日前，Vishay
IL766 / ILD766
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出， AC输入，内部研发
BE
的A / C
1
C / A
2
NC
3
6
B
5
C
4
E
特点
内部研发
BE
为更好的稳定性
BV
首席执行官
> 60 V
AC或无极性输入
内置反极性输入保护
行业标准DIP封装
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
的A / C
1
C / A
2
的A / C
3
C / A
4
i179039
8
E
7
C
6
C
5
E
e3
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
CSA 93751
BSI IEC60950 IEC60065
Pb
无铅
该IL766是单通道光电耦合器。该
ILD766有两个隔离通道在一个单一的DIP
封装。
订购信息
部分
备注
CTR > 500 @我
F
= 2.0毫安， DIP- 8
CTR > 500 @我
F
= 1.0毫安， DIP- 8
CTR > 500 @我
F
= 2.0毫安， DIP - 6
CTR > 500 @我
F
= 1.0毫安， DIP - 6
CTR > 500 @我
F
= 2.0毫安， SMD - 6 （选项7 ）
ILD766-1
ILD766-2
IL766-1
IL766-2
IL766-1X007
应用
专为需要检测或MON-应用
控功能的交流信号。
描述
该IL766 / ILD766是双向的输入光
耦合隔离。它们包括两个镓Ars-
enide耦合到一个硅红外发光二极管
每通道NPN光电复合。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
每个通道
参数
正向连续电流
耗散功率，单信道
功耗，双通道
从25℃ ，单声道降额直线
从25° C，双通道线性降额
测试条件
符号
I
F
P
DISS
P
DISS
价值
60
200
90
2.6
1.2
单位
mA
mW
mW
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
文档编号83643
修订版1.4 ， 10月26日04
www.vishay.com
1
IL766 / ILD766
威世半导体
产量
每个通道
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
BV
首席执行官
BV
CBO
P
DISS
价值
60
70
100
1.33
日前，Vishay
单位
V
V
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
绝缘测试电压
绝缘电阻
测试条件
T = 1.0秒。
T
AMB
= 25 °C
T
AMB
= 100 °C
总功耗（ LED加检测器） ，
单通道
总功耗（ LED加检测器） ，
双通道
从25℃ ，单声道降额直线
从25° C，双通道线性降额
爬电距离
净空
符合DIN IEC漏电起痕指数
112 / VDE0303 ，第1部分
储存温度
工作温度
铅焊接时间在260℃
T
英镑
T
AMB
T
SLD
符号
V
ISO
R
IO
R
IO
P
合计
P
合计
价值
5300
≥
10
12
≥
10
11
250
400
3.3
5.3
≥
7.0
≥
7.0
175
- 55至+ 150
- 55 + 100
10
°C
°C
美国证券交易委员会。
单位
V
RMS
mW
mW
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
mm
mm
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
测试条件
I
F
= - 10毫安
符号
V
F
民
典型值。
1.2
最大
1.5
单位
V
产量
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
测试条件
I
C
= 1.0毫安
I
C
= 10
A
V
CE
= 10 V
符号
BV
首席执行官
BV
CBO
I
首席执行官
民
60
60
典型值。
75
90
10
100
最大
单位
V
V
nA
耦合器
参数
饱和电压，集电极 - 发射极
测试条件
I
F
= - 10毫安，
I
C
= 10毫安
符号
V
CESAT
民
典型值。
最大
1.0
单位
V
www.vishay.com
2
文档编号83643
修订版1.4 ， 10月26日04
日前，Vishay
电流传输比
参数
直流电流传输比
测试条件
V
CE
= 5.0 V，I
F
= ±2.0毫安，
符号
CTR
DC
民
500
IL766 / ILD766
威世半导体
典型值。
最大
单位
%
开关特性
参数
上升时间，下降时间
测试条件
V
CC
= 10 V，I
F
= ± 2.0毫安，R
L
= 100
符号
t
r
, t
f
民
典型值。
100
最大
单位
s
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
60
I
C
集电极电流（毫安）
输入电流 - 我
F
（MA ）
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
CE
集电极电压（V）的
40
20
0
-20
-40
-60
-2.0
iil766_01
-1.0
0
输入电压 - V
F
(V)
1.0
2.0
iil766_03
iil766_03
图1.输入特性
图3.晶体管输出电流与电压
100
90
I
C
集电极电流（毫安）
I
D
暗电流（ nA的）
10
4
80
70
60
50
40
30
20
10
0
3
10
10
2
10
1
1
0
10
il766_02
iil766_02
20 30 40 50 60 70 80
集电极电压（V）的
90 100
l766_04
0
25
50
75
100
125
iil766_04
温度（℃）
图2.晶体管电流与电压
图4.我
首席执行官
在V
CE
= 10 V与温度的关系
文档编号83643
修订版1.4 ， 10月26日04
www.vishay.com
3
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
QQ：2880707522 复制
