技术参数
IN74ACT157
四2输入数据选择器/多路复用器
高速硅栅CMOS
该IN74ACT157在引脚排列完全相同LS / ALS157 ,
HC / HCT157 。该IN74ACT157可以用作一个电平转换器,用于
接口TTL或NMOS输出高速CMOS输入。
该器件路线2半字节(A或B ),以单个端口( Y)为
通过选择输入确定。的数据出现在输出端
noninvertered形式。高层次的输出使能输入设置所有
四个Y输出到一个较低的水平。
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS , NMOS和TTL
工作电压范围: 4.5 5.5 V
低输入电流: 1.0
A;
0.1
A
@ 25°C
输出源/汇24毫安
订购信息
IN74ACT157N塑料
IN74ACT157D SOIC
T
A
= -40 ° 85 ℃下进行所有
套餐
引脚分配
逻辑图
功能表
输入
产量
启用
PIN 16 = V
CC
PIN 8 = GND
H
L
L
SELECT
X
L
H
输出
Y0-Y3
L
A0-A3
B0-B3
X =不关心
A0 A3 , B0 B3 =相应的水平
数据字输入
198
IN74ACT157
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
DC输出电压(参考GND)
DC输入电流,每个引脚
DC输出吸入/源出电流,每个引脚
直流电源电流,V
CC
和GND引脚
在静止空气中,塑料DIP功耗+
SOIC封装+
储存温度
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
(塑料DIP或SOIC封装)
价值
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5到V
CC
+0.5
±20
±50
±50
750
500
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/°C, 65 °至125°C
SOIC封装: - 7毫瓦/°C, 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
J
T
A
I
OH
I
OL
t
r
, t
f
*
参数
直流电源电压(参考GND)
直流输入电压,输出电压(参考GND)
结温( PDIP )
工作温度,所有封装类型
输出电流 - 高
输出电流 - 低
输入上升和下降时间
*
(除施密特输入)
V
CC
=4.5 V
V
CC
=5.5 V
民
4.5
0
-40
最大
5.5
V
CC
140
+85
-24
24
单位
V
V
°C
°C
mA
mA
NS / V
0
0
10
8.0
V
IN
从0.8 V至2.0 V
该器件包含保护电路,以防止损坏,由于高静电压或电
场。但是,必须采取预防措施,以避免超过最大额定更高的任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作,V
IN
和V
OUT
应限制到范围
GND≤ (V
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平(例如, GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
199
IN74ACT157
DC电气特性
(电压参考GND)
V
CC
符号
V
IH
V
IL
V
OH
参数
最小高级别
输入电压
最大的低 -
电平输入电压
最小高级别
输出电压
测试条件
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
-0.1 V
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
-0.1 V
I
OUT
≤
-50
A
*
保证限制
25
°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.86
4.86
0.1
0.1
0.36
0.36
±0.1
-40 ° C至
85°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.76
4.76
0.1
0.1
0.44
0.44
±1.0
1.5
75
-75
8.0
80
A
mA
mA
mA
A
V
单位
V
V
V
V
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
5.5
5.5
5.5
5.5
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OH
= -24毫安
I
OH
= -24毫安
V
OL
最底层
输出电压
I
OUT
≤
50
A
V
IN
=V
IL
或V
IH
I
OL
= 24毫安
I
OL
= 24毫安
I
IN
I
CCT
I
老
I
OHD
I
CC
最大输入
漏电流
其他最大
I
CC
/输入
+最小动态
输出电流
+最小动态
输出电流
最大静态
电源电流
(每包)
V
IN
=V
CC
或GND
V
IN
=V
CC
- 2.1 V
V
老
= 1.65 V最大
V
OHD
= 3.85 V MIN
V
IN
=V
CC
或GND
*
所有输出负载;输入阈值与输出测试有关。
+最大测试时间为2.0 ms ,一个输出一次加载。
*
200
技术参数
IN74ACT157
四2输入数据选择器/多路复用器
高速硅栅CMOS
该IN74ACT157在引脚排列完全相同LS / ALS157 ,
HC / HCT157 。该IN74ACT157可以用作一个电平转换器,用于
接口TTL或NMOS输出高速CMOS输入。
该器件路线2半字节(A或B ),以单个端口( Y)为
通过选择输入确定。的数据出现在输出端
noninvertered形式。高层次的输出使能输入设置四个
输出到一个较低的水平。
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS , NMOS和TTL
工作电压范围: 4.5 5.5 V
低输入电流: 1.0
μA;
0.1
μA
@ 25°C
输出源/汇24毫安
订购信息
IN74ACT157N塑料
IN74ACT157D SOIC
T
A
= -40 °至85°C的所有软件包
引脚分配
逻辑图
功能表
输入
产量
启用
PIN 16 = V
CC
PIN 8 = GND
H
L
L
SELECT
X
L
H
输出
Y0-Y3
L
A0-A3
B0-B3
X =不关心
A0 A3 , B0 B3 =相应的水平
数据字输入
启示录00
IN74ACT157
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
DC输出电压(参考GND)
DC输入电流,每个引脚
DC输出吸入/源出电流,每个引脚
直流电源电流,V
CC
和GND引脚
在静止空气中,塑料DIP功耗+
SOIC封装+
储存温度
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
(塑料DIP或SOIC封装)
价值
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5到V
CC
+0.5
±20
±50
±50
750
500
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/°C, 65 °至125°C
SOIC封装: - 7毫瓦/°C, 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
J
T
A
I
OH
I
OL
t
r
, t
f
*
参数
直流电源电压(参考GND)
直流输入电压,输出电压(参考GND)
结温( PDIP )
工作温度,所有封装类型
输出电流 - 高
输出电流 - 低
输入上升和下降时间
*
(除施密特输入)
V
CC
=4.5 V
V
CC
=5.5 V
民
4.5
0
-40
最大
5.5
V
CC
140
+85
-24
24
单位
V
V
°C
°C
mA
mA
NS / V
0
0
10
8.0
V
IN
从0.8 V至2.0 V
该器件包含保护电路,以防止损坏防范因高静态电压或电场。
然而,必须采取预防措施,以避免任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作,V
IN
和V
OUT
应限制到范围GND≤ (Ⅴ
IN
or
V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平(例如, GND或V
CC
) 。未使用
输出必须保持打开状态。
启示录00
IN74ACT157
DC电气特性
(电压参考GND)
V
CC
符号
V
IH
V
IL
V
OH
参数
最小高
电平输入电压
最大的低 -
电平输入电压
最小高
电平输出电压
测试条件
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
-0.1 V
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
-0.1 V
I
OUT
≤
-50
μA
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OH
= -24毫安
I
OH
= -24毫安
V
OL
最大的低收入
电平输出电压
I
OUT
≤
50
μA
V
IN
=V
IL
或V
IH
I
OL
= 24毫安
I
OL
= 24毫安
I
IN
ΔI
CCT
I
老
I
OHD
I
CC
最大输入
漏电流
其他最大
I
CC
/输入
+最小动态
输出电流
+最小动态
输出电流
最大静态
电源电流
(每包)
V
IN
=V
CC
或GND
V
IN
=V
CC
- 2.1 V
V
老
= 1.65 V最大
V
OHD
= 3.85 V MIN
V
IN
=V
CC
或GND
*
*
保证限制
25
°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.86
4.86
0.1
0.1
0.36
0.36
±0.1
-40 ° C至
85°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.76
4.76
0.1
0.1
0.44
0.44
±1.0
1.5
75
-75
8.0
80
μA
mA
mA
mA
μA
V
单位
V
V
V
V
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
5.5
5.5
5.5
5.5
*
所有输出负载;输入阈值与输出测试有关。
+最大测试时间为2.0 ms ,一个输出一次加载。
启示录00