IL4216/IL4217/IL4218
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，
高dv / dt ，极低的输入电流
特点
A 1
C 2
NC
3
6 MT2
5
NC
4 MT1
高输入灵敏度我
FT
= 1.3毫安
300毫安通态电流
高静的dV / dt 10000 V / μs的典型
反并联可控硅整流提供
的dV / dt > 10千伏/μs的
极低的泄漏< 10 μA
隔离测试电压5300 V
RMS
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
i179041
描述
该IL4216 / IL4217 / IL4218由一个铝镓砷IRLED的
光学耦合到一对感光非零
渡可控硅芯片和连接逆平行
形成一个TRIAC 。这三个半导体组装
在一个6针0.3英寸双列直插式封装。
高输入灵敏度是通过使用一个发射极跟随器来实现
光电晶体管和可控硅串联前置驱动器产生
小于1.3毫安（DC）的LED触发电流。
该IL4216 / IL4217 / IL4218使用导致两个独立的SCR
在大于10千伏/ μs的换向的dV / dt 。利用
专有的dV / dt钳导致更大的静态的dV / dt
大于10千伏/微秒。该钳位电路具有MOSFET是
当高dV / dt峰值MT1之间出现增强
MT2的TRIAC的。场效应管夹的底座
进行光电晶体管时，禁用内部可控硅
预驱动器。
高达800 V允许控制离线的阻断电压
电压高达240伏交流电，具有安全系数大于2 ，
并足以多达380 VAC 。目前的处理
容量达300 mA的有效值，在25℃下连续。
该IL4216 / IL4217 / IL4218隔离低压逻辑
120 ， 240和380伏交流线来控制电阻电感性，或
容性负载包括电机螺线管，高电流
晶闸管或晶闸管和继电器。
应用
固态继电器
工业控制
办公设备
家电产品
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码为J
CSA 93751
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
BSI IEC 60950 ; IEC 60065
FIMKO
订购信息
部分
IL4216
IL4217
IL4218
IL4216-X006
IL4216-X009
IL4217-X007
IL4217-X009
IL4218-X006
IL4218-X007
IL4218-X009
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
600 V V
DRM
， DIP - 6
700 V V
DRM
， DIP - 6
800 V V
DRM
， DIP - 6
600 V V
DRM
， DIP - 6 400万（选项6 ）
600 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
700 V V
DRM
， SMD - 6 （选项7 ）
700 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
800 V V
DRM
， DIP - 6 400万（选项6 ）
800 V V
DRM
， SMD - 6 （选项7 ）
800 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
文档编号： 83630
修订版1.4 ， 09 -JAN- 08
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
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1
IL4216/IL4217/IL4218
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，
高dv / dt ，极低的输入电流
(1)
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
从25° C减免线性
热阻
产量
峰值断态电压
RMS通态电流
单周期浪涌
功耗
从25° C减免线性
热阻
耦合器
爬电距离
净空
储存温度
环境温度
绝缘测试电压
绝缘电阻
引线焊接温度
(2)
测试条件
部分
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
R
th
价值
6.0
60
2.5
100
1.33
750
600
700
800
300
3.0
300
6.6
150
≥
7.0
≥
7.0
单位
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
° C / W
V
V
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mm
mm
°C
°C
V
RMS
Ω
Ω
°C
IL4216
IL4217
IL4218
V
DRM
V
DRM
V
DRM
I
DRM
I
TSM
P
DISS
R
th
T
英镑
T
AMB
V
ISO
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
5.0 s
R
IO
R
IO
T
SLD
- 55至+ 150
- 55至+ 100
5300
≥
10
12
≥
10
11
260
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件（ SMD ）焊接条件。请参阅波曲线为通过焊接条件
孔器件（ DIP ） 。
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2
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光电耦合器，光敏可控硅输出，
高dv / dt ，极低的输入电流
电气特性
参数
输入
正向电压
击穿电压
反向电流
输入电容
热阻，结领导
产量
IL4216
重复峰值断态电压
I
DRM
= 100 A
IL4217
IL4218
IL4216
断态电压
FF-态电流
反向电流
通态电压
通态电流
浪涌（不重复，通态电流）
保持电流
闭锁电流
LED触发电流
断态电压临界上升率
I
D（ RMS）
= 70 A
V
D
= 600 V ，T
AMB
= 100 °C
V
R
= 600 V ，T
AMB
= 25 °C
I
T
= 300毫安
PF = 1.0 ，V
T（ RMS ）
= 1.7 V
F = 50赫兹
V
T
= 3.0 V
V
T
= 2.2 V
V
AK
= 5.0 V
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
AMB
= 25 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
AMB
= 80 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS ，
T
AMB
= 25 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS ，
T
AMB
= 80 °C
I
T
= 300毫安
IL4217
IL4218
V
DRM
V
DRM
V
DRM
V
D（ RMS）
V
D（ RMS）
V
D（ RMS）
I
D（ RMS）
I
RMS
V
TM
I
TM
I
TSM
I
H
I
L
I
FT
dv / dt的
cr
dv / dt的
cr
dv / dt的
CRQ
10000
5000
10000
65
5.0
0.7
1.3
600
700
800
424
484
565
650
750
850
460
536
613
10
10
1.7
100
100
3.0
300
3.0
200
V
V
V
V
V
V
A
A
V
mA
A
μA
mA
mA
V / μs的
V / μs的
V / μs的
I
F
= 20毫安
I
R
= 10 A
V
R
= 6.0 V
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
F
V
BR
I
R
C
IN
R
thjI
6.0
1.3
30
0.1
40
750
10
1.5
V
V
A
pF
° C / W
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
威世半导体
上升电压的电流的临界速度
换相
dv / dt的
CRQ
的di / dt
R
thjI
5000
100
150
0.8
5000
1.0
V / μs的
A / MS
° C / W
pF
mA
FF-态电流
热阻，结领导
耦合器
电容（输入输出）
耦合临界上升率
输入到输出电压
F = 1.0兆赫，V
IO
= 0 V
I
T
= 0, V
RM
= V
DM
- 300 VAC
C
IO
dV
（ IO）
/ DT
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
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光电耦合器，光敏可控硅输出，
高dv / dt ，极低的输入电流
功率因数注意事项
消除虚假操作的缓冲是没有必要
由于IL4216 / IL4217 / IL4218高TRIAC激励器
静态和换向的dV / dt为1和0.8之间的负载
功率因数。当感性负载，功率因数少
超过0.8正在推动，包括RC缓冲或单
直接加在器件电容器受潮峰值
换向dv / dt的峰值。通常，换向dv / dt的
导致关断器件留在因存储
能残留在关断器件。
但在零电压交叉optotriac的情况下，该
换向dv / dt的峰值能抑制一半的TRIAC
从开启。如果尖峰电位超过抑制
电压的过零检测电路的，半双向晶闸管的
将于起飞和不导通。这种拖延病情可
通过使用缓冲或电容器直接放置消除
横跨optotriac如图1。注意，该值
的电容器随着负载电流的函数。
在保持关闭状态还可以通过提供一种可以消除
更高级别的LED驱动电流。较高的LED驱动器
提供了一个较大的光电流引起。该
光电晶体管来接通之前的换向尖峰具有
活化的零交叉网络。图8示出了
所述LED驱动器为小于功率因数的关系
1.0 。该曲线表明，如果一个设备需要1.5毫安一
阻性负载，然后1.8倍（2.7 mA）的的量是
控制感性负载的功率因数要求
小于0.3 。
1
C
S
（ μF ） = 0.0032 （ μF ）× 10 ^ （ 0.0066我
L
（MA ） ）
C
S
- 并联电容（ μF ）
0.1
0.01
PF = 0.3
I
F
= 2.0毫安
0.001
0
iil4116_07
50
100
150
200
250
300
350 400
I
L
- 负载电流（毫安）
图。 3 - 并联电容与负载电流与功率因数
2.0
NI
FTH
-
归
LED
触发电流
1.8
1.6
1.4
1.2
I
FTH
归
到我
FTH
在PF = 1.0
1.0
0.8
0
iil4116_08
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
PF - 功率因数
图。 4 - 归LED触发电流
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
35
30
V
F
- 前进
电压
(V)
I
F
- LED电流（mA ）
25
20
15
10
5
0
1.0
iil4116_01
1.4
1.3
T
A
= - 55 °C
1.2
1.1
1.0
0.9
T
A
= 100 °C
T
A
= 25 °C
0.8
0.7
1.1
1.2
1.3
V
F
- LED正向
电压
(V)
1.4
0.1
iil4116_02
1
10
I
F
- 正向电流（mA ）
100
图。 5 - LED正向电流与正向电压
图。 6 - 正向电压与正向电流
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光电耦合器，光敏可控硅输出，
高dv / dt ，极低的输入电流
10000
威世半导体
τ
占空比
300
P
LED
- LED功率（mW ）
250
200
150
100
50
0
- 60
iil4116_06
I
F（ PK）
- 峰值LED电流（mA ）
1000
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
t
τ
DF = /吨
100
0.5
10
10
- 6
iil4116_03
10
- 5
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
10
0
10
1
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
吨 - LED脉冲持续时间（ S）
T
A
- 环境温度（ ° C）
图。 7 - LED峰值电流和占空比，
τ
150
图。 10 - 最大输出功率耗散
P
LED
- LED功率（mW ）
100
50
0
- 60
iil4116_04
- 40
- 20
0
20
40
60
T
A
- 环境温度（ ° C）
80
100
图。 8 - 最大的LED功率耗散
500
IT - 现场电流 - 电流（有效值）
400
300
200
100
0
- 100
- 200
- 300
- 400
- 500
-3
iil4116_05
-2
-1
0
1
2
VT - 通态电压 - V（ RMS ）
3
图。 9 - 在国家端子电压与电流端子
文档编号： 83630
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QQ：2881677436 复制
