^
ILA03N60 ， ILP03N60
ILB03N60 ， ILD03N60
LightMOS功率晶体管
C
新的高压技术，旨在为ZVS -开关的灯
块石
IGBT集成反向二极管
4A电流额定值反向二极管
比MOSFET低了10倍栅极电容
额定雪崩
150 ° C工作温度
FULLPAK隔离2.5 kV交流（ 1分钟）
P-TO-220-3-1
(TO-220AB)
G
E
P-TO-220-3-31
（ TO-220 FULLPAK ）
P- TO- 263-3-2 （D
2
-Pak ）
(TO-263AB)
P- TO- 252-3-1 （ D- PAK ）
(TO-252AA)
TYPE
ILA03N60
ILP03N60
ILB03N60
ILD03N60
最大额定值
参数
V
CE
600V
600V
600V
600V
I
C
3.0A
3.0A
3.0A
3.0A
V
CE(sat),Tj=25°C
2.9V
2.9V
2.9V
2.9V
T
， MAX
150°C
150°C
150°C
150°C
包
P-TO-220-3-31
P-TO-220-3-1
P-TO-263-3-2
P-TO-252-3-1
价值
ILA03N60
600
3
2.2
9
5.5
4
2.2
9
5.5
0.32
±30
1
1
16.5
订购代码
Q67040-S4626
Q67040-S4628
Q67040-S4627
Q67040-S4625
符号
V
CE
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
I
C
I
Cpuls
I
F
I
Fpuls
E
AS
V
GE
dv / dt的
P
合计
T
英镑
T
s
OTHERS
4.5
3
单位
V
A
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
集电极电流脉冲，
t
p
受
T
JMAX
,
t
p
＆ LT ; 10毫秒
集电极电流脉冲，
t
p
受
T
JMAX
二极管的正向电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
二极管脉冲电流，
t
p
受
T
JMAX
,
t
p
＆ LT ; 10毫秒
二极管脉冲电流，
t
p
受
T
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
C
=0.4A,
V
CE
=50V
栅极 - 发射极电压
反向二极管的dv / dt
I
C
≤
3A,
V
CE
≤
450V,
T
JMAX
≤
150°C
功率耗散（T
C
= 25°C)
工作结温和存储温度
焊接温度
为10秒（根据JEDEC J- STA- 020A ）
4
2.5
mJ
V
V / ns的
27
W
°C
-55...+150
D- PAK
OTHERS
255
220
晶体管的反向二极管整流与按照同样的装置图C.与应用
相关的值
I
C
≤
1.5A,
C
缓冲器
= 1 NF和
R
G
≥
50Ω ， DV反向二极管/ dt为它的规范之内。
1
功率半导体
1
修订版1.2月-04
^
ILA03N60 ， ILP03N60
ILB03N60 ， ILD03N60
符号
R
thJC
R
thJCD
条件
P-TO-220-3-31
其他包
TO-220-3-31
其他包
P-TO-220-3-31
P-TO-220-3-1
P-TO-263-3-2
P-TO-252-3-1
1
热阻
参数
特征
IGBT的热电阻，
结 - 案
二极管热阻
结 - 案
千卡。电阻，结 - 环境
R
吨 J A
SMD版本， PCB上的元件：
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
1
@分钟。脚印
@ 6厘米散热面积
2
马克斯。值
7.6
4.7
12
10
65
62
75
50
62
40
单位
K / W
R
thJA
电气特性，
at
T
j
= 25
°C,
除非另有说明
参数
静态特性
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极雪崩
击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
（ B R ）C （E S）
V
摹ê
= 0V,
I
C
= 0 5毫安
V
（ BR ） CE
V
CE （ SAT ）
V
的s
=
0V;
I
C
= 0. 4A
V
摹ê
= 1 0V,
I
C
= 3. 0A
T
j
= 25° C
T
j
= 15 0° C
V
摹ê
= 1 0V,
I
C
= 0. 8A
T
j
= 25° C
T
j
= 15 0° C
二极管的正向电压
V
F
V
摹ê
= 0V,
I
F
= 3. 0A
T
j
= 25° C
T
j
= 15 0° C
V
摹ê
= 0V,
I
F
= 0. 8A
T
j
= 25° C
T
j
= 15 0° C
栅极 - 发射极阈值电压
V
GE （日）
I
C
= 30 μA ，V
权证
=V
摹ê
-
-
2.1
1.0
1.0
3.0
-
-
3.9
V
-
-
1.5
1.6
V
1.8
-
-
1.5
1.5
-
-
-
-
2.3
2.7
2.9
600
-
-
850
-
-
V
符号
条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
1
设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧树脂PCB FR4with 6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
功率半导体
2
修订版1.2月-04
^
ILA03N60 ， ILP03N60
ILB03N60 ， ILD03N60
开关特性，电感负载，
at
T
j
=150
°C
参数
IGBT特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
开启能量
关闭能源
关闭能源
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on3
E
关闭
E
关闭
V
C C
= 4 00V,
I
C
= 0. 8A ,
V
摹ê
= 0/ 1 0V ,
R
G
= 6 0 ,
C
S N U B Bé
= 0N F
(C
S N U B Bé
： N个U BB器
APAC它或）
C
S N U B Bé
= 1nF的
-
-
-
-
-
-
-
20
45
120
120
15
28
12
-
-
-
-
-
-
-
J
ns
符号
条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性，电感负载，
at
T
j
=25
°C
参数
符号
条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
反向二极管的特性（开关在半桥式结构与按照同样的晶体管
图C）
反向恢复时间
反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
秋天的反向恢复的峰值速率
当前
反向恢复时间
反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
秋天的反向恢复的峰值速率
当前
t
rr
Q
rr
I
RRM
di
r r
/日吨
t
rr
Q
rr
I
RRM
di
r r
/日吨
V
R
= 4 00V,
I
F
= 3A ,
V
摹ê
= 0/ 1 0V ,
R
G
= 8 0
V
R
= 4 00V,
I
F
= 0. 8A,
V
摹ê
= 0/ 1 0V ,
R
G
= 8 0
-
-
-
-
-
-
-
-
90
0.27
5.5
300
250
0.75
8
300
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
C
A
A / μs的
ns
C
A
A / μs的
功率半导体
4
修订版1.2月-04
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