IL710T
T系列宽温
高速数字耦合器
工作原理图
特点
·宽温度范围-40° C至+ 125°C
· + 5V / + 3.3V的CMOS / TTL兼容
·高速： 110兆位
· 2500VRMS隔离（ 1分钟）
· 2 ns典型脉冲宽度失真
· 4 ns典型传播延迟偏斜
· 10 ns典型传播延迟
· 30千伏/我们的典型共模抑制
·三态输出
8引脚PDIP和8引脚SOIC封装
· UL1577认证待定
· IEC 61010-1认证待定
I
SO
L
OOP
隔离的应用
·
数字现场总线
·
RS485和RS422
·
多道数据传送
·
数据接口
·
板对板通讯
·
数字降噪
·
操作界面
·
消除接地环路
·
外设接口
·
串行通信
·
逻辑电平转换
描述
NVE家族的高速数字隔离器创建的CMOS器件
集成有源电路和我们的GMR基础和专利* IsoLoop
技术。该IL710T为用户提供了最宽的温度范围内
提供数字耦合器。对称磁耦合屏障
提供的唯一的10纳秒的典型传播延迟和脉冲宽度
失真的2纳秒实现任何隔离装置的最佳规格。
30 KV / μs的典型瞬态抗扰度是无与伦比的。该IL710是
非常适合用于分离应用，如PROFIBUS ，RS-485 ，
RS422和其他。
该IL710提供8引脚PDIP和8引脚SOIC封装，
性能在-40 ° C至+ 125°C的温度范围内。
IsoLoop
是NVE公司的注册商标。
*美国专利号5831426 ; 6300617及其他
NVE公司
11409谷景路
明尼苏达州Eden Prairie 55344-3617 USA
电话： （ 952 ） 829-9217
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IL710T
绝对最大额定值
参数
储存温度
工作环境温度
(1)
电源电压
输入电压
输入电压
输出电压
输出电流驱动
无铅焊锡温度（ 10秒）
ESD
I
SO
L
OOP
符号
T
S
T
A
V
DD
1,V
DD
2
V
I
V
OE
V
O
I
O
分钟。
-55
-55
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
马克斯。
175
135
7
V
DD
1+0.5
V
DD
2+0.5
V
DD
2+0.5
10
单位
o
C
o
C
伏
伏
伏
伏
mA
o
280
2kV人体模型
C
推荐工作条件
参数
工作环境温度
电源电压（ 3.3 / 5.0 V操作）
逻辑高输入电压
逻辑低输入电压
最小信号上升和下降时间
符号
T
A
V
DD
1,V
DD
2
V
IH
V
IL
t
IR
,t
IF
分钟。
-40
3.0
2.4
0
马克斯。
125
5.5
V
DD
0.8
1
单位
o
C
伏
伏
伏
微秒
绝缘规格
参数
屏障阻抗
爬电距离（外部）
漏电流
240 V
RMS
60Hz
条件
分钟。
7.036 (
PDIP
)
4.026 (
SOIC
)
0.2
典型值。
>10
14
||3
马克斯。
单位
||
pF
mm
A
封装特性
参数
电容（输入输出）
(5)
热阻
(
PDIP
)
(
SOIC
)
封装功耗
符号
C
I
-
O
θ
JCT
θ
JCT
P
PD
分钟。
典型值。
1.1
150
240
150
马克斯。
单位
pF
o
C / W
o
测试条件
F = 1MHz的
热电偶位于
封装底面中心
C / W
mW
IEC61010-1
TUV证书编号：
分类如表1所示。
模型
IL710-2
IL710-3
污染
度
II
II
材料
组
III
III
最大工作
电压
300 V
RMS
150 V
RMS
套餐类型
8–PDIP
8–SOIC
待定（ PDIP ）
待定（ SOIC ）
UL 1577
组件识别程序。文件＃待定
额定2500Vrms的1分钟。
2
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明尼苏达州Eden Prairie 55344-3617 USA
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IL710T
电气规格
电气规格均TMIN至TMAX ，除非另有说明。
参数
符号
3.0-3.6 V规格
DC特定网络阳离子
分钟。
典型值。马克斯。
输入静态电源电流
I
DD
1
8
10
输出静态电源电流
I
DD
2
3.3
4
逻辑输入电流
逻辑高输出电压
逻辑低输出电压
交换特定网络阳离子
动态电流消耗
(6)
最大数据速率
脉冲宽度
传播延迟
输入到输出（高到低）
传播延迟
输入到输出（从低到高）
传播延迟启用到输出
（高到高阻抗）
传播延迟启用到输出
（从低到高阻抗）
传播延迟启用到输出
（高阻抗高）
传播延迟启用到输出
（高阻抗低）
脉冲宽度失真
传播延迟偏斜
(3)
(2)
I
SO
L
OOP
4.5-5.5 V规格
分钟。
典型值。
马克斯。
10
15
5
-10
V
DD
2-0.1 V
DD
2
0.8*V
DD
2 V
DD
2-0.5
6
10
单位
A
mA
A
V
测试条件
I
I
V
OH
V
OL
-10
V
DD
2-0.1 V
DD
2
0.8*V
DD
2
V
DD
2-0.5
0
0.5
10
I
O
=-20
A,
V
I
=V
IH
I = -4毫安，V = V
O
I
IH
0.1
0.8
0
0.5
0.1
0.8
V
I
O
= 20
A,
V
I
=V
IL
我= 4毫安， V = V
O
I
IL
300
100
PW
t
PHL
t
PLH
t
PHZ
t
PLZ
t
PZH
t
PZL
t
PSK
t
R
t
F
| CMH |
20
| CML |
10
420
110
100
10
12
12
3
3
3
3
2
4
2
2
30
18
18
5
5
5
5
3
6
4
4
20
500
110
640
μA / MHz的
兆位
ns
C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的
VCM = 300V
10
10
3
3
3
3
2
4
1
1
30
15
15
5
5
5
5
3
6
3
3
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
KV / μs的
输出上升时间（ 10-90 ％ ）
输出下降时间（ 10-90 ％ ）
共模瞬变
免疫力（输出逻辑高电平或
逻辑低）
(4)
注意事项：
1.
绝对最高环境工作温度是指
如果在这些条件下操作的装置将不会被损坏。它
不保证性能。
PWD定义为|吨
PHL
- t
PLH
| 。 ％ PWD等于该PWD
由脉冲宽度划分。
t
PSK
等于在吨最坏的情况下二FF erence的幅度
PHL
和/或叔
PLH
将单位之间在25可见
O
C.
CM
H
是最大的共模电压的变化率，可以
持续的同时保持V
O
> 0.8 V
DD
2
。厘米
L
为最大
共模输入电压，可以维持而
保持V
O
< 0.8 V共模电压摆率
适用于上升和下降的共模电压的边缘。
设备被认为是一个双端器件：
针脚1-4短接针脚5-8短接。
动态电流消耗在VDD1电源而已。
2.
3.
4.
5.
6.
3
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IL710T
报名须知：
I
SO
L
OOP
动态功耗
IsoLoop
设备实现其低功耗的
方式，通过他们传递跨越隔离屏障的数据。通过
检测所述输入逻辑信号的边缘过渡和
将这些以窄电流脉冲，磁场是
周围的GMR惠斯登电桥产生。根据不同的
磁场的方向上，桥使输出
比较器来切换输入逻辑信号之后。动力
消耗量是独立的标记 - 空比，并独自
依赖于频率。这个拥有明显的优势
光电耦合器，其功耗在很大程度上依赖于
它的导通状态和频率。
每个信道的最大供电电流
IsoLoop
是：
数据传输速率
的传输系统的可靠性是直接相关的
精度和发送的数字信息的质量。对于
数字系统中，那些确定的极限参数
数据传输是
脉冲宽度失真
和
传播延迟
歪斜。
传播延迟拍摄，通过旅游的信号时
该设备。这在发送时，通常是不同的由低到高
比发送一个高到低信号时。这种差异，或错误，
是所谓的脉宽失真（PWD）和通常在纳秒。它可能
也可以表示为一个百分比：
PWD ％ =最大脉冲宽度失真（ NS ）
信号的脉冲宽度（ NS ）
例如：
对于12.5 MB的数据速率
PWD = ％
3纳秒
80纳秒
x 100% =
3.75%
x 100%
电源去耦
两个电源设备这些设备应脱钩
低ESR 100 nF的陶瓷电容。在过量的数据速率
10MBd ，使用地平面为GND1和GND2的高度
推荐使用。电容应尽可能靠近尽可能地
该设备。
这个数字几乎是
三次
比任何可用的更好
光电耦合器具有相同的温度范围内，并
两次
更好
比任何光耦合器不管出版的温度范围内。
该
IsoLoop
隔离的范围超过了10 ％，最大
PWD推荐PROFIBUS ，将运行在几乎35 MB
之前达到10 ％的限制。
传播延迟偏斜时的时间差取为2或
更多的渠道传播它们的信号。这将成为显著
时钟时参与，因为它是不希望的时钟
脉冲到达之前的数据已经尘埃落定。短传播
延迟偏差因此，至关重要，尤其是在高数据速率的并行
系统，建立和维护的准确性和可重复性。该
IsoLoop
隔离所有的范围具有最大传播延迟
歪斜的6纳秒，这是
五倍
比任何光耦更好。
在启动信号状态和关机
为了降低功耗，输入信号是有区别的
然后锁定在隔离屏障的输出侧
重构信号。这可能会导致一个模糊的输出
状态取决于功率，关机和功率损耗
测序。因此，设计人员应考虑纳入
在他的启动电路的初始化信号。初始化
由切换输入任高后低或低则
高，这取决于所期望的状态。
静电放电敏感度
本产品已经过测试，静电感度的
在规范规定的限制。然而， NVE建议
所有集成电路与适当的谨慎处理，以避免
损害。造成处理不当或损坏存储
范围可以从性能下降彻底失败。
4
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明尼苏达州Eden Prairie 55344-3617 USA
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IL710T
应用
隔离PROFIBUS / RS - 485
RS - 485真值表
TXD
1
0
1
0
RTS
0
0
1
1
A
Z
Z
1
0
B
Z
Z
0
1
RXD
X
X
1
0
I
SO
L
OOP
参考485驱动器（德州仪器）
65ALS176 （ -40 ° C至+ 85°C ）
75ALS176 （ 0 ° C至+ 70 ° ）
V
DD
1和V
ISO
应与10 nF的去耦
在IL710电源引脚电容
5
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