IMBD4448-V
威世半导体
小信号开关二极管
特点
硅外延平面二极管
快速开关二极管的情况下， SOT- 23 ，
e3
特别适用于自动插入。
此二极管也可在其他
案例风格，包括：在DO -35的情况下的
TYPE
指定1N4448 ，小型MELF情况下与
类型指定LL4448和SOD- 123案
同类型指定1N4448W -V 。
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
3
1
2
16923
机械数据
案例：
SOT- 23塑料外壳
重量：
约。 8.8毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒GS08 / 3
零件表
部分
IMBD4448-V
订购代码
IMBD4448 -V - GS18或IMBD4448 -V- GS08
A3
记号
备注
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
峰值反向电压
整流电流（平均值）的一半
波整流与抵制。
正向电流浪涌
功耗
1)
测试条件
符号
V
R
V
RM
价值
75
100
150
1)
500
350
1)
单位
V
V
mA
mA
mW
T
AMB
= 25℃和f
≥
50赫兹
吨< 1 s和t
j
= 25 °C
T
AMB
= 25 °C
I
F（ AV ）
I
FSM
P
合计
设备上的玻璃基板，看布局（ SOT -23 ） 。
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威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到
环境空气
结温
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
S
价值
450
1)
150
- 65至+ 150
单位
° C / W
°C
°C
设备上的玻璃基板，看布局（ SOT -23 ） 。
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
漏电流
测试条件
I
F
= 5毫安
I
F
= 100毫安
V
R
= 70 V
V
R
= 70 V，T
j
= 150 °C
V
R
= 25 V ，T
j
= 150 °C
二极管电容
反向恢复时间
（见图）
V
F
= V
R
= 0
I
F
= 10 mA时，我
R
= 10毫安，
V
R
= 6 V ，R
L
= 100
符号
V
F
V
F
I
R
I
R
I
R
C
合计
t
rr
民
0.62
典型值。
最大
0.72
1.0
2.5
50
30
4
4
单位
V
V
A
A
A
pF
ns
布局的R
thJA
TEST
厚度：
玻纤1.5毫米（ 0.059英寸）
铜导线0.3毫米（ 0.012英寸）
7.5 (0.3)
3 (0.12)
1 (0.4)
12 (0.47)
15 (0.59)
0.8 (0.03)
2 (0.8)
1 (0.4)
2 (0.8)
5 (0.2)
1.5 (0.06)
5.1 (0.2)
17451
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威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
P
合计
- 容许功耗（MW ）
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
1000
800
600
100
10
T
j
= 100
°
C
25
°
C
1
0.1
0.01
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
400
200
0
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
18689
V
F
- 正向电压（ V）
18663
图1.正向电流与正向电压
图3.容许功耗与环境温度
r
f
- 动态正向电阻（
)
10000
C
合计
- 相对电容（pF）
T
j
= 25
°
C
F = 1千赫
1000
1.1
1.0
0.9
T
j
= 25
°
C
F = 1 MHz的
100
10
0.8
0.7
0
2
4
6
8
10
1
0.01
18662
0.1
1
10
I
F
- 正向电流（mA ）
100
18664
V
R
- 反向电压（ V）
图2.动态正向电阻与正向电流
图4.相对电容与反向电压
100
I
I
FRM
- 容许重复
峰值正向电流（ A）
½
= t
p
/T
t
p
I
FRM
T = 1 /女
p
10
½
= 0
0.1
0.2
t
T
1
0.5
18709
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
p
- 脉冲宽度（S ）
10
-1
1
10
图5.容许重复峰值正向电流与脉冲持续时间
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威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
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