【日前，VishayILD620 / 620GB / ILQ620 / 620GB威世半导体光电耦合器】,IC型号ILQ620,ILQ620 PDF资料,ILQ620经销商,ic,电子元器件-51电子网

日前，Vishay

ILD620 / 620GB / ILQ620 / 620GB

威世半导体

光电耦合器，光电晶体管输出， AC输入（双通道，四通道

频道）

特点

相同的通道间足迹

ILD620横刀夺爱，以TLP620-2

ILQ620横刀夺爱，以TLP620-4

高集电极 - 发射极电压BV

首席执行官

= 70 V

双核和四包功能：

- 减少电路板空间

- 更低的引脚和零件计数

- 更好的通道间匹配CTR

- 改进的共模抑制

隔离测试电压5300 V

RMS

双通道

的A / C

机构认证

UL文件＃ E52744系统代码H或按J

CSA 93751

DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）

DIN EN 60747-5-5待定

可通过选项1

BSI IEC60950 IEC60965

四通道

的A / C

描述

在ILD620 / ILQ620和ILD620GB / ILQ620GB是

多通道输入光电晶体管光耦合器的

使用反向平行的GaAs IRLED发射器和高

获得每通道NPN硅光电晶体管。这些

设备采用了构造/下引线框架

光耦合和双成型绝缘result-

荷兰国际集团在5300伏耐压试验电压

RMS

在LED参数和线性CTR characteris-

抽动使这些器件非常适用于交流电压

检测。在ILD / Q620GB以其低廉的我

quaranteed

CTR

CESAT

最大限度地减少了交流电压的功耗

被放置在一系列的年龄检测网络

LED指示灯。消除了光电晶体管基极连接

化提供了附加的电抗噪能力从

在很多工业控制中的瞬变环境

求。

i179053

订购信息

部分

ILD620

ILD620GB

ILQ620

ILQ620GB

ILD620-X007

ILD620-X009

ILD620GB-X009

ILQ620-X009

ILQ620GB-X009

备注

CTR > 50 ％， DIP- 8

CTR > 100 ％， DIP- 8

CTR > 50 ％， DIP- 16

CTR > 100 ％， DIP- 16

CTR > 50 ％， SMD - 8 （选项7 ）

CTR > 50 ％， SMD - 8 （选件9 ）

CTR > 100 ％， SMD - 8 （选件9 ）

CTR > 50 ％， SMD - 16 （可选9 ）

CTR > 100 ％， SMD - 16 （可选9 ）

有关可用选项的更多信息，请参阅

选项信息。

文档编号83653

修订版1.3 ， 26 -APR- 04

www.vishay.com

ILD620 / 620GB / ILQ620 / 620GB

威世半导体

绝对最大额定值

日前，Vishay

AMB

= 25℃，除非另有说明

超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作

在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对

最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。

输入

参数

正向电流

浪涌电流

功耗

从25° C减免线性

测试条件

符号

FSM

DISS

价值

± 60

± 1.5

100

1.3

单位

毫瓦/°C的

产量

参数

集电极 - 发射极击穿

电压

集电极电流

吨< 1.0秒：

功耗

从25° C减免

测试条件

符号

首席执行官

DISS

价值

100

150

2.0

单位

毫瓦/°C的

耦合器

参数

绝缘测试电压

包装耗散

从25° C减免

包装耗散

从25° C减免

爬电距离

净空

绝缘电阻

= 500 V ，T

AMB

= 25 °C

= 500 V ，T

AMB

= 100 °C

储存温度

工作温度

结温

焊接温度

2.0毫米从外壳底部

英镑

AMB

SLD

ILQ620

ILQ620GB

测试条件

T = 1.0秒。

ILD620

ILD620GB

部分

符号

ISO

价值

5300

400

5.33

500

6.67

≥

7.0

≥

7.0

≥

- 55至+ 150

- 55至+ 100

100

260

单位

RMS

毫瓦/°C的

°C

www.vishay.com

文档编号83653

修订版1.3 ， 26 -APR- 04

日前，Vishay

电气特性

ILD620 / 620GB / ILQ620 / 620GB

威世半导体

AMB

= 25℃，除非另有说明

最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果

评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。

输入

参数

正向电压

正向电流

电容

热阻，结到

领导

测试条件

= - 10毫安

= ± 0.7 V

= 0 V ， F = 1.0 MHz的

符号

thJL

民

1.0

典型值。

1.15

2.5

750

最大

1.3

单位

K / W

产量

参数

集电极 - 发射极电容

集电极 - 射极漏泄

当前

热阻，结到

领导

测试条件

= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的

= 24 V

= 85°C ，V

= 24 V

符号

首席执行官

thJL

民

典型值。

6.8

2.0

500

100

最大

单位

K / W

耦合器

参数

关态集电极电流

集电极 - 发射极饱和

电压

测试条件

= ± 0.7 V, V

= 24 V

= ± 8.0毫安，我

= 2.4毫安

ILD620

ILQ620

= ±1.0毫安，我

- 0.2毫安

ILD620GB

ILQ620GB

部分

符号

CE （关闭）

CESAT

民

典型值。

1.0

最大

0.4

单位

电流传输比

参数

通道/通道CTR比赛

CTR对称

电流传输比

（集电极 - 发射极饱和的）

电流传输比

（集电极 - 发射极）

电流传输比

（集电极 - 发射极饱和的）

电流传输比

（集电极 - 发射极）

测试条件

= ±5.0毫安， V

= 5.0 V

= - 5.0毫安） /

= + 5.0毫安）

= ±1.0毫安， V

= 0.4 V

ILD620

ILQ620

= ±5.0毫安， V

= 5.0 V

ILD620

ILQ620

= ±1.0毫安， V

= 0.4 V

ILD620GB

ILQ620GB

= ±5.0毫安， V

= 5.0 V

ILD620GB

ILQ620GB

部分

符号

CTRX / CTRY

CE （ RATIO ）

CTR

CESAT

CTR

CESAT

CTR

CESAT

CTR

CESAT

CTR

100

200

600

民

1对1

0.5

600

典型值。

最大

3比1

2.0

单位

文档编号83653

修订版1.3 ， 26 -APR- 04

www.vishay.com

ILD620 / 620GB / ILQ620 / 620GB

威世半导体

开关特性

非饱和

参数

准时

上升时间

OFF时间

下降时间

传播H-L

传播L-H

饱和的

参数

准时

上升时间

OFF时间

下降时间

传播H-L

传播L-H

测试条件

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 1.0 KΩ ，V

= 1.5 V

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 1.0 KΩ ，V

= 1.5 V

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 1.0 KΩ ，V

= 1.5 V

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 1.0 KΩ ，V

= 1.5 V

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 1.0 KΩ ，V

= 1.5 V

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 1.0 KΩ ，V

= 1.5 V

符号

关闭

PHL

PLH

民

典型值。

4.3

2.8

2.5

2.6

7.2

最大

测试条件

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 75

V型50 ％

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 75

V型50 ％

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 75

V型50 ％

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 75

V型50 ％

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 75

V型50 ％

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 75

V型50 ％

符号

关闭

PHL

PLH

民

典型值。

3.0

2.3

2.0

1.1

2.5

最大

日前，Vishay

单位

典型特征

AMB

= 25

°C

除非另有规定编）

IF = 10毫安

VCC = 5 V

F = 10 kHz时，

DF = 50％

VCC = 5 V

RL = 1 kΩ的

F = 10 kHz时，

DF = 50％

RL = 75

IF = 10毫安

iild620_01

iild620_02

图。 1非饱和的切换定时

图。 2饱和开关时间

www.vishay.com

文档编号83653

修订版1.3 ， 26 -APR- 04

日前，Vishay

ILD620 / 620GB / ILQ620 / 620GB

威世半导体

ICEO - 集电极发射极 - NA

10 5

10 4

10 3

10 2

10 1

10 0

10 -1

10 -2

-20

iild620_06

PLH

50%

VCE = 10 V

典型

iild620_03

关闭

100

TA - 环境温度 - °C

图。 3非饱和的切换定时

图。 6集电极 - 射极漏泄与温度的关系

120

IF - 最大LED电流 - 毫安

100

-60

TJ （ MAX） = 100℃

PLH

= 1.5 V

PHL

iild620 _04

-40

-20

100

TA - 环境温度 - °C

iild620_07

图。 4饱和开关时间

图。 7最大LED电流与环境温度

I F - LED正向电流 - 毫安

200

85 °C

PLED - LED电源 - 毫瓦

-20

-40

-60

-1.5

-1.0

-0.5

0.0

25 °C

150

–55 °C

100

0.5

1.0

1.5

iild620_08

iild620_05

V F - LED的正向电压 - V

-60 -40

-20

TA - 环境温度 - °C

100

图。 5 LED正向电流vs.Forward电压

图。 8最大的LED功率耗散

文档编号83653

修订版1.3 ， 26 -APR- 04

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日前，Vishay

ILD620 / 620GB / ILQ620 / 620GB

威世半导体

光电耦合器，光电晶体管输出， AC输入（双通道，四通道

频道）

特点

相同的通道间足迹

ILD620横刀夺爱，以TLP620-2

ILQ620横刀夺爱，以TLP620-4

高集电极 - 发射极电压BV

首席执行官

= 70 V

双核和四包功能：

- 减少电路板空间

- 更低的引脚和零件计数

- 更好的通道间匹配CTR

- 改进的共模抑制

隔离测试电压5300 V

RMS

双通道

的A / C

机构认证

UL文件＃ E52744系统代码H或按J

CSA 93751

DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）

DIN EN 60747-5-5待定

可通过选项1

BSI IEC60950 IEC60965

四通道

的A / C

描述

在ILD620 / ILQ620和ILD620GB / ILQ620GB是

多通道输入光电晶体管光耦合器的

使用反向平行的GaAs IRLED发射器和高

获得每通道NPN硅光电晶体管。这些

设备采用了构造/下引线框架

光耦合和双成型绝缘result-

荷兰国际集团在5300伏耐压试验电压

RMS

在LED参数和线性CTR characteris-

抽动使这些器件非常适用于交流电压

检测。在ILD / Q620GB以其低廉的我

quaranteed

CTR

CESAT

最大限度地减少了交流电压的功耗

被放置在一系列的年龄检测网络

LED指示灯。消除了光电晶体管基极连接

化提供了附加的电抗噪能力从

在很多工业控制中的瞬变环境

求。

i179053

订购信息

部分

ILD620

ILD620GB

ILQ620

ILQ620GB

ILD620-X007

ILD620-X009

ILD620GB-X009

ILQ620-X009

ILQ620GB-X009

备注

CTR > 50 ％， DIP- 8

CTR > 100 ％， DIP- 8

CTR > 50 ％， DIP- 16

CTR > 100 ％， DIP- 16

CTR > 50 ％， SMD - 8 （选项7 ）

CTR > 50 ％， SMD - 8 （选件9 ）

CTR > 100 ％， SMD - 8 （选件9 ）

CTR > 50 ％， SMD - 16 （可选9 ）

CTR > 100 ％， SMD - 16 （可选9 ）

有关可用选项的更多信息，请参阅

选项信息。

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ILD620 / 620GB / ILQ620 / 620GB

威世半导体

绝对最大额定值

日前，Vishay

AMB

= 25℃，除非另有说明

超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作

在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对

最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。

输入

参数

正向电流

浪涌电流

功耗

从25° C减免线性

测试条件

符号

FSM

DISS

价值

± 60

± 1.5

100

1.3

单位

毫瓦/°C的

产量

参数

集电极 - 发射极击穿

电压

集电极电流

吨< 1.0秒：

功耗

从25° C减免

测试条件

符号

首席执行官

DISS

价值

100

150

2.0

单位

毫瓦/°C的

耦合器

参数

绝缘测试电压

包装耗散

从25° C减免

包装耗散

从25° C减免

爬电距离

净空

绝缘电阻

= 500 V ，T

AMB

= 25 °C

= 500 V ，T

AMB

= 100 °C

储存温度

工作温度

结温

焊接温度

2.0毫米从外壳底部

英镑

AMB

SLD

ILQ620

ILQ620GB

测试条件

T = 1.0秒。

ILD620

ILD620GB

部分

符号

ISO

价值

5300

400

5.33

500

6.67

≥

7.0

≥

7.0

≥

- 55至+ 150

- 55至+ 100

100

260

单位

RMS

毫瓦/°C的

°C

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修订版1.3 ， 26 -APR- 04

日前，Vishay

电气特性

ILD620 / 620GB / ILQ620 / 620GB

威世半导体

AMB

= 25℃，除非另有说明

最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果

评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。

输入

参数

正向电压

正向电流

电容

热阻，结到

领导

测试条件

= - 10毫安

= ± 0.7 V

= 0 V ， F = 1.0 MHz的

符号

thJL

民

1.0

典型值。

1.15

2.5

750

最大

1.3

单位

K / W

产量

参数

集电极 - 发射极电容

集电极 - 射极漏泄

当前

热阻，结到

领导

测试条件

= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的

= 24 V

= 85°C ，V

= 24 V

符号

首席执行官

thJL

民

典型值。

6.8

2.0

500

100

最大

单位

K / W

耦合器

参数

关态集电极电流

集电极 - 发射极饱和

电压

测试条件

= ± 0.7 V, V

= 24 V

= ± 8.0毫安，我

= 2.4毫安

ILD620

ILQ620

= ±1.0毫安，我

- 0.2毫安

ILD620GB

ILQ620GB

部分

符号

CE （关闭）

CESAT

民

典型值。

1.0

最大

0.4

单位

电流传输比

参数

通道/通道CTR比赛

CTR对称

电流传输比

（集电极 - 发射极饱和的）

电流传输比

（集电极 - 发射极）

电流传输比

（集电极 - 发射极饱和的）

电流传输比

（集电极 - 发射极）

测试条件

= ±5.0毫安， V

= 5.0 V

= - 5.0毫安） /

= + 5.0毫安）

= ±1.0毫安， V

= 0.4 V

ILD620

ILQ620

= ±5.0毫安， V

= 5.0 V

ILD620

ILQ620

= ±1.0毫安， V

= 0.4 V

ILD620GB

ILQ620GB

= ±5.0毫安， V

= 5.0 V

ILD620GB

ILQ620GB

部分

符号

CTRX / CTRY

CE （ RATIO ）

CTR

CESAT

CTR

CESAT

CTR

CESAT

CTR

CESAT

CTR

100

200

600

民

1对1

0.5

600

典型值。

最大

3比1

2.0

单位

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修订版1.3 ， 26 -APR- 04

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ILD620 / 620GB / ILQ620 / 620GB

威世半导体

开关特性

非饱和

参数

准时

上升时间

OFF时间

下降时间

传播H-L

传播L-H

饱和的

参数

准时

上升时间

OFF时间

下降时间

传播H-L

传播L-H

测试条件

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 1.0 KΩ ，V

= 1.5 V

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 1.0 KΩ ，V

= 1.5 V

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 1.0 KΩ ，V

= 1.5 V

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 1.0 KΩ ，V

= 1.5 V

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 1.0 KΩ ，V

= 1.5 V

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 1.0 KΩ ，V

= 1.5 V

符号

关闭

PHL

PLH

民

典型值。

4.3

2.8

2.5

2.6

7.2

最大

测试条件

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 75

V型50 ％

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 75

V型50 ％

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 75

V型50 ％

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 75

V型50 ％

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 75

V型50 ％

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 75

V型50 ％

符号

关闭

PHL

PLH

民

典型值。

3.0

2.3

2.0

1.1

2.5

最大

日前，Vishay

单位

典型特征

AMB

= 25

°C

除非另有规定编）

IF = 10毫安

VCC = 5 V

F = 10 kHz时，

DF = 50％

VCC = 5 V

RL = 1 kΩ的

F = 10 kHz时，

DF = 50％

RL = 75

IF = 10毫安

iild620_01

iild620_02

图。 1非饱和的切换定时

图。 2饱和开关时间

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文档编号83653

修订版1.3 ， 26 -APR- 04

日前，Vishay

ILD620 / 620GB / ILQ620 / 620GB

威世半导体

ICEO - 集电极发射极 - NA

10 5

10 4

10 3

10 2

10 1

10 0

10 -1

10 -2

-20

iild620_06

PLH

50%

VCE = 10 V

典型

iild620_03

关闭

100

TA - 环境温度 - °C

图。 3非饱和的切换定时

图。 6集电极 - 射极漏泄与温度的关系

120

IF - 最大LED电流 - 毫安

100

-60

TJ （ MAX） = 100℃

PLH

= 1.5 V

PHL

iild620 _04

-40

-20

100

TA - 环境温度 - °C

iild620_07

图。 4饱和开关时间

图。 7最大LED电流与环境温度

I F - LED正向电流 - 毫安

200

85 °C

PLED - LED电源 - 毫瓦

-20

-40

-60

-1.5

-1.0

-0.5

0.0

25 °C

150

–55 °C

100

0.5

1.0

1.5

iild620_08

iild620_05

V F - LED的正向电压 - V

-60 -40

-20

TA - 环境温度 - °C

100

图。 5 LED正向电流vs.Forward电压

图。 8最大的LED功率耗散

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ILD620/620GB

四通道

ILQ620/620GB

双通道

AC输入光电晶体管

光电耦合器

特点

相同的通道到通道足迹

ILD620横刀夺爱，以TLP620-2

ILQ620横刀夺爱，以TLP620-4

电流传输比（ CTR）在我

5毫安

ILD / Q620 ： 50 ％最小。

ILD / Q620GB ： 100 ％最小。

饱和电流传输比（ CTR

SAT

)

在我

1毫安

ILD / Q620 ： 60 ％典型值。

ILD / Q620GB ： 30 ％最小。

高集电极 - 发射极电压BV

首席执行官

=70 V

双核和四包的特点：

- 减少电路板空间

- 更低的引脚和零件计数

- 更好的通道间匹配CTR

- 改进的共模抑制

场效应稳定由三重奏

（TR

ansparent

hield

)

从双塑壳隔离测试电压

包

美国保险商实验室文件＃ E52744

VDE 0884可通过选项1

最大额定值

（每个通道）

辐射源

正向电流.........................................

60毫安

浪涌电流...............................................

1.5 A

功耗...................................... 100毫瓦

25减免

.................................. 1.3毫瓦/

探测器

集电极 - 发射极击穿电压............. 70 V

集电极电流.......................................... 50毫安

集电极电流（T <1毫秒） ......................... 100毫安

功耗...................................... 150毫瓦

25减免

..................................... 2毫瓦/

包

隔离测试电压（ T = 1秒） ......... 5300 VAC

RMS

封装散热， ILD620 / GB ............. 400毫瓦

25减免

............................... 5.33毫瓦/

封装散热， ILQ620 / GB ............. 500毫瓦

25减免

............................... 6.67毫瓦/

爬电................................................ 7 mm最小。

间隙............................................... 7毫米分钟。

绝缘电阻

= 500 V ，T

=25

C ................................

≥

= 500 V ，T

=100

C .............................

≥

存储温度-55 ..................

C至+150

工作温度-55 ...............

C至+100

结温................................... 100

焊接温度

（2毫米的情况下） .......................... 260

4℃典型值。

.022 (.56)

.018 (.46)

.040 (1.02)

.030 (.76 )

.100 （ 2.54 ）（典型值）。

.790 (20.07)

.779 (19.77 )

.045 (1.14)

.030 (.76)

尺寸以英寸（毫米）

脚一内径

K =阴极

8收藏家

7发射

6收藏家

5发射

一/ K

.268 (6.81)

.255 (6.48)

一/ K

.390 (9.91)

.379 (9.63)

一/ K

.045 (1.14) .150 (3.81)

.030 (.76) .130 (3.30)

0.305 （典型值）。

（ 7.75 ）（典型值）。

.135 (3.43)

.115 (2.92)

4℃典型值。

.022 (.56)

.018 (.46)

.040 (1.02)

.030 (.76 )

.100 （ 2.54 ）（典型值）。

典型值。

3°–9°

.012 (.30)

.008 (.20)

K =阴极

一/ K

16收藏家

15发射器

14收藏家

13发射器

12收藏家

11发射器

10收藏家

9发射

脚一内径

一/ K

.268 (6.81)

.255 (6.48)

一/ K

.150 (3.81)

.130 (3.30)

0.305 （典型值）。

（ 7.75 ）（典型值）。

.135 (3.43)

.115 (2.92)

典型值。

3°–9°

.012 (.30)

.008 (.20)

描述

该ILD / Q620和ILD / Q620GB是多通道的输入phototran ，体管

使用反向平行的砷化镓光耦合器IRLED发射器和高增益

每通道NPN硅光电晶体管。这些装置的构造

使用过/引线框架光藕和双绝缘成型下

产生的7500一个耐压试验电压VAC的

PEAK

在LED参数和线性CTR特征结合

三重奏科幻ELD-效果处理，使这些器件非常适用于交流电压

检测。该ILD / Q620GB以其低中频保证CTR

CESAT

最小化

交流电压检测网络的功耗被放置在

与LED串联。消除了光电晶体管基极连接亲

志愿组织加入电抗噪许多发现瞬变

工业控制环境。

5–1

特征

符号

辐射源

正向电压

正向电流

电容

热阻，结领导

探测器

电容

集电极 - 发射极漏电流

热阻，结领导

包传输特性

通道/通道CTR比赛

CTR对称

关态集电极电流

ILD/Q620

饱和电流传输比

电流传输比

集电极 - 发射极饱和电压

ILD/Q620GB

饱和电流传输比

电流传输比（集电极 - 发射极）

集电极 - 发射极饱和电压

隔离和绝缘

共模抑制，输出高

共模抑制，输出低

共模耦合电容

封装电容

绝缘电阻

通道间隔离

CMH

CML

CI -O

500

0.8

5000

0.01

VAC

我-O

= 0 V ， F = 1兆赫

我-O

=500 V

=50 V

P-P

, R

=1 k

, I

= 0毫安

=50 V

P-P

, R

=1 k

, I

= 10毫安

CTR

CESAT

CTR

CESAT

100

200

600

0.4

1毫安，V

=0.4 V

5毫安，V

=5 V

1毫安，我

-0.2毫安

CTR

CESAT

CTR

CESAT

600

0.4

1毫安，V

=0.4 V

5毫安，V

=5 V

8毫安，我

= 2.4毫安

CTRX / CTRY

CE （ RATIO ）

CE （关闭）

1对1

0.5

3比1

5毫安，V

=5 V

= -5毫安） /我

（ = + 5 mA）的

0.7 V, V

=24 V

首席执行官

thJL

6.8

500

100

C / W

= 5 V ， F = 1兆赫

=24 V

=85

C，V

=24 V

thJL

1.15

2.5

750

1.3

C / W

10毫安

0.7 V

= 0 V ， F = 1兆赫

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

条件

开关时间

图1，非饱和的切换定时

= 10毫安

=5 V

=75

PHL

PLH

50%

图3.非饱和的切换定时

F = 10千赫，

DF=50%

图2.饱和开关时间

F = 10千赫，

DF=50%

=5 V

= 10毫安

ILD/Q620/GB

5–2

ICEO - 集电极发射极 - NA

图4.饱和开关时间

图6.集电极 - 发射极与漏

温度

VCE = 10V

典型

PLH

=1.5 V

典型值。

3.0

2.3

2.0

1.1

2.5

单位

TEST

条件

= ± 10毫安

=5 V

=75

Ⅴ的50％的

10 -1

10 -2

-20

100

TA - 环境温度 -

°C

PHL

特征

准时

上升时间

OFF时间

下降时间

传播H-L

传播L-H

符号

关闭

PHL

PLH

图7.最大LED电流与环境

温度

IF - 最大LED电流 - 毫安

120

100

--60

-40

TJ （ MAX） = 100℃

特征

准时

上升时间

OFF时间

下降时间

传播H-L

传播L-H

符号

关闭

PHL

PLH

典型值。

4.3

2.8

2.5

2.6

7.2

单位

TEST

条件

= ± 10毫安

=5 V

=1.5 V

TA - 环境温度 -

°C

-20

100

图8. LED的最大功耗

200

LED

- LED电源 - 毫瓦

150

100

图5. LED正向电流与正向电压

IF - LED正向电流 - 毫安

25°C

–55°C

-20

-40

-60

-1.5

-1.0

-0.5

0.0

0.5

1.0

1.5

85°C

--60

-40

TA - 环境温度 -

°C

-20

100

图9.集电极电流与二极管的正向

当前

-Normalized集电极电流

100

归一

= 10毫安

=5 V

=25°C

5.0

2.5

1.0

0.5

ILD/Q620GB

ILD/Q620

VF - LED的正向电压 - V

0.1

正向电流I

（MA ）

ILD/Q620/GB

5–3

对于图10中归一化因子的非饱和的和

饱和CTR牛逼

= 50℃ ，如果对

2.0

标准化为：

VCE = 10V ， IF = 5毫安，TA = 25℃

CTRNF - 归CTR因子

1.5

CTRce （SAT）的Vce = 0.4V

NCTRce

1.0

NCTRce （SAT）

0.5

TA = 50℃

0.0

IF - LED电流 - 毫安

100

图13.峰值LED电流与峰值持续时间，头

10000

占空比

如果（ PK） - LED峰值电流 - 毫安

1000

.005

.01

.02

.05

DF = /吨

100

10 -6

10 -5

10-4

10-3

10-2

10 -1

10 0

10 1

吨 - LED脉冲宽度 - S

对于图11中归一化因子的非饱和的和

饱和CTR牛逼

= 70℃ ，如果对

2.0

CTRNF - 归CTR因子

图14.最大检测功耗

200

- 探测器电源 - 毫瓦

DET

标准化为：

VCE = 10V ， IF = 5毫安，TA = 25℃

1.5

CTRce （SAT）的Vce = 0.4V

NCTRce

1.0

150

100

0.5

NCTRce （SAT）

TA = 70℃

0.0

100

-60

-40

-20

TA - 环境温度 -

°C

100

IF - LED电流 - 毫安

对于图12的规范化因子非饱和的和

饱和CTR牛逼

= 100℃ ，如果对

2.0

CTRNF - 归CTR因子

图15.最大集电极电流与集电极

电压

1000

冰 - 集电极电流 - 毫安

标准化为：

VCE = 10V ， IF = 5毫安，TA = 25℃

1.5

CTRce （SAT）的Vce = 0.4V

NCTRce

1.0

100

RTH = 500 ° C / W

25°C

50°C

75°C

90°C

0.5

NCTRce （SAT）

TA = 100℃

100

0.0

IF - LED电流 - 毫安

VCE - 集电极 - 发射极电压 - V

100

ILD/Q620/GB

5–4

日前，Vishay

ILD620 / 620GB / ILQ620 / 620GB

威世半导体

光电耦合器，光电晶体管输出， AC输入（双通道，四通道

频道）

特点

相同的通道间足迹

ILD620横刀夺爱，以TLP620-2

ILQ620横刀夺爱，以TLP620-4

高集电极 - 发射极电压BV

首席执行官

= 70 V

双核和四包功能：

- 减少电路板空间

- 更低的引脚和零件计数

- 更好的通道间匹配CTR

- 改进的共模抑制

隔离测试电压5300 V

RMS

双通道

的A / C

机构认证

UL文件＃ E52744系统代码H或按J

CSA 93751

DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）

DIN EN 60747-5-5待定

可通过选项1

BSI IEC60950 IEC60965

四通道

的A / C

描述

在ILD620 / ILQ620和ILD620GB / ILQ620GB是

多通道输入光电晶体管光耦合器的

使用反向平行的GaAs IRLED发射器和高

获得每通道NPN硅光电晶体管。这些

设备采用了构造/下引线框架

光耦合和双成型绝缘result-

荷兰国际集团在5300伏耐压试验电压

RMS

在LED参数和线性CTR characteris-

抽动使这些器件非常适用于交流电压

检测。在ILD / Q620GB以其低廉的我

quaranteed

CTR

CESAT

最大限度地减少了交流电压的功耗

被放置在一系列的年龄检测网络

LED指示灯。消除了光电晶体管基极连接

化提供了附加的电抗噪能力从

在很多工业控制中的瞬变环境

求。

i179053

订购信息

部分

ILD620

ILD620GB

ILQ620

ILQ620GB

ILD620-X007

ILD620-X009

ILD620GB-X009

ILQ620-X009

ILQ620GB-X009

备注

CTR > 50 ％， DIP- 8

CTR > 100 ％， DIP- 8

CTR > 50 ％， DIP- 16

CTR > 100 ％， DIP- 16

CTR > 50 ％， SMD - 8 （选项7 ）

CTR > 50 ％， SMD - 8 （选件9 ）

CTR > 100 ％， SMD - 8 （选件9 ）

CTR > 50 ％， SMD - 16 （可选9 ）

CTR > 100 ％， SMD - 16 （可选9 ）

有关可用选项的更多信息，请参阅

选项信息。

文档编号83653

修订版1.3 ， 26 -APR- 04

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ILD620 / 620GB / ILQ620 / 620GB

威世半导体

绝对最大额定值

日前，Vishay

AMB

= 25℃，除非另有说明

超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作

在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对

最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。

输入

参数

正向电流

浪涌电流

功耗

从25° C减免线性

测试条件

符号

FSM

DISS

价值

± 60

± 1.5

100

1.3

单位

毫瓦/°C的

产量

参数

集电极 - 发射极击穿

电压

集电极电流

吨< 1.0秒：

功耗

从25° C减免

测试条件

符号

首席执行官

DISS

价值

100

150

2.0

单位

毫瓦/°C的

耦合器

参数

绝缘测试电压

包装耗散

从25° C减免

包装耗散

从25° C减免

爬电距离

净空

绝缘电阻

= 500 V ，T

AMB

= 25 °C

= 500 V ，T

AMB

= 100 °C

储存温度

工作温度

结温

焊接温度

2.0毫米从外壳底部

英镑

AMB

SLD

ILQ620

ILQ620GB

测试条件

T = 1.0秒。

ILD620

ILD620GB

部分

符号

ISO

价值

5300

400

5.33

500

6.67

≥

7.0

≥

7.0

≥

- 55至+ 150

- 55至+ 100

100

260

单位

RMS

毫瓦/°C的

°C

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文档编号83653

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日前，Vishay

电气特性

ILD620 / 620GB / ILQ620 / 620GB

威世半导体

AMB

= 25℃，除非另有说明

最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果

评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。

输入

参数

正向电压

正向电流

电容

热阻，结到

领导

测试条件

= - 10毫安

= ± 0.7 V

= 0 V ， F = 1.0 MHz的

符号

thJL

民

1.0

典型值。

1.15

2.5

750

最大

1.3

单位

K / W

产量

参数

集电极 - 发射极电容

集电极 - 射极漏泄

当前

热阻，结到

领导

测试条件

= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的

= 24 V

= 85°C ，V

= 24 V

符号

首席执行官

thJL

民

典型值。

6.8

2.0

500

100

最大

单位

K / W

耦合器

参数

关态集电极电流

集电极 - 发射极饱和

电压

测试条件

= ± 0.7 V, V

= 24 V

= ± 8.0毫安，我

= 2.4毫安

ILD620

ILQ620

= ±1.0毫安，我

- 0.2毫安

ILD620GB

ILQ620GB

部分

符号

CE （关闭）

CESAT

民

典型值。

1.0

最大

0.4

单位

电流传输比

参数

通道/通道CTR比赛

CTR对称

电流传输比

（集电极 - 发射极饱和的）

电流传输比

（集电极 - 发射极）

电流传输比

（集电极 - 发射极饱和的）

电流传输比

（集电极 - 发射极）

测试条件

= ±5.0毫安， V

= 5.0 V

= - 5.0毫安） /

= + 5.0毫安）

= ±1.0毫安， V

= 0.4 V

ILD620

ILQ620

= ±5.0毫安， V

= 5.0 V

ILD620

ILQ620

= ±1.0毫安， V

= 0.4 V

ILD620GB

ILQ620GB

= ±5.0毫安， V

= 5.0 V

ILD620GB

ILQ620GB

部分

符号

CTRX / CTRY

CE （ RATIO ）

CTR

CESAT

CTR

CESAT

CTR

CESAT

CTR

CESAT

CTR

100

200

600

民

1对1

0.5

600

典型值。

最大

3比1

2.0

单位

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ILD620 / 620GB / ILQ620 / 620GB

威世半导体

开关特性

非饱和

参数

准时

上升时间

OFF时间

下降时间

传播H-L

传播L-H

饱和的

参数

准时

上升时间

OFF时间

下降时间

传播H-L

传播L-H

测试条件

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 1.0 KΩ ，V

= 1.5 V

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 1.0 KΩ ，V

= 1.5 V

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 1.0 KΩ ，V

= 1.5 V

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 1.0 KΩ ，V

= 1.5 V

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 1.0 KΩ ，V

= 1.5 V

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 1.0 KΩ ，V

= 1.5 V

符号

关闭

PHL

PLH

民

典型值。

4.3

2.8

2.5

2.6

7.2

最大

测试条件

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 75

V型50 ％

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 75

V型50 ％

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 75

V型50 ％

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 75

V型50 ％

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 75

V型50 ％

= - 10毫安，V

= 5.0 V,

= 75

V型50 ％

符号

关闭

PHL

PLH

民

典型值。

3.0

2.3

2.0

1.1

2.5

最大

日前，Vishay

单位

典型特征

AMB

= 25

°C

除非另有规定编）

IF = 10毫安

VCC = 5 V

F = 10 kHz时，

DF = 50％

VCC = 5 V

RL = 1 kΩ的

F = 10 kHz时，

DF = 50％

RL = 75

IF = 10毫安

iild620_01

iild620_02

图。 1非饱和的切换定时

图。 2饱和开关时间

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修订版1.3 ， 26 -APR- 04

日前，Vishay

ILD620 / 620GB / ILQ620 / 620GB

威世半导体

ICEO - 集电极发射极 - NA

10 5

10 4

10 3

10 2

10 1

10 0

10 -1

10 -2

-20

iild620_06

PLH

50%

VCE = 10 V

典型

iild620_03

关闭

100

TA - 环境温度 - °C

图。 3非饱和的切换定时

图。 6集电极 - 射极漏泄与温度的关系

120

IF - 最大LED电流 - 毫安

100

-60

TJ （ MAX） = 100℃

PLH

= 1.5 V

PHL

iild620 _04

-40

-20

100

TA - 环境温度 - °C

iild620_07

图。 4饱和开关时间

图。 7最大LED电流与环境温度

I F - LED正向电流 - 毫安

200

85 °C

PLED - LED电源 - 毫瓦

-20

-40

-60

-1.5

-1.0

-0.5

0.0

25 °C

150

–55 °C

100

0.5

1.0

1.5

iild620_08

iild620_05

V F - LED的正向电压 - V

-60 -40

-20

TA - 环境温度 - °C

100

图。 5 LED正向电流vs.Forward电压

图。 8最大的LED功率耗散

文档编号83653

修订版1.3 ， 26 -APR- 04