IN74ACT652
O
CTAL
3-S
TATE
B
US
T
RANSCEIVERS
和
D F
LIP
-F
LOPS
高速硅栅CMOS
该IN74ACT652在引脚排列完全相同LS / ALS652 ，
HC / HCT652 。该IN74ACT652可以用作一个电平转换器
用于连接TTL或NMOS输出高速CMOS输入。
这些装置由总线收发器电路，D型倒装
触发器和控制电路布置为多路传输
直接从数据总线或从内部存储的数据
寄存器。方向和输出使能提供给选择
读时间或存储数据的功能。在A或数据B数据总线，或
既可以通过被存储在内部的D触发器由低到高
转换在适当的时钟引脚（A到B时钟或B -到-A
时钟）无论选择或启用或使能控制引脚。
当A对B源和B到A源是实时
传输模式，但也可以存储数据，而不使用
内部的D型触发器通过同时实现方向和
输出使能。在此配置中每个输出增强其
输入。因此，当所有的其它数据源，以在两组总线的
线为高阻抗，每组总线线路将保持
在其最后的状态。
该IN74ACT652有反的输出。
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 4.5 5.5 V
低输入电流： 1.0
A;
0.1
A
@ 25°C
逻辑图
订购信息
IN74ACT652N塑料
IN74ACT652DW SOIC
T
A
= -40 ° 85 ℃下进行所有
套餐
引脚分配
输出源/汇24毫安
PIN 24 = V
CC
PIN 12 = GND
1
IN74ACT652
最大额定值
*
符号
参数
价值
单位
V
CC
直流电源电压（参考GND）
-0.5到+7.0
V
V
IN
DC输入电压（参考GND）
-0.5到V
CC
+0.5
V
V
OUT
DC输出电压（参考GND）
-0.5到V
CC
+0.5
V
I
IN
DC输入电流，每个引脚
mA
±20
I
OUT
DC输出吸入/源出电流，每个引脚
mA
±50
I
CC
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
mA
±50
P
D
在静止空气中，塑料DIP功耗+
750
mW
SOIC封装+
500
TSTG
储存温度
-65到+150
°C
260
T
L
焊接温度1毫米案例10
°C
秒
（塑料DIP或SOIC封装）
*
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
参数
V
CC
直流电源电压（参考GND）
V
IN
, V
OUT
直流输入电压，输出电压（参照
GND ）
T
J
结温（ PDIP ）
T
A
工作温度，所有封装类型
I
OH
输出电流 - 高
I
OL
输出电流 - 低
t
r
, t
f
输入上升和下降时间
*
V
CC
=4.5 V
V
CC
=5.5 V
（除施密特输入）
*
V
IN
从0.8 V至2.0 V
民
4.5
0
最大
5.5
V
CC
140
+85
-24
24
10
8.0
单位
V
V
°C
°C
mA
mA
NS / V
-40
0
0
该器件包含保护电路，以防止损坏，由于高静
电压或电场。然而，必须采取预防措施，以避免任何电压的应用
超过最大额定电压，这个高阻抗电路更高。为了正常工作，V
IN
和
V
OUT
应限制到范围GND≤ （Ⅴ
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或
V
CC
） 。未使用的输出必须悬空。
2
IN74ACT652
DC电气特性（电压
参考GND ）
保证
V
CC
范围
符号参数
测试条件
V
25
°C
-40 ° C至
85°C
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
-0.1 V 4.5
V
IH
最小高
2.0
2.0
电平输入
5.5
2.0
2.0
电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
-0.1 V 4.5
V
IL
最大的低 -
0.8
0.8
电平输入
5.5
0.8
0.8
电压
V
OH
最小高
4.5
4.4
4.4
I
OUT
≤
-50
A
电平输出
5.5
5.4
5.4
电压
*
V
IN
=V
IH
或V
IL
3.76
3.86
4.5
I
OH
= -24毫安
4.76
4.86
5.5
I
OH
= -24毫安
V
OL
最大的低收入
4.5
0.1
0.1
I
OUT
≤
50
A
电平输出
5.5
0.1
0.1
电压
*
V
IN
=V
IH
或V
IL
0.44
0.36
4.5
I
OL
= 24毫安
0.44
0.36
5.5
I
OL
= 24毫安
I
IN
最大输入
V
IN
=V
CC
或GND
5.5
±0.1
±1.0
漏电流
5.5
1.5
其他最大
V
IN
=V
CC
- 2.1 V
I
CCT
I
CC
/输入
5.5
I
OZ
最大的三V
IN
（ OE ） = V
IH
或V
IL
±0.6
±6.0
状态漏泄
V
IN
=V
CC
或GND
当前
V
OUT
=V
CC
或GND
V
老
= 1.65 V最大
I
老
+最低
5.5
75
动态输出
当前
V
OHD
= 3.85 V MIN
I
OHD
+最低
5.5
-75
动态输出
当前
V
IN
=V
CC
或GND
I
CC
最大
5.5
8.0
80
静态电源
当前
（每包）
*
所有输出负载;输入阈值与输出测试有关。
+最大测试时间为2.0 ms ，一个输出一次加载。
单位
V
V
V
V
A
mA
A
mA
mA
A
3
IN74ACT652
AC电气特性（V
CC
=5.0 V
±
10%, C
L
= 50pF的，输入吨
r
=t
f
= 3.0纳秒）
保证限制
单位
符号
参数
25
°C
-40 ° C至
85°C
最小值最大值最小值最大值
t
PLH
传输延迟， A到B时钟或B到A 4.0 14.5 3.5
16.5
ns
时钟为A或B的数据端口（图1 ）
t
PHL
传输延迟， A到B时钟或B至3.5 14.5 3.0
16.5
ns
时钟为A或B的数据端口（图1 ）
t
PLH
传播延迟，输入A到输出B或2.5 11.5 2.0
13.0
ns
输入B输出一个（图2,3 ）
t
PHL
传播延迟，输入A到输出B或2.5 11.5 2.0
13.0
ns
输入B输出一个（图2,3 ）
t
PLH
传输延迟， A到B源或B -用于─ 2.5 12.0 2.0
13.5
ns
A源为A或B的数据端口（图4 ）
t
PHL
传输延迟， A到B源或B -用于─ 3.0 12.0 2.5
13.5
ns
A源为A或B的数据端口（图4 ）
t
PZH
传播延迟，输出使能2.0 11.5 1.5
13.0
ns
数据端口（图5 ）
t
PZL
传播延迟，输出使能2.5 11.5 2.0
13.0
ns
数据端口（图5 ）
t
PHZ
传播延迟，输出使能3.0 13.0 2.5
14.0
ns
数据端口（图5 ）
t
PLZ
传播延迟，输出使能2.5 12.5 2.0
14.0
ns
数据端口（图5 ）
t
PZH
传输延迟，方向B数据2.5 12.0 2.0
13.5
ns
端口（图6）
t
PZL
传输延迟，方向B数据2.5 12.0 2.0
13.5
ns
端口（图6）
t
PHZ
传输延迟，方向B数据3.5 13.5 3.0
14.5
ns
端口（图6）
t
PLZ
传输延迟，方向B数据3.0 13.5 2.5
15.0
ns
端口（图6）
C
IN
最大输入电容
4.5
4.5
pF
C
OUT
输入/输出电容
15
15
pF
典型的25°C ，V
CC
=5.0
V
60
C
PD
功率耗散电容
pF
4
技术参数
八路三态总线收发器
和D触发器
高速硅栅CMOS
该IN74ACT652在引脚排列完全相同LS / ALS652 ，
HC / HCT652 。该IN74ACT652可以用作一个电平转换器，用于
接口TTL或NMOS输出高速CMOS输入。
这些装置由总线收发器电路，D型触发器，
并设置用于多路传输数据的直接控制电路
从数据总线或从内部存储寄存器。方向和
输出使能提供给选择读时间或存储数据的功能。
在A或B的数据总线，或者二者的数据，可以存储在内部D倒装
由低到高的转变在适当的时钟引脚（A至B触发器
时钟或B到A时钟），而不管选择的或启用或启用
控制引脚。当A对B源和B到A源是实时
传输模式，但也可以存储数据，而不使用内
D型触发器通过同时实现方向和输
启用。在该结构中的每个输出强化其输入。因此，当
所有其他数据源向所述的两组总线处于高阻抗，
每一组的公交线路将保持在其最后的状态。
该IN74ACT652有反的输出。
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 4.5 5.5 V
低输入电流： 1.0
A;
0.1
A
@ 25°C
输出源/汇24毫安
IN74ACT652
订购信息
IN74ACT652N塑料
IN74ACT652DW SOIC
T
A
= -40 °至85°C的所有软件包
引脚分配
逻辑图
PIN 24 = V
CC
PIN 12 = GND
启示录00
IN74ACT652
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
DC输出吸入/源出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中，塑料DIP功耗+
SOIC封装+
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
价值
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5到V
CC
+0.5
±20
±50
±50
750
500
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
J
T
A
I
OH
I
OL
t
r
, t
f
*
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
结温（ PDIP ）
工作温度，所有封装类型
输出电流 - 高
输出电流 - 低
输入上升和下降时间
*
（除施密特输入）
V
CC
=4.5 V
V
CC
=5.5 V
民
4.5
0
-40
最大
5.5
V
CC
140
+85
-24
24
单位
V
V
°C
°C
mA
mA
NS / V
0
0
10
8.0
V
IN
从0.8 V至2.0 V
该器件包含保护电路，以防止损坏防范因高静态电压或电场。
然而，必须采取预防措施，以避免任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
IN
和V
OUT
应限制到范围GND≤ （Ⅴ
IN
or
V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或V
CC
） 。未使用
输出必须保持打开状态。
启示录00
IN74ACT652
DC电气特性
（电压参考GND）
V
CC
符号
V
IH
V
IL
V
OH
参数
最小高
电平输入电压
最大的低 -
电平输入电压
最小高
电平输出电压
测试条件
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
-0.1 V
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
-0.1 V
I
OUT
≤
-50
A
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OH
= -24毫安
I
OH
= -24毫安
V
OL
最大的低收入
电平输出电压
I
OUT
≤
50
A
*
*
保证限制
25
°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.86
4.86
0.1
0.1
0.36
0.36
±0.1
-40 ° C至
85°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.76
4.76
0.1
0.1
0.44
0.44
±1.0
1.5
±0.6
±6.0
A
mA
A
V
单位
V
V
V
V
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
5.5
5.5
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OL
= 24毫安
I
OL
= 24毫安
V
IN
=V
CC
或GND
V
IN
=V
CC
- 2.1 V
I
IN
I
CCT
I
OZ
最大输入
漏电流
其他最大
I
CC
/输入
最大三
状态漏泄
当前
+最小动态
输出电流
+最小动态
输出电流
最大静态
电源电流
（每包）
V
IN
（ OE ） = V
IH
或V
IL
V
IN
=V
CC
或GND
V
OUT
=V
CC
或GND
V
老
= 1.65 V最大
V
OHD
= 3.85 V MIN
V
IN
=V
CC
或GND
I
老
I
OHD
I
CC
5.5
5.5
5.5
8.0
75
-75
80
mA
mA
A
*
所有输出负载;输入阈值与输出测试有关。
+最大测试时间为2.0 ms ，一个输出一次加载。
启示录00
QQ：2880707522 复制
