IMT17
晶体管
电气特性曲线
500
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
1mA
0.8mA
0.7mA
0.6mA
0.5mA
0.4mA
0.3mA
0.2mA
0.1mA
集电极电流:我
C
(MA )
200
Ta=100
°C
25
°C
100
55
°C
50
20
10
5
2
1
0.5
V
CE
=
3V
100
Ta
=
25
°C
0.9mA
500
Ta=25
°C
5.0mA
4.5mA
4.0mA
3.5mA
3.0mA
2.5mA
2.0mA
1.5mA
1.0mA
0.5mA
80
400
60
300
40
200
20
100
0.2
0.1
0
0.20.40.60.81.01.21.41.61.82.02.2
0
I
B
=0
A
0
1
2
3
4
5
0
I
B
=
0A
0
5
10
基地发射极电压: V
BE
(V)
集电极到发射极电压: V
CE
(V)
集电极到发射极电压: V
CE
(V)
Fig.1
发射极接地传播
特征
图2接地发射极输出
特性(
Ι
)
图3接地发射极输出
特性( ΙΙ )
1000
Ta=25
°C
1000
V
CE
= 3V
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(V)
Ta=25
°C
1
0.5
直流电流增益:H
FE
V
CE
= 5V
3V
1V
200
直流电流增益:H
FE
500
500
Ta=100
°C
200
25
°C
55
°C
0.2
0.1
0.05
100
100
I
C
/I
B
=
50
20
10
50
50
20
1 2
5 10 20 50 100200 500100
0
20
1
2
5 10 20
50100200 500 100
0
0.02
1 2
5 10 20
50 100 200 500
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
Fig.4
直流电流增益与集电极
电流(
Ι
)
图5直流电流增益与集电极
电流( ΙΙ )
图6集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流(
Ι
)
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(V)
l
C
/l
B
=10
0.5
0.3
0.2
0.1
集电极输出电容:玉米棒
(PF )
发射极输入电容
: CIB
(PF )
跃迁频率:F
T
(兆赫)
1.0
Ta
=
25
°C
V
CE
= 5V
1000
500
100
50
Ta
=
25
°C
f
=
1MHz
I
E
=
0A
I
C
=
0A
Ta=100
°C
25
°C
0.05
55
°C
0.03
0.02
0.01
1 2
5 10 20
50 100 200 500100
0
20
10
5
2
0.5
200
100
50
0.5
1
2
5
10
20
50
1
2
5
10
20
5
0
集电极电流:我
C
(MA )
发射极电流:我
E
(MA )
集电极 - 基极电压: V
CB
(V)
发射器基极电压
: V
EB
(V)
图7集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流( ΙΙ )
图8的增益带宽积主场迎战
发射极电流
Fig.9
集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
发射器的输入电容与
发射极 - 基极电压
Rev.A的
2/2
附录
笔记
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本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
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该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
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第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
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本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1