日前，Vishay
ILD621 / GB / ILQ621 / GB
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出（双通道，四通道）
特点
备用电源，以TLP621-2 / -4和
TLP621GB-2/-4
高集电极 - 发射极电压BV
首席执行官
=70 V
双核和四包的特点：
- 更低的引脚和零件计数
- 更好的通道间匹配CTR
- 改进的共模抑制
隔离测试电压5300 V
RMS
双通道
A 1
C 2
A 3
C 4
8 C
7 E
6 C
5 E
机构认证
UL文件＃ E52744系统代码H或按J
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
BSI IEC60950 IEC60965
FIMKO
四通道
A
1
C
2
A
3
C
A
C
4
5
6
16
C
15
E
14
C
13
E
12
C
11
E
10
C
9
E
描述
在ILD621 / ILQ621和ILD621GB / ILQ621GB是
使用多通道光电晶体管光电耦合器
砷化镓IRLED发射器和高增益的NPN硅光子
totransistors 。这些装置的构造采用
双层成型保温技术。本次大会
流程提供7500伏直流耐压试验电压。
在ILD621 / ILQ621GB非常适合的CMOS接口
面对给出的CTR
CE坐
30 ％，最低为我的
F
of
1.0毫安。高增益的线性运算是由一个保
最低CTR
CE
在5.0毫安100％。该ILD / Q621
有保证的点击率
CE
50 ％，最低为5.0毫安。
透明的离子护盾保证稳定的直流增益
在应用中，如电源反馈税务局局长
cuits ，在恒定的直流V
IO
电压存在。
i179054
A
7
C
8
订购信息
部分
ILD621
ILD621GB
ILQ621
ILQ621GB
ILD621-X006
ILD621-X007
ILD621-X009
ILD621GB-X007
ILQ621-X006
ILQ621-X007
ILQ621-X009
ILQ621GB-X006
ILQ621GB-X007
ILQ621GB-X009
备注
CTR > 50 ％ ， DIP- 8
CTR > 100 ％ ， DIP- 8
CTR > 50 ％ ， DIP- 16
CTR > 100 ％ ， DIP- 16
CTR > 50 ％ ， DIP - 8 400万（选项6 ）
CTR > 50 ％ ， SMD - 8 （选项7 ）
CTR > 50 ％ ， SMD - 8 （选件9 ）
CTR > 100 ％ ， SMD - 8 （选项7 ）
CTR > 50 ％ ， DIP - 8 400万（选项6 ）
CTR > 50 ％ ， SMD - 16 （选项7 ）
CTR > 50 ％ ， SMD - 16 （可选9 ）
CTR > 100 ％ ， DIP- 16 400密耳（选项6 ）
CTR > 100 ％ ， SMD - 16 （选项7 ）
CTR > 100 ％ ， SMD - 16 （可选9 ）
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83654
修订版1.3 ， 19 -APR- 04
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1
ILD621 / GB / ILQ621 / GB
威世半导体
绝对最大额定值
日前，Vishay
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
从25° C减免
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60毫安
1.5
100
1.33
单位
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
产量
参数
集电极发射极反向
电压
集电极电流
吨< 1.0毫秒
功耗
从25° C减免
测试条件
符号
V
ECO
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
50
100
150
- 2.0
单位
V
mA
mA
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
绝缘测试电压
包装耗散
从25° C减免
包装耗散
从25° C减免
爬电距离
净空
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
储存温度
工作温度
结温
焊接温度
2.0毫米从外壳底部
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
ILQ621
ILQ621GB
测试条件
T = 1.0秒。
ILD621
ILD621GB
部分
符号
V
ISO
价值
5300
400
400
5.33
500
500
6.67
≥
7.0
≥
7.0
≥
10
12
≥
10
11
- 55 + 150
- 55 + 100
100
260
单位
V
RMS
mW
mW
毫瓦/°C的
mW
mW
毫瓦/°C的
mm
mm
°C
°C
°C
°C
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2
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日前，Vishay
电气特性
ILD621 / GB / ILQ621 / GB
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
热阻，结到
领导
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
F
= 0中，f = 1.0兆赫
符号
V
F
I
R
C
O
R
thJL
民
1.0
典型值。
1.15
0.01
40
750
最大
1.3
10
单位
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
集电极 - 射极漏泄
当前
热阻，结到
领导
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 24 V
符号
C
CE
I
首席执行官
I
首席执行官
R
thJL
民
典型值。
6.8
10
20
500
100
50
最大
单位
pF
nA
A
K / W
耦合器
参数
电容（输入输出）
绝缘电阻
通道间隔离
集电极 - 发射极饱和
电压
I
F
= 8.0毫安，我
CE
= 2.4毫安
I
F
= 1.0毫安，我
CE
- 0.2毫安
ILD621
ILQ621
ILD621GB
ILQ621GB
V
CESAT
V
CESAT
测试条件
V
IO
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IO
= 500 V
部分
符号
C
IO
民
0.8
10
12
500
0.4
0.4
典型值。
最大
单位
pF
VAC
V
V
电流传输比
参数
通道/通道CTR比赛
电流传输比
（集电极 - 发射极饱和的）
测试条件
I
F
= 5.0毫安， V
CE
= 5.0 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.4 V
ILD621
ILQ621
ILD621GB
ILQ621GB
电流传输比
（集电极 - 发射极）
I
F
= 5.0毫安， V
CE
= 5.0 V
ILD621
ILQ621
ILD621GB
ILQ621GB
部分
符号
CTRX /
CTRY
CTR
CES
at
民
1对1
典型值。
最大
3比1
单位
60
30
50
100
80
200
600
600
%
%
%
%
CTR
CES
at
CTR
CE
CTR
CE
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3
ILD621 / GB / ILQ621 / GB
威世半导体
开关特性
非饱和的切换定时
参数
准时
上升时间
OFF时间
下降时间
传播H-L
传播L-H
饱和开关时间
参数
准时
上升时间
OFF时间
下降时间
传播H-L
传播L-H
测试条件
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
符号
t
on
t
r
t
关闭
t
f
t
PHL
t
PLH
民
典型值。
4.3
2.8
2.5
11
2.6
7.2
最大
测试条件
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
符号
t
on
t
r
t
关闭
t
f
t
PHL
t
PLH
民
典型值。
3.0
2.0
2.3
2.0
1.1
2.5
最大
日前，Vishay
单位
s
s
s
s
s
s
单位
s
s
s
s
s
s
共模瞬态抗扰度
参数
共模抑制输出
高
共模抑制输出
低
测试条件
V
CM
= 50 V
P-P
, R
L
= 1.0 K,
I
F
= 0毫安
V
CM
= 50 V
P-P
, R
L
= 1.0 K,
I
F
= 10毫安
符号
CM
H
CM
L
民
典型值。
5000
5000
最大
单位
V / μs的
V / μs的
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ILD621 / GB / ILQ621 / GB
威世半导体
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
I
F
F = 10 kHz时，
DF = 50％
t
PLH
V
O
t
PLH
t
S
50%
VCC = 5 V
RL
VO
t
D
iild621_01
t
R
t
F
iild621_04
图。 1非饱和的切换定时
图。 4饱和开关时间
120
IF - 最大LED电流 - 毫安
100
80
60
40
20
0
-60
TJ （ MAX） = 100℃
VCC = 5 V
IF = 10毫安
F = 10 kHz时，
DF = 50％
RL = 75
VO
iild621_02
-40
-20
0
20
40
60
80
100
iild621_05
TA - 环境温度 - °C
图。 2非饱和开关时间
图。 5最大LED电流与环境温度
200
IF
PLED - LED电源 - 毫瓦
150
V
O
t
D
t
R
t
PLH
V
TH
= 1.5 V
t
PHL
t
S
t
F
100
50
iild621_03
0
-60 -40
iild621_06
-20
0
20
40
60
TA - 环境温度 - °C
80
100
图。 3饱和开关时间
图。 6最大的LED功率耗散
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日前，Vishay
ILD621 / GB / ILQ621 / GB
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出（双通道，四通道）
特点
备用电源，以TLP621-2 / -4和
TLP621GB-2/-4
高集电极 - 发射极电压BV
首席执行官
=70 V
双核和四包的特点：
- 更低的引脚和零件计数
- 更好的通道间匹配CTR
- 改进的共模抑制
隔离测试电压5300 V
RMS
双通道
A 1
C 2
A 3
C 4
8 C
7 E
6 C
5 E
机构认证
UL文件＃ E52744系统代码H或按J
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
BSI IEC60950 IEC60965
FIMKO
四通道
A
1
C
2
A
3
C
A
C
4
5
6
16
C
15
E
14
C
13
E
12
C
11
E
10
C
9
E
描述
在ILD621 / ILQ621和ILD621GB / ILQ621GB是
使用多通道光电晶体管光电耦合器
砷化镓IRLED发射器和高增益的NPN硅光子
totransistors 。这些装置的构造采用
双层成型保温技术。本次大会
流程提供7500伏直流耐压试验电压。
在ILD621 / ILQ621GB非常适合的CMOS接口
面对给出的CTR
CE坐
30 ％，最低为我的
F
of
1.0毫安。高增益的线性运算是由一个保
最低CTR
CE
在5.0毫安100％。该ILD / Q621
有保证的点击率
CE
50 ％，最低为5.0毫安。
透明的离子护盾保证稳定的直流增益
在应用中，如电源反馈税务局局长
cuits ，在恒定的直流V
IO
电压存在。
i179054
A
7
C
8
订购信息
部分
ILD621
ILD621GB
ILQ621
ILQ621GB
ILD621-X006
ILD621-X007
ILD621-X009
ILD621GB-X007
ILQ621-X006
ILQ621-X007
ILQ621-X009
ILQ621GB-X006
ILQ621GB-X007
ILQ621GB-X009
备注
CTR > 50 ％ ， DIP- 8
CTR > 100 ％ ， DIP- 8
CTR > 50 ％ ， DIP- 16
CTR > 100 ％ ， DIP- 16
CTR > 50 ％ ， DIP - 8 400万（选项6 ）
CTR > 50 ％ ， SMD - 8 （选项7 ）
CTR > 50 ％ ， SMD - 8 （选件9 ）
CTR > 100 ％ ， SMD - 8 （选项7 ）
CTR > 50 ％ ， DIP - 8 400万（选项6 ）
CTR > 50 ％ ， SMD - 16 （选项7 ）
CTR > 50 ％ ， SMD - 16 （可选9 ）
CTR > 100 ％ ， DIP- 16 400密耳（选项6 ）
CTR > 100 ％ ， SMD - 16 （选项7 ）
CTR > 100 ％ ， SMD - 16 （可选9 ）
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
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ILD621 / GB / ILQ621 / GB
威世半导体
绝对最大额定值
日前，Vishay
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
从25° C减免
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60毫安
1.5
100
1.33
单位
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
产量
参数
集电极发射极反向
电压
集电极电流
吨< 1.0毫秒
功耗
从25° C减免
测试条件
符号
V
ECO
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
50
100
150
- 2.0
单位
V
mA
mA
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
绝缘测试电压
包装耗散
从25° C减免
包装耗散
从25° C减免
爬电距离
净空
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
储存温度
工作温度
结温
焊接温度
2.0毫米从外壳底部
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
ILQ621
ILQ621GB
测试条件
T = 1.0秒。
ILD621
ILD621GB
部分
符号
V
ISO
价值
5300
400
400
5.33
500
500
6.67
≥
7.0
≥
7.0
≥
10
12
≥
10
11
- 55 + 150
- 55 + 100
100
260
单位
V
RMS
mW
mW
毫瓦/°C的
mW
mW
毫瓦/°C的
mm
mm
°C
°C
°C
°C
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修订版1.3 ， 19 -APR- 04
日前，Vishay
电气特性
ILD621 / GB / ILQ621 / GB
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
热阻，结到
领导
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
F
= 0中，f = 1.0兆赫
符号
V
F
I
R
C
O
R
thJL
民
1.0
典型值。
1.15
0.01
40
750
最大
1.3
10
单位
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
集电极 - 射极漏泄
当前
热阻，结到
领导
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 24 V
符号
C
CE
I
首席执行官
I
首席执行官
R
thJL
民
典型值。
6.8
10
20
500
100
50
最大
单位
pF
nA
A
K / W
耦合器
参数
电容（输入输出）
绝缘电阻
通道间隔离
集电极 - 发射极饱和
电压
I
F
= 8.0毫安，我
CE
= 2.4毫安
I
F
= 1.0毫安，我
CE
- 0.2毫安
ILD621
ILQ621
ILD621GB
ILQ621GB
V
CESAT
V
CESAT
测试条件
V
IO
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IO
= 500 V
部分
符号
C
IO
民
0.8
10
12
500
0.4
0.4
典型值。
最大
单位
pF
VAC
V
V
电流传输比
参数
通道/通道CTR比赛
电流传输比
（集电极 - 发射极饱和的）
测试条件
I
F
= 5.0毫安， V
CE
= 5.0 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.4 V
ILD621
ILQ621
ILD621GB
ILQ621GB
电流传输比
（集电极 - 发射极）
I
F
= 5.0毫安， V
CE
= 5.0 V
ILD621
ILQ621
ILD621GB
ILQ621GB
部分
符号
CTRX /
CTRY
CTR
CES
at
民
1对1
典型值。
最大
3比1
单位
60
30
50
100
80
200
600
600
%
%
%
%
CTR
CES
at
CTR
CE
CTR
CE
文档编号83654
修订版1.3 ， 19 -APR- 04
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ILD621 / GB / ILQ621 / GB
威世半导体
开关特性
非饱和的切换定时
参数
准时
上升时间
OFF时间
下降时间
传播H-L
传播L-H
饱和开关时间
参数
准时
上升时间
OFF时间
下降时间
传播H-L
传播L-H
测试条件
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
符号
t
on
t
r
t
关闭
t
f
t
PHL
t
PLH
民
典型值。
4.3
2.8
2.5
11
2.6
7.2
最大
测试条件
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
符号
t
on
t
r
t
关闭
t
f
t
PHL
t
PLH
民
典型值。
3.0
2.0
2.3
2.0
1.1
2.5
最大
日前，Vishay
单位
s
s
s
s
s
s
单位
s
s
s
s
s
s
共模瞬态抗扰度
参数
共模抑制输出
高
共模抑制输出
低
测试条件
V
CM
= 50 V
P-P
, R
L
= 1.0 K,
I
F
= 0毫安
V
CM
= 50 V
P-P
, R
L
= 1.0 K,
I
F
= 10毫安
符号
CM
H
CM
L
民
典型值。
5000
5000
最大
单位
V / μs的
V / μs的
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修订版1.3 ， 19 -APR- 04
日前，Vishay
ILD621 / GB / ILQ621 / GB
威世半导体
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
I
F
F = 10 kHz时，
DF = 50％
t
PLH
V
O
t
PLH
t
S
50%
VCC = 5 V
RL
VO
t
D
iild621_01
t
R
t
F
iild621_04
图。 1非饱和的切换定时
图。 4饱和开关时间
120
IF - 最大LED电流 - 毫安
100
80
60
40
20
0
-60
TJ （ MAX） = 100℃
VCC = 5 V
IF = 10毫安
F = 10 kHz时，
DF = 50％
RL = 75
VO
iild621_02
-40
-20
0
20
40
60
80
100
iild621_05
TA - 环境温度 - °C
图。 2非饱和开关时间
图。 5最大LED电流与环境温度
200
IF
PLED - LED电源 - 毫瓦
150
V
O
t
D
t
R
t
PLH
V
TH
= 1.5 V
t
PHL
t
S
t
F
100
50
iild621_03
0
-60 -40
iild621_06
-20
0
20
40
60
TA - 环境温度 - °C
80
100
图。 3饱和开关时间
图。 6最大的LED功率耗散
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ILD621 / GB / ILQ621 / GB
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出（双通道，四通道）
特点
备用电源，以TLP621-2 / -4和
TLP621GB-2/-4
高集电极 - 发射极电压BV
首席执行官
=70 V
双核和四包的特点：
- 更低的引脚和零件计数
- 更好的通道间匹配CTR
- 改进的共模抑制
隔离测试电压5300 V
RMS
双通道
A 1
C 2
A 3
C 4
8 C
7 E
6 C
5 E
机构认证
UL文件＃ E52744系统代码H或按J
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
BSI IEC60950 IEC60965
FIMKO
四通道
A
1
C
2
A
3
C
A
C
4
5
6
16
C
15
E
14
C
13
E
12
C
11
E
10
C
9
E
描述
在ILD621 / ILQ621和ILD621GB / ILQ621GB是
使用多通道光电晶体管光电耦合器
砷化镓IRLED发射器和高增益的NPN硅光子
totransistors 。这些装置的构造采用
双层成型保温技术。本次大会
流程提供7500伏直流耐压试验电压。
在ILD621 / ILQ621GB非常适合的CMOS接口
面对给出的CTR
CE坐
30 ％，最低为我的
F
of
1.0毫安。高增益的线性运算是由一个保
最低CTR
CE
在5.0毫安100％。该ILD / Q621
有保证的点击率
CE
50 ％，最低为5.0毫安。
透明的离子护盾保证稳定的直流增益
在应用中，如电源反馈税务局局长
cuits ，在恒定的直流V
IO
电压存在。
i179054
A
7
C
8
订购信息
部分
ILD621
ILD621GB
ILQ621
ILQ621GB
ILD621-X006
ILD621-X007
ILD621-X009
ILD621GB-X007
ILQ621-X006
ILQ621-X007
ILQ621-X009
ILQ621GB-X006
ILQ621GB-X007
ILQ621GB-X009
备注
CTR > 50 ％ ， DIP- 8
CTR > 100 ％ ， DIP- 8
CTR > 50 ％ ， DIP- 16
CTR > 100 ％ ， DIP- 16
CTR > 50 ％ ， DIP - 8 400万（选项6 ）
CTR > 50 ％ ， SMD - 8 （选项7 ）
CTR > 50 ％ ， SMD - 8 （选件9 ）
CTR > 100 ％ ， SMD - 8 （选项7 ）
CTR > 50 ％ ， DIP - 8 400万（选项6 ）
CTR > 50 ％ ， SMD - 16 （选项7 ）
CTR > 50 ％ ， SMD - 16 （可选9 ）
CTR > 100 ％ ， DIP- 16 400密耳（选项6 ）
CTR > 100 ％ ， SMD - 16 （选项7 ）
CTR > 100 ％ ， SMD - 16 （可选9 ）
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
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ILD621 / GB / ILQ621 / GB
威世半导体
绝对最大额定值
日前，Vishay
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
从25° C减免
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60毫安
1.5
100
1.33
单位
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
产量
参数
集电极发射极反向
电压
集电极电流
吨< 1.0毫秒
功耗
从25° C减免
测试条件
符号
V
ECO
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
50
100
150
- 2.0
单位
V
mA
mA
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
绝缘测试电压
包装耗散
从25° C减免
包装耗散
从25° C减免
爬电距离
净空
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
储存温度
工作温度
结温
焊接温度
2.0毫米从外壳底部
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
ILQ621
ILQ621GB
测试条件
T = 1.0秒。
ILD621
ILD621GB
部分
符号
V
ISO
价值
5300
400
400
5.33
500
500
6.67
≥
7.0
≥
7.0
≥
10
12
≥
10
11
- 55 + 150
- 55 + 100
100
260
单位
V
RMS
mW
mW
毫瓦/°C的
mW
mW
毫瓦/°C的
mm
mm
°C
°C
°C
°C
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电气特性
ILD621 / GB / ILQ621 / GB
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
热阻，结到
领导
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
F
= 0中，f = 1.0兆赫
符号
V
F
I
R
C
O
R
thJL
民
1.0
典型值。
1.15
0.01
40
750
最大
1.3
10
单位
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
集电极 - 射极漏泄
当前
热阻，结到
领导
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 24 V
符号
C
CE
I
首席执行官
I
首席执行官
R
thJL
民
典型值。
6.8
10
20
500
100
50
最大
单位
pF
nA
A
K / W
耦合器
参数
电容（输入输出）
绝缘电阻
通道间隔离
集电极 - 发射极饱和
电压
I
F
= 8.0毫安，我
CE
= 2.4毫安
I
F
= 1.0毫安，我
CE
- 0.2毫安
ILD621
ILQ621
ILD621GB
ILQ621GB
V
CESAT
V
CESAT
测试条件
V
IO
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IO
= 500 V
部分
符号
C
IO
民
0.8
10
12
500
0.4
0.4
典型值。
最大
单位
pF
VAC
V
V
电流传输比
参数
通道/通道CTR比赛
电流传输比
（集电极 - 发射极饱和的）
测试条件
I
F
= 5.0毫安， V
CE
= 5.0 V
I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.4 V
ILD621
ILQ621
ILD621GB
ILQ621GB
电流传输比
（集电极 - 发射极）
I
F
= 5.0毫安， V
CE
= 5.0 V
ILD621
ILQ621
ILD621GB
ILQ621GB
部分
符号
CTRX /
CTRY
CTR
CES
at
民
1对1
典型值。
最大
3比1
单位
60
30
50
100
80
200
600
600
%
%
%
%
CTR
CES
at
CTR
CE
CTR
CE
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ILD621 / GB / ILQ621 / GB
威世半导体
开关特性
非饱和的切换定时
参数
准时
上升时间
OFF时间
下降时间
传播H-L
传播L-H
饱和开关时间
参数
准时
上升时间
OFF时间
下降时间
传播H-L
传播L-H
测试条件
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 1.0 KΩ ，V
TH
= 1.5 V
符号
t
on
t
r
t
关闭
t
f
t
PHL
t
PLH
民
典型值。
4.3
2.8
2.5
11
2.6
7.2
最大
测试条件
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
I
F
= - 10毫安，V
CC
= 5.0 V,
R
L
= 75
,
V型50 ％
PP
符号
t
on
t
r
t
关闭
t
f
t
PHL
t
PLH
民
典型值。
3.0
2.0
2.3
2.0
1.1
2.5
最大
日前，Vishay
单位
s
s
s
s
s
s
单位
s
s
s
s
s
s
共模瞬态抗扰度
参数
共模抑制输出
高
共模抑制输出
低
测试条件
V
CM
= 50 V
P-P
, R
L
= 1.0 K,
I
F
= 0毫安
V
CM
= 50 V
P-P
, R
L
= 1.0 K,
I
F
= 10毫安
符号
CM
H
CM
L
民
典型值。
5000
5000
最大
单位
V / μs的
V / μs的
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威世半导体
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
I
F
F = 10 kHz时，
DF = 50％
t
PLH
V
O
t
PLH
t
S
50%
VCC = 5 V
RL
VO
t
D
iild621_01
t
R
t
F
iild621_04
图。 1非饱和的切换定时
图。 4饱和开关时间
120
IF - 最大LED电流 - 毫安
100
80
60
40
20
0
-60
TJ （ MAX） = 100℃
VCC = 5 V
IF = 10毫安
F = 10 kHz时，
DF = 50％
RL = 75
VO
iild621_02
-40
-20
0
20
40
60
80
100
iild621_05
TA - 环境温度 - °C
图。 2非饱和开关时间
图。 5最大LED电流与环境温度
200
IF
PLED - LED电源 - 毫瓦
150
V
O
t
D
t
R
t
PLH
V
TH
= 1.5 V
t
PHL
t
S
t
F
100
50
iild621_03
0
-60 -40
iild621_06
-20
0
20
40
60
TA - 环境温度 - °C
80
100
图。 3饱和开关时间
图。 6最大的LED功率耗散
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QQ：2880707522 复制
