IL410 / IL4108
威世半导体
光电耦合器,光敏可控硅输出,零交叉,高dv / dt ,低
输入电流
特点
高输入灵敏度
I
FT
= 2.0毫安, PF = 1.0
I
FT
= 5.0毫安, PF
≤
1.0
300毫安通态电流
零电压过零检测器
600/800 V阻断电压
高静的dV / dt 10 KV / μs的
反并联可控硅整流提供
的dV / dt >10千伏/μs的
极低的泄漏< 10
A
隔离测试电压5300 V
RMS
小型6引脚DIP封装
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
A 1
C 2
NC 3
ZCC *
6 MT2
5 NC
4 MT1
*零交叉电路
i179030
机构认证
UL1577 ,文件号E52744系统代码H或按J ,
双重保护
CSA 93751
BSI IEC60950 IEC60065
DIN EN 60747-5-2 ( VDE0884 )
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
FIMKO
应用
固态继电器
工业控制
FFI CE设备
消费类电子产品。
描述
该IL410 / IL4108由砷化镓IRLED光学
耦合到光敏过零TRIAC网络
工作。双向晶闸管由两个反向并联CON-
整体连接的可控硅。这三个半
导体被组装在一个6脚双列直插式
封装。
高输入灵敏度是通过使用发射器来实现
跟随光电晶体管和可控硅串联预
司机造成更少的LED触发电流比
2.0毫安( DC) 。
该IL410 / IL4108使用导致两个分立的SCR
在一个换向的dV / dt大于10千伏/微秒。该
利用一个专有的dV / dt钳的结果在一个静态的dV /
dt的大于10千伏/微秒。这个钳位电路有一个
MOSFET是增强时,高dV / dt峰值
MT1和TRIAC的MT2之间发生。当
导通时,场效应管夹紧光子的基
totransistor ,禁用网络连接的第一个阶段SCR预驱动器。
过零线电压检测电路由
的两个增强的MOSFET和一个光电二极管。
网络的禁止电压是由确定的
N型沟道FET的增强电压。该P-
沟道FET是由光电流源启用了
允许在FET进行主电压到栅
在N型沟道FET 。一旦主电压
使N型沟道,它夹住光子的基
totransistor ,禁用网络连接的第一个阶段SCR预驱动器。
在600/800 V阻断电压允许场外的控制
线电压高达240伏交流电,具有安全系数
两个以上的,并且是足够之多
380 VAC 。
该IL410 / IL4108隔离低压逻辑
120 , 240和380伏交流线来控制电阻,
感性或容性负载,包括电机,电磁铁
noids ,高电流晶闸管或晶闸管和继电器。
文档编号83627
修订版1.4 , 26 -APR- 04
www.vishay.com
1
IL410 / IL4108
威世半导体
订购信息
部分
IL410
IL4108
IL410-X006
IL410-X007
IL410-X009
IL4108-X006
IL4108-X007
IL4108-X009
备注
600 V V
DRM
, DIP - 6
800 V V
DRM
, DIP - 6
600 V V
DRM
, DIP - 6 400万(选项6 )
600 V V
DRM
, SMD - 6 (选项7 )
600 V V
DRM
, SMD - 6 (选件9 )
800 V V
DRM
, DIP - 6 400万(选项6 )
800 V V
DRM
, SMD - 6 (选项7 )
800 V V
DRM
, SMD - 6 (选件9 )
有关可用选项的更多信息,请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
从25° C减免
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
1.33
单位
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
产量
参数
峰值断态电压
RMS通态电流
单周期浪涌电流
总功耗
从25° C减免
P
DISS
测试条件
部分
IL410
IL4108
符号
V
DM
V
DM
I
TM
价值
600
800
300
3.0
500
6.6
单位
V
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
隔离测试电压(T之间= 1.0分钟。
发射器和检测器,每个气候
DIN 500414 ,第2部分11月74)
污染度( DIN VDE
0109)
爬电距离
净空
2
≥
7.0
≥
7.0
mm
mm
www.vishay.com
2
文档编号83627
修订版1.4 , 26 -APR- 04
IL410 / IL4108
威世半导体
参数
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303第1部分,
根据DIN VDE 6110第IIIa
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ,T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ,T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
马克斯。
≤
10秒。浸焊
≥
0.5毫米从外壳底部
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
测试条件
符号
价值
≥
175
单位
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
260
°C
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息,不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
输入电容
热阻,结到
环境
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
F
= 0 V , F = 1.0 MHz的
符号
V
F
I
R
C
IN
R
thJA
民
典型值。
1.16
0.1
25
750
最大
1.35
10
单位
V
A
pF
° C / W
产量
参数
断态电压
测试条件
I
D( RMS)
= 70
A
部分
IL410
IL4108
重复峰值断态电压I
DRM
= 100
A
FF-态电流
V
D
= V
DRM
, T
AMB
= 100 °C,
I
F
= 0毫安
V
D
= V
DRM
, I
F
=额定我
FT
通态电压
通态电流
浪涌(非重复) ,通态
当前
触发电流1
触发电流2
触发电流温度。梯度
抑制电压的温度。梯度
断态电流抑制状态
保持电流
闭锁电流
零交叉禁止电压
开启时间
打开-O FF时间
V
T
= 2.2 V
I
F
=额定我
FT
V
RM
= V
DM
= V
D( RMS)
PF = 1.0,我
T
= 300毫安
I
F
= I
FT1
, V
DRM
I
T
= 300毫安
PF = 1.0 ,V
T( RMS )
= 1.7 V
F = 50赫兹
V
D
= 5.0 V
V
OP
= 220 V,F = 50 Hz时,
T
J
= 100 ° C,T
pF
> 10毫秒
IL410
IL4108
符号
V
D( RMS)
V
D( RMS)
V
DRM
V
DRM
I
D(RMS)1
I
D(RMS)2
V
TM
I
TM
I
TSM
I
FT1
I
FT2
I
FT1
/T
j
I
FT2
/T
j
V
DINH
/T
j
I
DINH
I
H
I
L
V
IH
t
on
t
关闭
7.0
7.0
-20
50
65
5.0
15
35
50
25
200
500
1.7
民
424
565
600
800
10
100
200
3.0
300
3.0
2.0
6.0
14
14
典型值。
460
最大
单位
V
V
V
V
A
A
V
mA
A
mA
mA
μA /°C的
μA /°C的
毫伏/°C的
A
A
mA
V
s
s
文档编号83627
修订版1.4 , 26 -APR- 04
www.vishay.com
3
IL410 / IL4108
威世半导体
参数
崛起的断态临界速率
电压
上升电压的临界速度
电流换向
测试条件
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 25 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 80 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS ,T
J
= 25 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS ,T
J
= 80 °C
对国家崛起的临界速度
热阻,结到
环境
部分
符号
dv / dt的
cr
dv / dt的
cr
dv / dt的
CRQ
dv / dt的
CRQ
的di / dt
cr
R
thJA
民
10000
5000
10000
5000
8.0
150
典型值。
最大
单位
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
A / μs的
° C / W
耦合器
参数
耦合临界上升率
输入/输出电压
共模耦合
电容
电容(输入输出)
绝缘电阻
F = 1.0兆赫,V
IO
= 0 V
V
IO
= 500 V ,T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ,T
AMB
= 100 °C
测试条件
I
T
= 0 ,V
RM
= V
DM
= V
D( RMS)
符号
dV
IO
/ DT
C
CM
C
IO
R
IO
R
IO
民
典型值。
10000
0.01
0.8
≥
10
12
≥
10
11
最大
单位
V / μs的
pF
pF
功率因数注意事项
杜绝虚假操作的缓冲是没有必要
因为IL410 / IL4108高的TRIAC驱动器
静态和换向的dV / dt与1.0载荷
和0.8的功率因数。当电感性负载,
功率因数低于0.8正在推动,包括:
一个RC缓冲电路或单直接穿过电容器
设备受潮峰换向dv / dt的峰值。
通常,换向dv / dt会一关断
设备留在由于储存的能量剩余
在关断器件。
但在零电压交叉optotriac的情况下,
换向dv / dt的峰值能抑制一半
可控硅的导通。如果秒杀潜力
超过的零交叉检测的禁止电压
电路,半双向晶闸管的将于断和不开启
上。此保持关闭状态可以通过使用被消除
一个缓冲电容或直接穿过放置
optotriac如示于图1。注意的值
电容随着负载的函数的电流
租。
1
CS ( μF ) = 0.0032 ( μF ) * 10 ^ ( 0.0066IL (MA )
CS - 并联电容 -
F
.1
.01
TA = 25 ° C, PF = 0.3
IF = 2.0毫安
.001
0
iil410_01
50
100
150
200
250
300
350
400
IL - 负载电流 - 电流(有效值)
图1.并联电容与负载电流
www.vishay.com
4
文档编号83627
修订版1.4 , 26 -APR- 04
IL410 / IL4108
威世半导体
光电耦合器,光敏可控硅输出,零交叉,高dv / dt ,低
输入电流
特点
高输入灵敏度
I
FT
= 2.0毫安, PF = 1.0
I
FT
= 5.0毫安, PF
≤
1.0
300毫安通态电流
零电压过零检测器
600/800 V阻断电压
高静的dV / dt 10 KV / μs的
反并联可控硅整流提供
的dV / dt >10千伏/μs的
极低的泄漏< 10
A
隔离测试电压5300 V
RMS
小型6引脚DIP封装
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
A 1
C 2
NC 3
ZCC *
6 MT2
5 NC
4 MT1
*零交叉电路
i179030
机构认证
UL1577 ,文件号E52744系统代码H或按J ,
双重保护
CSA 93751
BSI IEC60950 IEC60065
DIN EN 60747-5-2 ( VDE0884 )
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
FIMKO
应用
固态继电器
工业控制
FFI CE设备
消费类电子产品。
描述
该IL410 / IL4108由砷化镓IRLED光学
耦合到光敏过零TRIAC网络
工作。双向晶闸管由两个反向并联CON-
整体连接的可控硅。这三个半
导体被组装在一个6脚双列直插式
封装。
高输入灵敏度是通过使用发射器来实现
跟随光电晶体管和可控硅串联预
司机造成更少的LED触发电流比
2.0毫安( DC) 。
该IL410 / IL4108使用导致两个分立的SCR
在一个换向的dV / dt大于10千伏/微秒。该
利用一个专有的dV / dt钳的结果在一个静态的dV /
dt的大于10千伏/微秒。这个钳位电路有一个
MOSFET是增强时,高dV / dt峰值
MT1和TRIAC的MT2之间发生。当
导通时,场效应管夹紧光子的基
totransistor ,禁用网络连接的第一个阶段SCR预驱动器。
过零线电压检测电路由
的两个增强的MOSFET和一个光电二极管。
网络的禁止电压是由确定的
N型沟道FET的增强电压。该P-
沟道FET是由光电流源启用了
允许在FET进行主电压到栅
在N型沟道FET 。一旦主电压
使N型沟道,它夹住光子的基
totransistor ,禁用网络连接的第一个阶段SCR预驱动器。
在600/800 V阻断电压允许场外的控制
线电压高达240伏交流电,具有安全系数
两个以上的,并且是足够之多
380 VAC 。
该IL410 / IL4108隔离低压逻辑
120 , 240和380伏交流线来控制电阻,
感性或容性负载,包括电机,电磁铁
noids ,高电流晶闸管或晶闸管和继电器。
文档编号83627
修订版1.4 , 26 -APR- 04
www.vishay.com
1
IL410 / IL4108
威世半导体
订购信息
部分
IL410
IL4108
IL410-X006
IL410-X007
IL410-X009
IL4108-X006
IL4108-X007
IL4108-X009
备注
600 V V
DRM
, DIP - 6
800 V V
DRM
, DIP - 6
600 V V
DRM
, DIP - 6 400万(选项6 )
600 V V
DRM
, SMD - 6 (选项7 )
600 V V
DRM
, SMD - 6 (选件9 )
800 V V
DRM
, DIP - 6 400万(选项6 )
800 V V
DRM
, SMD - 6 (选项7 )
800 V V
DRM
, SMD - 6 (选件9 )
有关可用选项的更多信息,请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
从25° C减免
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
1.33
单位
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
产量
参数
峰值断态电压
RMS通态电流
单周期浪涌电流
总功耗
从25° C减免
P
DISS
测试条件
部分
IL410
IL4108
符号
V
DM
V
DM
I
TM
价值
600
800
300
3.0
500
6.6
单位
V
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
单位
V
RMS
隔离测试电压(T之间= 1.0分钟。
发射器和检测器,每个气候
DIN 500414 ,第2部分11月74)
污染度( DIN VDE
0109)
爬电距离
净空
2
≥
7.0
≥
7.0
mm
mm
www.vishay.com
2
文档编号83627
修订版1.4 , 26 -APR- 04
IL410 / IL4108
威世半导体
参数
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303第1部分,
根据DIN VDE 6110第IIIa
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ,T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ,T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
马克斯。
≤
10秒。浸焊
≥
0.5毫米从外壳底部
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
测试条件
符号
价值
≥
175
单位
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
260
°C
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息,不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
输入电容
热阻,结到
环境
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
F
= 0 V , F = 1.0 MHz的
符号
V
F
I
R
C
IN
R
thJA
民
典型值。
1.16
0.1
25
750
最大
1.35
10
单位
V
A
pF
° C / W
产量
参数
断态电压
测试条件
I
D( RMS)
= 70
A
部分
IL410
IL4108
重复峰值断态电压I
DRM
= 100
A
FF-态电流
V
D
= V
DRM
, T
AMB
= 100 °C,
I
F
= 0毫安
V
D
= V
DRM
, I
F
=额定我
FT
通态电压
通态电流
浪涌(非重复) ,通态
当前
触发电流1
触发电流2
触发电流温度。梯度
抑制电压的温度。梯度
断态电流抑制状态
保持电流
闭锁电流
零交叉禁止电压
开启时间
打开-O FF时间
V
T
= 2.2 V
I
F
=额定我
FT
V
RM
= V
DM
= V
D( RMS)
PF = 1.0,我
T
= 300毫安
I
F
= I
FT1
, V
DRM
I
T
= 300毫安
PF = 1.0 ,V
T( RMS )
= 1.7 V
F = 50赫兹
V
D
= 5.0 V
V
OP
= 220 V,F = 50 Hz时,
T
J
= 100 ° C,T
pF
> 10毫秒
IL410
IL4108
符号
V
D( RMS)
V
D( RMS)
V
DRM
V
DRM
I
D(RMS)1
I
D(RMS)2
V
TM
I
TM
I
TSM
I
FT1
I
FT2
I
FT1
/T
j
I
FT2
/T
j
V
DINH
/T
j
I
DINH
I
H
I
L
V
IH
t
on
t
关闭
7.0
7.0
-20
50
65
5.0
15
35
50
25
200
500
1.7
民
424
565
600
800
10
100
200
3.0
300
3.0
2.0
6.0
14
14
典型值。
460
最大
单位
V
V
V
V
A
A
V
mA
A
mA
mA
μA /°C的
μA /°C的
毫伏/°C的
A
A
mA
V
s
s
文档编号83627
修订版1.4 , 26 -APR- 04
www.vishay.com
3
IL410 / IL4108
威世半导体
参数
崛起的断态临界速率
电压
上升电压的临界速度
电流换向
测试条件
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 25 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
J
= 80 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS ,T
J
= 25 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS ,T
J
= 80 °C
对国家崛起的临界速度
热阻,结到
环境
部分
符号
dv / dt的
cr
dv / dt的
cr
dv / dt的
CRQ
dv / dt的
CRQ
的di / dt
cr
R
thJA
民
10000
5000
10000
5000
8.0
150
典型值。
最大
单位
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
A / μs的
° C / W
耦合器
参数
耦合临界上升率
输入/输出电压
共模耦合
电容
电容(输入输出)
绝缘电阻
F = 1.0兆赫,V
IO
= 0 V
V
IO
= 500 V ,T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ,T
AMB
= 100 °C
测试条件
I
T
= 0 ,V
RM
= V
DM
= V
D( RMS)
符号
dV
IO
/ DT
C
CM
C
IO
R
IO
R
IO
民
典型值。
10000
0.01
0.8
≥
10
12
≥
10
11
最大
单位
V / μs的
pF
pF
功率因数注意事项
杜绝虚假操作的缓冲是没有必要
因为IL410 / IL4108高的TRIAC驱动器
静态和换向的dV / dt与1.0载荷
和0.8的功率因数。当电感性负载,
功率因数低于0.8正在推动,包括:
一个RC缓冲电路或单直接穿过电容器
设备受潮峰换向dv / dt的峰值。
通常,换向dv / dt会一关断
设备留在由于储存的能量剩余
在关断器件。
但在零电压交叉optotriac的情况下,
换向dv / dt的峰值能抑制一半
可控硅的导通。如果秒杀潜力
超过的零交叉检测的禁止电压
电路,半双向晶闸管的将于断和不开启
上。此保持关闭状态可以通过使用被消除
一个缓冲电容或直接穿过放置
optotriac如示于图1。注意的值
电容随着负载的函数的电流
租。
1
CS ( μF ) = 0.0032 ( μF ) * 10 ^ ( 0.0066IL (MA )
CS - 并联电容 -
F
.1
.01
TA = 25 ° C, PF = 0.3
IF = 2.0毫安
.001
0
iil410_01
50
100
150
200
250
300
350
400
IL - 负载电流 - 电流(有效值)
图1.并联电容与负载电流
www.vishay.com
4
文档编号83627
修订版1.4 , 26 -APR- 04
IL410/IL4108
威世半导体
光电耦合器,光敏可控硅输出,零交叉,
高dv / dt ,低输入电流
特点
高输入灵敏度
A 1
C 2
NC
3
ZCC *
6 MT2
5
NC
4 MT1
I
FT
= 2.0毫安, PF = 1.0
I
FT
= 5.0毫安, PF
≤
1.0
300毫安通态电流
零电压穿越检测
600/800 V阻断电压
高静的dV / dt 10 KV / μs的
反并联可控硅整流提供
的dV / dt >10千伏/μs的
极低的泄漏< 10
μA
隔离测试电压5300 V
RMS
小型6引脚DIP封装
铅(Pb) -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
*零交叉电路
i179030
描述
该IL410 / IL4108由砷化镓IRLED光学
耦合到光敏过零TRIAC网络。
双向晶闸管由两个反向并联连接的
单片可控硅。这三个半导体是
组装在一个6脚双列直插式封装。
高输入灵敏度是通过使用一个发射极跟随器来实现
光电晶体管和可控硅串联前置驱动器产生
小于2.0毫安(DC)的LED触发电流。
该IL410 / IL4108使用造成了两个分立的SCR
换向dv / dt的大于10千伏/毫秒。使用一
专有的dV / dt钳导致更大的静态的dV / dt
大于10千伏/毫秒。该钳位电路具有MOSFET是
当高dV / dt峰值MT1之间出现增强
MT2的TRIAC的。导通时,场效应管夹紧
基光电晶体管,禁止第一阶段的SCR
预驱动器。
零交叉线的电压检测电路包括两个
增强的MOSFET和一个光电二极管。该禁止
网络的电压被提高测定
电压的N沟道FET的。该P沟道场效应晶体管启用
由光电流源,其允许在FET来进行
主电压到栅极上的N型沟道FET 。一旦主
电压可以使N型沟道,它夹紧的基部
光电晶体管,禁止第一阶段可控硅预驱动器。
在600/800 V阻断电压允许脱机控制
电压高达240伏交流电,与更多的安全系数比
2 ,并足以用于高达380伏。
该IL410 / IL4108隔离120 , 240低电压逻辑,
和380伏交流线来控制电阻性,电感性,或
容性负载包括电机,螺线管,高电流
晶闸管或晶闸管和继电器。
应用
固态继电器
工业控制
办公设备
家电产品
机构认证
UL1577 ,文件号。 E52744系统代号H或按J ,双
保护
CSA 93751
FIMKO和BSI IEC 60950 ; IEC 60065只为IL4108
DIN EN 60747-5-2 ( VDE 0884 ) / DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
订购信息
部分
IL410
IL4108
IL410-X006
IL410-X007
IL410-X009
备注
600 V V
DRM
, DIP - 6
800 V V
DRM
, DIP - 6
600 V V
DRM
, DIP - 6 400万(选项6 )
600 V V
DRM
, SMD - 6 (选项7 )
600 V V
DRM
, SMD - 6 (选件9 )
文档编号: 83627
修订版1.6 , 09 -JAN- 08
如有技术问题,请联系: optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
1
IL410/IL4108
威世半导体
光电耦合器,光敏可控硅输出,零
穿越,
高dv / dt ,低输入电流
订购信息
部分
IL4108-X006
IL4108-X007
IL4108-X009
记
有关可用选项的更多信息,请参阅选项的信息。
备注
800 V V
DRM
, DIP - 6 400万(选项6 )
800 V V
DRM
, SMD - 6 (选项7 )
800 V V
DRM
, SMD - 6 (选件9 )
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
从25° C减免
产量
峰值断态电压
RMS通态电流
单周期浪涌电流
总功耗
从25° C减免
耦合器
隔离测试电压(发射极之间
和检测,符合DIN 500414气候,
第2部分11月74)
污染等级( DIN VDE 0109 )
爬电距离
间隙距离
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303第1部分,ⅢA族
根据DIN VDE 6110
绝缘电阻
存储温度范围
环境温度
焊接温度
(2)
(1)
测试条件
部分
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
1.33
600
800
300
3.0
500
6.6
单位
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
V
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
IL410
IL4108
V
DM
V
DM
I
TM
P
DISS
T = 1.0分钟
V
ISO
5300
2
≥
7.0
≥
7.0
V
RMS
mm
mm
CTI
V
IO
= 500 V ,T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ,T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
马克斯。
≤
10秒浸焊
≥
0.5毫米从外壳底部
T
SLD
≥
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
260
Ω
Ω
°C
°C
°C
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃,除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件( SMD )焊接条件。请参阅波曲线为通过焊接条件
孔器件( DIP ) 。
www.vishay.com
2
如有技术问题,请联系: optocoupler.answers@vishay.com
文档编号: 83627
修订版1.6 , 09 -JAN- 08
IL410/IL4108
光电耦合器,光敏可控硅输出,零
威世半导体
穿越,
高dv / dt ,低输入电流
电气特性
参数
输入
正向电压
反向电流
输入电容
热阻,结到环境
产量
断态电压
重复峰值断态电压
I
D( RMS)
= 70 A
I
DRM
= 100 A
V
D
= V
DRM
, T
AMB
= 100 °C,
I
F
= 0毫安
V
D
= V
DRM
, I
F
=额定我
FT
通态电压
通态电流
浪涌(非重复) ,通态电流
触发电流1
触发电流2
触发电流温度。梯度
抑制电压的温度。梯度
断态电流抑制状态
保持电流
闭锁电流
零交叉禁止电压
开启时间
打开-O FF时间
断态电压临界上升率
V
T
= 2.2 V
I
F
=额定我
FT
V
RM
= V
DM
= V
D( RMS)
PF = 1.0,我
T
= 300毫安
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
j
= 25 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
, T
j
= 80 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS ,T
j
= 25 °C
V
D
= 0.67 V
DRM
,
的di / dt
CRQ
≤
15 A / MS ,T
j
= 80 °C
I
F
= I
FT1
, V
DRM
I
T
= 300毫安
PF = 1.0 ,V
T( RMS )
= 1.7 V
F = 50赫兹
V
D
= 5.0 V
V
OP
= 220 V,F = 50 Hz时,
T
j
= 100 ° C,T
pF
> 10毫秒
IL410
IL4108
IL410
IL4108
V
D( RMS)
V
D( RMS)
V
DRM
V
DRM
I
D(RMS)1
I
D(RMS)2
V
TM
I
TM
I
TSM
I
FT1
I
FT2
ΔI
FT1
/ΔT
j
ΔI
FT2
/ΔT
j
ΔV
DINH
/ΔT
j
I
DINH
I
H
I
L
V
IH
t
on
t
关闭
dv / dt的
cr
dV
CRQ
/ DT
dv / dt的
CRQ
dv / dt的
CRQ
的di / dt
CRQ
R
thJA
10000
5000
10000
5000
8.0
150
7.0
7.0
- 20
50
65
5.0
15
35
50
25
200
500
1.7
424
565
600
800
10
100
200
3.0
300
3.0
2.0
6.0
14
14
460
V
V
V
V
A
A
V
mA
A
mA
mA
μA /°C的
μA /°C的
毫伏/°C的
A
A
mA
V
s
s
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
A / μs的
° C / W
I
F
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
F
= 0 V , F = 1.0 MHz的
V
F
I
R
C
IN
R
thJA
1.16
0.1
25
750
1.35
10
V
A
pF
° C / W
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
FF-态电流
上升电压的电流的临界速度
换相
对国家崛起的临界速度
热阻,结到环境
耦合器
耦合临界上升率
输入/输出电压
共模耦合电容
电容(输入输出)
绝缘电阻
I
T
= 0 ,V
RM
= V
DM
= V
D( RMS)
dV
IO
/ DT
C
CM
10000
0.01
0.8
≥
≥
10
12
10
11
V / μs的
pF
pF
Ω
Ω
F = 1.0兆赫,V
IO
= 0 V
V
IO
= 500 V ,T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ,T
AMB
= 100 °C
C
IO
R
IO
R
IO
记
T
AMB
= 25℃,除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息,不属于测试要求的一部分。
文档编号: 83627
修订版1.6 , 09 -JAN- 08
如有技术问题,请联系: optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
3
IL410/IL4108
威世半导体
光电耦合器,光敏可控硅输出,零
穿越,
高dv / dt ,低输入电流
功率因数注意事项
消除虚假操作的缓冲是没有必要
TRIAC驱动器因为IL410 / IL4108高静
换向dv / dt的介于1.0和0.8的功率负载
因素。当感性负载,功率因数小于
0.8顷驱动,包括RC缓冲或单
直接加在器件电容器受潮峰值
换向dv / dt的峰值。通常,换向dv / dt的
导致关断器件留在因存储
能残留在关断器件。
但在零电压交叉optotriac的情况下,该
换向dv / dt的峰值能抑制一半的TRIAC
从开启。如果尖峰电位超过抑制
电压的过零检测电路的,半双向晶闸管的
将于起飞和不导通。这种拖延病情可
通过使用缓冲或电容器直接放置消除
横跨optotriac如图1。注意,该值
的电容器随着负载电流的函数。
在保持关闭状态还可以通过提供一种可以消除
更高级别的LED驱动电流。较高的LED驱动器
提供了一个较大的光电流引起的
光电晶体管来接通之前的换向尖峰具有
活化的零交叉网络。图2示出了
所述LED驱动器为小于功率因数的关系
1.0 。该曲线表明,如果一个设备需要1.5毫安一
阻性负载,然后1.8倍(2.7 mA)的的量是
控制感性负载的功率因数要求
小于0.3 。
1
C
s
- 并联电容( μF )
C
s
( μF ) = 0.0032 ( μF ) * 10 ^ 0.0066 IL (毫安)
0.1
0.01
TA = 25°C , PF = 0.3
IF = 2.0毫安
0.001
0
iil410_01
50
100 150 200 250 300 350 400
I
L
- 负载电流(mA ) ( RMS)
图。 1 - 并联电容与负载电流
典型特征
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
2.0
1.4
NIFth
-
归
LED
触发电流
V
F
- 前进
电压
(V)
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.0
IFth时
归
以IFth时,在PF = 1.0
TA = 25℃
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.1
TA = - 55°C
TA = 25℃
TA =
85
°C
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1
10
100
iil410_02
PF - 功率因数
iil410_03
I
F
- 正向电流(mA )
图。 2 - 归的LED触发电流与功率因数
图。 3 - 正向电压与正向电流
www.vishay.com
4
如有技术问题,请联系: optocoupler.answers@vishay.com
文档编号: 83627
修订版1.6 , 09 -JAN- 08
IL410/IL4108
光电耦合器,光敏可控硅输出,零
威世半导体
穿越,
高dv / dt ,低输入电流
10000
400
I
真有效值
= F( VT)
R
thJA
= 150 K / W
设备开关
焊接在印刷电路板
or
BASE
板。
如果( PK) - LED峰值电流(mA )
τ
占空比
1000
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
t
DF ?
τ
/t
I
真有效值
(MA )
10
1
300
200
100
100
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
iil410_04
0
0
iil410_07
20
40
60
80
100
吨 - LED脉冲持续时间( S)
T
A
(°C)
图。 7 - 降低电流
图。 4 - LED峰值电流和占空比,
τ
150
400
LED- LED功率(mW )
100
I
真有效值
(MA )
300
200
50
100
ITRMS = F ( TPIN5 ) , RthJ - PIN5 = 16.5 K / W
热电偶测量时必须
be
有可能进行分离
到A1和A2。测量结
尽可能接近的情况下。
0
- 60 - 40 - 20
iil410_05
0
20
40
60
80
100
iil410_08
0
50
60
70
80
90
100
T
a
- 环境温度( ° C)
T
PIN5
(°C)
图。 8 - 降低电流
图。 5 - 最大的LED功率耗散
10
3
5
T
j
= 25 °C
100 °C
10
3
t
gd
= F(我
F
I
FT
25 °C),
V
D
= 200
V
F = 4060赫兹,参数:T已
j
I
T
(MA )
5
f
gd
(s)
10
2
I
T
= F(V
T
),
参数:T已
j
10
2
5
T
j
= 25 °C
100 °C
10
1
5
10
0
0
iil410_06
1
2
3
4
10
1
10
0
iil410_09
5
10
1
5
10
2
V
T
(V)
I
F
/I
FT25 ℃,
图。 6 - 典型的输出特性
图。 9 - 典型的触发延迟时间
文档编号: 83627
修订版1.6 , 09 -JAN- 08
如有技术问题,请联系: optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
5