IL420 ， IL4208
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，高dv / dt ，低输入电流
特点
A 1
C 2
NC 3
i179035_2
21842-1
6 MT2
5 NC
4 MT1
D E
V
高输入灵敏度我
FT
= 2毫安
600 V ， 800 V阻断电压
300毫安通态电流
高静的dV / dt 10 KV / μs的
极低的泄漏< 10 μA
隔离测试电压5300 V
RMS
小型6引脚DIP封装
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
描述
该IL420和IL4208由砷化镓IRLED光学
耦合到光敏非过零可控硅
网络。双向晶闸管由两个反向并联
连接单片可控硅。这三个半导体
被组装在一个6脚双列直插式封装。
高输入灵敏度是通过使用发射器来实现
跟随光电晶体管和可控硅串联前置驱动器
导致小于2mA （DC）的LED触发电流。
在静态的dV / dt的使用一个专有的dV / dt蛤结果
大于10千伏/微秒。这个钳位电路，具有一MOSFET
当高dV / dt的尖峰之间发生的增强
MT1和TRIAC的MT2 。导通时，场效应管
夹紧光电晶体管的基极，禁止第一
阶段SCR预驱动器。
600 V， 800 V阻断电压允许脱机控制
电压高达240伏交流电，与更多的安全系数比
2 ，并足以用于高达380伏
AC
.
该IL420 ， IL4208隔离低压逻辑从120 V
AC
,
240 V
AC
，和380伏
AC
线来控制电阻性，电感性，或
容性负载包括电机，螺线管，高电流
晶闸管或晶闸管和继电器。
应用
- 固态继电器
工业控制
办公设备
家电产品
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统代码H，双重保护
CSA 93751
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5
（待定） ，可通过选项1
订购信息
DIP- ＃
I
L
4
2
0
#
-
X
0
#
#
T
磁带和
REEL
7.62 mm
选6
选7
产品型号
封装选项
10.16 mm
> 0.7毫米
选8
选择9
9.27 mm
> 0.1毫米
代理认证/ PACKAGE
UL ， cUL认证
DIP-6
DIP - 6 ， 400万，选择6
SMD - 6 ，选7
SMD - 6 ，选择8
SMD - 6 ，选择9
VDE ， UL ，CUL
DIP-6
DIP - 6 ， 400万，选择6
SMD - 6 ，选7
记
(1)
也可在管，不要把T于结束。
文档编号： 83629
2.0版本， 29 -MAR- 11
600
IL420
IL420-X006
阻断电压V
DRM
(V)
800
IL4208
-
IL4208-X007T
(1)
-
IL4208-X009T
(1)
800
-
-
-
IL420-X007T
(1)
IL420-X008T
IL420-X009T
(1)
600
IL420-X001
IL420-X016
IL420-X017T
(1)
如有技术问题，请联系：
optocoupleranswers@vishay.com
www.vishay.com
1
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
IL420 ， IL4208
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，
高dv / dt ，低输入电流
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
从25° C减免
产量
峰值断态电压
RMS通态电流
单周期浪涌电流
功耗
从25° C减免
耦合器
绝缘测试电压
发射器和检测器之间
污染等级（ DIN VDE 0109 ）
爬电距离
间隙距离
相比漏电起痕
(1)
绝缘电阻
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
(2)
马克斯。
10秒浸焊
0.5毫米从外壳底部
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
t=1s
V
ISO
5300
2
7
7
175
10
12
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
260
°C
°C
°C
mm
mm
V
RMS
IL420
IL4208
V
DRM
V
DRM
I
TM
I
TSM
P
DISS
600
800
300
3
500
6.6
V
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
6
60
2.5
100
1.33
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
测试条件
部分
符号
价值
单位
笔记
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对
对于长时间处于最大额定值可能产生不利影响的可靠性。
(1)
按IEC60112 DIN / VDE指数0303第1部分，ⅢA族按照DIN VDE 6110 。
(2)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件（ SMD ）焊接条件。请参阅波轮廓焊接condditions通过
孔器件（ DIP ） 。
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系：
optocoupleranswers@vishay.com
文档编号： 83629
2.0版本， 29 -MAR- 11
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
IL420 ， IL4208
光电耦合器，光敏可控硅输出，
高dv / dt ，低输入电流
威世半导体
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
正向电压
反向电流
输入电容
热阻，结到环境
产量
FF-态电流
通态电压
浪涌（非重复） ，通态电流
保持电流
闭锁电流
LED触发电流
触发电流温度梯度
上升断态电压临界速度
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
j
= 25 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
j
= 80 °C
V
D
= 230 V
RMS
,
I
D
= 300毫安
RMS
, T
J
= 25 °C
V
D
= 230 V
RMS
,
I
D
= 300毫安
RMS
, T
J
= 85 °C
V
T
= 2.2 V
V
D
= 5 V
V
D
= V
DRM
, T
AMB
= 100 °C
I
T
= 300毫安
F = 50赫兹
I
DRM
V
TM
I
TSM
I
H
I
L
I
FT
I
FT
/T
j
dv / dt的
cr
dv / dt的
cr
dv / dt的
CRQ
dv / dt的
CRQ
的di / dt
CRQ
R
thJA
10 000
5000
8
7
12
150
1
7
65
10
1.7
100
3
3
500
500
2
14
μA
V
A
μA
μA
mA
μA /°C的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
A / MS
° C / W
I
F
= 10毫安
V
R
= 6 V
V
F
= 0 V ， F = 1兆赫
V
F
I
R
C
IN
R
thJA
1.16
0.1
40
750
1.35
10
V
μA
pF
° C / W
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
上升电压的电流的临界速度
换相
通态电流临界上升率
换相
热阻，结到环境
耦合器
耦合临界上升率
输入/输出电压
电容（输入输出）
绝缘电阻
I
T
= 0 ，V
RM
= V
DM
= V
DRM
F = 1MHz时， V
IO
= 0 V
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
dv / dt的
C
IO
R
IO
R
IO
10
12
10
11
5000
0.8
V / μs的
pF
记
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
开关特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
开启时间
测试条件
V
RM
= V
DM
= V
DRM
符号
t
on
分钟。
典型值。
35
马克斯。
单位
μs
文档编号： 83629
2.0版本， 29 -MAR- 11
如有技术问题，请联系：
optocoupleranswers@vishay.com
www.vishay.com
3
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
IL420 ， IL4208
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，
高dv / dt ，低输入电流
安全性和绝缘等级
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
气候分类
（根据IEC68部分1）
漏电起痕指数
V
IOTM
V
IORM
P
SO
I
SI
T
SI
爬电距离
间隙距离
爬电距离
间隙距离
绝缘厚度
标准DIP - 8
标准DIP - 8
400万DIP- 8
400万DIP- 8
对于IL4208只
7
7
8
8
0.4
CTI
175
8000
630
500
250
175
测试条件
符号
分钟。
典型值。
55/100/21
399
V
V
mW
mA
°C
mm
mm
mm
mm
mm
马克斯。
单位
记
根据IEC60747-5-2 ， § 7.4.3.8.1 ，这是光电耦合器适用于“安全的电气绝缘”只在安全评级。符合
安全等级应以保护电路装置来保证。
典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
1.4
150
T
AMB
= - 55 °C
T
AMB
= 25 °C
V
F
-
正向电压（ V）
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.1
LED - 功率（mW ）
100
100
50
T
AMB
= 85 °C
0
1
10
- 60 - 40 - 20
iil420_03
0
20
40
60
80 100
iil420_01
I
F
- 正向电流（mA ）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 正向电压与正向电流
图。 3 - 最大的LED功率耗散
10 000
10
3
τ
占空比
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
I
F（ PK）
- 峰值LED电流（mA ）
5
T
j
= 25 °C
T
j
= 100 °C
1000
t
10
2
I
T
（MA ）
DF ？
τ
/t
5
I
T
= F（V
T
),
参数：T已
j
100
10
1
5
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
0
0
iil420_04
1
2
3
4
吨 - LED脉冲持续时间（ S）
iil420_02
V
T
(V)
图。 4 - 典型的输出特性
图。 2 - LED峰值电流和占空比，
www.vishay.com
4
如有技术问题，请联系：
optocoupleranswers@vishay.com
文档编号： 83629
2.0版本， 29 -MAR- 11
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
IL420 ， IL4208
光电耦合器，光敏可控硅输出，
高dv / dt ，低输入电流
威世半导体
400
I
真有效值
= F （T
A
),
R
thJA
= 150 K / W
设备开关
焊接在印刷电路板
或底板。
10
3
I
D
= F （T
j
), V
D
= 600 V,
参数：T已
j
300
10
2
I
真有效值
（MA ）
I
D
（ nA的）
200
10
1
100
10
0
0
0
iil420_05
10
-1
20
40
60
80
100
iil420_08
0
20
40
60
80
100
T
AMB
(°C)
图。 5 - 降低电流
T
j
(°C)
图。 8 - 典型的断态电流
400
0.6
0.5
为40赫兹到60赫兹
行操作，
P
合计
= F（我
真有效值
)
I
真有效值
T
= 180 °C
= 120 °C
= 90 °C
= 60 °C
= 30 °C
300
I
真有效值
（MA ）
P
合计
(W)
ITRMS = F （ TPIN5 ） ， RthJ - PIN5 = 16.5 K / W
热电偶测量时必须
可以潜在地进行分离
到A1和A2。测量结
尽可能接近的情况下。
0.4
0.3
0.2
0.1
0
200
100
0
50
iil420_06
60
70
80
90
100
iil420_09
0
100
200
300
T
PIN5
(°C)
图。 6 - 降低电流
I
真有效值
（MA ）
图。 9 - 功耗
10
3
t
gd
= F（我
F
/I
FT
25℃） ，V
D
= 200 V,
参数：T已
j
10
2
10
9
8
7
6
I
FTN
= F（T
PIF
), I
FTN
归
到我
FT
在谈到吨
PIF
I
≥
1.0毫秒，
V
OP
= 200 V，F = 40 Hz至60 Hz的典型值。
t
gd
(s)
I
FTN
10
2
T
j
= 25 °C
100 °C
10
1
5
4
3
2
1
10
0
10
0
iil420_07
10
1
0
10
1
10
2
10
3
I
F
/I
FT
25 °C
图。 7 - 典型的触发延迟时间
t
PIF
(s)
图。 10 - 脉冲触发电流
文档编号： 83629
2.0版本， 29 -MAR- 11
如有技术问题，请联系：
optocoupleranswers@vishay.com
www.vishay.com
5
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
QQ：2880707522 复制
