日前，Vishay
IL66B
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出，带内部研发
BE
特点
内部RBE高稳定性
绝缘测试电压， 5300 V
RMS
没有基连接
高绝缘电阻
标准塑料DIP封装
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
i179019
A 1
C 2
NC 3
6 NC
5
C
4
E
e3
Pb
无铅
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
BSI IEC60950 IEC60065
CSA 93751
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
FIMKO
驾驶与负载电路。它们可以被用来取代
里德和水银继电器，寿命长的优点，
高速交换和消除磁
网络视场。
订购信息
部分
IL66B-1
IL66B-2
IL66B-1X006
备注
CTR > 200 ％ ， DIP - 6
CTR > 750 ％ ， DIP - 6
CTR > 200 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR > 750 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR > 750 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
描述
该IL66B是光学耦合型隔离器用人
砷化镓红外发射器和一个硅光子
todarlington探测器。开关可以实现
同时保持之间的高度隔离
IL66B-2X006
IL66B-2X009
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
峰值反向电压
正向连续电流
功耗
从55°C线性降额
测试条件
符号
V
R
I
F
P
DISS
价值
6.0
60
100
1.33
单位
V
mA
mW
毫瓦/°C的
文档编号83639
修订版1.5 ， 10月26日04
www.vishay.com
1
IL66B
威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
P
DISS
价值
60
5.0
200
2.6
单位
V
V
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
绝缘测试电压
绝缘电阻
测试条件
T = 1.0秒。
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
总功耗
线性降额
爬电路径
通关路径
储存温度
工作温度
铅焊接时间
在260℃下
T
英镑
T
AMB
T
SLD
从25℃下
符号
V
ISO
R
IO
R
IO
P
合计
价值
5300
≥
10
12
≥
10
11
250
3.3
7
7
- 55至+ 150
- 55至+ 100
10
单位
V
RMS
mW
毫瓦/°C的
分钟毫米
分钟毫米
°C
°C
美国证券交易委员会。
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 3.0 V
V
R
= 0
符号
V
F
I
R
C
O
民
典型值。
1.25
0.01
25
最大
1.5
100
单位
V
A
pF
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极 - 射极漏泄
当前
测试条件
I
C
= 100
A
V
CE
= 50 V，I
F
= 0
符号
BV
首席执行官
I
首席执行官
民
60
1.0
100
典型值。
最大
单位
V
nA
耦合器
参数
饱和电压
测试条件
I
C
= 10毫安
符号
V
CESAT
民
典型值。
最大
1.0
单位
V
电流传输比
参数
电流传输比
测试条件
I
F
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V
部分
IL66B-1
IL66B-2
符号
CTR
CTR
民
200
750
1000
典型值。
最大
单位
%
%
www.vishay.com
2
文档编号83639
修订版1.5 ， 10月26日04
IL66B
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
文档编号83639
修订版1.5 ， 10月26日04
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5
IL66B
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出，带内部RBE
特点
内部RBE高稳定性
隔离测试电压， 5300 V
RMS
A 1
C 2
NC 3
6 NC
5
C
4
E
无底座连接
高绝缘电阻
标准塑料DIP封装
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
i179019
机构认证
描述
该IL66B是一个光耦合隔离器采用
砷化镓红外发射器和一个硅
光电复合探测器。开关可以实现
同时保持驱动之间的隔离程度高
和负载电路。它们可以被用来取代芦苇和
水银继电器具有寿命长，高速的优点
开关和消除磁性连接的视场中。
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
BSI IEC 60950 IEC 60065
CSA 93751
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
FIMKO
订购信息
部分
IL66B-1
IL66B-2
IL66B-1X006
IL66B-2X006
IL66B-2X009
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
CTR > 200 ％ ， DIP - 6
CTR > 750 ％ ， DIP - 6
CTR > 200 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR > 750 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR > 750 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
绝对最大额定值
参数
输入
峰值反向电压
正向连续电流
功耗
从55°C线性降额
产量
集电极发射极击穿电压
集电极发射极击穿电压
功耗
从25° C减免线性
(1)
测试条件
符号
V
R
I
F
P
DISS
价值
6.0
60
100
1.33
60
5.0
200
2.6
单位
V
mA
mW
毫瓦/°C的
V
V
mW
毫瓦/°C的
BV
首席执行官
BV
ECO
P
DISS
文档编号： 83639
修订版1.5 ， 09 -NOV- 05
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
1
IL66B
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出，
与内部RBE
(1)
绝对最大额定值
参数
耦合器
绝缘测试电压
绝缘电阻
总功耗
线性降额
爬电路径
通关路径
储存温度
工作温度
焊锡温度
(2)
测试条件
T = 1.0秒
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
从25℃下
符号
V
ISO
R
IO
R
IO
P
合计
价值
5300
≥
≥
10
12
10
11
250
3.3
7
7
- 55至+ 150
- 55至+ 100
260
单位
V
RMS
Ω
Ω
mW
毫瓦/°C的
分钟毫米
分钟毫米
°C
°C
°C
T
英镑
T
AMB
10 s
T
SLD
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件（ SMD ）焊接条件。请参阅波曲线为通过焊接条件
孔器件（ DIP ） 。
电气特性
参数
输入
正向电压
反向电流
电容
产量
集电极发射极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
耦合器
饱和电压
I
C
= 10毫安
V
CESAT
1.0
V
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
I
C
= 100 A
V
CE
= 50 V，I
F
= 0 A
BV
首席执行官
I
首席执行官
60
1.0
100
V
nA
I
F
= 10毫安
V
R
= 3.0 V
V
R
= 0
V
F
I
R
C
O
1.25
0.01
25
1.5
100
V
A
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
电流传输比
参数
电流传输比
测试条件
I
F
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V
部分
IL66B-1
IL66B-2
符号
CTR
CTR
分钟。
200
750
1000
典型值。
马克斯。
单位
%
%
开关特性
参数
导通，关断时间
测试条件
V
CC
= 10 V，I
F
= 2毫安，R
L
= 100
Ω
符号
t
on
, t
关闭
分钟。
典型值。
马克斯。
200
单位
s
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2
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83639
修订版1.5 ， 09 -NOV- 05
IL66B
光电耦合器，光电复合输出，
与内部RBE
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1.4
V
F
- 前进
电压
(V)
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
T
A
= 100 °C
0.8
0.7
0.1
iil66_01
威世半导体
10000
1000
T
A
= - 55 °C
T
A
= 25 °C
V
CE
= 5
V
冰 - 集电极发射极
电流（mA ）
100
10
1
0.1
0.01
V
CE
= 0.4
V
1
10
100
0.001
0.1
iil66b_04
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
I
F
- LED电流（mA ）
图。 3 - 正向电压与正向电流
图。 6 - 非饱和与饱和集电极发射极电流与
LED电流
50
NCTRce
-
归
（ CTRce ）
2.0
的TPH1 - 高/低传播
延迟 -
s
1.5
归
要：
V
CE
= 5
V
I
F
= 2毫安
V
CE
= 5
V
40
30
20
10
10 KΩ
V
CC
= 5
V
V
th
= 1.5
V
1.0
220
Ω
0.5
V
CE
= 1
V
0.0
0.1
1
10
100
0
0
iil66b_05
5
10
15
20
iil66b_02
I
F
- LED电流（mA ）
I
F
- LED电流（mA ）
图。 4 - 归非饱和与饱和CTR
CE
与LED
当前
图。 7 - 高到低传输延迟与集电极负载电阻
与LED电流
NCTRce
-
归
（ CTRce ）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.1
1
10
100
1000
150
TPLH - 低/高传播
延迟 -
s
归
要：
V
CE
= 5
V
I
F
= 10毫安
125
100
75
50
25
0
0
5
10
15
V
CC
= 5
V
V
th
= 1.5
V
10 KΩ
V
CE
= 5
V
2 KΩ
V
CE
= 0.4
V
220 KΩ
20
iil66b_03
I
F
- LED电流（mA ）
iil66b_06
I
F
- LED电流（mA ）
图。 5 - 归非饱和与饱和CTR
CE
与LED
当前
图。 8 - 从低到高传输延迟与集电极负载
电阻和LED电流
文档编号： 83639
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3
IL66B
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出，
与内部RBE
包装尺寸
以英寸（毫米）
3
2
1
引脚1号
0.248 (6.30)
0.256 (6.50)
4
5
6
ISO方法A
0.335 (8.50)
0.343 (8.70)
0.039
(1.00)
分钟。
0.048
(0.45)
0.300 (7.62)
典型值。
0.022 (0.55)
0.130 (3.30)
0.150 (3.81)
4°
典型值。
0.031 （ 0.80 ）分。
0.031 (0.80)
0.018 (0.45)
0.022 (0.55)
0.100 （ 2.54 ） TYP 。
i178004
18 °
0.114 (2.90)
0.130 (3.0)
3 ° 9 °
0.010 (0.25)
典型值。
0.300到0.347
（ 7.62至
8.81)
0.035 (0.90)
选6
0.407 (10.36)
0.391 (9.96)
0.307(7.8)
0.291(7.4)
选择9
0.375 (9.53)
0.395 (10.03 )
0.300 (7.62 )
REF 。
0.0040 (0.102)
0.0098 (0.249)
0.020 (0.51)
0.040 (1.02)
0.315 (8.00)
分钟。
0.012 （ 0.30 ）典型值。
18493
0.014(0.35)
0.010 (0.25)
0.400(10.16)
0.430 (10.92)
15最大。
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如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
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IL66B
光电耦合器，光电复合输出，
与内部RBE
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和操作系统的性能
相对于它们对健康和员工的安全和公众，以及它们对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质排放到该被称为臭氧气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质，并禁止其使用
在未来的十年。不同的国家和国际行动正加紧对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以杜绝使用消耗臭氧层物质的上市
下列文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书分别在伦敦修正案的过渡性物质列表。
2. I级和1990年的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质的环境保护局
（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧层物质的生产和做
不含有此类物质。
威世半导体
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每一个客户应用程序被验证
客户。如买方使用威世半导体产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应
赔偿威世半导体的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或间接的任何
人身损害，伤害或死亡的索赔等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
文档编号： 83639
修订版1.5 ， 09 -NOV- 05
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日前，Vishay
IL66B
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出，带内部研发
BE
特点
内部RBE高稳定性
绝缘测试电压， 5300 V
RMS
没有基连接
高绝缘电阻
标准塑料DIP封装
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
i179019
A 1
C 2
NC 3
6 NC
5
C
4
E
e3
Pb
无铅
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
BSI IEC60950 IEC60065
CSA 93751
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
FIMKO
驾驶与负载电路。它们可以被用来取代
里德和水银继电器，寿命长的优点，
高速交换和消除磁
网络视场。
订购信息
部分
IL66B-1
IL66B-2
IL66B-1X006
备注
CTR > 200 ％ ， DIP - 6
CTR > 750 ％ ， DIP - 6
CTR > 200 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR > 750 ％ ， DIP - 6 400万（选项6 ）
CTR > 750 ％ ， SMD - 6 （选件9 ）
描述
该IL66B是光学耦合型隔离器用人
砷化镓红外发射器和一个硅光子
todarlington探测器。开关可以实现
同时保持之间的高度隔离
IL66B-2X006
IL66B-2X009
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
峰值反向电压
正向连续电流
功耗
从55°C线性降额
测试条件
符号
V
R
I
F
P
DISS
价值
6.0
60
100
1.33
单位
V
mA
mW
毫瓦/°C的
文档编号83639
修订版1.5 ， 10月26日04
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IL66B
威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
P
DISS
价值
60
5.0
200
2.6
单位
V
V
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
绝缘测试电压
绝缘电阻
测试条件
T = 1.0秒。
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
总功耗
线性降额
爬电路径
通关路径
储存温度
工作温度
铅焊接时间
在260℃下
T
英镑
T
AMB
T
SLD
从25℃下
符号
V
ISO
R
IO
R
IO
P
合计
价值
5300
≥
10
12
≥
10
11
250
3.3
7
7
- 55至+ 150
- 55至+ 100
10
单位
V
RMS
mW
毫瓦/°C的
分钟毫米
分钟毫米
°C
°C
美国证券交易委员会。
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 3.0 V
V
R
= 0
符号
V
F
I
R
C
O
民
典型值。
1.25
0.01
25
最大
1.5
100
单位
V
A
pF
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极 - 射极漏泄
当前
测试条件
I
C
= 100
A
V
CE
= 50 V，I
F
= 0
符号
BV
首席执行官
I
首席执行官
民
60
1.0
100
典型值。
最大
单位
V
nA
耦合器
参数
饱和电压
测试条件
I
C
= 10毫安
符号
V
CESAT
民
典型值。
最大
1.0
单位
V
电流传输比
参数
电流传输比
测试条件
I
F
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V
部分
IL66B-1
IL66B-2
符号
CTR
CTR
民
200
750
1000
典型值。
最大
单位
%
%
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文档编号83639
修订版1.5 ， 10月26日04
IL66B
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
文档编号83639
修订版1.5 ， 10月26日04
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