IL766B
双向输入
光电耦合器
特点
非常高的电流传输比
IL766B - 1 ：在我400 ％
F
= 1毫安， V
CE
=5 V
IL766B - 2 ：在我900 ％
F
= 0.5毫安， V
CE
=5 V
内部研发
BE
为更好的稳定性
= BV
首席执行官
>60 V
隔离测试电压， 5300 VAC
RMS
AC或无极性输入
无底座连接
绝缘电阻高， 10
11
典型
标准塑料DIP封装
美国保险商实验室文件＃ E52744
描述
该IL766B是双向输入，光学cou-
PLED隔离器由两个砷化镓
红外发射器和硅光电复合
传感器。
最大额定值
（25
°
C)
辐射源
（驱动电路）
连续正向电流......................... 60毫安
25功耗
°
.......................... 200毫瓦
从55线性降额
°
...................... 2.6毫瓦/
°
C
探测器
（负载电路）
集电极 - 发射极击穿电压.............. 60 V
集电极 - 基极击穿电压................. 70 V
25功耗
°
C环境........... 200毫瓦
25线性降额
°
...................... 2.6毫瓦/
°
C
包
UL隔离测试电压
（T = 1秒） ....................................... 5300 VAC
RMS
功耗在25
°
..................................... 250毫瓦
25线性降额
°
..................... 3.3毫瓦/
°
C
爬电................................................ 7分钟毫米
通关................................................ 7分钟毫米
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
A
=25
°
C ................................. 10
12
V
IO
= 500 V ，T
A
=100
°
C ............................... 10
11
存储温度-55 ...................
°
C至+150
°
C
工作温度................- 55
°
C至+100
°
C
铅焊接时间在260
°
.................... 10秒。
4°
典型值。
.018 (0.45)
.022 (0.55)
尺寸以英寸（毫米）
3
.248 (6.30)
.256 (6.50)
4
5
6
2
1
脚一ID 。
阳极/
阴极1
阴极/
阳极2
NC 3
6 NC
5收藏家
4发射器
.335 (8.50)
.343 (8.70)
.039
(1.00)
分钟。
.300 (7.62)
典型值。
.130 (3.30)
.150 (3.81)
18 ° （典型值） 。
0.020 （ 0.051 ）分钟。
.031 (0.80)
.035 (0.90)
.100 （ 2.54 ） （典型值） 。
.010 (.25)
.014 (.35)
.300 (7.62)
.347 (8.82)
.110 (2.79)
.150 (3.81)
特征
(T
A
=25
°
C)
符号
辐射源
正向电压
探测器
击穿电压
集电极 - 发射极
漏电流
集电极 - 发射极
包
电流传输
比
IL766B-1
IL766B-2
饱和电压，
集电极 - 发射极
导通，关断
时间
V
CESAT
t
on
, t
关闭
200
CTR
400
900
1.0
%
%
V
s
I
F
=
±
1毫安，
V
CE
=5 V
I
F
=
±
0.5毫安，
V
CE
=5 V
I
C
= 10毫安，
I
F
=
±
10毫安
V
CC
=5 V,
I
F
=
±
2毫安，
R
L
=100
I
首席执行官
1.0
100
nA
V
CE
=10 V,
I
F
=0
BV
首席执行官
60
V
I
C
= 1毫安，
I
F
=0
V
F
1.25
1.5
V
I
F
=
±
10毫安
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
5–1
IL766B
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出， AC输入，内部研发
BE
特点
内部研发
BE
为更好的稳定性
的A / C
1
C / A
2
NC
3
6
NC
5
C
4
E
= BV
首席执行官
< 60 V
隔离测试电压， 5300 V
RMS
AC或无极性输入
无底座连接
绝缘电阻高， 10
11
Ω
典型
标准塑料DIP封装
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
i179040
描述
该IL766B是双向输入，光耦合隔离器
由两个砷化镓红外发射器和一个
硅光电复合传感器。
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
BSI IEC 60950 IEC 60065
订购信息
部分
IL766B-1
IL766B-2
IL766B-2X006
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
CTR > 400 ％ ， DIP - 6
CTR > 900 ％ ， DIP - 6
CTR > 900 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
绝对最大额定值
参数
输入
正向连续电流
功耗
从55°C线性降额
产量
集电极发射极击穿电压
集电极基极击穿电压
功耗
从25° C减免线性
BV
首席执行官
BV
CBO
P
DISS
60
70
200
2.6
V
V
mW
毫瓦/°C的
I
F
P
DISS
60
200
2.6
mA
mW
毫瓦/°C的
测试条件
符号
价值
单位
文档编号： 83644
修订版1.4 ， 09 -NOV- 05
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
1
IL766B
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出， AC
输入，内部研发
BE
绝对最大额定值
参数
耦合器
UL隔离测试电压
总功耗
从25° C减免线性
爬电距离
净空
绝缘电阻
储存温度
工作温度
铅焊接时间在260℃
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T = 1.0秒
V
ISO
P
合计
5300
250
3.3
≥
7
≥
7
10
12
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 150
10
V
RMS
mW
毫瓦/°C的
民
民
Ω
Ω
°C
°C
s
测试条件
符号
价值
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不暗示
在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。置身于绝对最大额定值
的长时间可不利地影响可靠性。
电气特性的影响
参数
输入
正向电压
产量
集电极发射极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
耦合器
集电极 - 发射极，饱和电压
I
C
= ±1.0毫安，我
F
= - 10毫安
V
CESAT
1.0
V
I
C
= 10 mA时，我
F
= 0 A
V
CE
= 10 V，I
F
= 0 A
BV
首席执行官
I
首席执行官
60
1.0
100
V
nA
I
F
= - 10毫安
V
F
1.25
1.5
V
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小和最大值被测试requierements 。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评估。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
电流传输比
参数
饱和电压，集电极 - 发射极
测试条件
I
C
= ±1.0毫安， V
CE
= 5.0 V
I
C
= ±1.0毫安， V
CE
= 5.0 V
部分
IL766B-1
IL766B-2
符号
CTR
CTR
分钟。
400
900
典型值。
马克斯。
单位
%
%
开关特性
参数
打开-O FF时间
测试条件
V
CC
= 5.0 V，I
F
= ± 2.0毫安，R
L
= 100
Ω
符号
t
关闭
分钟。
典型值。
200
马克斯。
单位
s
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2
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83644
修订版1.4 ， 09 -NOV- 05
IL766B
光电耦合器，光电复合输出， AC
威世半导体
输入，内部研发
BE
包装尺寸
以英寸（毫米）
引脚1号
3
0.248 (6.30)
0.256 (6.50)
4
2
1
5
6
ISO方法A
0.335 (8.50)
0.343 (8.70)
0.039
(1.00)
分钟。
4°
典型值。
0.018 (0.45)
0.022 (0.55)
i178004
0.048
(0.45)
0.022 (0.55)
0.130 (3.30)
0.150 (3.81)
0.300 (7.62)
典型值。
18°
0.031 （ 0.80 ）分。
0.031 （ 0.80 ） 3° 9 °
0.035 (0.90)
0.100 （ 2.54 ） TYP 。
0.010 (0.25)
典型值。
0.300到0.347
（ 7.62至
8.81)
0.114 (2.90)
0.130 (3.0)
选6
.407 (10.36)
.391 (9.96)
.307 (7.8)
.291 (7.4)
.255 (6.5)
.248 (6.3)
20°
.014 (0.35)
.010 (0.25)
.400 (10.16)
.430 (10.92)
18446
文档编号： 83644
修订版1.4 ， 09 -NOV- 05
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3
IL766B
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出， AC
输入，内部研发
BE
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和操作系统的性能
相对于它们对健康和员工的安全和公众，以及它们对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质排放到该被称为臭氧气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质，并禁止其使用
在未来的十年。不同的国家和国际行动正加紧对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以杜绝使用消耗臭氧层物质的上市
下列文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书分别在伦敦修正案的过渡性物质列表。
2. I级和1990年的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质的环境保护局
（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧层物质的生产和做
不含有此类物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每一个客户应用程序被验证
客户。如买方使用威世半导体产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应
赔偿威世半导体的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或间接的任何
人身损害，伤害或死亡的索赔等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
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4
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
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法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
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文档或任何Vishay的行为。
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另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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