IN74ACT04
H
EX
I
NVERTER
高速硅栅CMOS
该IN74ACT04在引脚排列完全相同LS / ALS04 ，
HC / HCT04 。该IN74ACT04可以用作一个电平转换器，用于
接口TTL或NMOS输出高速CMOS输入。
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 4.5 5.5 V
低输入电流： 1.0
A;
0.1
A
@ 25°C
输出源/汇24毫安
逻辑图
订购信息
IN74ACT04N塑料
IN74ACT04D SOIC
T
A
= -40 ° 85 ℃下进行所有
套餐
引脚分配
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
功能表
输入
产量
A
Y
L
H
H
L
1
IN74ACT04
最大额定值
*
符号
参数
价值
单位
V
CC
直流电源电压（参考GND）
-0.5到+7.0
V
V
IN
DC输入电压（参考GND）
-0.5到V
CC
+0.5
V
V
OUT
DC输出电压（参考GND）
-0.5到V
CC
+0.5
V
I
IN
DC输入电流，每个引脚
mA
±20
I
OUT
DC输出吸入/源出电流，每个引脚
mA
±50
I
CC
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
mA
±50
P
D
在静止空气中，塑料DIP功耗+
750
mW
SOIC封装+
500
TSTG
储存温度
-65到+150
°C
260
T
L
焊接温度1毫米案例10
°C
秒
（塑料DIP或SOIC封装）
*
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
参数
V
CC
直流电源电压（参考GND）
V
IN
, V
OUT
直流输入电压，输出电压（参照
GND ）
T
J
结温（ PDIP ）
T
A
工作温度，所有封装类型
I
OH
输出电流 - 高
I
OL
输出电流 - 低
t
r
, t
f
输入上升和下降时间
*
V
CC
=4.5 V
V
CC
=5.5 V
（除施密特输入）
*
V
IN
从0.8 V至2.0 V
民
4.5
0
最大
5.5
V
CC
140
+85
-24
24
10
8.0
单位
V
V
°C
°C
mA
mA
NS / V
-40
0
0
该器件包含保护电路，以防止损坏，由于高静
电压或电场。然而，必须采取预防措施，以避免任何电压的应用
超过最大额定电压，这个高阻抗电路更高。为了正常工作，V
IN
和
V
OUT
应限制到范围GND≤ （Ⅴ
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或
V
CC
） 。未使用的输出必须悬空。
2
IN74ACT04
DC电气特性（电压
参考GND ）
保证
V
CC
范围
符号
参数
测试条件
V
25
°C
-40 ° C至
85°C
V
IH
最低
高V
OUT
=0.1 V
4.5
2.0
2.0
水平
输入
5.5
2.0
2.0
电压
V
IL
最大低 - V
OUT
= V
CC
-0.1 V
4.5
0.8
0.8
水平
输入
5.5
0.8
0.8
电压
V
OH
最低
我高
OUT
≤
-50
A
4.5
4.4
4.4
水平
产量
5.5
5.4
5.4
电压
*
V
IN
=
V
IL
3.76
3.86
I
OH
=-24
4.5毫安
4.76
4.86
5.5
I
OH
= -24毫安
V
OL
最大
我低
OUT
≤
50
A
4.5
0.1
0.1
水平
产量
5.5
0.1
0.1
电压
*
V
IN
=V
IH
0.44
0.36
I
OL
=24
4.5毫安
0.44
0.36
5.5
I
OL
= 24毫安
I
IN
最大输入V
IN
=V
CC
或GND
5.5
±0.1
±1.0
漏电流
5.5
1.5
另外
MAX V
IN
=V
CC
- 2.1 V
I
CCT
I
CC
/输入
V
老
= 1.65 V最大
I
老
+最低
5.5
75
动态输出
当前
V
OHD
= 3.85 V MIN
I
OHD
+最低
5.5
-75
动态输出
当前
V
IN
=V
CC
或GND
I
CC
最大
5.5
4.0
40
静态电源
当前
（每包）
*
所有输出负载;输入阈值与输出测试有关。
+最大测试时间为2.0 ms ，一个输出一次加载。
单位
V
V
V
V
A
mA
mA
mA
A
3
QQ：2880707522 复制
