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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第463页 > IMX1
EMX1 / UMX1N / IMX1
晶体管
通用晶体管
(双晶体管)
EMX1 / UMX1N / IMX1
!
特点
1 )两个2SC2412K芯片在EMT或UMT或SMT
封装。
2 )安装可能与EMT3或UMT3或SMT3
自动装配机等。
3 )晶体管元件是独立的,从而消除
干扰。
4 )安装成本和面积可减少一半。
!
外形尺寸
(单位:毫米)
EMX1
0.22
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
1.2
1.6
(1)
0.13
每根导线具有相同的尺寸
ROHM : EMT6
缩写符号: X1
!
结构
外延平面型
NPN硅晶体管
(4)
0.65
1.3
0.65
0.8
1.1
0.95 0.95
1.9
2.9
0.7
0.9
(3)
UMX1N
0.2
0.5
0.5 0.5
1.0
1.6
2.0
(6)
(5)
1.25
2.1
0.15
!
等效电路
EMX1 / UMX1N
(3)
(2)
(1)
0.1Min.
0to0.1
每根导线具有相同的尺寸
IMX1
(4)
(5)
(6)
ROHM : UMT6
EIAJ : SC -88
缩写符号: X1
Tr
1
Tr
2
Tr
2
Tr
1
IMX1
(6)
0.3
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
(1)
(4)
(5)
1.6
2.8
0.3to0.6
0to0.1
以下特性适用于Tr的
1
和TR
2.
0.15
每根导线具有相同的尺寸
ROHM : SMT6
EIAJ : SC- 74
!
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
EMX1 , UMX1N
动力
散热IMX1
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
60
50
7
150
150 ( TOTAL )
300 ( TOTAL )
150
55+150
C
C
单位
V
V
V
mA
mW
缩写符号: X1
1
2
每个单元1 120MW不得超过。
每件2 200mW的不得超过。
(3)
(2)
(1)
(1)
(2)
1/3
EMX1 / UMX1N / IMX1
晶体管
!
电气特性
( TA = 25°C )
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号最小值。典型值。马克斯。单位
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE (SAT)
h
FE
f
T
COB
60
50
7
120
180
2
0.1
0.1
0.4
560
3.5
V
V
V
A
A
V
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=60V
V
EB
=7V
I
C
/I
B
=50mA/5mA
V
CE
=6V,
I
C
=1mA
条件
兆赫V
CE
=12V,
I
E
=2mA,
f=100MHz
PF
V
CB
=12V,
I
E
=0A,
f=1MHz
!
包装规格
CODE
TYPE
EMX1
UMX1N
IMX1
基本订购
单位(件)
T2R
8000
TAPING
TN
3000
T110
3000
!
电气特性曲线
50
集电极电流:我
C
(MA )
V
CE
=6V
集电极电流:我
C
(MA )
100
Ta=25C
集电极电流:我
C
(MA )
20
10
5
80
0.50mA
mA
0.45
A
m
0.40
0.35mA
0.30mA
10
Ta=25C
30A
27A
8
24A
21A
Ta=100C
25C
5
5C
60
0.25mA
0.20mA
6
18A
15A
2
1
0.5
0.2
0.1
0
0.2
40
0.15mA
0.10mA
4
12A
9A
20
0.05mA
I
B
=0A
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2
6A
3A
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
0
I
B
=0A
4
8
12
16
20
基地发射极电压: V
BE
(V)
集电极到发射极电压: V
CE
(V)
集电极到发射极电压: V
CE
(V)
图1发射极接地传播
特征
图2接地发射极输出
特性(I)的
图3接地发射极输出
特性(II)的
2/3
EMX1 / UMX1N / IMX1
晶体管
500
500
集电极饱和电压: V
CE (SAT)
(
V)
Ta=25C
Ta=100C
V
CE
=5V
3V
1V
V
CE
=5V
0.5
Ta=25C
直流电流增益:H
FE
直流电流增益:H
FE
200
200
25C
55C
0.2
100
100
0.1
I
C
/I
B
=50
0.05
50
50
20
10
20
20
0.02
0.01
0.2
10
0.2
0.5
1
2
5
10 20
50 100 200
10
0.2
0.5
1
2
5
10 20
50 100 200
0.5
1
2
5
10 20
50 100 200
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
图4直流电流增益与集电极
电流(I)
图5直流电流增益与集电极
电流(II)的
图6集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
集电极饱和电压: V
CE (SAT)
(V)
集电极饱和电压: V
CE (SAT)
(V)
集电极饱和电压: V
CE (SAT)
(V)
0.5
0.5
Ta=25
C
I
C
/I
B
=10
0.5
I
C
/I
B
=50
0.2
0.2
0.2
0.1
0.05
0.1
0.05
I
C
/I
B
=50
20
10
0.1
0.05
Ta=100C
25C
55C
Ta=100C
25C
55C
0.02
0.02
0.02
0.01
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50 100
0.01
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50 100 200
0.01
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50 100 200
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
图7集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流(I)
图8集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流(II)的
图9集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流(III)的
集电极输出电容:玉米棒
(PF )
发射极输入电容
: CIB
(PF )
跃迁频率:F
T
(兆赫)
500
Ta=25C
V
CE
=6V
20
基地集热器时间常数:抄送
bb'
( ps的)
10
兴业银行
Ta=25C
f=1MHz
I
E
=0A
I
C
=0A
200
Ta=25
C
f=32MH
Z
V
CB
=6V
100
200
5
50
100
2
Co
b
20
50
0.5
1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
10
0.2
0.5
1
2
5
10
1
2
5
10
20
50 100
发射极电流:我
E
(MA )
集电极 - 基极电压: V
CB
(V)
发射器基极电压
: V
EB
(V)
发射极电流:我
E
(MA )
图10增益带宽积主场迎战
发射极电流
图11集电极输出电容主场迎战
集电极 - 基极电压
发射器的输入电容与
发射极 - 基极电压
图12中相应集电极时间常数与
发射极电流
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
EMX1 / UMX1N / IMX1
晶体管
通用晶体管
(双晶体管)
EMX1 / UMX1N / IMX1
!
特点
1 )两个2SC2412K芯片在EMT或UMT或SMT
封装。
2 )安装可能与EMT3或UMT3或SMT3
自动装配机等。
3 )晶体管元件是独立的,从而消除
干扰。
4 )安装成本和面积可减少一半。
!
外形尺寸
(单位:毫米)
EMX1
0.22
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
1.2
1.6
(1)
0.13
每根导线具有相同的尺寸
ROHM : EMT6
缩写符号: X1
!
结构
外延平面型
NPN硅晶体管
(4)
0.65
1.3
0.65
0.8
1.1
0.95 0.95
1.9
2.9
0.7
0.9
(3)
UMX1N
0.2
0.5
0.5 0.5
1.0
1.6
2.0
(6)
(5)
1.25
2.1
0.15
!
等效电路
EMX1 / UMX1N
(3)
(2)
(1)
0.1Min.
0to0.1
每根导线具有相同的尺寸
IMX1
(4)
(5)
(6)
ROHM : UMT6
EIAJ : SC -88
缩写符号: X1
Tr
1
Tr
2
Tr
2
Tr
1
IMX1
(6)
0.3
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
(1)
(4)
(5)
1.6
2.8
0.3to0.6
0to0.1
以下特性适用于Tr的
1
和TR
2.
0.15
每根导线具有相同的尺寸
ROHM : SMT6
EIAJ : SC- 74
!
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
EMX1 , UMX1N
动力
散热IMX1
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
60
50
7
150
150 ( TOTAL )
300 ( TOTAL )
150
55+150
C
C
单位
V
V
V
mA
mW
缩写符号: X1
1
2
每个单元1 120MW不得超过。
每件2 200mW的不得超过。
(3)
(2)
(1)
(1)
(2)
1/3
EMX1 / UMX1N / IMX1
晶体管
!
电气特性
( TA = 25°C )
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号最小值。典型值。马克斯。单位
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE (SAT)
h
FE
f
T
COB
60
50
7
120
180
2
0.1
0.1
0.4
560
3.5
V
V
V
A
A
V
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=60V
V
EB
=7V
I
C
/I
B
=50mA/5mA
V
CE
=6V,
I
C
=1mA
条件
兆赫V
CE
=12V,
I
E
=2mA,
f=100MHz
PF
V
CB
=12V,
I
E
=0A,
f=1MHz
!
包装规格
CODE
TYPE
EMX1
UMX1N
IMX1
基本订购
单位(件)
T2R
8000
TAPING
TN
3000
T110
3000
!
电气特性曲线
50
集电极电流:我
C
(MA )
V
CE
=6V
集电极电流:我
C
(MA )
100
Ta=25C
集电极电流:我
C
(MA )
20
10
5
80
0.50mA
mA
0.45
A
m
0.40
0.35mA
0.30mA
10
Ta=25C
30A
27A
8
24A
21A
Ta=100C
25C
5
5C
60
0.25mA
0.20mA
6
18A
15A
2
1
0.5
0.2
0.1
0
0.2
40
0.15mA
0.10mA
4
12A
9A
20
0.05mA
I
B
=0A
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2
6A
3A
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
0
I
B
=0A
4
8
12
16
20
基地发射极电压: V
BE
(V)
集电极到发射极电压: V
CE
(V)
集电极到发射极电压: V
CE
(V)
图1发射极接地传播
特征
图2接地发射极输出
特性(I)的
图3接地发射极输出
特性(II)的
2/3
EMX1 / UMX1N / IMX1
晶体管
500
500
集电极饱和电压: V
CE (SAT)
(
V)
Ta=25C
Ta=100C
V
CE
=5V
3V
1V
V
CE
=5V
0.5
Ta=25C
直流电流增益:H
FE
直流电流增益:H
FE
200
200
25C
55C
0.2
100
100
0.1
I
C
/I
B
=50
0.05
50
50
20
10
20
20
0.02
0.01
0.2
10
0.2
0.5
1
2
5
10 20
50 100 200
10
0.2
0.5
1
2
5
10 20
50 100 200
0.5
1
2
5
10 20
50 100 200
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
图4直流电流增益与集电极
电流(I)
图5直流电流增益与集电极
电流(II)的
图6集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
集电极饱和电压: V
CE (SAT)
(V)
集电极饱和电压: V
CE (SAT)
(V)
集电极饱和电压: V
CE (SAT)
(V)
0.5
0.5
Ta=25
C
I
C
/I
B
=10
0.5
I
C
/I
B
=50
0.2
0.2
0.2
0.1
0.05
0.1
0.05
I
C
/I
B
=50
20
10
0.1
0.05
Ta=100C
25C
55C
Ta=100C
25C
55C
0.02
0.02
0.02
0.01
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50 100
0.01
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50 100 200
0.01
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50 100 200
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
图7集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流(I)
图8集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流(II)的
图9集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流(III)的
集电极输出电容:玉米棒
(PF )
发射极输入电容
: CIB
(PF )
跃迁频率:F
T
(兆赫)
500
Ta=25C
V
CE
=6V
20
基地集热器时间常数:抄送
bb'
( ps的)
10
兴业银行
Ta=25C
f=1MHz
I
E
=0A
I
C
=0A
200
Ta=25
C
f=32MH
Z
V
CB
=6V
100
200
5
50
100
2
Co
b
20
50
0.5
1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
10
0.2
0.5
1
2
5
10
1
2
5
10
20
50 100
发射极电流:我
E
(MA )
集电极 - 基极电压: V
CB
(V)
发射器基极电压
: V
EB
(V)
发射极电流:我
E
(MA )
图10增益带宽积主场迎战
发射极电流
图11集电极输出电容主场迎战
集电极 - 基极电压
发射器的输入电容与
发射极 - 基极电压
图12中相应集电极时间常数与
发射极电流
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
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一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
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本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
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