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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第722页 > IN74AC534N
技术参数
IN74AC534
八路三态
反相D触发器
高速硅栅CMOS
该IN74AC534在引脚排列完全相同LS / ALS534 ，
HC / HCT534 。该器件输入与标准CMOS兼容
输出;与上拉电阻，它们与LS兼容/ ALS
输出。
满足建立时间的数据同步，在倒置的形式，向
随着时钟的上升沿输出。输出使能输入
不影响触发器的状态，但是，当输出使能是
高时，输出被强制为高阻抗状态。因此，数据
当未启用的输出可以连储存。
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A;
0.1
A
@ 25°C
CMOS器件的高抗噪声特性
输出源/汇24毫安
订购信息
IN74AC534N塑料
IN74AC534DW SOIC
T
A
= -40 ° 85 ℃下进行所有
套餐
引脚分配
逻辑图
功能表
输入
产量
启用
L
L
L
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
H
L，H，
X
时钟
D
H
L
X
X
产量
Q
L
H
no
变化
Z
X =无关
Z =高阻抗
446
IN74AC534
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
DC输出吸入/源出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中，塑料DIP功耗+
SOIC封装+
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
价值
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5到V
CC
+0.5
±20
±50
±50
750
500
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
J
T
A
I
OH
I
OL
t
r
, t
f
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
结温（ PDIP ）
工作温度，所有封装类型
输出电流 - 高
输出电流 - 低
输入上升和下降时间
*
（除施密特输入）
V
CC
=3.0 V
V
CC
=4.5 V
V
CC
=5.5 V
0
0
0
-40
民
2.0
0
最大
6.0
V
CC
140
+85
-24
24
150
40
25
单位
V
V
°C
°C
mA
mA
NS / V
*
V
IN
从30％到70 ％的V
CC
该器件包含保护电路，以防止损坏，由于高静电压或电
场。但是，必须采取预防措施，以避免超过最大额定更高的任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作，V
IN
和V
OUT
应限制到范围
GND≤ （V
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
447
IN74AC534
DC电气特性
（电压参考GND）
V
CC
符号
V
IH
参数
最小高级别
输入电压
最大的低 -
电平输入电压
最小高级别
输出电压
测试条件
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
-0.1 V
V
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
5.5
5.5
保证限制
25
°C
2.1
3.15
3.85
0.9
1.35
1.65
2.9
4.4
5.4
2.56
3.86
4.86
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
0.36
±0.1
±0.5
-40 ° C至
85°C
2.1
3.15
3.85
0.9
1.35
1.65
2.9
4.4
5.4
2.46
3.76
4.76
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
0.44
±1.0
±5.0
A
A
V
单位
V
V
IL
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
-0.1 V
V
V
OH
I
OUT
≤
-50
A
V
*
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OH
= -12毫安
I
OH
= -24毫安
I
OH
= -24毫安
V
OL
最底层
输出电压
I
OUT
≤
50
A
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OL
= 12毫安
I
OL
= 24毫安
I
OL
= 24毫安
I
IN
I
OZ
最大输入
漏电流
最大三
状态漏泄
当前
+最小动态
输出电流
+最小动态
输出电流
最大静态
电源电流
（每包）
V
IN
=V
CC
或GND
V
IN
（ OE ） = V
IH
或V
IL
V
IN
=V
CC
或GND
V
OUT
=V
CC
或GND
V
老
= 1.65 V最大
V
OHD
= 3.85 V MIN
V
IN
=V
CC
或GND
*
I
老
I
OHD
I
CC
5.5
5.5
5.5
8.0
75
-75
80
mA
mA
A
所有输出负载;输入阈值与输出测试有关。
+最大测试时间为2.0 ms ，一个输出一次加载。
注：我
IN
我
CC
@ 3.0V，保证是小于或等于各自的极限@ 5.5 VV
CC
*
448
IN74AC534
AC电气特性
(C
L
= 50pF的，输入吨
r
=t
f
= 3.0纳秒）
V
CC*
符号
参数
V
保证限制
25
°C
民
f
最大
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
C
IN
最大时钟频率（图1）
传播延迟，时钟到Q（图1 ）
传播延迟，时钟到Q（图1 ）
传播延迟，输出使能到Q
（图2）
传播延迟，输出使能到Q
（图2）
传播延迟，输出使能到Q
（图2）
传播延迟，输出使能到Q
（图2）
最大输入电容
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
5.0
70
150
3.0
2.5
3.0
2.5
3.0
2.5
3.0
2.5
2.0
1.5
2.0
1.5
4.5
14.0
10.5
13.0
9.5
12.5
10.0
12.5
10.0
13.5
11.5
12.0
10.0
最大
-40 ° C至
85°C
民
70
140
2.5
2.0
2.5
2.0
2.5
2.0
2.5
2.0
1.5
1.0
1.5
1.0
4.5
16.0
12.0
15.0
11.0
14.0
11.5
14.0
11.5
15.0
12,5
13.5
11.0
最大
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
单位
典型的25°C ，V
CC
=5.0 V
C
PD
*
功率耗散电容
40
pF
电压范围为3.3 V为3.3 V
±0.3
V
电压范围为5.0 V为5.0 V
±0.5
V
时序要求
(C
L
= 50pF的，输入吨
r
=t
f
= 3.0纳秒）
V
CC*
符号
t
su
t
h
t
w
*
保证限制
25
°C
5.0
3.5
1.0
1.0
5.0
3.5
-40 ° C至
85°C
6.5
4.0
1.5
1.5
6.5
4.0
单位
ns
ns
ns
参数
最小建立时间，数据时钟
（图3）
最小保持时间，时钟到数据
（图3）
最小脉冲宽度，时钟（图1 ）
V
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
电压范围为3.3 V为3.3 V
±0.3
V
电压范围为5.0 V为5.0 V
±0.5
V
449
IN74AC534
图1.开关波形
图2的开关波形
图3.开关波形
膨胀逻辑图
450
技术参数
IN74AC534
八路三态
反相D触发器
高速硅栅CMOS
该IN74AC534在引脚排列完全相同LS / ALS534 ，
HC / HCT534 。该器件输入与标准CMOS兼容
输出;与上拉电阻，它们与LS兼容/ ALS
输出。
满足建立时间的数据同步，在倒置的形式，向
随着时钟的上升沿输出。输出使能输入
不影响触发器的状态，但是，当输出使能是
高时，输出被强制为高阻抗状态。因此，数据
当未启用的输出可以连储存。
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A;
0.1
A
@ 25°C
CMOS器件的高抗噪声特性
输出源/汇24毫安
订购信息
IN74AC534N塑料
IN74AC534DW SOIC
T
A
= -40 ° 85 ℃下进行所有
套餐
引脚分配
逻辑图
功能表
输入
产量
启用
L
L
L
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
H
L，H，
X
时钟
D
H
L
X
X
产量
Q
L
H
no
变化
Z
X =无关
Z =高阻抗
446
IN74AC534
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
DC输出吸入/源出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中，塑料DIP功耗+
SOIC封装+
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
价值
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5到V
CC
+0.5
±20
±50
±50
750
500
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
J
T
A
I
OH
I
OL
t
r
, t
f
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
结温（ PDIP ）
工作温度，所有封装类型
输出电流 - 高
输出电流 - 低
输入上升和下降时间
*
（除施密特输入）
V
CC
=3.0 V
V
CC
=4.5 V
V
CC
=5.5 V
0
0
0
-40
民
2.0
0
最大
6.0
V
CC
140
+85
-24
24
150
40
25
单位
V
V
°C
°C
mA
mA
NS / V
*
V
IN
从30％到70 ％的V
CC
该器件包含保护电路，以防止损坏，由于高静电压或电
场。但是，必须采取预防措施，以避免超过最大额定更高的任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作，V
IN
和V
OUT
应限制到范围
GND≤ （V
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
447
IN74AC534
DC电气特性
（电压参考GND）
V
CC
符号
V
IH
参数
最小高级别
输入电压
最大的低 -
电平输入电压
最小高级别
输出电压
测试条件
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
-0.1 V
V
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
5.5
5.5
保证限制
25
°C
2.1
3.15
3.85
0.9
1.35
1.65
2.9
4.4
5.4
2.56
3.86
4.86
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
0.36
±0.1
±0.5
-40 ° C至
85°C
2.1
3.15
3.85
0.9
1.35
1.65
2.9
4.4
5.4
2.46
3.76
4.76
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
0.44
±1.0
±5.0
A
A
V
单位
V
V
IL
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
-0.1 V
V
V
OH
I
OUT
≤
-50
A
V
*
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OH
= -12毫安
I
OH
= -24毫安
I
OH
= -24毫安
V
OL
最底层
输出电压
I
OUT
≤
50
A
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OL
= 12毫安
I
OL
= 24毫安
I
OL
= 24毫安
I
IN
I
OZ
最大输入
漏电流
最大三
状态漏泄
当前
+最小动态
输出电流
+最小动态
输出电流
最大静态
电源电流
（每包）
V
IN
=V
CC
或GND
V
IN
（ OE ） = V
IH
或V
IL
V
IN
=V
CC
或GND
V
OUT
=V
CC
或GND
V
老
= 1.65 V最大
V
OHD
= 3.85 V MIN
V
IN
=V
CC
或GND
*
I
老
I
OHD
I
CC
5.5
5.5
5.5
8.0
75
-75
80
mA
mA
A
所有输出负载;输入阈值与输出测试有关。
+最大测试时间为2.0 ms ，一个输出一次加载。
注：我
IN
我
CC
@ 3.0V，保证是小于或等于各自的极限@ 5.5 VV
CC
*
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IN74AC534
AC电气特性
(C
L
= 50pF的，输入吨
r
=t
f
= 3.0纳秒）
V
CC*
符号
参数
V
保证限制
25
°C
民
f
最大
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
C
IN
最大时钟频率（图1）
传播延迟，时钟到Q（图1 ）
传播延迟，时钟到Q（图1 ）
传播延迟，输出使能到Q
（图2）
传播延迟，输出使能到Q
（图2）
传播延迟，输出使能到Q
（图2）
传播延迟，输出使能到Q
（图2）
最大输入电容
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
5.0
70
150
3.0
2.5
3.0
2.5
3.0
2.5
3.0
2.5
2.0
1.5
2.0
1.5
4.5
14.0
10.5
13.0
9.5
12.5
10.0
12.5
10.0
13.5
11.5
12.0
10.0
最大
-40 ° C至
85°C
民
70
140
2.5
2.0
2.5
2.0
2.5
2.0
2.5
2.0
1.5
1.0
1.5
1.0
4.5
16.0
12.0
15.0
11.0
14.0
11.5
14.0
11.5
15.0
12,5
13.5
11.0
最大
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
单位
典型的25°C ，V
CC
=5.0 V
C
PD
*
功率耗散电容
40
pF
电压范围为3.3 V为3.3 V
±0.3
V
电压范围为5.0 V为5.0 V
±0.5
V
时序要求
(C
L
= 50pF的，输入吨
r
=t
f
= 3.0纳秒）
V
CC*
符号
t
su
t
h
t
w
*
保证限制
25
°C
5.0
3.5
1.0
1.0
5.0
3.5
-40 ° C至
85°C
6.5
4.0
1.5
1.5
6.5
4.0
单位
ns
ns
ns
参数
最小建立时间，数据时钟
（图3）
最小保持时间，时钟到数据
（图3）
最小脉冲宽度，时钟（图1 ）
V
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
电压范围为3.3 V为3.3 V
±0.3
V
电压范围为5.0 V为5.0 V
±0.5
V
449
IN74AC534
图1.开关波形
图2的开关波形
图3.开关波形
膨胀逻辑图
450
技术参数
八路三态
反相D触发器
高速硅栅CMOS
该IN74AC534在引脚排列完全相同LS / ALS534 ，
HC / HCT534 。该器件输入与标准CMOS兼容
输出;与上拉电阻，它们与LS / ALS输出兼容。
满足建立时间的数据同步，在倒置的形式，向
随着时钟的上升沿输出。输出使能输入呢
不影响触发器的状态，但是，当输出使能为高，
输出被强制为高阻抗状态。因此，数据可以被存储
即使在输出没有启用。
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
μA;
0.1
μA
@ 25°C
CMOS器件的高抗噪声特性
输出源/汇24毫安
IN74AC534
订购信息
IN74AC534N塑料
IN74AC534DW SOIC
T
A
= -40 °至85°C的所有软件包
引脚分配
逻辑图
功能表
输入
产量
启用
L
L
L
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
H
L，H，
X
时钟
D
H
L
X
X
产量
Q
L
H
no
变化
Z
X =无关
Z =高阻抗
启示录00
IN74AC534
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
DC输出吸入/源出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中，塑料DIP功耗+
SOIC封装+
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
价值
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5到V
CC
+0.5
±20
±50
±50
750
500
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
J
T
A
I
OH
I
OL
t
r
, t
f
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
结温（ PDIP ）
工作温度，所有封装类型
输出电流 - 高
输出电流 - 低
输入上升和下降时间
*
（除施密特输入）
V
CC
=3.0 V
V
CC
=4.5 V
V
CC
=5.5 V
0
0
0
-40
民
2.0
0
最大
6.0
V
CC
140
+85
-24
24
150
40
25
单位
V
V
°C
°C
mA
mA
NS / V
*
V
IN
从30％到70 ％的V
CC
该器件包含保护电路，以防止损坏防范因高静态电压或电场。
然而，必须采取预防措施，以避免任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
IN
和V
OUT
应限制到范围GND≤ （Ⅴ
IN
or
V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或V
CC
） 。未使用
输出必须保持打开状态。
启示录00
IN74AC534
DC电气特性
（电压参考GND）
V
CC
符号
V
IH
参数
最小高
电平输入电压
最大的低 -
电平输入电压
最小高
电平输出电压
测试条件
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
-0.1 V
V
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
5.5
5.5
保证限制
25
°C
2.1
3.15
3.85
0.9
1.35
1.65
2.9
4.4
5.4
2.56
3.86
4.86
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
0.36
±0.1
±0.5
-40 ° C至
85°C
2.1
3.15
3.85
0.9
1.35
1.65
2.9
4.4
5.4
2.46
3.76
4.76
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
0.44
±1.0
±5.0
μA
μA
V
单位
V
V
IL
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
-0.1 V
V
V
OH
I
OUT
≤
-50
μA
V
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OH
= -12毫安
I
OH
= -24毫安
I
OH
= -24毫安
V
OL
最大的低收入
电平输出电压
I
OUT
≤
50
μA
*
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OL
= 12毫安
I
OL
= 24毫安
I
OL
= 24毫安
I
IN
I
OZ
最大输入
漏电流
最大三
状态漏泄
当前
+最小动态
输出电流
+最小动态
输出电流
最大静态
电源电流
（每包）
V
IN
=V
CC
或GND
V
IN
（ OE ） = V
IH
或V
IL
V
IN
=V
CC
或GND
V
OUT
=V
CC
或GND
V
老
= 1.65 V最大
V
OHD
= 3.85 V MIN
V
IN
=V
CC
或GND
*
I
老
I
OHD
I
CC
5.5
5.5
5.5
8.0
75
-75
80
mA
mA
μA
*
所有输出负载;输入阈值与输出测试有关。
+最大测试时间为2.0 ms ，一个输出一次加载。
注：我
IN
我
CC
@ 3.0V，保证是小于或等于各自的极限@ 5.5 VV
CC
启示录00
IN74AC534
AC电气特性
(C
L
= 50pF的，输入吨
r
=t
f
= 3.0纳秒）
V
CC*
符号
参数
V
保证限制
25
°C
民
f
最大
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
C
IN
最大时钟频率（图1）
传播延迟，时钟到Q（图1 ）
传播延迟，时钟到Q（图1 ）
传播延迟，输出使能到Q
（图2）
传播延迟，输出使能到Q
（图2）
传播延迟，输出使能到Q
（图2）
传播延迟，输出使能到Q
（图2）
最大输入电容
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
5.0
70
150
3.0
2.5
3.0
2.5
3.0
2.5
3.0
2.5
2.0
1.5
2.0
1.5
4.5
14.0
10.5
13.0
9.5
12.5
10.0
12.5
10.0
13.5
11.5
12.0
10.0
最大
-40 ° C至
85°C
民
70
140
2.5
2.0
2.5
2.0
2.5
2.0
2.5
2.0
1.5
1.0
1.5
1.0
4.5
16.0
12.0
15.0
11.0
14.0
11.5
14.0
11.5
15.0
12,5
13.5
11.0
最大
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
单位
典型的25°C ，V
CC
=5.0 V
C
PD
*
功率耗散电容
40
pF
电压范围为3.3 V为3.3 V
±0.3
V
电压范围为5.0 V为5.0 V
±0.5
V
时序要求
(C
L
= 50pF的，输入吨
r
=t
f
= 3.0纳秒）
V
CC*
符号
t
su
t
h
t
w
*
保证限制
25
°C
5.0
3.5
1.0
1.0
5.0
3.5
-40 ° C至
85°C
6.5
4.0
1.5
1.5
6.5
4.0
单位
ns
ns
ns
参数
最小建立时间，数据时钟
（图3）
最小保持时间，时钟到数据
（图3）
最小脉冲宽度，时钟（图1 ）
V
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
电压范围为3.3 V为3.3 V
±0.3
V
电压范围为5.0 V为5.0 V
±0.5
V
启示录00
IN74AC534
图1.开关波形
图2的开关波形
图3.开关波形
膨胀逻辑图
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