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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第818页 > IL420
日前，Vishay
IL420 / IL4208
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，高dv / dt ，低输入电流
特点
高输入灵敏度我
FT
= 2.0毫安
600/800 V阻断电压
300毫安通态电流
高静的dV / dt 10 KV / μs的
反并联可控硅整流提供
的dV / dt > 10千伏/μs的
极低的泄漏< 10
A
隔离测试电压5300 V
RMS
小型6引脚DIP封装
A 1
C 2
NC 3
6 MT2
5 NC
4 MT1
i179035
机构认证
UL认证 - 文件号E52744系统代码H或按J
CSA -93751
BABT / BSI IEC60950 IEC60965
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
应用
固态继电器
工业控制
FFI CE设备
消费类电子产品。
dt的大于10千伏/微秒。这个钳位电路有一个
MOSFET是增强时，高dV / dt峰值
MT1和TRIAC的MT2之间发生。当
导通时，场效应管夹紧光子的基
totransistors ，禁用冷杉阶段SCR预驱动器
在600/800 V阻断电压允许场外的控制
线电压高达240伏交流电，具有安全系数
两个以上的，并且是足够之多
380 VAC 。
该IL420 / IL4208隔离低压逻辑
120 ， 240和380伏交流线来控制电阻，
感性或容性负载，包括电机，电磁铁
noids ，高电流晶闸管或晶闸管和继电器。
订购信息
描述
该IL420 / IL4208由砷化镓IRLED光学
耦合到光敏非过零可控硅
网络。双向晶闸管由两个反向并联
连接单片可控硅。这三个semicon-
ductors被组装在一个6脚双列直插式封装
年龄。
高输入灵敏度是通过使用发射器来实现
跟随光电晶体管和可控硅串联预
司机造成更少的LED触发电流比
2.0毫安（ DC ）
该IL420 / IL4208使用两个分立的SCR造成
在大于10千/ μs的换向的dV / dt 。该
利用一个专有的dV / dt蛤结果在一个静态的dV /
IL420
IL4208
IL420-X006
IL420-X007
IL420-X009
IL4208-X007
IL4208-X009
部分
备注
600 V V
DRM
， DIP - 6
800 V V
DRM
， DIP - 6
600 V V
DRM
， DIP - 6 400万（选项6 ）
600 V V
DRM
， SMD - 6 （选项7 ）
600 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
800 V V
DRM
， SMD - 6 （选项7 ）
800 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83629
修订版1.4 ， 26 -APR- 04
www.vishay.com
1
IL420 / IL4208
威世半导体
绝对最大额定值
日前，Vishay
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
从25° C减免
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
1.33
单位
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
产量
参数
峰值断态电压
RMS通态电流
单周期浪涌电流
功耗
从25° C减免
测试条件
部分
IL420
IL4208
符号
V
DRM
V
DRM
I
TM
I
TSM
P
DISS
价值
600
800
300
3.0
500
6.6
单位
V
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
绝缘测试电压
1)
污染程度
（ DIN VDE 0109 ）
爬电距离
净空
相比漏电起痕
2)
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
1)
2)
测试条件
T = 1.0秒。
符号
V
ISO
价值
5300
2
≥
7.0
≥
7.0
≥
175
单位
V
RMS
mm
mm
°C
°C
°C
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
260
马克斯。
≤
10秒。浸焊
≥
0.5毫米从外壳底部
T
SLD
发射器和检测器，符合DIN 50014的气候，第2部分之间的11月74
60112 / VDE 0303第1部分，ⅢA族根据DIN VDE 6110指数按照DIN IEC
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2
文档编号83629
修订版1.4 ， 26 -APR- 04
日前，Vishay
电气特性
IL420 / IL4208
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
输入电容
热阻，结到
环境
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
I
R
C
IN
R
thJA
民
典型值。
1.16
0.1
40
750
最大
1.35
10
单位
V
A
pF
° C / W
产量
参数
断态电压
测试条件
I
D（ RMS）
= 70
A
I
D（ RMS）
= 70
A
重复峰值断态电压I
DRM
= 100
s
FF-态电流
通态电压
导通电流
浪涌（不重复）通态
当前
保持电流
闭锁电流
LED触发电流
触发电流温度
梯度
上升断态临界状态
电压
上升电压的临界速度
电流换向
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 25 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 80 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS ，T
J
= 25 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS ，T
J
= 80 °C
对国家崛起的临界状态
当前
热阻，结到
环境
V
T
= 2.2 V
V
AK
= 5.0 V
V
D
= V
DRM ，
, T
A
= 100 °C
I
T
= 300毫安
PF = 1.0 ，V
T（ RMS ）
= 1.7 V
F = 50赫兹
部分
IL420
IL4208
IL420
IL4208
符号
V
D（ RMS）
V
D（ RMS）
V
DRM
V
DRM
I
BD
V
TM
I
TM
I
TSM
I
H
I
L
I
FT
I
FT
/T
j
dv / dt的
cr
dv / dt的
cr
dv / dt的
CRQ
dv / dt的
CRQ
的di / dt
cr
R
thJA
1000
5000
10000
5000
8.0
150
65
5.0
1.0
7.0
2.0
14
μA /°C的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
A / μs的
° C / W
民
424
565
600
800
10
1.7
100
30
300
3.0
500
典型值。
460
最大
单位
V
V
V
V
A
V
mA
A
A
mA
耦合器
参数
耦合临界上升率
输入/输出电压
电容（输入输出）
绝缘电阻
测试条件
I
T
= 0 ，V
RM
= V
DM
= V
D（ RMS）
F = 1.0兆赫，V
IO
= 0 V
V
IO
= 500, T
A
= 25 °C
V
IO
= 500, T
A
= 100 °C
符号
dv / dt的
C
IO
R
IO
R
IO
10
12
10
11
民
典型值。
500
0.8
最大
单位
V / μs的
pF
文档编号83629
修订版1.4 ， 26 -APR- 04
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3
IL420 / IL4208
威世半导体
开关特性
参数
开启时间
测试条件
V
RM
= V
DM
= V
D（ RMS）
PF = 1.0，我
T
= 300毫安
符号
t
on
t
关闭
民
典型值。
35
50
最大
日前，Vishay
单位
s
s
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
1.4
1.3
VF - 正向电压 - V
150
TA = -55°C
LED - LED电源 - 毫瓦
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
.1
1
10
IF - 正向电流 - 毫安
100
TA = 85°C
TA = 25°C
100
50
0
-60
iil420_03
-40
iil420_01
-20
0
20
40
60
TA - 环境温度 - °C
80
100
图。 1正向电压与正向电流
图。 3最大的LED功率耗散
10000
如果（ PK） - LED峰值电流 - 毫安
τ
占空比
.005
.01
.02
.05
.1
.2
.5
1000
t
DF ？
τ
/t
I
T
= F（V
T
),
参数：T已
j
100
10
10 -6
iil420_02
10 -5
10 -4 10 -3 10 -2 10 -1
吨-LED脉冲持续时间-s
10 0
101
iil420_04
图。 2 LED的峰值电流和占空比，头
图。 4典型的输出特性
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4
文档编号83629
修订版1.4 ， 26 -APR- 04
日前，Vishay
IL420 / IL4208
威世半导体
I
真有效值
= F （T
A
),
R
thJA
= 150 K / W
设备开关
焊接在印刷电路板
或底板。
I
D
= F （T
j
), V
D
=600 V,
参数：T已
j
iil420_05
iil420_08
图。 5降低电流
图。 8典型的断态电流
为40到60赫兹
行操作，
P
合计
= F（我
真有效值
)
I
真有效值
= F （T
PIN5
), R
thJ–PIN5
= 16.5 K / W
热电偶测量时必须
可以潜在地进行分离
到A1和A2。测量结
尽可能接近的情况下。
iil420_06
iil420_09
图。 6电流减少
图。 9功耗
t
gd
= F（我
F
I
FT
25℃） ，V
D
=200 V,
参数：T已
j
I
FTN
= F （T
PIF
)I
FTN
归
到我
FT
在谈到吨
PIF
） I≥1.0毫秒，
V
OP
= 200 V，F = 4060 Hz的典型值。
iil420_07
iil420_10
图。 7典型的触发延迟时间
图。 10脉冲触发电流
文档编号83629
修订版1.4 ， 26 -APR- 04
www.vishay.com
5
IL420/IL4208
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，
高dv / dt ，低输入电流
特点
A 1
C 2
NC
3
6 MT2
5
NC
4 MT1
高输入灵敏度我
FT
= 2.0毫安
600/800 V阻断电压
300毫安通态电流
高静的dV / dt 10 KV / μs的
反并联可控硅整流提供
的dV / dt > 10千伏/μs的
i179035
极低的泄漏< 10 μA
隔离测试电压5300 V
RMS
小型6引脚DIP封装
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
描述
该IL420 / IL4208由砷化镓IRLED光学
耦合到光敏非过零可控硅
网络。双向晶闸管由两个反向并联
连接单片可控硅。这三个半导体
被组装在一个6脚双列直插式封装。
高输入灵敏度是通过使用一个发射极跟随器来实现
光电晶体管和可控硅串联前置驱动器产生
小于2.0毫安（DC）的LED触发电流。
该IL420 / IL4208使用两个分立的SCR导致
大于10千伏/微秒的换向的dV / dt 。使用一
专有的dV / dt蛤导致更大的静态的dV / dt比
10 KV / μs的。该钳位电路具有增强了的MOSFET
当高的dV / dt尖峰的MT1和MT2之间发生
TRIAC 。导通时，场效应管夹具的底座
光电晶体管，禁止第一阶段可控硅预驱动器。
在600/800 V阻断电压允许脱机控制
电压高达240伏交流电，与更多的安全系数比
2 ，并足以用于高达380伏。
该IL420 / IL4208隔离120 ， 240低电压逻辑，
和380伏交流线来控制电阻性，电感性，或
容性负载包括电机，螺线管，高电流
晶闸管或晶闸管和继电器。
应用
- 固态继电器
工业控制
办公设备
家电产品
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
CSA 93751
FIMKO和BSI IEC 60950 ; IEC 60065只为IL4208
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
订购信息
部分
IL420
IL4208
IL420-X006
IL420-X007
IL420-X009
IL4208-X007
IL4208-X009
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
600 V V
DRM
， DIP - 6
800 V V
DRM
， DIP - 6
600 V V
DRM
， DIP - 6 400万（选项6 ）
600 V V
DRM
， SMD - 6 （选项7 ）
600 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
800 V V
DRM
， SMD - 6 （选项7 ）
800 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
文档编号： 83629
修订版1.6 18 -JAN- 08
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
1
IL420/IL4208
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，
高dv / dt ，低输入电流
(1)
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
从25° C减免
产量
峰值断态电压
RMS通态电流
单周期浪涌电流
功耗
从25° C减免
耦合器
绝缘测试电压
(2)
污染等级（ DIN VDE 0109 ）
爬电距离
间隙距离
比较
跟踪
(3)
测试条件
部分
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
1.33
600
800
300
3.0
500
6.6
5300
2
≥
7.0
≥
7.0
≥
175
单位
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
V
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
V
RMS
mm
mm
Ω
Ω
°C
°C
°C
IL420
IL4208
V
DRM
V
DRM
I
TM
I
TSM
P
DISS
T = 1.0秒
V
ISO
绝缘电阻
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
(4)
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
260
马克斯。
≤
10秒浸焊
≥
0.5毫米从外壳底部
T
SLD
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
发射器和检测器，符合DIN 50014的气候，第2部分之间的11月74 。
(3)
符合DIN IEC 60112 / VDE指数0303第1部分，ⅢA族按照DIN VDE 6110 。
(4)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件（ SMD ）焊接条件。请参阅波轮廓焊接condditions通过
孔器件（ DIP ） 。
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2
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83629
修订版1.6 18 -JAN- 08
IL420/IL4208
光电耦合器，光敏可控硅输出，
高dv / dt ，低输入电流
威世半导体
电气特性
参数
输入
正向电压
反向电流
输入电容
热阻，结到环境
产量
断态电压
重复峰值断态电压
FF-态电流
通态电压
导通电流
浪涌（非重复） ，通态电流
保持电流
闭锁电流
LED触发电流
触发电流温度梯度
上升断态电压临界速度
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
j
= 25 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
j
= 80 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS ，T
j
= 25 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS ，T
j
= 80 °C
V
T
= 2.2 V
V
AK
= 5.0 V
I
D（ RMS）
= 70 A
I
DRM
= 100 A
V
D
= V
DRM
, T
AMB
= 100 °C
I
T
= 300毫安
PF = 1.0 ，V
T（ RMS ）
= 1.7 V
F = 50赫兹
IL420
IL4208
IL420
IL4208
V
D（ RMS）
V
D（ RMS）
V
DRM
V
DRM
I
BD
V
TM
I
TM
I
TSM
I
H
I
L
I
FT
ΔI
FT
/ΔT
j
dv / dt的
cr
dv / dt的
cr
dv / dt的
CRQ
dv / dt的
CRQ
的di / dt
cr
R
thJA
10000
5000
10000
5000
8.0
150
65
5.0
1.0
7.0
2.0
14
μA /°C的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
A / μs的
° C / W
424
565
600
800
10
1.7
100
3.0
300
3.0
500
460
V
V
V
V
A
V
mA
A
A
mA
I
F
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
F
I
R
C
IN
R
thJA
1.16
0.1
40
750
1.35
10
V
A
pF
° C / W
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
上升电压的电流的临界速度
换相
对国家崛起的临界速度
热阻，结到环境
耦合器
耦合临界上升率
输入/输出电压
电容（输入输出）
绝缘电阻
I
T
= 0 ，V
RM
= V
DM
= V
D（ RMS）
F = 1.0兆赫，V
IO
= 0 V
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
dv / dt的
C
IO
R
IO
R
IO
≥
10
12
≥
10
11
5000
0.8
V / μs的
pF
Ω
Ω
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
开关特性
参数
开启时间
测试条件
V
RM
= V
DM
= V
D（ RMS）
PF = 1.0，我
T
= 300毫安
符号
t
on
t
关闭
分钟。
典型值。
35
50
马克斯。
单位
s
s
文档编号： 83629
修订版1.6 18 -JAN- 08
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
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3
IL420/IL4208
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，
高dv / dt ，低输入电流
安全性和绝缘等级
参数
气候分类
（根据IEC 68部分1 ）
漏电起痕指数
V
IOTM
V
IORM
P
SO
I
SI
T
SI
爬电距离
间隙距离
爬电距离
间隙距离
绝缘厚度
标准DIP - 8
标准DIP - 8
400万DIP- 8
400万DIP- 8
对于IL4208只
7
7
8
8
0.4
CTI
175
8000
630
500
250
175
测试条件
符号
分钟。
典型值。
55/100/21
399
V
V
mW
mA
°C
mm
mm
mm
mm
mm
马克斯。
单位
记
按照IEC 60747-5-2 ， § 7.4.3.8.1 ，这是光电耦合器适用于仅在安全评级"safe电气insulation" 。遵守
安全等级应以保护电路装置来保证。
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1.4
T
AMB
= - 55 °C
T
AMB
= 25 °C
LED - 发光二极管功率（mW ）
150
1.3
V
F
- 前进
电压
(V)
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.1
1
100
50
T
AMB
=
85
°C
10
100
0
- 60
- 40
T
- 20
图。 1 - 正向电压与正向电流
图。 3 - 最大的LED功率耗散
0
A
bi
20
tT
40
t
60
(°C)
80
100
10000
I
F（ PK）
- 峰值LED电流（mA ）
占空比
1000
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
3
τ
5
TJ = 25 C
= 100 °C
I
T
（MA ）
t
DF ？
τ
/t
10
2
5
IT = F（ VT）
参数： TJ
100
10
1
5
10
10
-6
iil420_02
10
0
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
吨 - LED脉冲持续时间（ S）
10
0
10
1
iil420_04
0
1
2
V
T
(V)
3
4
图。 2 - LED峰值电流和占空比，
τ
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4
图。 4 - 典型的输出特性
文档编号： 83629
修订版1.6 18 -JAN- 08
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IL420/IL4208
光电耦合器，光敏可控硅输出，
高dv / dt ，低输入电流
威世半导体
400
I
真有效值
= F （T
A
),
R
thJA
= 150 K / W
设备开关
焊接在印刷电路板
or
BASE
板。
I
D
= F （T
j
),
V
D
= 600
V,
参数：T已
j
300
I
真有效值
（MA ）
200
100
0
0
iil420_05
20
40
60
80
100
iil420_08
T
AMB
(°C)
图。 5 - 降低电流
图。 8 - 典型的断态电流
400
P
合计
300
I
真有效值
（MA ）
0.6
W
SIC00007
0.5
0.4
为40到60赫兹
行操作，
P合计= F （ ITRMS ）
I
真有效值
T
= 180 °C
= 120 °C
= 90 °C
= 60 °C
= 30 °C
200
0.3
ITRMS = F （ TPIN5 ） ， RthJ - PIN5 = 16.5 K / W
热电偶测量时必须
be
有可能进行分离
到A1和A2。测量结
尽可能接近的情况下。
100
0.2
0.1
0
50
iil420_06
60
70
80
90
100
0
0
100
200
T
PIN5
(°C)
iil420_09
mA
I
真有效值
300
图。 6 - 降低电流
图。 9 - 功耗
s
t
gd
= F（我
F
I
FT
25 °C),
V
D
= 200
V,
参数：T已
j
I
FTN
= F（T
PIF
)I
FTN
归
到我
FT
在谈到吨
PIF
)I
≥
1.0毫秒，
V
OP
= 200
V,
F = 4060 Hz的典型值。
T
j
= 25 °C
100 °C
iil420_07
iil420_10
图。 7 - 典型的触发延迟时间
图。 10 - 脉冲触发电流
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5
IL420
600 V TRIAC驱动光电耦合器
特点
高输入灵敏度我
FT
= 2毫安
阻断电压600 V
300毫安通态电流
高静态dv / dt的10千伏/
s
反并联可控硅整流提供
dv / dt的>2K V /
s
超低漏<10
A
从双塑壳隔离测试电压
套餐5300 VAC
RMS
小型6引脚DIP封装
美国保险商实验室文件＃ E52744
VDE 0884可通过选项1
最大额定值
辐射源
反向电压................................................ 6 V
正向电流........................................... 60毫安
浪涌电流................................................ ..2.5一
功耗....................................... 100毫瓦
25减免
°
................................ 1.33毫瓦/
°
C
热阻.................................. 750
°
C / W
探测器
峰值断态电压................................... 600 V
峰值反向电压.................................... 600 V
RMS通态电流................................. 300毫安
单周期浪涌............................................ 3一
总功率耗散.............................. 500毫瓦
25减免
°
.................................. 6.6毫瓦/
°
C
热阻................................... 150
°
C / W
包
存储温度-55 ...................
°
C至+150
°
C
工作温度-55 ...............
°
C至+100
°
C
引线焊接温度.............. 260
°
C / 5秒。
隔离测试电压......................... 5300 VAC
RMS
尺寸以英寸（毫米）
引脚1号
3
.248 (6.30)
.256 (6.50)
4
5
6
2
1
LED 1
阳极
LED
阴极2
6可控硅
MT2
.335 (8.50)
.343 (8.70)
.039
(1.00)
分钟。
4°
典型值。
.018 (0.45)
.022 (0.55)
基板
5不要
CONNECT
NC 3
4三端双向可控硅
MT1
*零交叉电路
.300 (7.62)
典型值。
.130 (3.30)
.150 (3.81)
18 ° （典型值） 。
0.020 （ 0.051 ）分钟。
.031 (0.80)
.035 (0.90)
.100 （ 2.54 ） （典型值） 。
.010 (.25)
.014 (.35)
.300 (7.62)
.347 (8.82)
.110 (2.79)
.150 (3.81)
描述
该IL420由砷化镓IRLED的光耦合到一个photosensi-
略去非过零TRIAC的网络。双向晶闸管由两
反并联可控硅整体。这三个semiconduc-
器被组装在一个6针0.3英寸双列直插式封装，使用高
双绝缘成型，上/下引线框架建设。
高输入灵敏度是通过使用一个发射极跟随器实现的光子
totransistor和级联可控硅预驱动器造成的LED触发
电流小于2mA （DC）。
该IL420使用造成的换向的dV / dt两个分立的SCR
比10KV / MS更大。利用一个专有
的dv / dt钳位
结果在一
大于10KV / ms的静态的dV / dt 。这个钳位电路，具有一MOSFET
当高的dV / dt尖峰MT1和MT2之间发生的增强
的TRIAC 。导通时，场效应管夹紧光子的基
totransistor ，禁用网络连接的第一个阶段SCR预驱动器。
在600 V阻断电压允许脱机控制电压高达240
交流电压，具有两个以上的安全系数，并且是萨夫音响cient尽可能多
为380 VAC 。
该IL420隔离120低电压逻辑， 240 ，和380伏交流线
控制阻性，感性或容性负载，包括电机，电磁铁
noids ，高电流晶闸管或晶闸管和继电器。
应用包括固态继电器连接的CE ，工业控制，分析装备
换货和家电消费。
5–1
特征
符号
辐射源
正向电压
反向电流
电容
热阻，结领导
输出检测
断态电压
反向电压
FF-态电流
反向电流
通态电压
通态电流
浪涌（非Repititive ）通态电流
保持电流
闭锁电流
LED触发电流
开启时间
打开-O FF时间
断态电压上升的临界状态
dv / dt的
cr
dv / dt的
cr
上升电压的电流的临界速度
换相
通态电流上升的临界状态
热阻，结领导
隔热和隔离
耦合输入/输出的临界上升率
电压
共模耦合电容
封装电容
隔离测试电压，输入 - 输出
爬电距离
净空
符合DIN IEC漏电起痕性
112 / VDE 0303 ，第1组IIIa受体根据DIN VDE
0110
绝缘电阻
触发电流温度梯度
输入和输出电路之间的电容
R
is
R
is
I
FT
/
T
j
C
IO
dv
（ IO）
/ DT
C
CM
C
IO
V
ISO
5300
≥
7
≥
7
CTI
175
5000
0.01
0.8
V
/
s
pF
pF
VAC
RMS
mm
mm
F = 1MHz时， V
IO
=0 V
相对湿度
≤
50%
I
T
= 0 ，V
RM
=V
DM
= 424 VAC
dv / dt的
CRQ
dv / dt的
CRQ
的di / dt
cr
R
thJL
150
10000
5000
10000
5000
8
V
D（ RMS）
V
R
I
D（ RMS）
I
R（ RMS）
V
TM
I
TM
I
TSM
I
H
I
L
I
FT
t
ON
t
关闭
65
5
1
35
50
2
424
424
460
460
10
10
1.7
100
100
3
300
3
500
V
V
A
A
V
mA
A
A
mA
mA
s
s
V/
s
V/
s
V/
s
V/
s
A/
s
V
T
=2.2 V
V
AK
=5 V
V
RM
=V
DM
= 424 VAC
PF = 1.0，我
T
= 300毫安
V
D
=0.67 V
DRM
T
j
=25
°
C
Tj=80
°
C
V
D
=0.67 V
DRM
， di / dt的
CRQ
≤
15 A / MS
Tj=25
°
C
T
j
=80
°
C
I
D（ RMS）
=70
A
I
R（ RMS ）
=70
A
V
D
= 600 V ，T
A
=100
°
C
V
R
= 600 V ，T
A
=100
°
C
I
T
= 300毫安
PF = 1.0 ，V
T（ RMS ）
=1.7 V
F = 50赫兹
V
F
I
R
C
O
R
thJL
1.16
0.1
40
750
1.35
10
V
A
pF
I
F
= 10毫安
V
R
=6 V
V
F
= 0 V ， F = 1兆赫
民
典型值
最大
单位
条件
°
C / W
°
C / W
≥
10
12
≥
10
11
7
14
2
一/ K
pF
V
IO
=500, T
A
=25
°
C
V
IO
=500, T
A
=100
°
C
V
R
= 0中，f = 1千赫
IL420
5–2
图1.正向电压与正向电流
1.4
VF - 正向电压 - V
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
.1
1
10
IF - 正向电流 - 毫安
100
TA = 85°C
TA = 25°C
TA = -55°C
图4.典型的输出特性
I
T
= F（V
t
） ，参数：T已
j
图2.峰值LED电流与占空比，头
10000
τ
如果（ PK） - LED峰值电流 - 毫安
占空比
.005
.01
.02
.05
.1
.2
100
.5
1000
t
τ
DF = /吨
图5.电流降低
I
真有效值
= F （T
A
) R
thJA
= 125 K / W
设备开关焊接在PCB或底板
10
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
10 0
10 1
吨 - LED脉冲宽度 - S
图3. LED的最大功耗
150
LED - LED电源 - 毫瓦
P
100
50
图6.电流降低
I
真有效值
= F （T
PIN5
), R
THJ
= 16.5 K / W
热电偶测量必须执行
可能分开， A1和A2。测量
结是尽可能接近的情况下。
-40
-20
0
20
40
60
80
TA - 环境温度 -
°C
100
0
-60
IL420
5–3
图7.典型的触发延迟时间
TGD = F （I
F
/I
FT25°C
), V
D
= 200 V，参数：T已
j
图9.功耗
为40到60赫兹行操作，磷
合计
= F（我
真有效值
)
图8.典型的断态电流
I
D
= F （T
j
), V
D
= 800 V ，参数：T已
j
图10.脉冲触发电流
I
FTN
= F （T
PIF
)I
FTN
归到我
FT
在提及
t
PIF
≥1ms,
V
OP
= 200 V，F = 4060 Hz的典型值。
IL420
5–4
日前，Vishay
IL420 / IL4208
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，高dv / dt ，低输入电流
特点
高输入灵敏度我
FT
= 2.0毫安
600/800 V阻断电压
300毫安通态电流
高静的dV / dt 10 KV / μs的
反并联可控硅整流提供
的dV / dt > 10千伏/μs的
极低的泄漏< 10
A
隔离测试电压5300 V
RMS
小型6引脚DIP封装
A 1
C 2
NC 3
6 MT2
5 NC
4 MT1
i179035
机构认证
UL认证 - 文件号E52744系统代码H或按J
CSA -93751
BABT / BSI IEC60950 IEC60965
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
应用
固态继电器
工业控制
FFI CE设备
消费类电子产品。
dt的大于10千伏/微秒。这个钳位电路有一个
MOSFET是增强时，高dV / dt峰值
MT1和TRIAC的MT2之间发生。当
导通时，场效应管夹紧光子的基
totransistors ，禁用冷杉阶段SCR预驱动器
在600/800 V阻断电压允许场外的控制
线电压高达240伏交流电，具有安全系数
两个以上的，并且是足够之多
380 VAC 。
该IL420 / IL4208隔离低压逻辑
120 ， 240和380伏交流线来控制电阻，
感性或容性负载，包括电机，电磁铁
noids ，高电流晶闸管或晶闸管和继电器。
订购信息
描述
该IL420 / IL4208由砷化镓IRLED光学
耦合到光敏非过零可控硅
网络。双向晶闸管由两个反向并联
连接单片可控硅。这三个semicon-
ductors被组装在一个6脚双列直插式封装
年龄。
高输入灵敏度是通过使用发射器来实现
跟随光电晶体管和可控硅串联预
司机造成更少的LED触发电流比
2.0毫安（ DC ）
该IL420 / IL4208使用两个分立的SCR造成
在大于10千/ μs的换向的dV / dt 。该
利用一个专有的dV / dt蛤结果在一个静态的dV /
IL420
IL4208
IL420-X006
IL420-X007
IL420-X009
IL4208-X007
IL4208-X009
部分
备注
600 V V
DRM
， DIP - 6
800 V V
DRM
， DIP - 6
600 V V
DRM
， DIP - 6 400万（选项6 ）
600 V V
DRM
， SMD - 6 （选项7 ）
600 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
800 V V
DRM
， SMD - 6 （选项7 ）
800 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号83629
修订版1.4 ， 26 -APR- 04
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1
IL420 / IL4208
威世半导体
绝对最大额定值
日前，Vishay
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
从25° C减免
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
1.33
单位
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
产量
参数
峰值断态电压
RMS通态电流
单周期浪涌电流
功耗
从25° C减免
测试条件
部分
IL420
IL4208
符号
V
DRM
V
DRM
I
TM
I
TSM
P
DISS
价值
600
800
300
3.0
500
6.6
单位
V
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
绝缘测试电压
1)
污染程度
（ DIN VDE 0109 ）
爬电距离
净空
相比漏电起痕
2)
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
1)
2)
测试条件
T = 1.0秒。
符号
V
ISO
价值
5300
2
≥
7.0
≥
7.0
≥
175
单位
V
RMS
mm
mm
°C
°C
°C
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
260
马克斯。
≤
10秒。浸焊
≥
0.5毫米从外壳底部
T
SLD
发射器和检测器，符合DIN 50014的气候，第2部分之间的11月74
60112 / VDE 0303第1部分，ⅢA族根据DIN VDE 6110指数按照DIN IEC
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2
文档编号83629
修订版1.4 ， 26 -APR- 04
日前，Vishay
电气特性
IL420 / IL4208
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
输入电容
热阻，结到
环境
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
I
R
C
IN
R
thJA
民
典型值。
1.16
0.1
40
750
最大
1.35
10
单位
V
A
pF
° C / W
产量
参数
断态电压
测试条件
I
D（ RMS）
= 70
A
I
D（ RMS）
= 70
A
重复峰值断态电压I
DRM
= 100
s
FF-态电流
通态电压
导通电流
浪涌（不重复）通态
当前
保持电流
闭锁电流
LED触发电流
触发电流温度
梯度
上升断态临界状态
电压
上升电压的临界速度
电流换向
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 25 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 80 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS ，T
J
= 25 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS ，T
J
= 80 °C
对国家崛起的临界状态
当前
热阻，结到
环境
V
T
= 2.2 V
V
AK
= 5.0 V
V
D
= V
DRM ，
, T
A
= 100 °C
I
T
= 300毫安
PF = 1.0 ，V
T（ RMS ）
= 1.7 V
F = 50赫兹
部分
IL420
IL4208
IL420
IL4208
符号
V
D（ RMS）
V
D（ RMS）
V
DRM
V
DRM
I
BD
V
TM
I
TM
I
TSM
I
H
I
L
I
FT
I
FT
/T
j
dv / dt的
cr
dv / dt的
cr
dv / dt的
CRQ
dv / dt的
CRQ
的di / dt
cr
R
thJA
1000
5000
10000
5000
8.0
150
65
5.0
1.0
7.0
2.0
14
μA /°C的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
A / μs的
° C / W
民
424
565
600
800
10
1.7
100
30
300
3.0
500
典型值。
460
最大
单位
V
V
V
V
A
V
mA
A
A
mA
耦合器
参数
耦合临界上升率
输入/输出电压
电容（输入输出）
绝缘电阻
测试条件
I
T
= 0 ，V
RM
= V
DM
= V
D（ RMS）
F = 1.0兆赫，V
IO
= 0 V
V
IO
= 500, T
A
= 25 °C
V
IO
= 500, T
A
= 100 °C
符号
dv / dt的
C
IO
R
IO
R
IO
10
12
10
11
民
典型值。
500
0.8
最大
单位
V / μs的
pF
文档编号83629
修订版1.4 ， 26 -APR- 04
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IL420 / IL4208
威世半导体
开关特性
参数
开启时间
测试条件
V
RM
= V
DM
= V
D（ RMS）
PF = 1.0，我
T
= 300毫安
符号
t
on
t
关闭
民
典型值。
35
50
最大
日前，Vishay
单位
s
s
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
1.4
1.3
VF - 正向电压 - V
150
TA = -55°C
LED - LED电源 - 毫瓦
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
.1
1
10
IF - 正向电流 - 毫安
100
TA = 85°C
TA = 25°C
100
50
0
-60
iil420_03
-40
iil420_01
-20
0
20
40
60
TA - 环境温度 - °C
80
100
图。 1正向电压与正向电流
图。 3最大的LED功率耗散
10000
如果（ PK） - LED峰值电流 - 毫安
τ
占空比
.005
.01
.02
.05
.1
.2
.5
1000
t
DF ？
τ
/t
I
T
= F（V
T
),
参数：T已
j
100
10
10 -6
iil420_02
10 -5
10 -4 10 -3 10 -2 10 -1
吨-LED脉冲持续时间-s
10 0
101
iil420_04
图。 2 LED的峰值电流和占空比，头
图。 4典型的输出特性
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日前，Vishay
IL420 / IL4208
威世半导体
I
真有效值
= F （T
A
),
R
thJA
= 150 K / W
设备开关
焊接在印刷电路板
或底板。
I
D
= F （T
j
), V
D
=600 V,
参数：T已
j
iil420_05
iil420_08
图。 5降低电流
图。 8典型的断态电流
为40到60赫兹
行操作，
P
合计
= F（我
真有效值
)
I
真有效值
= F （T
PIN5
), R
thJ–PIN5
= 16.5 K / W
热电偶测量时必须
可以潜在地进行分离
到A1和A2。测量结
尽可能接近的情况下。
iil420_06
iil420_09
图。 6电流减少
图。 9功耗
t
gd
= F（我
F
I
FT
25℃） ，V
D
=200 V,
参数：T已
j
I
FTN
= F （T
PIF
)I
FTN
归
到我
FT
在谈到吨
PIF
） I≥1.0毫秒，
V
OP
= 200 V，F = 4060 Hz的典型值。
iil420_07
iil420_10
图。 7典型的触发延迟时间
图。 10脉冲触发电流
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