技术参数
八路三态反相
透明锁存器
高速硅栅CMOS
该IN74AC533在引脚排列完全相同LS / ALS533 ，
HC / HCT533 。该器件输入与标准CMOS兼容
输出;与上拉电阻，它们与LS / ALS输出兼容。
这些锁存器出现透明的数据（即输出改变
异步方式），当锁存使能高。该数据显示为
在倒置的形式输出。当锁存使能变低，数据符合
建立和保持时间变得锁定。
输出使能输入端，不影响锁存器的状态，但
当输出使能为高电平时，所有的设备输出被强制到高
阻抗状态。因此，数据可以被锁存即使当输出是不
启用。
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
μA;
0.1
μA
@ 25°C
CMOS器件的高抗噪声特性
输出源/汇24毫安
总线接口3态输出
IN74AC533
订购信息
IN74AC533N塑料
IN74AC533DW SOIC
T
A
= -40 °至85°C的所有软件包
引脚分配
逻辑图
功能表
输入
产量
启用
L
L
L
LATCH
启用
H
H
L
D
H
L
X
X
产量
Q
L
H
no
变化
Z
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
H
X
X =无关
Z =高阻抗
启示录00
IN74AC533
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
DC输出吸入/源出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中，塑料DIP功耗+
SOIC封装+
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
价值
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5到V
CC
+0.5
±20
±50
±50
750
500
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
J
T
A
I
OH
I
OL
t
r
, t
f
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
结温（ PDIP ）
工作温度，所有封装类型
输出电流 - 高
输出电流 - 低
输入上升和下降时间
*
（除施密特输入）
V
CC
=3.0 V
V
CC
=4.5 V
V
CC
=5.5 V
0
0
0
-40
民
2.0
0
最大
6.0
V
CC
140
+85
-24
24
150
40
25
单位
V
V
°C
°C
mA
mA
NS / V
*
V
IN
从30％到70 ％的V
CC
该器件包含保护电路，以防止损坏防范因高静态电压或电场。
然而，必须采取预防措施，以避免任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
IN
和V
OUT
应限制到范围GND≤ （Ⅴ
IN
or
V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或V
CC
） 。未使用
输出必须保持打开状态。
启示录00
IN74AC533
DC电气特性
（电压参考GND）
V
CC
符号
V
IH
参数
最小高
电平输入电压
最大的低 -
电平输入电压
最小高
电平输出电压
测试条件
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
-0.1 V
V
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
5.5
5.5
保证限制
25
°C
2.1
3.15
3.85
0.9
1.35
1.65
2.9
4.4
5.4
2.56
3.86
4.86
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
0.36
±0.1
±0.5
-40 ° C至
85°C
2.1
3.15
3.85
0.9
1.35
1.65
2.9
4.4
5.4
2.46
3.76
4.76
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
0.44
±1.0
±5.0
μA
μA
V
单位
V
V
IL
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
-0.1 V
V
V
OH
I
OUT
≤
-50
μA
V
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OH
= -12毫安
I
OH
= -24毫安
I
OH
= -24毫安
V
OL
最大的低收入
电平输出电压
I
OUT
≤
50
μA
*
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OL
= 12毫安
I
OL
= 24毫安
I
OL
= 24毫安
I
IN
I
OZ
最大输入
漏电流
最大三
状态漏泄
当前
+最小动态
输出电流
+最小动态
输出电流
最大静态
电源电流
（每包）
V
IN
=V
CC
或GND
V
IN
（ OE ） = V
IH
或V
IL
V
IN
=V
CC
或GND
V
OUT
=V
CC
或GND
V
老
= 1.65 V最大
V
OHD
= 3.85 V MIN
V
IN
=V
CC
或GND
*
I
老
I
OHD
I
CC
5.5
5.5
5.5
8.0
75
-75
80
mA
mA
μA
*
所有输出负载;输入阈值与输出测试有关。
+最大测试时间为2.0 ms ，一个输出一次加载。
注：我
IN
我
CC
@ 3.0V，保证是小于或等于各自的极限@ 5.5 VV
CC
启示录00
技术参数
IN74AC533
八路三态反相
透明锁存器
高速硅栅CMOS
该IN74AC533在引脚排列完全相同LS / ALS533 ，
HC / HCT533 。该器件输入与标准CMOS兼容
输出;与上拉电阻，它们与LS兼容/ ALS
输出。
这些锁存器出现透明的数据（即输出改变
异步方式），当锁存使能高。该数据显示为
在倒置的形式输出。当锁存使能变低，数据会议
在建立和保持时间变得锁定。
输出使能输入端，不影响锁存器的状态，但
当输出使能为高电平时，所有的设备输出被强制到高
阻抗状态。因此，数据可以被锁存即使当输出
未启用。
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A;
0.1
A
@ 25°C
CMOS器件的高抗噪声特性
输出源/汇24毫安
总线接口3态输出
订购信息
IN74AC533N塑料
IN74AC533DW SOIC
T
A
= -40 ° 85 ℃下进行所有
套餐
引脚分配
逻辑图
功能表
输入
产量
启用
L
L
L
LATCH
启用
H
H
L
D
H
L
X
X
产量
Q
L
H
no
变化
Z
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
H
X
X =无关
Z =高阻抗
436
IN74AC533
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
DC输出吸入/源出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中，塑料DIP功耗+
SOIC封装+
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
价值
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5到V
CC
+0.5
±20
±50
±50
750
500
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
J
T
A
I
OH
I
OL
t
r
, t
f
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
结温（ PDIP ）
工作温度，所有封装类型
输出电流 - 高
输出电流 - 低
输入上升和下降时间
*
（除施密特输入）
V
CC
=3.0 V
V
CC
=4.5 V
V
CC
=5.5 V
0
0
0
-40
民
2.0
0
最大
6.0
V
CC
140
+85
-24
24
150
40
25
单位
V
V
°C
°C
mA
mA
NS / V
*
V
IN
从30％到70 ％的V
CC
该器件包含保护电路，以防止损坏，由于高静电压或电
场。但是，必须采取预防措施，以避免超过最大额定更高的任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作，V
IN
和V
OUT
应限制到范围
GND≤ （V
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
437
IN74AC533
DC电气特性
（电压参考GND）
V
CC
符号
V
IH
参数
最小高级别
输入电压
最大的低 -
电平输入电压
最小高级别
输出电压
测试条件
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
-0.1 V
V
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
5.5
5.5
保证限制
25
°C
2.1
3.15
3.85
0.9
1.35
1.65
2.9
4.4
5.4
2.56
3.86
4.86
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
0.36
±0.1
±0.5
-40 ° C至
85°C
2.1
3.15
3.85
0.9
1.35
1.65
2.9
4.4
5.4
2.46
3.76
4.76
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
0.44
±1.0
±5.0
A
A
V
单位
V
V
IL
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
-0.1 V
V
V
OH
I
OUT
≤
-50
A
V
*
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OH
= -12毫安
I
OH
= -24毫安
I
OH
= -24毫安
V
OL
最底层
输出电压
I
OUT
≤
50
A
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OL
= 12毫安
I
OL
= 24毫安
I
OL
= 24毫安
I
IN
I
OZ
最大输入
漏电流
最大三
状态漏泄
当前
+最小动态
输出电流
+最小动态
输出电流
最大静态
电源电流
（每包）
V
IN
=V
CC
或GND
V
IN
（ OE ） = V
IH
或V
IL
V
IN
=V
CC
或GND
V
OUT
=V
CC
或GND
V
老
= 1.65 V最大
V
OHD
= 3.85 V MIN
V
IN
=V
CC
或GND
*
I
老
I
OHD
I
CC
5.5
5.5
5.5
8.0
75
-75
80
mA
mA
A
所有输出负载;输入阈值与输出测试有关。
+最大测试时间为2.0 ms ，一个输出一次加载。
注：我
IN
我
CC
@ 3.0V，保证是小于或等于各自的极限@ 5.5 VV
CC
*
438
技术参数
IN74AC533
八路三态反相
透明锁存器
高速硅栅CMOS
该IN74AC533在引脚排列完全相同LS / ALS533 ，
HC / HCT533 。该器件输入与标准CMOS兼容
输出;与上拉电阻，它们与LS兼容/ ALS
输出。
这些锁存器出现透明的数据（即输出改变
异步方式），当锁存使能高。该数据显示为
在倒置的形式输出。当锁存使能变低，数据会议
在建立和保持时间变得锁定。
输出使能输入端，不影响锁存器的状态，但
当输出使能为高电平时，所有的设备输出被强制到高
阻抗状态。因此，数据可以被锁存即使当输出
未启用。
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A;
0.1
A
@ 25°C
CMOS器件的高抗噪声特性
输出源/汇24毫安
总线接口3态输出
订购信息
IN74AC533N塑料
IN74AC533DW SOIC
T
A
= -40 ° 85 ℃下进行所有
套餐
引脚分配
逻辑图
功能表
输入
产量
启用
L
L
L
LATCH
启用
H
H
L
D
H
L
X
X
产量
Q
L
H
no
变化
Z
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
H
X
X =无关
Z =高阻抗
436
IN74AC533
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
DC输出吸入/源出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中，塑料DIP功耗+
SOIC封装+
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
价值
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5到V
CC
+0.5
±20
±50
±50
750
500
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
J
T
A
I
OH
I
OL
t
r
, t
f
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
结温（ PDIP ）
工作温度，所有封装类型
输出电流 - 高
输出电流 - 低
输入上升和下降时间
*
（除施密特输入）
V
CC
=3.0 V
V
CC
=4.5 V
V
CC
=5.5 V
0
0
0
-40
民
2.0
0
最大
6.0
V
CC
140
+85
-24
24
150
40
25
单位
V
V
°C
°C
mA
mA
NS / V
*
V
IN
从30％到70 ％的V
CC
该器件包含保护电路，以防止损坏，由于高静电压或电
场。但是，必须采取预防措施，以避免超过最大额定更高的任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作，V
IN
和V
OUT
应限制到范围
GND≤ （V
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
437
IN74AC533
DC电气特性
（电压参考GND）
V
CC
符号
V
IH
参数
最小高级别
输入电压
最大的低 -
电平输入电压
最小高级别
输出电压
测试条件
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
-0.1 V
V
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
3.0
4.5
5.5
5.5
5.5
保证限制
25
°C
2.1
3.15
3.85
0.9
1.35
1.65
2.9
4.4
5.4
2.56
3.86
4.86
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
0.36
±0.1
±0.5
-40 ° C至
85°C
2.1
3.15
3.85
0.9
1.35
1.65
2.9
4.4
5.4
2.46
3.76
4.76
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
0.44
±1.0
±5.0
A
A
V
单位
V
V
IL
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
-0.1 V
V
V
OH
I
OUT
≤
-50
A
V
*
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OH
= -12毫安
I
OH
= -24毫安
I
OH
= -24毫安
V
OL
最底层
输出电压
I
OUT
≤
50
A
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OL
= 12毫安
I
OL
= 24毫安
I
OL
= 24毫安
I
IN
I
OZ
最大输入
漏电流
最大三
状态漏泄
当前
+最小动态
输出电流
+最小动态
输出电流
最大静态
电源电流
（每包）
V
IN
=V
CC
或GND
V
IN
（ OE ） = V
IH
或V
IL
V
IN
=V
CC
或GND
V
OUT
=V
CC
或GND
V
老
= 1.65 V最大
V
OHD
= 3.85 V MIN
V
IN
=V
CC
或GND
*
I
老
I
OHD
I
CC
5.5
5.5
5.5
8.0
75
-75
80
mA
mA
A
所有输出负载;输入阈值与输出测试有关。
+最大测试时间为2.0 ms ，一个输出一次加载。
注：我
IN
我
CC
@ 3.0V，保证是小于或等于各自的极限@ 5.5 VV
CC
*
438
QQ：2880707522 复制
