UTC IMX2
通用DUAL
晶体管
特点
*两个2SC2412芯片在SMT封装
双晶体管
记号
4
5
6
X 2
3
2
1
SOT-26
PIN 1 ：收藏家（ 1 ）
PIN 4 ：基地（ 2 ）
PIN 5 ：发射器（ 2 ）
PIN 6 ：发射器（ 1 ）
等效电路
PIN 2 ：基地（ 1 ）
PIN 3 ：珍藏（ 2 ）
(4) (5)
Tr2
(6)
Tr1
(3) (2) (1)
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
符号
等级
60
50
7
150
300 （注）
150
-55~+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
集电极 - 基极电压
V
CBO
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
发射极 - 基极电压
V
EBO
集电极电流
Ic
集电极耗散功率（总）
Pc
结温
Tj
储存温度
TSTG
注：每件为200mW不得超过。
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
1
QW-R215-004,A
UTC IMX2
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
双晶体管
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE
（SAT）
h
FE
f
T
测试条件
IC = 50μA
IC = 1毫安
I
E
= 50A
V
CB
= 60V
V
EB
= 7V
IC / I
B
= 50毫安/ 5毫安
V
CE
= 6V ， IC = 1毫安
V
CE
=12V,I
E
=-2mA,f=100MHz
（注）
V
CB
= 12V，我
E
=0A,f=1KHz
民
60
50
7
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
120
180
2
0.1
0.1
0.4
560
输出电容
COB
注：该设备的跃迁频率。
3.5
pF
分类的hFE的
秩
范围
Q
120-270
R
180-390
S
270-560
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
2
QW-R215-004,A
晶体管
EMW2 / EMX2 / EMX3 / UMW2N / UMX2N /
UMX3N
/
FMW2 / IMX2 / IMX3
通用（双晶体管）
EMW2 / EMX2 / EMX3 / UMW2N / UMX2N /
UMX3N / FMW2 / IMX2 / IMX3
特点
1 ）两个2SC2412AK芯片在EMT或UMT或SMT封装。
等效电路
EMW2 / UMW2N
(3)
(2)
(1)
FMW2
(3)
(4)
(5)
EMX2 / UMX2N
(3)
(2)
(1)
IMX2
(4)
(5)
(6)
EMX3 / UMX3N
(3)
(2)
(1)
IMX3
(4)
(5)
(6)
(4)
(5)
(2)
(1)
(4) (5)
(6)
(3) (2)
(1)
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
(1)
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电源
耗散
EMW2 / EMX2 / EMX3 / UMW2N / UMX2N / UMX3N
FMW2 / IMX2 / IMX3
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
60
50
7
150
150(TOTAL)
300(TOTAL)
150
55
~
+150
单位
V
V
V
mA
mW
1
2
结温
储存温度
1
每个元素120MW不得超过。
2
每个元素为200mW不得超过。
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
*转换
频设备。
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
60
50
7
120
典型值。
180
2
马克斯。
0.1
0.1
0.4
560
3.5
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=60V
V
EB
=7V
条件
I
C
/I
B
=50mA/5mA
V
CE
=6V,
I
C
=1mA
V
CE
=12V,
I
E
=2mA,
f=100MHz
V
CB
=12V,
I
E
=0mA,
f=1kHz
包装，标志和包装规格
TYPE
包
记号
CODE
基本订购单位（件）
EMW2
EMT5
W2
T2R
8000
EMX2
EMT6
X2
T2R
8000
EMX3
EMT6
X3
T2R
8000
UMW2N
UMT5
W2
TR
3000
UMX2N
UMT6
X2
TR
3000
UMX3N
UMT6
X3
TR
3000
FMW2
SMT5
W2
T148
3000
IMX2
SMT6
X2
T108
3000
IMX3
SMT6
X3
T108
3000
晶体管
外形尺寸
（单位：毫米）
EMW2
EMW2 / EMX2 / EMX3 / UMW2N / UMX2N /
UMX3N
/
FMW2 / IMX2 / IMX3
EMX2 / EMX3
0.5 0.5
1.0
1.6
0.22
0.22
(4)
(5)
(3)
(2)
(1)
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
(1)
0.13
0.13
1.2
1.6
1.2
1.6
ROHM ： EMT5
0.5
每根导线具有相同的尺寸
ROHM ： EMT6
每根导线具有相同的尺寸
(4)
(3)
0.65 0.65
UMW2N
0.2
UMX2N / UMX3N
(4)
(3)
1.3
2.0
0.2
(2)
(5)
(2)
0.65
1.3
0.65
0.8
1.1
0.95 0.95
1.9
2.9
0.7
0.9
0.5
(6)
1.25
2.1
0.5 0.5
1.0
1.6
2.0
(5)
(1)
1.25
2.1
0.15
0.7
0.9
0.1Min.
0to0.1
0.15
0.1Min.
ROHM ： UMT5
EIAJ ： SC- 88A
每根导线具有相同的尺寸
0to0.1
1.6
2.8
0to0.1
(3)
(2)
(1)
ROHM ： UMT6
EIAJ ： SC -88
每根导线具有相同的尺寸
FMW2
0.95 0.95
1.9
(2)
IMX2 / IMX3
0.3
2.9
0.3
(3)
(6)
(4)
(1)
1.6
2.8
0.15
(5)
0.8
1.1
0.3to0.6
0to0.1
0.3to0.6
ROHM ： SMT5
EIAJ ： SC- 74A
每根导线具有相同的尺寸
0.15
(4)
(5)
ROHM ： SMT6
EIAJ ： SC- 74
每根导线具有相同的尺寸
(1)
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
EMX2 / UMX2N
/
IMX2
晶体管
通用（双晶体管）
EMX2 / UMX2N / IMX2
特点
1 ）两个2SC2412AK芯片在EMT或UMT或SMT
封装。
外形尺寸
（单位：毫米）
EMX2
等效电路
EMX2 / UMX2N
(3)
(2)
(1)
0.22
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
(1)
IMX2
0.13
(4)
(5)
(6)
1.2
1.6
Tr
2
(4) (5)
Tr
1
(6)
Tr
2
(3) (2)
Tr
1
(1)
ROHM ： EMT6
每根导线具有相同的尺寸
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电源
耗散
EMX2 / UMX2N
IMX2
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
60
50
7
150
150(TOTAL)
300(TOTAL)
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mW
UMX2N
(4)
(3)
0.65
0.2
(5)
(2)
1.3
0.65
0.8
1.1
0.95 0.95
1.9
2.9
0.5
(6)
1.25
2.1
0.5 0.5
1.0
1.6
0.7
0.9
1
2
0.15
结温
储存温度
1
每个元素120MW不得超过。
2
每个元素为200mW不得超过。
°C
°C
0~0.1
0.1Min.
ROHM ： UMT6
EIAJ ： SC -88
包装，标志和包装规格
TYPE
包
记号
CODE
基本订购单位（件）
EMX2
EMT6
X2
T2R
8000
UMX2N
UMT6
X2
TR
3000
IMX2
SMT6
X2
T108
3000
IMX2
(6)
0.3
(5)
(4)
1.6
2.8
0.15
0.3Min.
0~0.1
ROHM ： SMT6
EIAJ ： SC- 74
每根导线具有相同的尺寸
(3)
(2)
(1)
(1)
每根导线具有相同的尺寸
Rev.A的
2.0
1/3
EMX2 / UMX2N
/
IMX2
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
*转换
频设备。
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
60
50
7
120
典型值。
180
2
马克斯。
0.1
0.1
0.4
560
3.5
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=60V
V
EB
=7V
条件
I
C
/I
B
=50mA/5mA
V
CE
=6V,
I
C
=1mA
V
CE
=12V,
I
E
= -2mA ，
f=100MHz
V
CB
=12V,
I
E
=0mA,
f=1MHz
电气特性曲线
50
100
V
CE
=6V
Ta=25°C
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
20
10
5
80
0.50mA
mA
0.45
A
.40m
0
0.35mA
0.30mA
10
Ta=25°C
30A
27A
8
24A
21A
Ta=100°C
25
°C
5
5°C
60
0.25mA
0.20mA
6
18A
15A
2
1
0.5
0.2
0.1
0
40
0.15mA
0.10mA
4
12A
9A
20
0.05mA
I
B
=0A
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2
6A
3A
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
基地发射极电压： V
BE
(V)
0
0
4
8
I
B
=0A
12
16
20
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
Fig.1
发射极接地传播
特征
Fig.2
接地发射极输出
特性（
Ι
)
Fig.3
接地发射极输出
特性（
ΙΙ
)
500
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
500
Ta=25°C
Ta=100°C
V
CE
=5V
0.5
Ta=25°C
直流电流增益：H
FE
200
V
CE
=5V
3V
1V
直流电流增益：H
FE
200
25°C
55°C
0.2
I
C
/I
B
=50
20
10
100
100
0.1
0.05
50
50
0.02
20
10
0.2
20
10
0.2
0.5 1
2
5
10 20
50 100 200
0.5 1
2
5
10 20
50 100 200
0.01
0.2
0.5 1
2
5
10
20
50 100 200
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
图4直流电流增益与
集电极电流（
Ι
)
图5直流电流增益与
集电极电流（
ΙΙ
)
图。 6集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
Rev.A的
2/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
IMX2
通用DUAL
晶体管
特点
*两个2SC2412芯片在SMT封装
双晶体管
等效电路
(6)
(5)
(4)
TR2
TR1
(1)
(2)
(3)
订购信息
订购数量
包
无铅
无卤
IMX2L - AG6 -R
IMX2G-AG6-R
SOT-26
注：引脚分配： B： C碱基：收藏E：辐射源
IMX2L-AG6-R
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
（ 3 ）无铅
（ 1 ）R ：带卷轴
（ 2 ） AG6 ： SOT- 26
（ 3 ）G ：无卤，L ：无铅
引脚分配
填料
1
2
3
4
5
6
C2 B1 C1 E1 E2 B2带卷轴
记号
www.unisonic.com.tw
2011 Unisonic技术有限公司
1 2
QW-R215-004.Ba
IMX2
绝对最大额定值
(T
A
=25°C)
双晶体管
参数
符号
等级
单位
集电极 - 基极电压
V
CBO
60
V
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
50
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
7
V
集电极电流
I
C
150
mA
集电极耗散功率
P
C
300 （注1）
mW
结温
T
J
150
°C
储存温度
T
英镑
-55~+150
°C
注：每件为200mW 1.不得超出。
2.绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
(T
A
=25°C)
参数
符号
集电极 - 基极击穿电压
BV
CBO
集电极 - 发射极击穿电压
BV
首席执行官
发射极 - 基极击穿电压
BV
EBO
集电极截止电流
I
CBO
发射极截止电流
I
EBO
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
直流电流传输比
h
FE
过渡频率（注）
f
T
输出电容
C
OB
注：该设备的跃迁频率。
测试条件
I
C
= 50A
I
C
= 1毫安
I
E
= 50A
V
CB
= 60V
V
EB
= 7V
I
C
/ I
B
= 50毫安/ 5毫安
V
CE
= 6V ，我
C
= 1毫安
V
CE
= 12V，我
E
= -2mA ， F = 100MHz的
V
CB
= 12V，我
E
= 0A中，f = 1KHz的
民
60
50
7
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
120
180
2
0.1
0.1
0.4
560
3.5
分类的hFE的
秩
范围
Q
120-270
R
180-390
S
270-560
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 2
QW-R215-004.Ba
EMX3 / UMX3N / IMX3
晶体管
通用（双晶体管）
EMX3 / UMX3N / IMX3
特点
1 ）两个2SC2412AK芯片在EMT或UMT或SMT
封装。
外形尺寸
（单位：毫米）
EMX3
0.22
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
(1)
等效电路
EMX3 / UMX3N
(3)
(2)
(1)
1.2
1.6
(4)
(5)
(6)
Tr
2
Tr
1
Tr
2
Tr
1
ROHM ： EMT6
每根导线具有相同的尺寸
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
(1)
UMX3N
(4)
(3)
(2)
0.2
1.3
0.65
0.8
1.1
0.95 0.95
1.9
2.9
0.7
0.9
(6)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电源
耗散
EEMX3 / UMX3N
IMX3
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
60
50
7
150
150(TOTAL)
300(TOTAL)
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mW
0.15
1.25
2.1
1
2
ROHM ： UMT6
EIAJ ： SC -88
0~0.1
0.1Min.
每根导线具有相同的尺寸
结温
储存温度
1
每个元素120MW不得超过。
2
每个元素为200mW不得超过。
°C
°C
包装，标志和包装规格
TYPE
包
记号
CODE
基本订购单位（件）
IMX3
(6)
0.3
(5)
EMX3
EMT6
X3
T2R
8000
UMX3N
UMT6
X3
TR
3000
IMX3
SMT6
X3
T108
3000
0.15
(4)
1.6
2.8
0.3Min.
0~0.1
ROHM ： SMT6
EIAJ ： SC- 74
每根导线具有相同的尺寸
(3)
(2)
(1)
(1)
Rev.A的
2.0
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
(5)
0.65
0.5
IMX3
0.13
0.5 0.5
1.0
1.6
1/3
EMX3 / UMX3N / IMX3
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
*转换
频设备。
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
60
50
7
120
典型值。
180
2
马克斯。
0.1
0.1
0.4
560
3.5
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=60V
V
EB
=7V
条件
I
C
/I
B
=50mA/5mA
V
CE
=6V,
I
C
=1mA
V
CE
=12V,
I
E
=2mA,
f=100MHz
V
CB
=12V,
I
E
=0mA,
f=1MHz
电气特性曲线
50
100
V
CE
=6V
Ta=25°C
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
20
10
5
80
0.50mA
mA
0.45
A
0m
0.4
0.35mA
0.30mA
10
Ta=25°C
30A
27A
8
24A
21A
Ta=100°C
25
°C
5
5°C
60
0.25mA
0.20mA
6
18A
15A
2
1
0.5
0.2
0.1
0
40
0.15mA
0.10mA
4
12A
9A
20
0.05mA
I
B
=0A
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2
6A
3A
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
基地发射极电压： V
BE
(V)
0
0
4
8
I
B
=0A
12
16
20
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
Fig.1
发射极接地传播
特征
Fig.2
接地发射极输出
特性（
Ι
)
Fig.3
接地发射极输出
特性（
ΙΙ
)
500
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
500
Ta=25°C
Ta=100°C
V
CE
=5V
0.5
Ta=25°C
直流电流增益：H
FE
200
V
CE
=5V
3V
1V
直流电流增益：H
FE
200
25°C
55°C
0.2
I
C
/I
B
=50
20
10
100
100
0.1
0.05
50
50
0.02
20
10
0.2
20
10
0.2
0.5 1
2
5
10 20
50 100 200
0.5 1
2
5
10 20
50 100 200
0.01
0.2
0.5 1
2
5
10
20
50 100 200
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
图4直流电流增益与
集电极电流（
Ι
)
图5直流电流增益与
集电极电流（
ΙΙ
)
图。 6集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
Rev.A的
2/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
EMX2 / EMX3 / UMX2N / UMX3N
/
IMX2 / IMX3
晶体管
通用（双晶体管）
EMX2 / EMX3 / UMX2N / UMX3N / IMX2 / IMX3
！特点
1 ）两个2SC2412AK芯片在EMT或UMT或SMT封装。
！等效
电路
EMX2 / UMX2N
(3)
(2)
(1)
IMX2
(4)
(5)
(6)
EMX3 / UMX3N
(3)
(2)
(1)
IMX3
(4)
(5)
(6)
(4) (5)
(6)
(3) (2)
(1)
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
(1)
！绝对
最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电源
耗散
EMX2 / EMX3 / UMX2N / UMX3N
IMX2 / IMX3
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
60
50
7
150
150(TOTAL)
300(TOTAL)
150
55
~
+150
单位
V
V
V
mA
mW
1
2
结温
储存温度
1
每个元素120MW不得超过。
2
每个元素为200mW不得超过。
°C
°C
！电
特征
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
*转换
频设备。
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
60
50
7
120
典型值。
180
2
马克斯。
0.1
0.1
0.4
560
3.5
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=60V
V
EB
=7V
条件
I
C
/I
B
=50mA/5mA
V
CE
=6V,
I
C
=1mA
V
CE
=12V,
I
E
=2mA,
f=100MHz
V
CB
=12V,
I
E
=0mA,
f=1kHz
！包，
标记和包装规格
TYPE
包
记号
CODE
基本订购单位（件）
EMX2
EMT6
X2
T2R
8000
EMX3
EMT6
X3
T2R
8000
UMX2N
UMT6
X2
TR
3000
UMX3N
UMT6
X3
TR
3000
IMX2
SMT6
X2
T108
3000
IMX3
SMT6
X3
T108
3000
EMX2 / EMX3 / UMX2N / UMX3N
/
IMX2 / IMX3
晶体管
！外部
尺寸
（单位：毫米）
EMX2 / EMX3
UMX2N / UMX3N
(4)
(3)
(2)
0.2
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
(1)
0.5 0.5
1.0
1.6
0.22
(5)
0.65
1.3
0.65
0.7
0.9
(6)
1.2
1.6
1.25
2.1
0.13
0.5
0.15
ROHM ： EMT6
每根导线具有相同的尺寸
0~0.1
0.1Min.
ROHM ： UMT6
EIAJ ： SC -88
每根导线具有相同的尺寸
IMX2 / IMX3
0.95 0.95
1.9
2.9
(6)
0.3
(5)
(4)
1.6
2.8
0.15
(3)
(2)
(1)
0.3Min.
0~0.1
ROHM ： SMT6
EIAJ ： SC- 74
每根导线具有相同的尺寸
0.8
1.1
(1)
2.0
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
EMX2 / EMX3 / UMX2N / UMX3N
/
IMX2 / IMX3
晶体管
通用（双晶体管）
EMX2 / EMX3 / UMX2N / UMX3N / IMX2 / IMX3
！特点
1 ）两个2SC2412AK芯片在EMT或UMT或SMT封装。
！等效
电路
EMX2 / UMX2N
(3)
(2)
(1)
IMX2
(4)
(5)
(6)
EMX3 / UMX3N
(3)
(2)
(1)
IMX3
(4)
(5)
(6)
(4) (5)
(6)
(3) (2)
(1)
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
(1)
！绝对
最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电源
耗散
EMX2 / EMX3 / UMX2N / UMX3N
IMX2 / IMX3
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
60
50
7
150
150(TOTAL)
300(TOTAL)
150
55
~
+150
单位
V
V
V
mA
mW
1
2
结温
储存温度
1
每个元素120MW不得超过。
2
每个元素为200mW不得超过。
°C
°C
！电
特征
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
*转换
频设备。
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
60
50
7
120
典型值。
180
2
马克斯。
0.1
0.1
0.4
560
3.5
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=60V
V
EB
=7V
条件
I
C
/I
B
=50mA/5mA
V
CE
=6V,
I
C
=1mA
V
CE
=12V,
I
E
=2mA,
f=100MHz
V
CB
=12V,
I
E
=0mA,
f=1kHz
！包，
标记和包装规格
TYPE
包
记号
CODE
基本订购单位（件）
EMX2
EMT6
X2
T2R
8000
EMX3
EMT6
X3
T2R
8000
UMX2N
UMT6
X2
TR
3000
UMX3N
UMT6
X3
TR
3000
IMX2
SMT6
X2
T108
3000
IMX3
SMT6
X3
T108
3000
EMX2 / EMX3 / UMX2N / UMX3N
/
IMX2 / IMX3
晶体管
！外部
尺寸
（单位：毫米）
EMX2 / EMX3
UMX2N / UMX3N
(4)
(3)
(2)
0.2
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
(1)
0.5 0.5
1.0
1.6
0.22
(5)
0.65
1.3
0.65
0.7
0.9
(6)
1.2
1.6
1.25
2.1
0.13
0.5
0.15
ROHM ： EMT6
每根导线具有相同的尺寸
0~0.1
0.1Min.
ROHM ： UMT6
EIAJ ： SC -88
每根导线具有相同的尺寸
IMX2 / IMX3
0.95 0.95
1.9
2.9
(6)
0.3
(5)
(4)
1.6
2.8
0.15
(3)
(2)
(1)
0.3Min.
0~0.1
ROHM ： SMT6
EIAJ ： SC- 74
每根导线具有相同的尺寸
0.8
1.1
(1)
2.0
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
QQ：2880707522 复制
