IL755B
双向输入
达林顿光耦
特点
非常高的电流传输比（ 500 ％以上）。
IL755B -1：在750 ％
I
F=
2.0毫安，
V
CE
=5.0 V
IL755B - 2 ： 1000 ％的
I
F
= 1.0毫安，
V
CE
=5.0 V
= BV
首席执行官
>60 V
隔离测试电压， 5300 V
RMS
AC或无极性输入
无底座连接
高绝缘电阻， 10
12
低耦合电容
标准塑料DIP封装
美国保险商实验室认证＃ E52744
V
VDE ＃ 0884可通过选项1
D E
尺寸以英寸（毫米）
3
.248 (6.30)
.256 (6.50)
4
5
6
2
1
引脚1号
阳极/
阴极1
阴极/ 2
阳极
NC 3
.335 (8.50)
.343 (8.70)
.039
(1.00)
分钟。
4°
典型值。
.018 (0.45)
.022 (0.55)
.048 (0.45)
.022 (0.55)
.130 (3.30)
.150 (3.81)
18°
.031 （ 0.80 ）分。 3 ° -9 °
.031 (0.80)
.035 (0.90)
.100 （ 2.54 ） （典型值） 。
.010 (.25)
典型值。
.300–.347
(7.62–8.81)
.114 (2.90)
.130 (3.0)
.300 (7.62)
典型值。
6
5收藏家
4发射器
描述
该IL755B是双向输入，光学cou-
PLED隔离器由两个砷化镓
红外发射器和硅光电复合
传感器。
最大额定值
（25
°
C)
发射器（驱动电路）
连续正向电流......................... 60毫安
25功耗
°
.......................... 100毫瓦
从55线性降额
°
.................... 1.33毫瓦/
°
C
探测器
集电极 - 发射极击穿电压.............. 60 V
发射极 - 集电极击穿电压............... 12 V
25功耗
°
C环境........... 200毫瓦
25线性降额
°
...................... 2.6毫瓦/
°
C
包
绝缘测试电压
（ PK ） ，T = 1.0秒。 .................................... 5300 V
RMS
功耗在25
°
..................................... 250毫瓦
25线性降额
°
...................... 3.3毫瓦/
°
C
爬电................................................. 。
≥
7.0 mm
通关................................................. 。
≥
7.0 mm
绝缘电阻
T
A
=25
°
C
≥
10
12
T
A
=100
°
C
≥
10
11
存储温度-55 ....................
°
C至+150
°
C
工作温度-55 ................
°
C至+100
°
C
铅焊接时间在260
°
.................... 10秒。
电气特性
T
A
=25
°
C
符号。
辐射源
正向电压
(1)
探测器
击穿电压，
集电极 - 发射极
漏电流，
集电极 - 发射极
包
电流传输比
IL755B-1
IL755B-2
饱和电压，
集电极 - 发射极
开启时间
打开-O FF时间
注意事项：
1.表示JEDEC注册的数据。
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
V
F
—
1.25
1.5
V
I
F
= 10毫安
BV
首席执行官
60
—
75
1.0
—
100
V
nA
I
C
= 1.0毫安
I
F
=0
V
CE
=10 V
I
F
=0
I
首席执行官
CTR
750
1000
—
—
%
V
CE
=5.0 V
I
F
=
±
2.0毫安
I
F
=
±
1.0毫安
I
C
= 10毫安
I
F
=
±
10毫安
V
CC
=10 V
I
F
=
±
2.0毫安
R
L
=100
V
CESAT
t
on
t
关闭
—
—
—
—
1.0
200
V
s
2001年在网络霓虹技术公司光电事业部加利福尼亚州圣何塞
www.in网络neon.com/opto 1-888-在网络氖（ 1-888-463-4636 ）
2–157
3月2日， 2000-09
图1. LED正向电流与正向电压
IF - LED正向电流 - 毫安
60
85°C
25°C
0
–55°C
-20
-40
-60
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
图5.归一化不饱和和饱和
集电极 - 发射极电流与LED电流
10
尼斯 - 归一冰
1
.1
.01
.001
.1
标准化为：
TA = 25°C
IF = 10毫安
VCE = 5 V
VCE = 5 V
40
20
VCE = 1V
VF - LED的正向电压 - V
1
10
IF - LED电流 - 毫安
100
图2归一化不饱和和饱和
CTR
ce
g
与LED电流
4.0
NCTRce - 归CTRce
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
.1
1
10
IF - LED电流 - 毫安
100
VCE = 1V
VCE = 5 V
标准化为：
TA = 25°C
VCE = 5 V
IF = 1毫安
图6.从低到高传播延迟与
集电极负载电阻和LED电流
t
PLH
- 低/高传播
延迟 -
s
80
60
40
20
100
0
0
5
10
15
I
F
- LED电流 - 毫安
20
220
470
T
A
= 25 ° C，V
CC
= 5 V
VTH = 1.5 V
1K
图3归一化不饱和和饱和
CTR
ce
与LED电流
NCTRce - 归CTRce
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
.1
1
10
I
F
- LED电流 - 毫安
100
标准化为：
T
A
= 25°C
V
CE
= 5 V
I
F
= 2毫安
V
CE
= 5 V
图7.高到低传输延迟与
集电极负载电阻和LED电流
的TPH1 - 高/低传播
延迟 - 微秒
20
1K
15
10
5
0
0
5
10
15
IF - LED电流 - 毫安
20
100
TA = 25°C
VCC = 5 V
VTH = 1.5 V
V
CE
= 1 V
图4.归一化的非饱和的和
饱和我
ce
与LED电流
100
尼斯 - 归一冰
10
1
.1
.01
.1
1
10
I
F
- LED电流 - 毫安
100
标准化为：
T
A
= 25°C
V
CE
= 5 V
I
F
= 2毫安
V
CE
= 5 V
V
CE
= 1 V
图8.开关波形
图9.不归
饱和与饱和
CTRce与LED电流
I
F
F = 10千赫，
DF=50%
V
CC
=10 V
R
L
V
O
t
PLH
IF = 2毫安
V
O
t
R
t
D
t
PHL
t
S
V
TH
=1.5 V
t
F
IL755B
2001年在网络霓虹技术公司光电事业部加利福尼亚州圣何塞
www.in网络neon.com/opto 1-888-在网络氖（ 1-888-463-4636 ）
2–158
3月2日， 2000-09
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