUT
应限制到范围GND≤ （Ⅴ
IN
or
V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或V
CC
） 。未使用
输出必须保持打开状态。
启示录00
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