IL4116/IL4117/IL4118
威世半导体
光电耦合器，光敏可控硅输出，
过零点，高dv / dt ，极低的输入电流
特点
A 1
6 MT2
高输入灵敏度：我
FT
= 1.3毫安， PF = 1.0 ;
I
FT
= 3.5 mA，典型值PF < 1.0
零电压穿越
600/700/800 V阻断电压
300毫安通态电流
高dv / dt 10000 V / μs的
反并联可控硅整流提供
的dV / dt > 10千伏/μs的
隔离测试电压5300 V
RMS
极低的泄漏< 10 μA
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
C 2
ZCC
5
NC
NC
3
4 MT1
18099
描述
该IL4116 / IL4117 / IL4118由一个铝镓砷IRLED的
光学耦合到光敏过零双向可控硅
网络。双向晶闸管由两个反向并联
连接单片可控硅。这三个半导体
装置被组装在一个6针300密耳的双列直插式
封装。
高输入灵敏度是通过使用一个发射极跟随器来实现
光电晶体管和可控硅串联前置驱动器产生
小于1.3毫安（DC）的LED触发电流。
该IL4116 / IL4117 / IL4118采用过零线电压
检测电路巫由两个增强
MOSFET和一个光电二极管。的禁止电压
网络是由所述增强的电压来确定
N沟道场效应晶体管。该P沟道场效应晶体管由一个启用
这允许在FET来进行光电流源
主电压到栅极上的N型沟道FET 。一旦主
电压可以使N型沟道，它夹紧的基部
光电晶体管，禁止第一阶段可控硅预驱动器。
高达800 V允许控制离线的阻断电压
电压高达240伏交流电，与更多的安全系数比
2 ，并足以用于高达380伏。当前
处理能力高达300 mA的RMS连续
在25℃ 。
该IL4116 / IL4117 / IL4118隔离低压逻辑
120 ， 240和380伏交流线来控制电阻性，电感性，或
容性负载包括电机，螺线管，高电流
晶闸管或晶闸管和继电器。
应用包括固态继电器，工业控制，
办公设备和消费电子产品。
应用
固态继电器
- 照明控制
温度控制
电磁阀/ valte控制
交流电机驱动器/启动器
机构认证
UL1577 ，文件号。 E52744系统代号H或按J ，双
保护
CSA 93751
BSI IEC 60950 IEC 60065
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
FIMKO
订购信息
部分
IL4116
IL4117
IL4118
IL4116-X006
IL4116-X007
IL4116-X009
IL4117-X007
IL4118-X006
备注
600 V V
DRM
， DIP - 6
700 V V
DRM
， DIP - 6
800 V V
DRM
， DIP - 6
600 V V
DRM
， DIP - 6 400万（选项6 ）
600 V V
DRM
， SMD - 6 （选项7 ）
600 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
700 V V
DRM
， SMD - 6 （选项7 ）
800 V V
DRM
， DIP - 6 400万（选项6 ）
文档编号： 83628
修订版1.6 ， 09 -JAN- 08
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1
IL4116/IL4117/IL4118
威世半导体
订购信息
部分
IL4118-X007
IL4118-X009
记
有关可用选项的更多信息，请参阅选项的信息。
备注
800 V V
DRM
， SMD - 6 （选项7 ）
800 V V
DRM
， SMD - 6 （选件9 ）
光电耦合器，光敏可控硅输出，
过零点，高dv / dt ，极低
输入电流
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
从25° C减免线性
热阻
产量
峰值断态电压
RMS通态电流
单周期浪涌
功耗
从25° C减免线性
热阻
耦合器
爬电距离
间隙距离
储存温度
工作温度
绝缘测试电压
绝缘电阻
引线焊接温度
(2)
(1)
测试条件
部分
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
R
th
价值
6.0
60
2.5
100
1.33
750
600
700
800
300
3.0
500
6.6
150
≥
7.0
≥
7.0
单位
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
° C / W
V
V
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mm
mm
°C
°C
V
RMS
Ω
Ω
°C
IL4116
IL4117
IL4118
V
DRM
V
DRM
V
DRM
I
DRM
P
DISS
R
th
T
英镑
T
AMB
V
IO
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
5s
R
IO
R
IO
T
SLD
- 55至+ 150
- 55至+ 100
5300
≥
10
12
≥
10
11
260
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件（ SMD ）焊接条件。请参阅波曲线为通过焊接条件
孔器件（ DIP ） 。
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2
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IL4116/IL4117/IL4118
光电耦合器，光敏可控硅输出，
威世半导体
过零点，高dv / dt ，极低
输入电流
电气特性
参数
输入
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
热阻，结领导
产量
IL4116
重复峰值断态电压
I
DRM
= 100 A
IL4117
IL4118
IL4116
断态电压
FF-态电流
通态电压
通态电流
浪涌（不重复，通态电流）
保持电流
闭锁电流
LED触发电流
零交叉禁止电压
上升断态电压临界速度
I
D（ RMS）
=70 A
V
D
= 600, T
AMB
= 100 °C
I
T
= 300毫安
PF = 1.0 ，V
T（ RMS ）
= 1.7 V
F = 50赫兹
V
T
= 3.0 V
V
T
= 2.2 V
V
AK
= 5.0 V
I
F
=额定我
FT
V
RM
, V
DM
= 400 V交流
V
RM
, V
DM
= 400 VAC ，
T
AMB
= 80 °C
V
RM
, V
DM
= 400 V交流
整流电压
换向电流
热阻，结领导
耦合器
耦合器的上升临界状态
输入输出电压
电容（输入输出）
共模耦合电容
I
T
= 0 ，V
RM
= V
DM
= 424 VAC
F = 1.0兆赫，V
IO
= 0 V
dV
（ IO）
/ DT
C
IO
C
CM
10000
0.8
0.01
V / μs的
pF
pF
V
RM
, V
DM
= 400 VAC ，
T
AMB
= 80 °C
I
T
= 300毫安
IL4117
IL4118
V
DRM
V
DRM
V
DRM
V
D（ RMS）
V
D（ RMS）
V
D（ RMS）
I
D（ RMS）
V
TM
I
TM
I
TSM
I
H
I
L
I
FT
V
IH
dV
（MT ）
/ DT
dV
（MT ）
/ DT
dV
（COM）的
/ DT
dV
（COM）的
/ DT
的di / dt
R
thjI
10000
2000
100
150
10000
2000
65
5.0
0.7
15
1.3
25
600
700
800
424
494
565
650
750
850
460
536
613
10
1.7
100
3.0
300
3.0
200
V
V
V
V
V
V
A
V
mA
A
A
mA
mA
V
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
A / MS
° C / W
I
F
= 20毫安
I
R
= 10 A
V
R
= 6.0 V
V
F
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
thjI
6.0
1.3
30
0.1
40
750
10
1.5
V
V
A
pF
° C / W
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
开关特性
参数
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
V
RM
= V
DM
= 424 VAC
PF = 1.0，我
T
= 300毫安
部分
符号
t
on
t
关闭
分钟。
典型值。
35
50
马克斯。
单位
s
s
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IL4116/IL4117/IL4118
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
35
30
25
20
15
10
5
0
1.0
iil4116_01
光电耦合器，光敏可控硅输出，
过零点，高dv / dt ，极低
输入电流
150
P
LED
- LED功率（mW ）
I
F
- LED电流（mA ）
100
50
1.1
1.2
1.3
V
F
- LED正向
电压
(V)
1.4
0
- 60
iil4116 04
- 40
- 20
0
20
40
60
T
A
- 环境温度（ ° C）
80
100
图。 1 - LED正向电流与正向电压
图。 4 - 最大的LED功率耗散
1.4
1.3
V
F
- 前进
电压
(V)
T
A
= - 55 °C
IT - 现场电流 - 电流（有效值）
500
400
300
200
100
0
- 100
- 200
- 300
- 400
- 500
-3
-2
-1
0
1
2
VT - 通态电压 - V（ RMS ）
3
1.2
1.1
1.0
0.9
T
A
= 100 °C
T
A
= 25 °C
0.8
0.7
0.1
1
10
I
F
- 正向电流（mA ）
100
iil4116_05
iil4116_02
图。 5 - 导通状态端子电压与电流端子
图。 2 - 正向电压与正向电流
10000
I
F（ PK）
- 峰值LED电流（mA ）
占空比
1000
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
300
P
LED
- LED功率（mW ）
τ
250
200
150
100
50
0
- 60
t
τ
DF = /吨
100
0.5
- 40
- 20
0
20
40
60
80
100
10
10
- 6
iil4116_03
10
- 5
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
10
0
10
1
iil4116_06
T
A
- 环境温度（ ° C）
吨 - LED脉冲持续时间（ S）
图。 3 - 峰值LED电流与占空比，
τ
图。 6 - 最大输出功率耗散
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IL4116/IL4117/IL4118
光电耦合器，光敏可控硅输出，
威世半导体
过零点，高dv / dt ，极低
输入电流
功率因数注意事项
消除虚假操作的缓冲是没有必要
由于IL4116 / IL4117 / IL4118高TRIAC激励器
静态和换向的dV / dt为1和0.8之间的负载
功率因数。当感性负载，功率因数少
超过0.8正在推动，包括RC缓冲电路或单
直接加在器件电容器受潮峰值
换向dv / dt的峰值。通常，换向dv / dt的
导致关断器件留在因存储
能残留在关断器件。
但在零电压交叉optotriac的情况下，该
换向dv / dt的峰值能抑制一半的TRIAC
从开启。如果尖峰电位超过抑制
电压的过零检测电路的，半双向晶闸管的
将于起飞和不导通。这种拖延病情可
通过使用缓冲或电容器直接放置消除
横跨optotriac如图7.注意该值
的电容器随着负载电流的函数。
在保持关闭状态还可以通过提供一种可以消除
更高级别的LED驱动电流。较高的LED驱动器
提供了一个较大的光电流引起。该
光电晶体管来接通之前的换向尖峰具有
活化的零交叉网络。图8示出了
所述LED驱动器为小于功率因数的关系
1.0 。该曲线表明，如果一个设备需要1.5毫安一
阻性负载，然后1.8倍（2.7 mA）的的量是
控制感性负载的功率因数要求
小于0.3 。
1
C
S
（ μF ） = 0.0032 （ μF ）× 10 ^ （ 0.0066我
L
（MA ） ）
C
S
- 并联电容（ μF ）
2.0
NI
FTH
-
归
LED
触发电流
1.8
1.6
1.4
1.2
I
FTH
归
到我
FTH
在PF = 1.0
1.0
0.8
0
iil4116_08
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
PF - 功率因数
图。 8 - 归LED触发电流
0.1
0.01
PF = 0.3
I
F
= 2.0毫安
0.001
0
iil4116_07
50
100
150
200
250
300
350 400
I
L
- 负载电流（毫安）
图。 7 - 并联电容与负载电流与功率因数
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