IL74/ILD74/ILQ74
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出
（单，双，四通道）
单通道
A
C
NC
1
2
3
6 B
5 C
4 E
特点
IL74 / ILD74 / ILQ74 TTL兼容
传输率，通常为35％
耦合电容为0.5pF
单，双和四通道
工业标准DIP封装
铅（Pb） -free组件
A
C
C
A
1
2
3
4
8 E
7 C
6 C
5 E
双通道
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
CSA 93751
BSI IEC 60950 ; IEC 60065
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5待定
可用选项1 ， X001后缀
FIMKO
四通道
A
C
C
A
A
C
C
A
1
2
3
4
5
6
7
8
16
E
15
C
14
C
13
E
12
E
11
C
10
C
9
E
i179015
描述
的IL74 / ILD74 / ILQ74是光学耦合对同一个
GaAIAs红外LED和硅NPN光电晶体管。
信号的信息，包括一个DC电平，可以传送
通过该装置，同时保持电高度
输入和output.The IL74 / ILD74 / ILQ74之间的隔离
特别是，用于驱动的中速的逻辑，其中，它可以是
用于消除麻烦的接地回路噪音
问题。此外，它可以被用来代替继电器和
变压器在许多数字接口的应用程序，以及
模拟应用程序，如点击率调制。
该ILD74有两个隔离通道在一个单一的DIP
包;该ILQ74有每包四个隔离通道。
订购信息
部分
IL74
ILD74
ILQ74
IL74-X006
ILD74-X006
ILD74-X007
ILD74-X009
ILQ74-X009
备注
CTR
DC
> 12.5 ％ ，单声道DIP - 6
CTR
DC
> 12.5 ％ ，双通道DIP- 8
CTR
DC
> 12.5 ％ ，四通道DIP- 16
CTR
DC
> 12.5 ％ ，单声道DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR
DC
> 12.5 ％ ，双通道DIP - 8 400万（选项6 ）
CTR
DC
> 12.5 ％ ，双通道SMD - 8 （选项7 ）
CTR
DC
> 12.5 ％ ，双通道SMD - 8 （选件9 ）
CTR
DC
> 12.5 ％ ，双通道SMD - 16 （可选9 ）
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
文档编号： 83640
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IL74/ILD74/ILQ74
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出
（单，双，四通道）
绝对最大额定值
参数
输入
峰值反向电压
正向连续电流
功耗
从55 ％降额线
产量
集电极发射极击穿电压
集电极发射极击穿电压
集电极基极击穿电压
功耗
从25° C减免线性
耦合器
绝缘测试电压
绝缘电阻
T = 1.0秒
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
IL74
ILD74
ILQ74
IL74
ILD74
ILQ74
V
R
I
F
P
DISS
3.0
60
100
1.33
20
5.0
70
150
2.0
5300
≥
10
12
≥
10
11
200
400
500
2.7
5.33
6.67
≥
7.0
≥
7.0
T
英镑
T
AMB
- 55至+ 150
- 55至+ 100
10
V
mA
mW
毫瓦/°C的
V
V
V
mW
毫瓦/°C的
V
RMS
Ω
Ω
mW
mW
mW
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
mm
mm
°C
°C
s
测试条件
部分
符号
价值
单位
BV
首席执行官
BV
ECO
BV
CBO
P
DISS
V
ISO
R
IO
R
IO
P
合计
P
合计
P
合计
总包耗散
从25° C减免线性
爬电距离
间隙距离
储存温度
工作温度
铅焊接时间在260℃
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不暗示
在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。置身于绝对最大额定值
的长时间可不利地影响可靠性。
电气特性
参数
输入
正向电压
反向电流
电容
产量
集电极发射极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
电容集电极 - 发射极
耦合器
饱和电压，集电极 - 发射极
电阻（输入到输出）
电容（输入输出）
I
C
= 2.0毫安，我
F
= 16毫安
V
CESAT
R
IO
C
IO
0.3
100
0.5
0.5
V
GΩ
pF
I
C
= 1.0毫安
V
CE
= 5.0 V，I
F
= 0 A
V
CE
= 0 V ， F = 1.0赫兹
BV
首席执行官
I
首席执行官
C
CE
20
50
5.0
10
500
V
nA
pF
I
F
= 20毫安
V
R
= 3.0 V
V
R
= 0 V
V
F
I
R
C
O
1.3
0.1
25
1.5
100
V
A
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
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光电耦合器，光电晶体管输出
（单，双，四通道）
电流传输比
参数
直流电流传输比
测试条件
I
F
= 16 mA时， V
CE
= 5.0 V
符号
CTR
DC
分钟。
12.5
典型值。
35
马克斯。
单位
%
威世半导体
开关特性
参数
开关时间
测试条件
R
L
= 100
Ω,
V
CE
= 10 V，I
C
= 2.0毫安
符号
t
on
, t
关闭
分钟。
典型值。
3.0
马克斯。
单位
s
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1.4
1.5
T
AMB
= - 55 °C
V
F
- 前进
电压
(V)
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.1
1
10
100
T
AMB
=
85
°C
T
AMB
= 25 °C
NCTR
-
归
（ CTR ）
1.0
归
要：
V
CE
= 10
V,
I
F
= 10毫安，T
A
= 25 °C
CTRce （SAT）
V
CE
= 0.4
V
T
A
= 50 °C
0.5
NCTR （ SAT ）
NCTR
0.0
0.1
1
10
100
iil74_01
I
F
- 正向电流（mA ）
iil74_03
I
F
- LED电流（mA ）
图。 1 - 正向电压与正向电流
图。 3 - 归非饱和与饱和CTR对比
LED电流
1.5
1.5
NCTR
-
归
（ CTR ）
NCTR
-
归
（ CTR ）
1.0
归
要：
V
CE
= 10
V,
I
F
= 10毫安
T
A
= 25 °C
CTRce （SAT）
V
= 0.4
V
CE
归
要：
V
CE
= 10
V，I
F
= 10毫安
T
A
= 25 °C
1.0
CTRce （SAT）
V
CE
= 0.4
V
T
A
= 70 °C
0.5
NCTR （ SAT ）
NCTR
0.0
0.5
NCTR （ SAT ）
NCTR
0.0
0.1
1
10
100
I F - LED电流（mA ）
0.1
iil74_04
1
10
100
iil74_02
I
F
- LED电流（mA ）
图。 2 - 归非饱和与饱和CTR对比
LED电流
图。 4 - 归非饱和与饱和CTR对比
LED电流
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光电耦合器，光电晶体管输出
（单，双，四通道）
1.5
1.5
NCTRcb
-
归
CTRCB
NCTR
-
归
CTR
归
要：
V
CE
= 10
V,
I
F
= 10毫安，T
A
= 25 °C
CTRce （SAT）
V
CE
= 0.4
V
1.0
T =
85
°C
A
1.0
归
要：
I
F
= 10毫安
V
cb
= 9.3
V
T
a
= 25 °C
25 °C
0.5
NCTR （ SAT ）
NCTR
0.0
0.1
1
10
100
0.5
50 °C
0.0
0.1
1
10
100
70 °C
iil74_05
I
F
- LED电流（mA ）
iil74_08
I
F
- 电流（mA）
图。 5 - 归非饱和与饱和CTR对比
LED电流
图。 8 - 归CTR
cb
与LED电流和温度
35
I
CE
- 集电极电流（毫安）
30
25
20
15
10
5
0
0
iil74_06
1000
T
a
= 25 °C
ICB = 1.0357 * IF ^ 1.3631
50 °C
100
10
1
0.1
0.01
0.1
iil74_09
25 °C
85
°C
70 °C
ICB - 集电极基地
光 -
A
10
20
30
40
50
60
1
10
100
I
F
- LED电流（mA ）
I
F
- LED电流（mA ）
图。 6 - 集电极发射极电流与温度和LED电流
图。 9 - 集电极基地光电流与LED电流
10
5
I
首席执行官
- 集电极发射极（ NA）
10
10
3
10
2
10
1
10
0
10
-1
10
-2
- 20
典型
V
CE
= 10
V
归
Photcurrent
10
4
归
要：
I
F
= 10毫安，T
a
= 25 °C
1
0.1
0
20
40
60
80
100
iil74_07
T
A
- 环境温度（ ° C）
0.01
0.1
iil74_10
NIB
- T
a
= - 20 °C
笔尖，
T
a
= 25 °C
笔尖，
T
a
= 50 °C
笔尖，
T
a
= 70 °C
1
10
100
I
F
- LED电流（mA ）
图。 7 - 集电极发射极漏电流vs.Temperature
图。 10 - 归光电流与我
F
和温度
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光电耦合器，光电晶体管输出
（单，双，四通道）
威世半导体
1.2
NHFE
-
归
（ HFE）
70 °C
50 °C
1.0
25 °C
- 20 °C
0.8
归
要：
I
b
= 20
A
V
CE
= 10
V
T
a
= 25 °C
0.6
0.4
1
iil74_11
10
100
1000
I
b
- 基本电流（ μA ）
图。 11 - 归不饱和
FE
与基极电流
温度
NHFE （SAT）
-
归
饱和HFE
1.5
70 °C 50 °C
1.0
25 °C
- 20 °C
0.5
V
CE
= 0.4
V
0.0
1
归
要：
V
CE
= 10
V
I
B
= 20
A
T
A
= 25 °C
10
100
1000
iil74_12
I
b
- 基本电流（ μA ）
图。 12 - 归饱和
FE
与基极电流
温度
1000
TPLH - 传播延迟（微秒）
T
a
= 25 ° C，I
F
= 10毫安
V
CC
= 5
V, V
th
= 1.5
V
的TPH1
100
2.0
10
TPLH
1
0.1
1.5
1
10
1.0
100
iil74_13
R
L
- 集电极负载电阻值（kΩ ）
图。 13 - 传输延迟与集电极负载电阻
的TPH1 - 传播延迟（微秒）
2.5
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5
QQ：2881677436 复制
