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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第537页 > ILQ615-3X006
日前，Vishay
ILD615 / ILQ615
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出（双通道，四通道）
特点
相同的通道到通道足迹
双核和四包的特点：
- 减少电路板空间
- 更低的引脚和零件计数
- 更好的通道间匹配CTR
- 改进的共模抑制
从双模压封装隔离测试电压
年龄， 5300 V
RMS
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
双通道
A 1
C 2
A 3
C 4
8 C
7 E
6 C
5 E
四通道
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
CSA 93751
BSI IEC60950 IEC60965
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
i179052
A
1
C
2
A
C
A
C
A
3
4
5
6
7
16
C
15
E
14
C
13
E
12
C
11
E
10
C
9
E
C
8
描述
在ILD615 / ILQ615是多通道phototransis-
使用砷化镓IRLED发射器和光电耦合器
高增益的NPN光电晶体管。这些设备是
构建使用上/下引线框架光学cou-
耦和双重绝缘成型技术result-
荷兰国际集团的7500伏耐压试验电压
PEAK
AND A
1700 V工作电压
RMS
.
该分级最小值/最大值。和线性特性CTR
使这些器件非常适用于直流或交流电压
检测。消除了光电晶体管基CON-
nection提供额外的电气噪声抗扰度
在很多工业控制中的瞬变envi-
境下。
由于保证最高的非饱和的和
饱和的开关特性，在ILD615 /
ILQ615可以在中等速度数据被用于I / O和
控制系统。该分级最小值/最大值。 CTR specifi-
阳离子便于最坏的情况下接口计算
这两个层面的检测和切换应用程序。之间
用CMOS逻辑面对由瓜拉尼增强
开球CTR在我
F
= 1.0毫安。
文档编号83652
修订版1.3 ， 19 -APR- 04
www.vishay.com
1
ILD615 / ILQ615
威世半导体
订购信息
部分
ILD615-1
ILD615-2
ILD615-3
ILD615-4
ILQ615-1
ILQ615-2
ILQ615-3
ILQ615-4
ILD615-1X007
ILD615-2X006
ILD615-2X009
ILD615-3X006
ILD615-3X007
ILD615-3X009
ILD615-4X006
ILD615-4X009
ILQ615-1X009
ILQ615-2X007
ILQ615-3X006
ILQ615-3X009
ILQ615-4X007
ILQ615-4X009
备注
点击率40 ％ - 80％ ，双通道， DIP- 8
CTR 63 - 125 ％ ，双通道， DIP- 8
CTR 100 - 200 ％ ，双通道， DIP- 8
CTR 160 - 320 ％ ，双通道， DIP- 8
点击率40 ％ - 80％ ，四通道， DIP- 16
CTR 63 - 125 ％ ，四通道， DIP- 16
CTR 100 - 200 ％ ，四通道， DIP- 16
CTR 160 - 320 ％ ，四通道， DIP- 16
点击率40 ％ - 80％ ，双通道， SMD- 8
（选项7 ）
CTR 63 - 125 ％ ，双通道， DIP- 8 400
密尔（选项6 ）
CTR 63 - 125 ％ ，双通道， SMD- 8
（选件9 ）
CTR 100 - 200 ％ ，双通道， DIP- 8
400密耳（选项6 ）
CTR 100 - 200 ％ ，双通道， SMD- 8
（选项7 ）
CTR 100 - 200 ％ ，双通道， SMD- 8
（选件9 ）
CTR 160 - 320 ％ ，双通道， DIP- 8
400密耳（选项6 ）
CTR 160 - 320 ％ ，双通道， SMD- 8
（选件9 ）
点击率40 ％ - 80％ ，四通道， SMD- 16
（选件9 ）
CTR 63 - 125 ％ ，四通道， SMD- 16
（选项7 ）
CTR 100 - 200 ％ ，四通道， DIP- 16
400密耳（选项6 ）
CTR 100 - 200 ％ ，四通道， SMD- 16
（选件9 ）
CTR 160 - 320 ％ ，四通道， SMD- 16
（选项7 ）
CTR 160 - 320 ％ ，四通道， SMD- 16
（选件9 ）
日前，Vishay
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
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2
文档编号83652
修订版1.3 ， 19 -APR- 04
日前，Vishay
绝对最大额定值
ILD615 / ILQ615
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
1.5
100
1.33
单位
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
集电极电流
吨< 1.0毫秒
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
7.0
50
100
150
2.0
单位
V
V
mA
mA
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
储存温度
工作温度
结温
焊接温度
封装功耗，
ILD615
从25° C减免线性
封装功耗，
ILQ615
从25° C减免线性
绝缘测试电压
爬电距离
净空
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
T = 1.0秒。
V
ISO
从案例2.0毫米距离
底部
测试条件
符号
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
价值
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
400
5.33
500
6.67
5300
≥
7.0
≥
7.0
≥
10
12
≥
10
11
单位
°C
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
V
RMS
mm
mm
文档编号83652
修订版1.3 ， 19 -APR- 04
www.vishay.com
3
ILD615 / ILQ615
威世半导体
电气特性
日前，Vishay
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
热阻，结到
领导
测试条件
I
F
= 10毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
thJL
民
1.0
6.0
典型值。
1.15
30
0.01
25
750
10
最大
1.3
单位
V
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
集电极 - 射极漏泄
当前， -1，-2
集电极 - 射极漏泄
当前，-3，-4
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
热阻，结到
领导
包传输特性
通道/通道CTR比赛
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
CTRX /
CTRY
1对1
2比1
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
I
CE
- 0.5毫安
I
E
- 0.1毫安
符号
C
CE
I
首席执行官
I
首席执行官
BV
首席执行官
BV
ECO
R
thJL
70
7.0
500
民
典型值。
6.8
2.0
5.0
50
100
最大
单位
pF
nA
nA
V
V
K / W
耦合器
参数
电容（输入输出）
绝缘电阻
通道间隔离
测试条件
V
IO
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IO
= 500 V ，T
A
= 25 °C
符号
C
IO
R
S
10
12
500
民
典型值。
0.8
10
14
最大
单位
pF
VAC
电流传输比
参数
电流传输比
（集电极 - 发射极饱和的）
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V
部分
ILD615-1
ILQ615-1
ILD615-2
ILQ615-2
ILD615-3
ILQ615-3
ILD615-4
ILQ615-4
符号
CTR
CESAT
CTR
CESAT
CTR
CESAT
CTR
CESAT
民
典型值。
25
40
60
100
最大
单位
%
%
%
%
www.vishay.com
4
文档编号83652
修订版1.3 ， 19 -APR- 04
日前，Vishay
参数
电流传输比
（集电极 - 发射极）
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 5.0 V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 5.0 V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 5.0 V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 5.0 V
部分
ILD615-1
ILQ615-1
ILD615-2
ILQ615-2
ILD615-3
ILQ615-3
ILD615-4
ILQ615-4
ILD615-1
ILQ615-1
ILD615-2
ILQ615-2
ILD615-3
ILQ615-3
ILD615-4
ILQ615-4
符号
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
ILD615 / ILQ615
威世半导体
民
40
13
63
22
100
34
160
56
典型值。
60
30
80
45
150
70
200
90
320
200
125
最大
80
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
开关不饱和
参数
测试条件
符号
单位
ILD615-1
I
F
mA
10
t
on
s
3.0
当前
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
传播
H-L
t
PHL
s
1.1
传播
L-H
t
PLH
s
2.5
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
t
r
s
2.0
t
关闭
s
2.3
t
f
s
2.0
开关饱和
参数
测试条件
符号
单位
ILD615-1
ILQ615-1
ILD615-2
ILQ615-2
ILD615-3
ILQ615-3
ILD615-4
ILQ615-4
I
F
mA
20
10
10
5.0
t
on
s
3.0
4.3
4.3
6.0
当前
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
传播
H-L
t
PHL
s
1.6
2.6
2.6
5.4
传播
L-H
t
PLH
s
8.6
7.2
7.2
7.4
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
t
r
t
关闭
t
f
s
2.0
2.8
2.8
4.6
s
18
25
25
25
s
11
14
14
15
共模瞬态抗扰度
参数
共模抑制输出
高
共模抑制输出
低
共模耦合
电容
测试条件
V
CM
= 50 V
P-P
, R
L
= 1.0 k,
I
F
= 0毫安
V
CM
= 50 V
P-P
, R
L
= 1.0 k,
I
F
= 10毫安
符号
CM
H
CM
L
C
CM
民
典型值。
5000
5000
0.01
最大
单位
V / μs的
V / μs的
pF
文档编号83652
修订版1.3 ， 19 -APR- 04
www.vishay.com
5
日前，Vishay
ILD615 / ILQ615
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出（双通道，四通道）
特点
相同的通道到通道足迹
双核和四包的特点：
- 减少电路板空间
- 更低的引脚和零件计数
- 更好的通道间匹配CTR
- 改进的共模抑制
从双模压封装隔离测试电压
年龄， 5300 V
RMS
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
双通道
A 1
C 2
A 3
C 4
8 C
7 E
6 C
5 E
四通道
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
CSA 93751
BSI IEC60950 IEC60965
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
i179052
A
1
C
2
A
C
A
C
A
3
4
5
6
7
16
C
15
E
14
C
13
E
12
C
11
E
10
C
9
E
C
8
描述
在ILD615 / ILQ615是多通道phototransis-
使用砷化镓IRLED发射器和光电耦合器
高增益的NPN光电晶体管。这些设备是
构建使用上/下引线框架光学cou-
耦和双重绝缘成型技术result-
荷兰国际集团的7500伏耐压试验电压
PEAK
AND A
1700 V工作电压
RMS
.
该分级最小值/最大值。和线性特性CTR
使这些器件非常适用于直流或交流电压
检测。消除了光电晶体管基CON-
nection提供额外的电气噪声抗扰度
在很多工业控制中的瞬变envi-
境下。
由于保证最高的非饱和的和
饱和的开关特性，在ILD615 /
ILQ615可以在中等速度数据被用于I / O和
控制系统。该分级最小值/最大值。 CTR specifi-
阳离子便于最坏的情况下接口计算
这两个层面的检测和切换应用程序。之间
用CMOS逻辑面对由瓜拉尼增强
开球CTR在我
F
= 1.0毫安。
文档编号83652
修订版1.3 ， 19 -APR- 04
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1
ILD615 / ILQ615
威世半导体
订购信息
部分
ILD615-1
ILD615-2
ILD615-3
ILD615-4
ILQ615-1
ILQ615-2
ILQ615-3
ILQ615-4
ILD615-1X007
ILD615-2X006
ILD615-2X009
ILD615-3X006
ILD615-3X007
ILD615-3X009
ILD615-4X006
ILD615-4X009
ILQ615-1X009
ILQ615-2X007
ILQ615-3X006
ILQ615-3X009
ILQ615-4X007
ILQ615-4X009
备注
点击率40 ％ - 80％ ，双通道， DIP- 8
CTR 63 - 125 ％ ，双通道， DIP- 8
CTR 100 - 200 ％ ，双通道， DIP- 8
CTR 160 - 320 ％ ，双通道， DIP- 8
点击率40 ％ - 80％ ，四通道， DIP- 16
CTR 63 - 125 ％ ，四通道， DIP- 16
CTR 100 - 200 ％ ，四通道， DIP- 16
CTR 160 - 320 ％ ，四通道， DIP- 16
点击率40 ％ - 80％ ，双通道， SMD- 8
（选项7 ）
CTR 63 - 125 ％ ，双通道， DIP- 8 400
密尔（选项6 ）
CTR 63 - 125 ％ ，双通道， SMD- 8
（选件9 ）
CTR 100 - 200 ％ ，双通道， DIP- 8
400密耳（选项6 ）
CTR 100 - 200 ％ ，双通道， SMD- 8
（选项7 ）
CTR 100 - 200 ％ ，双通道， SMD- 8
（选件9 ）
CTR 160 - 320 ％ ，双通道， DIP- 8
400密耳（选项6 ）
CTR 160 - 320 ％ ，双通道， SMD- 8
（选件9 ）
点击率40 ％ - 80％ ，四通道， SMD- 16
（选件9 ）
CTR 63 - 125 ％ ，四通道， SMD- 16
（选项7 ）
CTR 100 - 200 ％ ，四通道， DIP- 16
400密耳（选项6 ）
CTR 100 - 200 ％ ，四通道， SMD- 16
（选件9 ）
CTR 160 - 320 ％ ，四通道， SMD- 16
（选项7 ）
CTR 160 - 320 ％ ，四通道， SMD- 16
（选件9 ）
日前，Vishay
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
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2
文档编号83652
修订版1.3 ， 19 -APR- 04
日前，Vishay
绝对最大额定值
ILD615 / ILQ615
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
1.5
100
1.33
单位
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
集电极电流
吨< 1.0毫秒
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
7.0
50
100
150
2.0
单位
V
V
mA
mA
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
储存温度
工作温度
结温
焊接温度
封装功耗，
ILD615
从25° C减免线性
封装功耗，
ILQ615
从25° C减免线性
绝缘测试电压
爬电距离
净空
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
T = 1.0秒。
V
ISO
从案例2.0毫米距离
底部
测试条件
符号
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
价值
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
400
5.33
500
6.67
5300
≥
7.0
≥
7.0
≥
10
12
≥
10
11
单位
°C
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
V
RMS
mm
mm
文档编号83652
修订版1.3 ， 19 -APR- 04
www.vishay.com
3
ILD615 / ILQ615
威世半导体
电气特性
日前，Vishay
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
热阻，结到
领导
测试条件
I
F
= 10毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
thJL
民
1.0
6.0
典型值。
1.15
30
0.01
25
750
10
最大
1.3
单位
V
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
集电极 - 射极漏泄
当前， -1，-2
集电极 - 射极漏泄
当前，-3，-4
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
热阻，结到
领导
包传输特性
通道/通道CTR比赛
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
CTRX /
CTRY
1对1
2比1
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
I
CE
- 0.5毫安
I
E
- 0.1毫安
符号
C
CE
I
首席执行官
I
首席执行官
BV
首席执行官
BV
ECO
R
thJL
70
7.0
500
民
典型值。
6.8
2.0
5.0
50
100
最大
单位
pF
nA
nA
V
V
K / W
耦合器
参数
电容（输入输出）
绝缘电阻
通道间隔离
测试条件
V
IO
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IO
= 500 V ，T
A
= 25 °C
符号
C
IO
R
S
10
12
500
民
典型值。
0.8
10
14
最大
单位
pF
VAC
电流传输比
参数
电流传输比
（集电极 - 发射极饱和的）
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V
部分
ILD615-1
ILQ615-1
ILD615-2
ILQ615-2
ILD615-3
ILQ615-3
ILD615-4
ILQ615-4
符号
CTR
CESAT
CTR
CESAT
CTR
CESAT
CTR
CESAT
民
典型值。
25
40
60
100
最大
单位
%
%
%
%
www.vishay.com
4
文档编号83652
修订版1.3 ， 19 -APR- 04
日前，Vishay
参数
电流传输比
（集电极 - 发射极）
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 5.0 V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 5.0 V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 5.0 V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 5.0 V
部分
ILD615-1
ILQ615-1
ILD615-2
ILQ615-2
ILD615-3
ILQ615-3
ILD615-4
ILQ615-4
ILD615-1
ILQ615-1
ILD615-2
ILQ615-2
ILD615-3
ILQ615-3
ILD615-4
ILQ615-4
符号
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
ILD615 / ILQ615
威世半导体
民
40
13
63
22
100
34
160
56
典型值。
60
30
80
45
150
70
200
90
320
200
125
最大
80
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
开关不饱和
参数
测试条件
符号
单位
ILD615-1
I
F
mA
10
t
on
s
3.0
当前
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
传播
H-L
t
PHL
s
1.1
传播
L-H
t
PLH
s
2.5
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
t
r
s
2.0
t
关闭
s
2.3
t
f
s
2.0
开关饱和
参数
测试条件
符号
单位
ILD615-1
ILQ615-1
ILD615-2
ILQ615-2
ILD615-3
ILQ615-3
ILD615-4
ILQ615-4
I
F
mA
20
10
10
5.0
t
on
s
3.0
4.3
4.3
6.0
当前
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
传播
H-L
t
PHL
s
1.6
2.6
2.6
5.4
传播
L-H
t
PLH
s
8.6
7.2
7.2
7.4
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
t
r
t
关闭
t
f
s
2.0
2.8
2.8
4.6
s
18
25
25
25
s
11
14
14
15
共模瞬态抗扰度
参数
共模抑制输出
高
共模抑制输出
低
共模耦合
电容
测试条件
V
CM
= 50 V
P-P
, R
L
= 1.0 k,
I
F
= 0毫安
V
CM
= 50 V
P-P
, R
L
= 1.0 k,
I
F
= 10毫安
符号
CM
H
CM
L
C
CM
民
典型值。
5000
5000
0.01
最大
单位
V / μs的
V / μs的
pF
文档编号83652
修订版1.3 ， 19 -APR- 04
www.vishay.com
5
日前，Vishay
ILD615 / ILQ615
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出（双通道，四通道）
特点
相同的通道到通道足迹
双核和四包的特点：
- 减少电路板空间
- 更低的引脚和零件计数
- 更好的通道间匹配CTR
- 改进的共模抑制
从双模压封装隔离测试电压
年龄， 5300 V
RMS
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
双通道
A 1
C 2
A 3
C 4
8 C
7 E
6 C
5 E
四通道
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
CSA 93751
BSI IEC60950 IEC60965
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
i179052
A
1
C
2
A
C
A
C
A
3
4
5
6
7
16
C
15
E
14
C
13
E
12
C
11
E
10
C
9
E
C
8
描述
在ILD615 / ILQ615是多通道phototransis-
使用砷化镓IRLED发射器和光电耦合器
高增益的NPN光电晶体管。这些设备是
构建使用上/下引线框架光学cou-
耦和双重绝缘成型技术result-
荷兰国际集团的7500伏耐压试验电压
PEAK
AND A
1700 V工作电压
RMS
.
该分级最小值/最大值。和线性特性CTR
使这些器件非常适用于直流或交流电压
检测。消除了光电晶体管基CON-
nection提供额外的电气噪声抗扰度
在很多工业控制中的瞬变envi-
境下。
由于保证最高的非饱和的和
饱和的开关特性，在ILD615 /
ILQ615可以在中等速度数据被用于I / O和
控制系统。该分级最小值/最大值。 CTR specifi-
阳离子便于最坏的情况下接口计算
这两个层面的检测和切换应用程序。之间
用CMOS逻辑面对由瓜拉尼增强
开球CTR在我
F
= 1.0毫安。
文档编号83652
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1
ILD615 / ILQ615
威世半导体
订购信息
部分
ILD615-1
ILD615-2
ILD615-3
ILD615-4
ILQ615-1
ILQ615-2
ILQ615-3
ILQ615-4
ILD615-1X007
ILD615-2X006
ILD615-2X009
ILD615-3X006
ILD615-3X007
ILD615-3X009
ILD615-4X006
ILD615-4X009
ILQ615-1X009
ILQ615-2X007
ILQ615-3X006
ILQ615-3X009
ILQ615-4X007
ILQ615-4X009
备注
点击率40 ％ - 80％ ，双通道， DIP- 8
CTR 63 - 125 ％ ，双通道， DIP- 8
CTR 100 - 200 ％ ，双通道， DIP- 8
CTR 160 - 320 ％ ，双通道， DIP- 8
点击率40 ％ - 80％ ，四通道， DIP- 16
CTR 63 - 125 ％ ，四通道， DIP- 16
CTR 100 - 200 ％ ，四通道， DIP- 16
CTR 160 - 320 ％ ，四通道， DIP- 16
点击率40 ％ - 80％ ，双通道， SMD- 8
（选项7 ）
CTR 63 - 125 ％ ，双通道， DIP- 8 400
密尔（选项6 ）
CTR 63 - 125 ％ ，双通道， SMD- 8
（选件9 ）
CTR 100 - 200 ％ ，双通道， DIP- 8
400密耳（选项6 ）
CTR 100 - 200 ％ ，双通道， SMD- 8
（选项7 ）
CTR 100 - 200 ％ ，双通道， SMD- 8
（选件9 ）
CTR 160 - 320 ％ ，双通道， DIP- 8
400密耳（选项6 ）
CTR 160 - 320 ％ ，双通道， SMD- 8
（选件9 ）
点击率40 ％ - 80％ ，四通道， SMD- 16
（选件9 ）
CTR 63 - 125 ％ ，四通道， SMD- 16
（选项7 ）
CTR 100 - 200 ％ ，四通道， DIP- 16
400密耳（选项6 ）
CTR 100 - 200 ％ ，四通道， SMD- 16
（选件9 ）
CTR 160 - 320 ％ ，四通道， SMD- 16
（选项7 ）
CTR 160 - 320 ％ ，四通道， SMD- 16
（选件9 ）
日前，Vishay
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
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文档编号83652
修订版1.3 ， 19 -APR- 04
日前，Vishay
绝对最大额定值
ILD615 / ILQ615
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
1.5
100
1.33
单位
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
集电极电流
吨< 1.0毫秒
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
7.0
50
100
150
2.0
单位
V
V
mA
mA
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
储存温度
工作温度
结温
焊接温度
封装功耗，
ILD615
从25° C减免线性
封装功耗，
ILQ615
从25° C减免线性
绝缘测试电压
爬电距离
净空
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
T = 1.0秒。
V
ISO
从案例2.0毫米距离
底部
测试条件
符号
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
价值
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
400
5.33
500
6.67
5300
≥
7.0
≥
7.0
≥
10
12
≥
10
11
单位
°C
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
V
RMS
mm
mm
文档编号83652
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3
ILD615 / ILQ615
威世半导体
电气特性
日前，Vishay
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
热阻，结到
领导
测试条件
I
F
= 10毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
thJL
民
1.0
6.0
典型值。
1.15
30
0.01
25
750
10
最大
1.3
单位
V
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
集电极 - 射极漏泄
当前， -1，-2
集电极 - 射极漏泄
当前，-3，-4
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
热阻，结到
领导
包传输特性
通道/通道CTR比赛
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
CTRX /
CTRY
1对1
2比1
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
I
CE
- 0.5毫安
I
E
- 0.1毫安
符号
C
CE
I
首席执行官
I
首席执行官
BV
首席执行官
BV
ECO
R
thJL
70
7.0
500
民
典型值。
6.8
2.0
5.0
50
100
最大
单位
pF
nA
nA
V
V
K / W
耦合器
参数
电容（输入输出）
绝缘电阻
通道间隔离
测试条件
V
IO
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IO
= 500 V ，T
A
= 25 °C
符号
C
IO
R
S
10
12
500
民
典型值。
0.8
10
14
最大
单位
pF
VAC
电流传输比
参数
电流传输比
（集电极 - 发射极饱和的）
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V
部分
ILD615-1
ILQ615-1
ILD615-2
ILQ615-2
ILD615-3
ILQ615-3
ILD615-4
ILQ615-4
符号
CTR
CESAT
CTR
CESAT
CTR
CESAT
CTR
CESAT
民
典型值。
25
40
60
100
最大
单位
%
%
%
%
www.vishay.com
4
文档编号83652
修订版1.3 ， 19 -APR- 04
日前，Vishay
参数
电流传输比
（集电极 - 发射极）
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 5.0 V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 5.0 V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 5.0 V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 5.0 V
部分
ILD615-1
ILQ615-1
ILD615-2
ILQ615-2
ILD615-3
ILQ615-3
ILD615-4
ILQ615-4
ILD615-1
ILQ615-1
ILD615-2
ILQ615-2
ILD615-3
ILQ615-3
ILD615-4
ILQ615-4
符号
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
ILD615 / ILQ615
威世半导体
民
40
13
63
22
100
34
160
56
典型值。
60
30
80
45
150
70
200
90
320
200
125
最大
80
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
开关不饱和
参数
测试条件
符号
单位
ILD615-1
I
F
mA
10
t
on
s
3.0
当前
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
传播
H-L
t
PHL
s
1.1
传播
L-H
t
PLH
s
2.5
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
t
r
s
2.0
t
关闭
s
2.3
t
f
s
2.0
开关饱和
参数
测试条件
符号
单位
ILD615-1
ILQ615-1
ILD615-2
ILQ615-2
ILD615-3
ILQ615-3
ILD615-4
ILQ615-4
I
F
mA
20
10
10
5.0
t
on
s
3.0
4.3
4.3
6.0
当前
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
传播
H-L
t
PHL
s
1.6
2.6
2.6
5.4
传播
L-H
t
PLH
s
8.6
7.2
7.2
7.4
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
t
r
t
关闭
t
f
s
2.0
2.8
2.8
4.6
s
18
25
25
25
s
11
14
14
15
共模瞬态抗扰度
参数
共模抑制输出
高
共模抑制输出
低
共模耦合
电容
测试条件
V
CM
= 50 V
P-P
, R
L
= 1.0 k,
I
F
= 0毫安
V
CM
= 50 V
P-P
, R
L
= 1.0 k,
I
F
= 10毫安
符号
CM
H
CM
L
C
CM
民
典型值。
5000
5000
0.01
最大
单位
V / μs的
V / μs的
pF
文档编号83652
修订版1.3 ， 19 -APR- 04
www.vishay.com
5
ILD615/ILQ615
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出
（双通道，四通道）
特点
双通道
相同的通道到通道足迹
A 1
C 2
A 3
C 4
8 C
7 E
6 C
5 E
双核和四包的特点：
- 减少电路板空间
- 更低的引脚和零件计数
- 更好的通道间匹配CTR
- 改进的共模抑制
从双塑壳隔离测试电压
包， 5300 V
RMS
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
四通道
A
1
16
C
15
E
14
C
13
E
12
C
11
E
10
C
9
E
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
CSA 93751
BSI IEC 60950 ; IEC 60065
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
C
2
A
C
A
C
A
C
i179052
3
4
5
6
7
8
描述
在ILD615 / ILQ615是多通道光电晶体管
使用砷化镓光耦合器IRLED发射器和高增益
NPN光电晶体管。这些装置的构造采用
在/引线框架光藕和双下成型
绝缘技术产生的耐压试验电压
7500吸尘器
PEAK
和1700伏的工作电压
RMS
.
该分级最小值/最大值。和线性CTR特性使
这些器件非常适用于直流或交流电压检测。
消除了光电晶体管基极连接提供
从瞬变加电抗噪声能力发现
许多工业控制环境。
由于保证最高的非饱和的和
饱和的开关特性，在ILD615 / ILQ615可以
在中速数据I / O和控制系统中使用。该
分级最小值/最大值。 CTR规格便于最坏的情况下
接口计算两个电平检测和切换
应用程序。用CMOS逻辑接口连接是通过增强
保证CTR在我
F
= 1.0毫安。
文档编号： 83652
修订版1.5 ， 20日-12月07
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ILD615/ILQ615
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出
（双通道，四通道）
订购信息
部分
ILD615-1
ILD615-2
ILD615-3
ILD615-4
ILQ615-1
ILQ615-2
ILQ615-3
ILQ615-4
ILD615-1X007
ILD615-2X006
ILD615-2X009
ILD615-3X006
ILD615-3X007
ILD615-3X009
ILD615-4X006
ILD615-4X009
ILQ615-1X009
ILQ615-2X007
ILQ615-3X006
ILQ615-3X009
ILQ615-4X007
ILQ615-4X009
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
点击率4080％ ，双通道， DIP-8
点击率63 125 ％ ，双通道， DIP- 8
点击率100200％ ，双通道， DIP-8
CTR 160 320 ％ ，双通道， DIP- 8
点击率4080％ ，四信道， DIP- 16
点击率63 125 ％ ，四通道， DIP- 16
点击率100200％ ，四信道， DIP- 16
CTR 160 320 ％ ，四通道， DIP- 16
点击率4080％ ，双通道，SMD -8（选项7 ）
点击率63 125 ％ ，双通道， DIP - 8 400万（选项6 ）
点击率63 125 ％ ，双通道， SMD - 8 （选件9 ）
CTR 100200 ％ ，双通道， DIP - 8 400万（选项6 ）
CTR 100200 ％ ，双通道， SMD - 8 （选项7 ）
CTR 100200 ％ ，双通道， SMD - 8 （选件9 ）
CTR 160 320 ％ ，双通道， DIP - 8 400万（选项6 ）
CTR 160 320 ％ ，双通道， SMD- 8 400万（选件9 ）
点击率4080 ％ ，四通道， SMD - 16 （可选9 ）
点击率63 125 ％ ，四通道， SMD - 16 （选项7 ）
CTR 100200 ％ ，四通道， DIP- 16 400密耳（选项6 ）
CTR 100200 ％ ，四通道， SMD - 16 （可选9 ）
CTR 160 320 ％ ，四通道， SMD - 16 （选项7 ）
CTR 160 320 ％ ，四通道， SMD - 16 （可选9 ）
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
从25° C减免线性
产量
集电极发射极击穿电压
集电极发射极击穿电压
集电极电流
功耗
从25° C减免线性
(1)
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
1.5
100
1.33
单位
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
V
V
mA
mA
mW
毫瓦/°C的
BV
首席执行官
BV
ECO
I
C
吨< 1.0毫秒
I
C
P
DISS
70
7.0
50
100
150
2.0
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ILD615/ILQ615
光电耦合器，光电晶体管输出
（双通道，四通道）
绝对最大额定值
参数
耦合器
储存温度
工作温度
结温
焊接温度
(2)
封装功耗ILD615
从25° C减免线性
封装功耗ILQ615
从25° C减免线性
绝缘测试电压
爬电距离
间隙距离
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
T = 1.0秒
V
ISO
从外壳底部2.0毫米距离
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
400
5.33
500
6.67
5300
≥
7.0
≥
7.0
≥
10
12
≥
10
11
°C
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
V
RMS
mm
mm
Ω
Ω
(1)
威世半导体
测试条件
符号
价值
单位
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件（ SMD ）焊接条件。请参阅波曲线为通过焊接条件
孔器件（ DIP ） 。
电气特性的影响
参数
输入
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
热阻，结领导
产量
集电极 - 发射极电容
集电极 - 发射极漏电流， -1，-2
集电极 - 发射极漏电流，-3，-4
集电极发射极击穿电压
集电极发射极击穿电压
热阻，结领导
包传输特性
通道/通道CTR比赛
耦合器
电容（输入输出）
绝缘电阻
通道间隔离
V
IO
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IO
= 500 V ，T
A
= 25 °C
C
IO
R
S
10
12
500
0.8
10
14
pF
Ω
VAC
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
CTRX / CTRY
1对1
2比1
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
I
CE
- 0.5毫安
I
E
- 0.1毫安
C
CE
I
首席执行官
I
首席执行官
BV
首席执行官
BV
ECO
R
thJL
70
7.0
500
6.8
2.0
5.0
50
100
pF
nA
nA
V
V
K / W
I
F
= 10毫安
I
R
= 10 A
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
thJL
1.0
6.0
1.15
30
0.01
25
750
10
1.3
V
V
A
pF
K / W
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小和最大值被测试requierements 。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评估。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
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ILD615/ILQ615
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出
（双通道，四通道）
电流传输比
参数
测试条件
部分
ILD615-1
ILQ615-1
ILD615-2
电流传输比
（集电极 - 发射极饱和）
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V
ILQ615-2
ILD615-3
ILQ615-3
ILD615-4
ILQ615-4
ILD615-1
ILQ615-1
ILD615-2
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 5.0 V
ILQ615-2
ILD615-3
ILQ615-3
ILD615-4
电流传输比
（集电极 - 发射极）
ILQ615-4
ILD615-1
ILQ615-1
ILD615-2
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
ILQ615-2
ILD615-3
ILQ615-3
ILD615-4
ILQ615-4
符号
CTR
CESAT
CTR
CESAT
CTR
CESAT
CTR
CESAT
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
CTR
CE
13
22
34
56
40
63
100
160
分钟。
典型值。
25
40
60
100
30
45
70
90
60
80
150
200
80
125
200
320
马克斯。
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
开关特性
参数
非饱和
当前
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
传播H到L
传播的LtoH
饱和的
ILD615-1
ILQ615-1
ILD615-2
当前
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 1.0 kΩ,
V
TH
= 1.5 V
ILQ615-2
ILD615-3
ILQ615-3
ILD615-4
ILQ615-4
I
F
I
F
I
F
I
F
20
10
10
5.0
mA
mA
mA
mA
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω,
V型50 ％
PP
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω,
V型50 ％
PP
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω,
V型50 ％
PP
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω,
V型50 ％
PP
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω,
V型50 ％
PP
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω,
V型50 ％
PP
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 75
Ω,
V型50 ％
PP
I
F
t
on
t
r
t
关闭
t
f
t
PHL
t
PLH
10
3.0
2.0
2.3
2.0
1.1
2.5
mA
s
s
s
s
s
s
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
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ILD615/ILQ615
光电耦合器，光电晶体管输出
（双通道，四通道）
开关特性
参数
饱和的
ILD615-1
ILQ615-1
ILD615-2
开启时间
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 1.0 kΩ,
V
TH
= 1.5 V
ILQ615-2
ILD615-3
ILQ615-3
ILD615-4
ILQ615-4
ILD615-1
ILQ1615-1
ILD615-2
上升时间
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 1.0 kΩ,
V
TH
= 1.5 V
ILQ615-2
ILD615-3
ILQ615-3
ILD615-4
ILQ615-4
ILD615-1
ILQ615-1
ILD615-2
打开-O FF时间
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 1.0 kΩ,
V
TH
= 1.5 V
ILQ615-2
ILD615-3
ILQ615-3
ILD615-4
ILQ615-4
ILD615-1
ILQ615-1
ILD615-2
下降时间
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 1.0 kΩ,
V
TH
= 1.5 V
ILQ615-2
ILD615-3
ILQ615-3
ILD615-4
ILQ615-4
ILD615-1
ILQ615-1
ILD615-2
传播H到L
V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 1.0 kΩ,
V
TH
= 1.5 V
ILQ615-2
ILD615-3
ILQ615-3
ILD615-4
ILQ615-4
t
on
t
on
t
on
t
on
t
r
t
r
t
r
t
r
t
关闭
t
关闭
t
关闭
t
关闭
t
f
t
f
t
f
t
f
t
PHL
t
PHL
t
PHL
t
PHL
3.0
4.3
4.3
6.0
2.0
2.8
2.8
4.6
18
25
25
25
11
14
14
15
1.6
2.6
2.6
5.4
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
威世半导体
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