EMZ2 / UMZ2N / FMY4A / IMZ2A
晶体管
电源管理（双晶体管）
EMZ2 / UMZ2N / FMY4A / IMZ2A
!
特征
1 ）兼具2SA1037AK芯片和2SC2412K芯片的
EMT或UMT或SMT封装。
!
外形尺寸
（单位：毫米）
EMZ2
0.22
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
0.13
EMZ2 / UMZ2N
(3)
(2)
(1)
IMZ2A
(4)
(5)
(6)
ROHM ： EMT6
Tr
2
Tr
1
Tr
2
Tr
1
每根导线具有相同的尺寸
FMY4A
0.2
(4)
0.65
1.3
0.7
0.65
0.8
1.1
0.95 0.95
1.9
2.9
0.8
2.9
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
(1)
(3)
UMZ2N
(2)
0.5
!
等效电路
1.2
1.6
(1)
0.5 0.5
1.0
1.6
(6)
(5)
(3)
(4)
(5)
Tr
1
Tr
2
0.15
1.25
2.1
(2)
(1)
0.1Min.
0to0.1
!
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
收藏家功率EMZ2 ， UMZ2N
耗散
FMY4A ， IMZ2A
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
Tr
1
60
50
Tr
2
60
50
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
ROHM ： UMT6
EIAJ ： SC -88
每根导线具有相同的尺寸
FMY4A
0.95 0.95
1.9
0.3
(2)
(4)
(3)
6
7
150
150
150 （ TOTAL ）
300 （ TOTAL ）
150
55~+150
(1)
每个单元1 120MW不得超过。
每件2 200mW的不得超过。
0.15
1
2
1.6
2.8
0.3to0.6
0to0.1
ROHM ： SMT5
EIAJ ： SC- 74A
每根导线具有相同的尺寸
(6)
包
记号
CODE
基本订购单位（件）
EMT6
Z2
T2R
8000
UMT6
Z2
TR
3000
SMT5
Y4
T148
3000
SMT6
Z2
T108
3000
0.15
(4)
(5)
1.6
2.8
0.3to0.6
0to0.1
ROHM ： SMT6
EIAJ ： SC- 74
每根导线具有相同的尺寸
(3)
(2)
产品型号
EMZ2
UMZ2N
FMY4A
IMZ2A
0.3
(1)
!
包装，标志和包装规格
IMZ2A
(5)
(1)
2.0
1/2
EMZ2 / UMZ2N / FMY4A / IMZ2A
晶体管
!
电气特性
(Ta=25°C)
Tr
1
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
60
50
6
120
典型值。
140
4
马克斯。
0.1
0.1
0.5
560
5
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
=
50A
I
C
=
1mA
I
E
=
50A
V
CB
=
60V
V
EB
=
6V
I
C
/I
B
=
50mA/5mA
V
CE
=
6V
, I
C
=
1mA
V
CE
=
12V
, I
E
= 2毫安中，f = 100MHz的
V
CB
=
12V
, I
E
= 0A ， F = 1MHz的
条件
该装置的过渡频率。
Tr
2
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
60
50
7
120
典型值。
180
2
马克斯。
0.1
0.1
0.4
560
3.5
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
= 50A
I
C
= 1毫安
I
E
= 50A
V
CB
= 60V
V
EB
= 7V
条件
I
C
/I
B
= 50毫安/ 5毫安
V
CE
= 6V ，我
C
= 1毫安
V
CE
= 12V，我
E
=
2mA
中，f = 100MHz的
V
CB
= 12V，我
E
= 0A ， F = 1MHz的
该装置的过渡频率。
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
IMZ2A
电源管理
（ Dual晶体管）
特点
*既是2SA1037AK芯片和2SC2412K芯片在SMT封装。
双晶体管
等效电路
无铅：
IMZ2AL
无卤： IMZ2AG
订购信息
订购数量
正常
无铅
无卤
IMZ2A - AG6 -R IMZ2AL - AG6 -R IMZ2AG - AG6 -R
IMZ2A-AL6-R
IMZ2AL - AL6 -R IMZ2AG - AL6 -R
包
SOT-26
SOT-363
引脚分配
填料
1
2
3
4
5
6
C2 E2 C1 E1 B1 B2带卷轴
C2 E2 C1 E1 B1 B2带卷轴
记号
www.unisonic.com.tw
2009 Unisonic技术有限公司
1第3
QW-R215-002,C
IMZ2A
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
符号
双晶体管
范围
TR1
TR2
-60
60
-50
50
-6
7
-150
150
300 （注1）
150
-55~+150
单位
集电极 - 基极电压
V
CBO
V
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
V
集电极电流
I
C
mA
集电极耗散功率（总）
Pc
mW
结温
T
J
°C
储存温度
T
英镑
°C
注：每件为200mW 1.不得超出。
2.绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
测试条件
I
C
= -50A
I
C
= -1mA
I
E
= -50A
V
CB
= -60V
V
EB
= -6V
I
C
/ I
B
= -50mA / -5mA
V
CE
= -6V ，我
C
= -1mA
V
CE
= -12V ，我
E
= 2毫安中，f = 100MHz的
（注）
V
CB
= -12V ，我
E
= 0A ， F = 1MHz的
I
C
=50A
I
C
= 1毫安
I
E
= 50A
V
CB
=60V
V
EB
=7V
I
C
/ I
B
= 50毫安/ 5毫安
V
CE
= 6V ，我
C
= 1毫安
V
CE
= 12V，我
E
= -2mA ， F = 100MHz的
（注）
V
CB
= 12V，我
E
= 0A ， F = 1MHz的
民
-60
-50
-6
-0.1
-0.1
-0.5
560
140
4
60
50
7
0.1
0.1
0.4
560
180
2
-
3.5
5
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
V
-
兆赫
pF
V
V
V
A
A
V
TR1
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
120
TR2
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
注：该设备的跃迁频率。
120
兆赫
pF
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 3
QW-R215-002,C
IMZ2A
双晶体管
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 3
QW-R215-002,C
IMZ2A
互补双通用放大器利用Transis
电压
特点
PNP / NPN硅外延，平面设计
集电极 - 发射极电压V
CE
=50V
集电极电流Ic = 150毫安
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
50伏
动力
300mW
机械数据
案例： SOT23-6L塑料
码头：每MIL -STD- 750 ，方法2026
约。重量： 0.013克
标记： Z2A
Tr2
Tr1
Fig.137
绝对额定值
(T
A
=25°C)
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
Tr1
-50
-60
-6
-150
Tr2
50
60
7
150
单位
V
V
V
mA
热特性
参数
马克斯。功率耗散（注1）
热阻，结到环境（注1）
工作结存储温度范围
符号
P
合计
R
θJA
T
J
,T
英镑
价值
300
106
-55到+150
单位
mW
O
C / W
O
C
注意：
1.晶体管安装在FR-4板70 ×60 ×1毫米。
REV.0.1-MAR.10.2009
PAGE 。 1
IMZ2A
贴装焊盘布局
订购信息
包装信息
T / R - 10K每13"塑料卷
T / R - 每7 “的塑料卷盘3K
法律声明
版权所有强茂国际2009年公司
本文件中的信息被认为是准确和可靠。规格和此处信息
如有更改，恕不另行通知。潘日新公司对于是否适合任何担保，声明或保证其
产品针对任何特定用途。潘日新产品未被授权用于生命支持设备或系统使用。潘日新
不转达根据其专利权或他人权利的任何许可。
REV.0.1-MAR.10.2009
PAGE 。五
EMZ2 / UMZ2N / IMZ2A
晶体管
电源管理（双晶体管）
EMZ2 / UMZ2N / IMZ2A
特征
1 ）兼具2SA1037AK芯片和2SC2412K芯片的
EMT或UMT或SMT封装。
外形尺寸
（单位：毫米）
EMZ2
0.22
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
0.13
EMZ2 / UMZ2N
(3)
(2)
(1)
IMZ2A
(4)
(5)
(6)
ROHM ： EMT6
Tr
2
Tr
1
Tr
2
Tr
1
每根导线具有相同的尺寸
(4)
0.65
1.3
0.8
1.1
0.95 0.95
1.9
2.9
0.7
0.65
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
(1)
0.2
(3)
UMZ2N
(2)
0.5
等效电路
1.2
1.6
(1)
0.5 0.5
1.0
1.6
(6)
1.25
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
收藏家功率EMZ2 ， UMZ2N
耗散
IMZ2A
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
Tr
1
60
50
Tr
2
60
50
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
0.15
2.1
0.1Min.
0to0.1
6
7
150
150
150 （ TOTAL ）
300 （ TOTAL ）
150
55
+150
1
2
ROHM ： UMT6
EIAJ ： SC -88
每根导线具有相同的尺寸
IMZ2A
(6)
(4)
1.6
2.8
包装，标志和包装规格
产品型号
包
记号
CODE
基本订购单位（件）
EMZ2
EMT6
Z2
T2R
8000
UMZ2N
UMT6
Z2
TR
3000
IMZ2A
SMT6
Z2
T108
3000
0.15
0.3to0.6
0to0.1
ROHM ： SMT6
EIAJ ： SC- 74
每根导线具有相同的尺寸
(3)
每个单元1 120MW不得超过。
每件2 200mW的不得超过。
0.3
(5)
(2)
(1)
(1)
Rev.A的
2.0
(5)
1/4
EMZ2 / UMZ2N / IMZ2A
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
Tr
1
（ PNP）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
60
50
6
120
典型值。
140
4
马克斯。
0.1
0.1
0.5
560
5
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
=
50A
I
C
=
1mA
I
E
=
50A
V
CB
=
60V
V
EB
=
6V
I
C
/I
B
=
50mA/5mA
V
CE
=
6V
, I
C
=
1mA
V
CE
=
12V
, I
E
= 2毫安中，f = 100MHz的
V
CB
=
12V
, I
E
= 0A ， F = 1MHz的
条件
该装置的过渡频率。
Tr
2
（ NPN ）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
60
50
7
120
典型值。
180
2
马克斯。
0.1
0.1
0.4
560
3.5
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
= 50A
I
C
= 1毫安
I
E
= 50A
V
CB
= 60V
V
EB
= 7V
条件
I
C
/I
B
= 50毫安/ 5毫安
V
CE
= 6V ，我
C
= 1毫安
V
CE
= 12V，我
E
=
2mA
中，f = 100MHz的
V
CB
= 12V，我
E
= 0A ， F = 1MHz的
该装置的过渡频率。
电气特性曲线
PNP Tr的
50
集电极电流：IC （
毫安）
集电极电流：我
C
(
mA
)
集电极电流：我
C
(
毫安）
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
Ta=100C
25C
40C
V
CE
=
6V
10
35.0
Ta=25C
100
31.5
28.0
24.5
Ta=25C
8
80
6
21.0
17.5
60
500
450
400
350
300
250
200
4
14.0
10.5
40
150
100
2
7.0
3.5A
20
50A
I
B
=0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
0
0.4
0.8
1.2
1.6
I
B
=0
2.0
0
1
2
3
4
5
基地发射极电压： V
BE
(
V)
收藏家米特电压： V
CE
(
V)
集电极到发射极电压： V
CE
(
V)
图1发射极接地传播
特征
图2接地发射极输出
特性（I）的
图3接地发射极输出
特性（II）的
Rev.A的
2/4
EMZ2 / UMZ2N / IMZ2A
晶体管
V
CE
=
5V
3V
1V
直流电流增益：H
FE
200
500
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(
V)
500
Ta=25C
Ta=100C
25C
40C
1
Ta=25C
直流电流增益：H
FE
0.5
200
100
0.2
100
I
C
/I
B
=50
0.1
20
10
50
50
V
CE
=
6V
5 10 20 50 100
0.05
0.2 0.5 1
2
5 10 20
50 100
0.2 0.5 1
2
5 10 20
50 100
0.2 0.5 1
2
集电极电流：我
C
(
毫安）
集电极电流：我
C
(
毫安）
集电极电流：我
C
(
毫安）
图4直流电流增益与
集电极电流（I）
图5直流电流增益与
集电极电流（II）的
图6集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（I）
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(
V)
l
C
/l
B
=10
集电极输出电容：玉米棒（
pF的）
发射极输入电容
： CIB （
pF的）
1
1000
20
0.5
跃迁频率：F
T
(
兆赫）
Ta=25C
V
CE
=
12V
兴业银行
10
500
Ta=25C
f=1MHz
I
E
=0A
I
C
=0A
Co
b
0.2
Ta=100C
25C
40C
200
5
0.1
100
2
0.05
0.2 0.5 1
2
5 10 20
50 100
50
0.5
1
2
5
10
20
50
100
0.5
1
2
5
10
20
集电极电流：我
C
(
毫安）
发射极电流：我
E
(
毫安）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
图7集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（II）的
图8的增益带宽积主场迎战
发射极电流
图9集电极输出电容主场迎战
集电极 - 基极电压
发射inputcapacitance与
发射极 - 基极电压
NPN Tr的
50
集电极电流：我
C
（MA ）
100
V
CE
=6V
Ta=25°C
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
20
10
5
Ta=100°C
25
°C
5
5°C
80
0.50mA
mA
0.45
A
.40m
0
0.35mA
0.30mA
10
Ta=25°C
30A
27A
8
24A
21A
60
0.25mA
0.20mA
6
18A
15A
2
1
40
0.15mA
0.10mA
4
12A
9A
0.5
0.2
0.1
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
基地发射极电压： V
BE
(V)
20
0.05mA
I
B
=0A
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2
6A
3A
0
0
0
4
8
I
B
=0A
12
16
20
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图10发射极接地传播
特征
图11接地发射极输出
特性（
Ι
)
Fig.12
接地发射极输出
特性（
ΙΙ
)
Rev.A的
3/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
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5
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+
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5
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UMY4N / UMZ2N / FMY4A / IMZ2A
晶体管
电源管理（双晶体管）
UMY4N / UMZ2N / FMY4A / IMZ2A
!
特点
1 ）兼具2SA1037AK芯片和2SC2412K芯片的
UMT或SMT封装。
!
外形尺寸
（单位：毫米）
(4)
(3)
UMY4N
0.2
0.65 0.65
0.65
0.8
0.7
0.8
0.7
0.65
(5)
1.25
!
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
°
0.15
2.1
0.9
1.1
1.3
0.95 0.95
1.9
2.9
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
收藏家功率UMY4N ， UMZ2N
耗散
FMY4A ， IMZ2A
结温
储存温度
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
Tr
1
60
50
Tr
2
60
50
0.1Min.
V
V
V
mA
mW
°C
°C
ROHM ： UMT5
EIAJ ： SC- 88A
0to0.1
参数
符号
范围
单位
每根导线具有相同的尺寸
6
7
150
150
150 （ TOTAL ）
300 （ TOTAL ）
150
55~+150
1
2
0.2
(4)
(3)
UMZ2N
每个单元1 120MW不得超过。
每件2 200mW的不得超过。
(6)
(5)
1.25
2.1
0.15
0.1Min.
0to0.1
!
包装，标志和包装规格
产品型号
包
记号
CODE
基本订购单位（件）
UMY4N
UMT5
Y4
TR
3000
UMZ2N
UMT6
Z2
TR
3000
FMY4A
SMT5
Y4
T148
3000
IMZ2A
SMT6
Z2
T108
3000
ROHM ： UMT6
EIAJ ： SC -88
每根导线具有相同的尺寸
FMY4A
0.95 0.95
1.9
0.3
(2)
(4)
(3)
(1)
!
电路图
UMY4N
FMY4A
0.15
0.3to0.6
1.6
2.8
0to0.1
Tr
1
Tr
2
Tr
2
Tr
1
ROHM ： SMT5
EIAJ ： SC- 74A
每根导线具有相同的尺寸
UMZ2N
IMZ2A
Tr
2
Tr
1
Tr
2
Tr
1
IMZ2A
(6)
0.3
(4)
(5)
1.6
2.8
0.15
0.3to0.6
0to0.1
ROHM ： SMT6
EIAJ ： SC- 74
每根导线具有相同的尺寸
(3)
(2)
(1)
(5)
(1)
(2)
(1)
1.3
(2)
UMY4N / UMZ2N / FMY4A / IMZ2A
晶体管
!
电气特性
(Ta=25°C)
Tr
1
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
60
50
6
120
典型值。
140
4
马克斯。
0.1
0.1
0.5
560
5
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
=
50A
I
C
=
1mA
I
E
=
50A
V
CB
=
60V
V
EB
=
6V
I
C
/I
B
=
50mA/5mA
V
CE
=
6V
, I
C
=
1mA
V
CE
=
12V
, I
E
= 2毫安中，f = 100MHz的
V
CB
=
12V
, I
E
= 0A ， F = 1MHz的
条件
该装置的过渡频率。
Tr
2
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
60
50
7
120
典型值。
180
2
马克斯。
0.1
0.1
0.4
560
3.5
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
= 50A
I
C
= 1毫安
I
E
= 50A
V
CB
= 60V
V
EB
= 7V
条件
I
C
/I
B
= 50毫安/ 5毫安
V
CE
= 6V ，我
C
= 1毫安
V
CE
= 12V，我
E
=
2mA
中，f = 100MHz的
V
CB
= 12V，我
E
= 0A ， F = 1MHz的
该装置的过渡频率。
晶体管
UMY3N / UMZ2N / FMY3A / FMY4A / IMZ2A
(96-434-AC22)
597
QQ：2881677436 复制
