IL250/251/252/ILD250/251/252
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，AC输入，具有基地
连接
单通道
的A / C 1
C / A 2
NC 3
6 B
5 C
4 E
特点
AC或无极性输入
内置反极性输入保护
改进的对称性CTR
工业标准DIP封装
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
双通道
A
C
A
C
1
2
3
4
8 E
7 C
6 C
5 E
应用
适用于AC信号的检测和监控
i179024
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
描述
该IL250 /二百五十二分之二百五十一/ ILD250 /二百五十二分之二百五十一是双向输入
光耦合隔离器由两个砷化镓
耦合到每一个硅NPN晶体管的红外发光二极管
通道。
该IL250 / ILD250有50 ％的最低点击率，在IL251 /
ILD251具有20 ％的最小的点击率和IL252 / ILD252
具有100 ％的最小的点击率。
该IL250 / IL251 / IL252是单通道光耦合器。该
ILD250 / ILD251 / ILD252有两个独立的通道，单
DIP封装。
CSA 93751
BSI IEC 60950 ; IEC 60065
DIN EN 60747-5-5可用的选项1
订购信息
部分
IL250
IL251
IL252
ILD250
ILD251
ILD252
IL250-X007
IL250-X009
IL251-X009
IL252-X007
IL252-X009
ILD250-X009
ILD251-X006
ILD251-X007
ILD251-X009
ILD252-X009
备注
CTR > 50 ％ ，单通道DIP - 6
CTR > 20 ％ ，单通道DIP - 6
CTR > 100 ％ ，单通道DIP - 6
CTR > 50 ％ ，双通道DIP- 8
CTR > 20 ％ ，双通道DIP- 8
CTR > 100 ％ ，双通道DIP- 8
CTR > 50 ％ ，单通道SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 50 ％ ，单通道SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 20 ％ ，单通道SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 100 ％ ，单通道SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 100 ％ ，单通道SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 50 ％ ，双通道SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 20 ％ ，双通道DIP - 8 400万（选项6 ）
CTR > 20 ％ ，双通道SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 20 ％ ，双通道SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 100 ％ ，双通道SMD - 6 （选件9 ）
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
文档编号： 83618
修订版1.4 ， 09- 08年5月
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
335
IL250/251/252/ILD250/251/252
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
AC输入，具有基本连接
绝对最大额定值
参数
输入
正向连续电流
功耗
从25° C减免线性
产量
集电极发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极基极击穿电压
功耗单通道
功耗双通道
从25℃单通道线性降额
从25℃的双通道线性降额
耦合器
隔离测试电压（发射极之间
和探测器简称气候标准23 ° C /
相对湿度50％ ，DIN 50014 ）
爬电距离
间隙距离
绝缘电阻
总功耗单通道
总功耗双通道
从25℃单通道线性降额
从25℃的双通道线性降额
储存温度
工作温度
铅焊接时间在260℃
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
P
合计
P
合计
I
F
P
DISS
60
100
1.33
30
5.0
70
200
150
2.6
2.0
mA
mW
毫瓦/°C的
V
V
V
mW
mW
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
测试条件
符号
价值
单位
BV
首席执行官
BV
EBO
BV
CBO
P
DISS
P
DISS
V
ISO
5300
≥
7.0
≥
7.0
10
12
10
11
250
400
3.3
5.3
- 55至+ 150
- 55至+ 100
10
V
RMS
mm
mm
Ω
Ω
mW
mW
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
°C
°C
s
T
英镑
T
AMB
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不暗示
在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。置身于绝对最大额定值
的长时间可不利地影响可靠性。
电气特性
参数
输入
正向电压
产量
集电极发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极基极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
耦合器
集电极 - 发射极饱和电压
I
F
= ±16 mA时，我
C
= 2.0毫安
V
CESAT
0.4
V
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
I
C
= 1.0毫安
I
E
= 100 A
I
C
= 10 A
V
CE
= 10 V
BV
首席执行官
BV
EBO
BV
CBO
I
首席执行官
30
7.0
70
50
10
90
5.0
50
V
V
V
nA
I
F
= - 10毫安
V
F
1.2
1.5
V
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
www.vishay.com
336
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83618
修订版1.4 ， 09- 08年5月
IL250/251/252/ILD250/251/252
光电耦合器，光电晶体管输出，
AC输入，具有基本连接
电流传输比
参数
直流电流传输比
对称（ CTR在+ 10 mA）的/
（ CTR在-10毫安）
测试条件
I
F
= - 10毫安，V
CE
= 10 V
部分
IL250/ILD250
IL251/ILD251
IL251/ILD251
符号
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
分钟。
50
20
100
0.50
1.0
2.0
典型值。
马克斯。
单位
%
%
%
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1.5
归
要：
I
F
-
LED正向电流（mA ）
60
NCTR
-
归
CTR
40
- 55 °C
20
25 °C
V
CE
= 10
V,
I
F
= 10毫安，T
A
= 25 °C
CTRce （SAT）
V
CE
= 0.4
V
1.0
中T = 50℃
A
0
85
°C
- 20
- 40
- 60
- 1.5
0.5
NCTR （ SAT ）
NCTR
0.0
0.1
1
10
100
- 1.0
- 0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
iil250_01
V
F
- LED正向
电压
iil250_03
如果 - LED电流（mA ）
图。 1 - LED正向电流vs.Forward电压
图。 3 - 归非饱和与饱和CTR与LED
当前
1.5
1.5
归
要：
V
CE
= 10
V
, I
F
= 10毫安
T
A
= 25 °C
NCTR
-
归
CTR
NCTR
-
归
CTR
归
要：
V
CE
= 10
V,
I
F
= 10毫安
吨= 25°C
A
1.0
CTRce （SAT）
V
CE
= 0.4
V
T
A
= 70 °C
0.5
NCTR （ SAT ）
NCTR
0.0
1.0
CTRce （SAT）
V
CE
= 0.4
V
0.5
NCTR （ SAT ）
NCTR
0.0
0.1
1
10
100
0.1
iil250_04
1
10
100
iil250_02
I
F
- LED电流（mA ）
I
F
- LED电流（mA ）
图。 2 - 归非饱和与饱和CTR与LED
当前
图。 4 - 归非饱和与饱和CTR与LED
当前
文档编号： 83618
修订版1.4 ， 09- 08年5月
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
337
IL250/251/252/ILD250/251/252
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
AC输入，具有基本连接
1.5
1.5
NCTR
cb
-
归
CTR
cb
NCTR
-
归
CTR
归
要：
V
CE
= 10
V
I
F
= 10毫安，T = 25°C
,
A
CTRce （SAT）
V
CE
= 0.4
V
1.0
T =
85
°C
A
归
要：
I
F
= 10
mA
1.0
V
CB
= 9.3
V
T
A
=
25 °C
0.5
NCTR （ SAT ）
0.0
0.1
1
1
0
NCTR
100
0.5
25 °C
50 °C
70 °C
0.0
0.1
1
10
100
iil250_05
I
F
- LED电流（mA ）
iil250_08
I
F
- LED电流（mA ）
图。 5 - 归非饱和与饱和CTR对比
LED电流
图。 8 - 归CTR
CB
与LED电流和温度
35
1000
T
A
= 25 °C
I
CE
- 集电极电流（毫安）
I
CE
- 集电极基
光电流（ μA ）
30
25
20
15
10
5
0
0
10
20
30
40
50
60
25 °C
85
°C
70 °C
50 °C
100
10
1
0.1
I
CB
= 1.0357 *I
F
^ 1.3631
0.01
0.1
iil250_09
1
10
100
iil250_06
I
F
- LED电流（mA ）
I
F
- LED电流（mA ）
图。 6 - 集电极发射极电流与温度和LED电流
10
5
图。 9 - 集电极基地光电流与LED电流
10
I
首席执行官
- 集电极 - 发射极（ NA）
10
3
10
2
10
1
10
0
10
-1
10
-2
- 20
V
CE
= 10
V
典型
归
光
10
4
归
要：
I
F
= 10毫安，T = 25°C
1
0.1
NIB -T
A
= - 20 °C
NIB ，T
A
= 25 °C
NIB ，T
A
= 50 °C
NIB ，T
A
= 70 °C
0.01
0
20
40
60
80
100
iil250_10
0.1
1
10
100
iil250_07
牛逼 - 环境温度（ ° C）
A
I
F
- LED电流（mA ）
图。 7 - 集电极发射极漏电流vs.Temperature
图。 10 - 归光电流与我
F
和温度
www.vishay.com
338
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83618
修订版1.4 ， 09- 08年5月
IL250/251/252/ILD250/251/252
光电耦合器，光电晶体管输出，
AC输入，具有基本连接
威世半导体
1.2
70 °C
归
要：
I
B
= 20
A
V
CE
= 10
V
T
A
= 25 °C
V
O
0.6
V
TH
= 1.5
V
0.4
1
iil250_11
Nh
FE
-
归
h
FE
50 °C
1.0
25 °C
- 20 °C
0.8
I
F
t
D
t
R
t
PLH
t
PH L
10
100
1000
iil250_14
t
S
t
F
I
B
- 基本电流（ μA ）
图。 14 - 定时开关
图。 11 - 不归饱和
FE
与
基极电流和温度
1.5
70 °C
50 °C
25 °C
归
要：
V
CE
= 10
V
I
B
= 20
A
吨= 25°C
A
Nh
FE （ SAT ）
-
归
饱和
FE
V
CC = 5
V
F = 10 kHz时，
DF = 50
%
1.0
- 20 °C
RL
V
O
0.5
V
CE
= 0.4
V
0.0
1
10
100
1000
iil250_15
IF = 10毫安
I
B
- 基本电流（ μA ）
iil250_12
图。 12 - 归饱和
FE
与
基极电流和温度
图。 15 - 开关电路图
t
PLH
- 传播延迟（微秒）
TA = 25 ° C， IF = 10毫安
V
CC
= 5
V， Vth的
= 1
V
.5
t
PHL
100
2.0
10
t
PLH
1
0.1
1
10
1.5
1.0
100
iil250_13
R
L
- 集电极负载电阻值（kΩ ）
图。 13 - 传输延迟与集电极负载电阻
t
PHL
- 传播延迟（微秒）
1000
2.5
文档编号： 83618
修订版1.4 ， 09- 08年5月
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
339
日前，Vishay
IL250 /二百五十二分之二百五十一/ ILD250 / 252分之251
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，AC输入，具有基地
连接
单通道
特点
AC或无极性输入
内置反极性输入保护
提高点击率对称性
行业标准DIP封装
的A / C 1
C / A 2
NC 3
双通道
A
A
C
i179024
6 B
5 C
4 E
机构认证
UL文件＃ E52744系统代码H或按J
CSA 93751
BSI IEC60950 IEC60965
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
1
3
4
8 E
7 C
6 C
5 E
C 2
订购信息
部分
IL250
IL251
IL252
ILD250
ILD251
ILD252
IL250-X007
IL250-X009
IL251-X009
IL252-X007
IL252-X009
ILD250-X009
ILD251-X006
ILD251-X007
ILD251-X009
ILD252-X009
备注
CTR > 50 ％ ，单通道DIP - 6
CTR > 20 ％ ，单通道DIP - 6
CTR > 100 ％ ，单通道DIP - 6
CTR > 50 ％ ，双通道DIP- 8
CTR > 20 ％ ，双通道DIP- 8
CTR > 100 ％ ，双通道DIP- 8
CTR > 50 ％ ，单通道SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 50 ％ ，单通道SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 20 ％ ，单通道SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 100 ％ ，单通道SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 100 ％ ，单通道SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 50 ％ ，双通道SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 20 ％ ，双通道DIP - 8 400万（选件
6)
CTR > 20 ％ ，双通道SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 20 ％ ，双通道SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 100 ％ ，双通道SMD - 6 （选件9 ）
应用
理想的交流信号的检测和监测。
描述
该IL250 /二百五十二分之二百五十一/ ILD250 /二百五十二分之二百五十一是双向传输
tional输入光耦合隔离器组成的
耦合到一个sili- 2砷化镓红外发光二极管
精读每通道NPN光电晶体管。
该IL250 / ILD / 250有50 ％的最低点击率，
在IL251 / ILD251有20 ％的最低点击率，
和IL252 / ILD252具有100 ％的最小的点击率。
该IL250 / IL251 / IL252是单通道光耦合器
plers 。在ILD250 / ILD251 / ILD252有两个隔离
通道在一个单一的DIP封装。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83618
修订版1.3 ， 20 -APR- 04
www.vishay.com
1
IL250 /二百五十二分之二百五十一/ ILD250 / 252分之251
威世半导体
绝对最大额定值
日前，Vishay
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
正向连续电流
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
I
F
P
DISS
价值
60
100
1.33
单位
mA
mW
毫瓦/°C的
产量
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
功耗单通道
功耗双通道
从25℃单通道线性降额
从25℃的双通道线性降额
测试条件
符号
BV
首席执行官
BV
EBO
BV
CBO
P
DISS
P
DISS
价值
30
5.0
70
200
150
2.6
2.0
单位
V
V
V
mW
mW
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
耦合器
参数
隔离测试电压（间
发射器和检测器被称为
气候标准
23 ℃/ 50 ％ RH ， DIN 50014 ）
爬电距离
净空
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
总功耗单通道
总功耗双通道
25 °C单减免线性
通道
在25℃的双降额直线
通道
储存温度
工作温度
铅焊接时间在260℃
T
英镑
T
AMB
R
IO
R
IO
P
合计
P
合计
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
10
12
10
11
250
400
3.3
5.3
- 55至+ 150
- 55至+ 100
10
mm
mm
mW
mW
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
°C
°C
美国证券交易委员会。
www.vishay.com
2
文档编号83618
修订版1.3 ， 20 -APR- 04
日前，Vishay
电气特性
IL250 /二百五十二分之二百五十一/ ILD250 / 252分之251
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
测试条件
I
F
= - 10毫安
符号
V
F
民
典型值。
1.2
最大
1.5
单位
V
产量
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
测试条件
I
C
= 1.0毫安
I
E
= 100
A
I
C
= 10
A
V
CE
= 10 V
符号
BV
首席执行官
BV
EBO
BV
CBO
I
首席执行官
民
30
7.0
70
典型值。
50
10
90
5.0
50
最大
单位
V
V
V
nA
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
测试条件
I
F
= ±16 mA时，我
C
= 2.0毫安
符号
V
CESAT
民
典型值。
最大
0.4
单位
V
电流传输比
参数
直流电流传输比
测试条件
I
F
= - 10毫安，V
CE
= 10 V
部分
ILD250
ILD251
ILD252
对称（ CTR @ + 10 mA）的/
（ CTR @ -10毫安）
符号
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
民
50
20
100
0.50
1.0
2.0
典型值。
最大
单位
%
%
%
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
60
IF - LED正向电流 - 毫安
NCTR - 归CTR
1.5
40
-55°C
20
25°C
0
-20
-40
-60
-1.5
85°C
1.0
标准化为：
VCE = 10V ， IF = 10毫安
TA = 25℃
CTRce （SAT）的Vce = 0.4 V
0.5
NCTR （ SAT ）
NCTR
0.0
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
.1
iil250_02
1
10
100
VF - LED的正向电压 - V
iil250_01
I F - LED电流 - 毫安
图。 1 LED正向电流vs.Forward电压
图。 2归非饱和与饱和CTR与LED
当前
文档编号83618
修订版1.3 ， 20 -APR- 04
www.vishay.com
3
IL250 /二百五十二分之二百五十一/ ILD250 / 252分之251
威世半导体
日前，Vishay
1.5
冰 - 集电极电流 - 毫安
NCTR - 归CTR
标准化为：
VCE = 10V ， IF = 10 mA时， TA = 25℃
ˇ
CTRce （SAT）的Vce = 0.4 V
1.0
TA = 50℃
35
30
25
20
15
10
5
0
25°C
85°C
70°C
50°C
0.5
NCTR （ SAT ）
NCTR
0.0
.1
1
10
100
I F - LED电流 - 毫安
0
iil250_06
10
20
30
40
50
60
iil250_03
IF - LED电流 - 毫安
图。 3归非饱和与饱和CTR与LED
当前
图。 6集电极 - 发射极电流与温度和LED
当前
1.5
NCTR - 归CTR
ICEO - 集电极发射极 - NA
10 5
标准化为：
VCE = 10V ， IF = 10毫安
TA = 25℃
10 4
10 3
10 2
10 1
10 0
10 -1
10 -2
-20
0
20
40
60
80
100
VCE = 10 V
典型
1.0
CTRce （SAT）的Vce = 0.4 V
TA = 70℃
0.5
NCTR （ SAT ）
NCTR
0.0
.1
1
10
I F - LED电流 - 毫安
100
iil250_04
iil250_07
TA - 环境温度 - °C
图。 4归一化的非饱和的，饱和的点击率与LED
当前
图。 7集电极 - 发射极漏电流vs.Temp 。
1.5
NCTRcb - 归CTRcb
NCTR - 归CTR
1.5
标准化为：
V CE = 10 V ， I F = 10 mA时， TA = 25℃
CTRce （SAT）的Vce = 0.4 V
标准化为：
IF = 10毫安
VCB = 9.3 V
TA = 25°C
1.0
TA = 85°C
1.0
0.5
NCTR （ SAT ）
NCTR
.1
1
10
IF - LED电流 - 毫安
100
0.5
25°C
50°C
70°C
0.0
.1
1
10
100
IF - LED电流 - 毫安
0.0
iil250_05
iil250_08
图。 5归一化的非饱和的和饱和的点击率与LED
当前
图。 8归CTR
cb
与LED电流和温度
www.vishay.com
4
文档编号83618
修订版1.3 ， 20 -APR- 04
日前，Vishay
IL250 /二百五十二分之二百五十一/ ILD250 / 252分之251
威世半导体
1000
TA = 25°C
NHFE （SAT） -Normalized
饱和HFE
1.5
70°C
50°C
25°C
100
ICB - 集电极基地
光 -
A
标准化为：
VCE = 10 V
I B = 20
A
TA = 25°C
ICB = 1.0357 * IF ^ 1.3631
1.0
10
1
.1
.01
.1
-20°C
0.5
V CE = 0.4 V
0.0
1
10
100
1000
I B - 基本电流 - （ μA ）
1
10
IF - LED电流 - 毫安
100
iil250_12
iil250_09
图。 9集电极基光电流与LED电流
图。 12归饱和HFE与基极电流
温度
10
TPLH - 传播延迟
s
归一化的光电流
1
100
2.0
.1
NIB -TA
= -20°C
笔尖，
TA = 25°C
笔尖，
TA = 50℃
笔尖，
TA = 70℃
10
TPLH
1
1.5
1.0
.1
1
10
100
RL - 集电极负载电阻 - KΩ
.01
.1
iil250_10
1
10
100
iil250_13
F I - LED电流 - 毫安
图。 10归一化光电流与我
F
和温度。
图。 13传播延迟与集电极负载电阻
1.2
NHFE - 归HFE
70°C
50°C
25°C
-20°C
1.0
标准化为：
I B = 20
A
VCE = 10 V
TA = 25°C
IF
0.8
VO
0.6
tD
tR
TPLH
VTH = 1.5 V
0.4
1
iil250_11
的TPH1
10
100
1000
iil250_14
tS
tF
IB - 基极电流 -
A
图。 11归非饱和HFE与基极电流
温度
图。 14开关时间
文档编号83618
修订版1.3 ， 20 -APR- 04
www.vishay.com
5
的TPH1 - 传播延迟
s
标准化为：
IF = 10毫安，T = 25°C
1000
TA = 25°C ， IF = 10毫安
VCC = 5 V ， Vth的= 1.5 V
的TPH1
2.5
日前，Vishay
IL250 /二百五十二分之二百五十一/ ILD250 / 252分之251
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，AC输入，具有基地
连接
单通道
特点
AC或无极性输入
内置反极性输入保护
提高点击率对称性
行业标准DIP封装
的A / C 1
C / A 2
NC 3
双通道
A
A
C
i179024
6 B
5 C
4 E
机构认证
UL文件＃ E52744系统代码H或按J
CSA 93751
BSI IEC60950 IEC60965
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
1
3
4
8 E
7 C
6 C
5 E
C 2
订购信息
部分
IL250
IL251
IL252
ILD250
ILD251
ILD252
IL250-X007
IL250-X009
IL251-X009
IL252-X007
IL252-X009
ILD250-X009
ILD251-X006
ILD251-X007
ILD251-X009
ILD252-X009
备注
CTR > 50 ％ ，单通道DIP - 6
CTR > 20 ％ ，单通道DIP - 6
CTR > 100 ％ ，单通道DIP - 6
CTR > 50 ％ ，双通道DIP- 8
CTR > 20 ％ ，双通道DIP- 8
CTR > 100 ％ ，双通道DIP- 8
CTR > 50 ％ ，单通道SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 50 ％ ，单通道SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 20 ％ ，单通道SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 100 ％ ，单通道SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 100 ％ ，单通道SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 50 ％ ，双通道SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 20 ％ ，双通道DIP - 8 400万（选件
6)
CTR > 20 ％ ，双通道SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 20 ％ ，双通道SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 100 ％ ，双通道SMD - 6 （选件9 ）
应用
理想的交流信号的检测和监测。
描述
该IL250 /二百五十二分之二百五十一/ ILD250 /二百五十二分之二百五十一是双向传输
tional输入光耦合隔离器组成的
耦合到一个sili- 2砷化镓红外发光二极管
精读每通道NPN光电晶体管。
该IL250 / ILD / 250有50 ％的最低点击率，
在IL251 / ILD251有20 ％的最低点击率，
和IL252 / ILD252具有100 ％的最小的点击率。
该IL250 / IL251 / IL252是单通道光耦合器
plers 。在ILD250 / ILD251 / ILD252有两个隔离
通道在一个单一的DIP封装。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83618
修订版1.3 ， 20 -APR- 04
www.vishay.com
1
IL250 /二百五十二分之二百五十一/ ILD250 / 252分之251
威世半导体
绝对最大额定值
日前，Vishay
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
正向连续电流
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
I
F
P
DISS
价值
60
100
1.33
单位
mA
mW
毫瓦/°C的
产量
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
功耗单通道
功耗双通道
从25℃单通道线性降额
从25℃的双通道线性降额
测试条件
符号
BV
首席执行官
BV
EBO
BV
CBO
P
DISS
P
DISS
价值
30
5.0
70
200
150
2.6
2.0
单位
V
V
V
mW
mW
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
耦合器
参数
隔离测试电压（间
发射器和检测器被称为
气候标准
23 ℃/ 50 ％ RH ， DIN 50014 ）
爬电距离
净空
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
总功耗单通道
总功耗双通道
25 °C单减免线性
通道
在25℃的双降额直线
通道
储存温度
工作温度
铅焊接时间在260℃
T
英镑
T
AMB
R
IO
R
IO
P
合计
P
合计
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
10
12
10
11
250
400
3.3
5.3
- 55至+ 150
- 55至+ 100
10
mm
mm
mW
mW
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
°C
°C
美国证券交易委员会。
www.vishay.com
2
文档编号83618
修订版1.3 ， 20 -APR- 04
日前，Vishay
电气特性
IL250 /二百五十二分之二百五十一/ ILD250 / 252分之251
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
测试条件
I
F
= - 10毫安
符号
V
F
民
典型值。
1.2
最大
1.5
单位
V
产量
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
测试条件
I
C
= 1.0毫安
I
E
= 100
A
I
C
= 10
A
V
CE
= 10 V
符号
BV
首席执行官
BV
EBO
BV
CBO
I
首席执行官
民
30
7.0
70
典型值。
50
10
90
5.0
50
最大
单位
V
V
V
nA
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
测试条件
I
F
= ±16 mA时，我
C
= 2.0毫安
符号
V
CESAT
民
典型值。
最大
0.4
单位
V
电流传输比
参数
直流电流传输比
测试条件
I
F
= - 10毫安，V
CE
= 10 V
部分
ILD250
ILD251
ILD252
对称（ CTR @ + 10 mA）的/
（ CTR @ -10毫安）
符号
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
民
50
20
100
0.50
1.0
2.0
典型值。
最大
单位
%
%
%
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
60
IF - LED正向电流 - 毫安
NCTR - 归CTR
1.5
40
-55°C
20
25°C
0
-20
-40
-60
-1.5
85°C
1.0
标准化为：
VCE = 10V ， IF = 10毫安
TA = 25℃
CTRce （SAT）的Vce = 0.4 V
0.5
NCTR （ SAT ）
NCTR
0.0
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
.1
iil250_02
1
10
100
VF - LED的正向电压 - V
iil250_01
I F - LED电流 - 毫安
图。 1 LED正向电流vs.Forward电压
图。 2归非饱和与饱和CTR与LED
当前
文档编号83618
修订版1.3 ， 20 -APR- 04
www.vishay.com
3
IL250 /二百五十二分之二百五十一/ ILD250 / 252分之251
威世半导体
日前，Vishay
1.5
冰 - 集电极电流 - 毫安
NCTR - 归CTR
标准化为：
VCE = 10V ， IF = 10 mA时， TA = 25℃
ˇ
CTRce （SAT）的Vce = 0.4 V
1.0
TA = 50℃
35
30
25
20
15
10
5
0
25°C
85°C
70°C
50°C
0.5
NCTR （ SAT ）
NCTR
0.0
.1
1
10
100
I F - LED电流 - 毫安
0
iil250_06
10
20
30
40
50
60
iil250_03
IF - LED电流 - 毫安
图。 3归非饱和与饱和CTR与LED
当前
图。 6集电极 - 发射极电流与温度和LED
当前
1.5
NCTR - 归CTR
ICEO - 集电极发射极 - NA
10 5
标准化为：
VCE = 10V ， IF = 10毫安
TA = 25℃
10 4
10 3
10 2
10 1
10 0
10 -1
10 -2
-20
0
20
40
60
80
100
VCE = 10 V
典型
1.0
CTRce （SAT）的Vce = 0.4 V
TA = 70℃
0.5
NCTR （ SAT ）
NCTR
0.0
.1
1
10
I F - LED电流 - 毫安
100
iil250_04
iil250_07
TA - 环境温度 - °C
图。 4归一化的非饱和的，饱和的点击率与LED
当前
图。 7集电极 - 发射极漏电流vs.Temp 。
1.5
NCTRcb - 归CTRcb
NCTR - 归CTR
1.5
标准化为：
V CE = 10 V ， I F = 10 mA时， TA = 25℃
CTRce （SAT）的Vce = 0.4 V
标准化为：
IF = 10毫安
VCB = 9.3 V
TA = 25°C
1.0
TA = 85°C
1.0
0.5
NCTR （ SAT ）
NCTR
.1
1
10
IF - LED电流 - 毫安
100
0.5
25°C
50°C
70°C
0.0
.1
1
10
100
IF - LED电流 - 毫安
0.0
iil250_05
iil250_08
图。 5归一化的非饱和的和饱和的点击率与LED
当前
图。 8归CTR
cb
与LED电流和温度
www.vishay.com
4
文档编号83618
修订版1.3 ， 20 -APR- 04
日前，Vishay
IL250 /二百五十二分之二百五十一/ ILD250 / 252分之251
威世半导体
1000
TA = 25°C
NHFE （SAT） -Normalized
饱和HFE
1.5
70°C
50°C
25°C
100
ICB - 集电极基地
光 -
A
标准化为：
VCE = 10 V
I B = 20
A
TA = 25°C
ICB = 1.0357 * IF ^ 1.3631
1.0
10
1
.1
.01
.1
-20°C
0.5
V CE = 0.4 V
0.0
1
10
100
1000
I B - 基本电流 - （ μA ）
1
10
IF - LED电流 - 毫安
100
iil250_12
iil250_09
图。 9集电极基光电流与LED电流
图。 12归饱和HFE与基极电流
温度
10
TPLH - 传播延迟
s
归一化的光电流
1
100
2.0
.1
NIB -TA
= -20°C
笔尖，
TA = 25°C
笔尖，
TA = 50℃
笔尖，
TA = 70℃
10
TPLH
1
1.5
1.0
.1
1
10
100
RL - 集电极负载电阻 - KΩ
.01
.1
iil250_10
1
10
100
iil250_13
F I - LED电流 - 毫安
图。 10归一化光电流与我
F
和温度。
图。 13传播延迟与集电极负载电阻
1.2
NHFE - 归HFE
70°C
50°C
25°C
-20°C
1.0
标准化为：
I B = 20
A
VCE = 10 V
TA = 25°C
IF
0.8
VO
0.6
tD
tR
TPLH
VTH = 1.5 V
0.4
1
iil250_11
的TPH1
10
100
1000
iil250_14
tS
tF
IB - 基极电流 -
A
图。 11归非饱和HFE与基极电流
温度
图。 14开关时间
文档编号83618
修订版1.3 ， 20 -APR- 04
www.vishay.com
5
的TPH1 - 传播延迟
s
标准化为：
IF = 10毫安，T = 25°C
1000
TA = 25°C ， IF = 10毫安
VCC = 5 V ， Vth的= 1.5 V
的TPH1
2.5
日前，Vishay
IL250 /二百五十二分之二百五十一/ ILD250 / 252分之251
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，AC输入，具有基地
连接
单通道
特点
AC或无极性输入
内置反极性输入保护
提高点击率对称性
行业标准DIP封装
的A / C 1
C / A 2
NC 3
双通道
A
A
C
i179024
6 B
5 C
4 E
机构认证
UL文件＃ E52744系统代码H或按J
CSA 93751
BSI IEC60950 IEC60965
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
1
3
4
8 E
7 C
6 C
5 E
C 2
订购信息
部分
IL250
IL251
IL252
ILD250
ILD251
ILD252
IL250-X007
IL250-X009
IL251-X009
IL252-X007
IL252-X009
ILD250-X009
ILD251-X006
ILD251-X007
ILD251-X009
ILD252-X009
备注
CTR > 50 ％ ，单通道DIP - 6
CTR > 20 ％ ，单通道DIP - 6
CTR > 100 ％ ，单通道DIP - 6
CTR > 50 ％ ，双通道DIP- 8
CTR > 20 ％ ，双通道DIP- 8
CTR > 100 ％ ，双通道DIP- 8
CTR > 50 ％ ，单通道SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 50 ％ ，单通道SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 20 ％ ，单通道SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 100 ％ ，单通道SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 100 ％ ，单通道SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 50 ％ ，双通道SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 20 ％ ，双通道DIP - 8 400万（选件
6)
CTR > 20 ％ ，双通道SMD - 6 （选项7 ）
CTR > 20 ％ ，双通道SMD - 6 （选件9 ）
CTR > 100 ％ ，双通道SMD - 6 （选件9 ）
应用
理想的交流信号的检测和监测。
描述
该IL250 /二百五十二分之二百五十一/ ILD250 /二百五十二分之二百五十一是双向传输
tional输入光耦合隔离器组成的
耦合到一个sili- 2砷化镓红外发光二极管
精读每通道NPN光电晶体管。
该IL250 / ILD / 250有50 ％的最低点击率，
在IL251 / ILD251有20 ％的最低点击率，
和IL252 / ILD252具有100 ％的最小的点击率。
该IL250 / IL251 / IL252是单通道光耦合器
plers 。在ILD250 / ILD251 / ILD252有两个隔离
通道在一个单一的DIP封装。
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83618
修订版1.3 ， 20 -APR- 04
www.vishay.com
1
IL250 /二百五十二分之二百五十一/ ILD250 / 252分之251
威世半导体
绝对最大额定值
日前，Vishay
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
正向连续电流
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
I
F
P
DISS
价值
60
100
1.33
单位
mA
mW
毫瓦/°C的
产量
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
功耗单通道
功耗双通道
从25℃单通道线性降额
从25℃的双通道线性降额
测试条件
符号
BV
首席执行官
BV
EBO
BV
CBO
P
DISS
P
DISS
价值
30
5.0
70
200
150
2.6
2.0
单位
V
V
V
mW
mW
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
耦合器
参数
隔离测试电压（间
发射器和检测器被称为
气候标准
23 ℃/ 50 ％ RH ， DIN 50014 ）
爬电距离
净空
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
总功耗单通道
总功耗双通道
25 °C单减免线性
通道
在25℃的双降额直线
通道
储存温度
工作温度
铅焊接时间在260℃
T
英镑
T
AMB
R
IO
R
IO
P
合计
P
合计
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
10
12
10
11
250
400
3.3
5.3
- 55至+ 150
- 55至+ 100
10
mm
mm
mW
mW
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
°C
°C
美国证券交易委员会。
www.vishay.com
2
文档编号83618
修订版1.3 ， 20 -APR- 04
日前，Vishay
电气特性
IL250 /二百五十二分之二百五十一/ ILD250 / 252分之251
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
测试条件
I
F
= - 10毫安
符号
V
F
民
典型值。
1.2
最大
1.5
单位
V
产量
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
测试条件
I
C
= 1.0毫安
I
E
= 100
A
I
C
= 10
A
V
CE
= 10 V
符号
BV
首席执行官
BV
EBO
BV
CBO
I
首席执行官
民
30
7.0
70
典型值。
50
10
90
5.0
50
最大
单位
V
V
V
nA
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
测试条件
I
F
= ±16 mA时，我
C
= 2.0毫安
符号
V
CESAT
民
典型值。
最大
0.4
单位
V
电流传输比
参数
直流电流传输比
测试条件
I
F
= - 10毫安，V
CE
= 10 V
部分
ILD250
ILD251
ILD252
对称（ CTR @ + 10 mA）的/
（ CTR @ -10毫安）
符号
CTR
DC
CTR
DC
CTR
DC
民
50
20
100
0.50
1.0
2.0
典型值。
最大
单位
%
%
%
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
60
IF - LED正向电流 - 毫安
NCTR - 归CTR
1.5
40
-55°C
20
25°C
0
-20
-40
-60
-1.5
85°C
1.0
标准化为：
VCE = 10V ， IF = 10毫安
TA = 25℃
CTRce （SAT）的Vce = 0.4 V
0.5
NCTR （ SAT ）
NCTR
0.0
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
.1
iil250_02
1
10
100
VF - LED的正向电压 - V
iil250_01
I F - LED电流 - 毫安
图。 1 LED正向电流vs.Forward电压
图。 2归非饱和与饱和CTR与LED
当前
文档编号83618
修订版1.3 ， 20 -APR- 04
www.vishay.com
3
IL250 /二百五十二分之二百五十一/ ILD250 / 252分之251
威世半导体
日前，Vishay
1.5
冰 - 集电极电流 - 毫安
NCTR - 归CTR
标准化为：
VCE = 10V ， IF = 10 mA时， TA = 25℃
ˇ
CTRce （SAT）的Vce = 0.4 V
1.0
TA = 50℃
35
30
25
20
15
10
5
0
25°C
85°C
70°C
50°C
0.5
NCTR （ SAT ）
NCTR
0.0
.1
1
10
100
I F - LED电流 - 毫安
0
iil250_06
10
20
30
40
50
60
iil250_03
IF - LED电流 - 毫安
图。 3归非饱和与饱和CTR与LED
当前
图。 6集电极 - 发射极电流与温度和LED
当前
1.5
NCTR - 归CTR
ICEO - 集电极发射极 - NA
10 5
标准化为：
VCE = 10V ， IF = 10毫安
TA = 25℃
10 4
10 3
10 2
10 1
10 0
10 -1
10 -2
-20
0
20
40
60
80
100
VCE = 10 V
典型
1.0
CTRce （SAT）的Vce = 0.4 V
TA = 70℃
0.5
NCTR （ SAT ）
NCTR
0.0
.1
1
10
I F - LED电流 - 毫安
100
iil250_04
iil250_07
TA - 环境温度 - °C
图。 4归一化的非饱和的，饱和的点击率与LED
当前
图。 7集电极 - 发射极漏电流vs.Temp 。
1.5
NCTRcb - 归CTRcb
NCTR - 归CTR
1.5
标准化为：
V CE = 10 V ， I F = 10 mA时， TA = 25℃
CTRce （SAT）的Vce = 0.4 V
标准化为：
IF = 10毫安
VCB = 9.3 V
TA = 25°C
1.0
TA = 85°C
1.0
0.5
NCTR （ SAT ）
NCTR
.1
1
10
IF - LED电流 - 毫安
100
0.5
25°C
50°C
70°C
0.0
.1
1
10
100
IF - LED电流 - 毫安
0.0
iil250_05
iil250_08
图。 5归一化的非饱和的和饱和的点击率与LED
当前
图。 8归CTR
cb
与LED电流和温度
www.vishay.com
4
文档编号83618
修订版1.3 ， 20 -APR- 04
日前，Vishay
IL250 /二百五十二分之二百五十一/ ILD250 / 252分之251
威世半导体
1000
TA = 25°C
NHFE （SAT） -Normalized
饱和HFE
1.5
70°C
50°C
25°C
100
ICB - 集电极基地
光 -
A
标准化为：
VCE = 10 V
I B = 20
A
TA = 25°C
ICB = 1.0357 * IF ^ 1.3631
1.0
10
1
.1
.01
.1
-20°C
0.5
V CE = 0.4 V
0.0
1
10
100
1000
I B - 基本电流 - （ μA ）
1
10
IF - LED电流 - 毫安
100
iil250_12
iil250_09
图。 9集电极基光电流与LED电流
图。 12归饱和HFE与基极电流
温度
10
TPLH - 传播延迟
s
归一化的光电流
1
100
2.0
.1
NIB -TA
= -20°C
笔尖，
TA = 25°C
笔尖，
TA = 50℃
笔尖，
TA = 70℃
10
TPLH
1
1.5
1.0
.1
1
10
100
RL - 集电极负载电阻 - KΩ
.01
.1
iil250_10
1
10
100
iil250_13
F I - LED电流 - 毫安
图。 10归一化光电流与我
F
和温度。
图。 13传播延迟与集电极负载电阻
1.2
NHFE - 归HFE
70°C
50°C
25°C
-20°C
1.0
标准化为：
I B = 20
A
VCE = 10 V
TA = 25°C
IF
0.8
VO
0.6
tD
tR
TPLH
VTH = 1.5 V
0.4
1
iil250_11
的TPH1
10
100
1000
iil250_14
tS
tF
IB - 基极电流 -
A
图。 11归非饱和HFE与基极电流
温度
图。 14开关时间
文档编号83618
修订版1.3 ， 20 -APR- 04
www.vishay.com
5
的TPH1 - 传播延迟
s
标准化为：
IF = 10毫安，T = 25°C
1000
TA = 25°C ， IF = 10毫安
VCC = 5 V ， Vth的= 1.5 V
的TPH1
2.5
QQ：2880707522 复制
