IL205 ， IL206 ， IL207 ， IL208 ，
IL211 ， IL212 ， IL213 ，
IL215 ， IL216 ， IL217
小尺寸OPTICALLY
耦合型隔离器
晶体管输出
描述
8
7
6
5
尺寸（mm）
1
2
3
1
2
3
4
4
8
7
6
5
这一系列的光耦合隔离器由
一个砷化镓红外发光二极管和NPN
安装在一个标准的8引脚硅光电晶体管
SOIC封装，这使得它们非常适用于
高密度的应用具有有限的空间。
5.25
特点
4.75
5.0最大
l
标准的SOIC - 8封装与0.05"引线间隔
l
指定的最小值。和最大值。 CTR可达10mA，我
F
,
5V V
CE
4.9最大
3.9 MAX
IL205 ， 40 ％ - 80％
IL206 ， 63 - 125 ％
3.3最大
IL207 ， 100 - 200 ％
IL208 ， 160 - 320 ％
l
10mA时我指定的最小CTR
F
, 5V V
CE
0.3
0.1Min
IL211 ， 20％的
6.15
最大
IL212 ， 50％的
0.35
5.85
1.27
3.81
0.45
IL213 ，100％
l
在1mA时我指定的最小CTR
F
, 5V V
CE
IL215 ， 20％的
应用
IL216 ， 50％的
IL217 ，100％
l
电脑终端机
l
隔离电压， 2500 V
RMS
l
工业系统控制器
l
高BV
首席执行官
（ 70V分）
l
需要混合基质
l
所有电气参数100％测试
高密度安装
l
可在磁带和卷轴 - 加后缀" T& "
l
的系统之间的信号传输
l
定制电可用的选项
不同的潜能和阻抗
绝对最大额定值
（ 25 ° C除非另有说明）
输出晶体管
储存温度
-55℃ + 125
工作温度
-55
0
C至+100
0
C
引线焊接温度
260
0
C
（ 10秒单波）
输入到输出隔离电压
2500V
RMS
输入二极管
正向直流电流
60mA
反向直流电压
6V
峰值正向电流（ TP
≤
10
s)
3A
功耗
100mW
（减免线性1.33mW /
0
C以上25
0
C)
结温
125
0
C
0
0
集电极 - 发射极电压BV
首席执行官
发射极 - 集电极电压BV
ECO
集电极基极电压BV
CBO
集电极电流
集电极电流
（ PW
≤
为10ms ，50％占空比
)
功耗
（减免线性2.00mW /
0
C以上25
0
C)
结温
包
70V
7V
70V
50mA
100mA
150mW
125
0
C
总功耗
250mW
（减免线性3.3mW /
0
C以上25
0
C)
ISOCOM有限公司
1024 S.格林维尔大道，套房240 ，
艾伦， TX 75002 USA
联系电话： （ 214 ） 495-0755传真： （ 214 ） 495-0901
电子邮件info@isocom.com
http://www.isocom.com
DB92440-AAS/A2
ISOCOM COMPONENTS LTD
单元25B ，公园景观西路，
公园景工业村，布伦达路
哈特尔浦，克利夫兰， TS25 1YD
联系电话： （ 01429 ） 863609传真： （ 01429 ） 863581
7/12/00
电气特性（ 25
0
C除非另有说明）
参数
输入
正向电压（V
F
)
电容
反向电流（I
R
)
集电极发射极电压（ BV
首席执行官
)
发射极 - 集电极电压（ BV
ECO
)
集电极 - 基极电压（ BV
CBO
)
集电极 - 发射极暗电流（I
首席执行官
)
CurrentTransferRatio （ CTR ） IL205
IL206
IL207
IL208
IL211
IL212
IL213
再加
IL205
IL206
IL207
IL208
IL215
IL216
IL217
13
22
34
56
20
50
100
0.4
0.4
0.3
3.0
3.0
1.6
2.2
%
%
%
%
%
民
典型值最大值单位
1.2
50
1.5
100
伏特
pF
A
伏特
伏特
伏特
nA
%
%
%
%
%
%
%
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
V
R
= 6V
I
C
= 100 A
I
E
= 100 A
I
C
= 100 A
V
CE
= 10V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5V
产量
70
7
70
50
40
63
100
160
20
50
100
80
125
200
320
I
F
= 1毫安， V
CE
= 5V
%
%
伏特
伏特
pF
V
RMS
s
s
s
s
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2毫安
I
F
= 1毫安，我
C
- 0.1毫安
F = 1MHz的（注1 ）
V
IO
= 500V （注1 ）
集电极 - 发射极饱和电压V
CE
（SAT）
（ IL205到IL213 ）
集电极 - 发射极饱和电压V
CE
（SAT）
（ IL215到IL217 ）
电容输入到输出（C
IO
)
输入到输出绝缘电阻（R
IO
)
10
11
输入到输出绝缘电压（V
IO
)
2500
输出开启时间（t
on
)
输出关闭时间（t
关闭
)
输出上升时间（T
r
)
输出下降时间（t
f
)
注1
I
C
= 2毫安，
V
CC
= 10V ，R
L
= 100
注意事项1.测量与输入引线短接在一起，和输出引线短接在一起。
V
CC
= 10V
R
L
= 100
产量
输入
t
on
t
f
t
关闭
t
r
产量
10%
10%
图1
90%
90%
7/12/00
DB92440-AAS/A2
IL205 ， IL206 ， IL207 ， IL208 ，
IL211 ， IL212 ， IL213 ，
IL215 ， IL216 ， IL217
小尺寸OPTICALLY
耦合型隔离器
晶体管输出
描述
8
7
6
5
尺寸（mm）
1
2
3
1
2
3
4
4
8
7
6
5
这一系列的光耦合隔离器由
一个砷化镓红外发光二极管和NPN
安装在一个标准的8引脚硅光电晶体管
SOIC封装，这使得它们非常适用于
高密度的应用具有有限的空间。
5.25
特点
4.75
5.0最大
l
标准的SOIC - 8封装与0.05"引线间隔
l
指定的最小值。和最大值。 CTR可达10mA，我
F
,
5V V
CE
4.9最大
3.9 MAX
IL205 ， 40 ％ - 80％
IL206 ， 63 - 125 ％
3.3最大
IL207 ， 100 - 200 ％
IL208 ， 160 - 320 ％
l
10mA时我指定的最小CTR
F
, 5V V
CE
0.3
0.1Min
IL211 ， 20％的
6.15
最大
IL212 ， 50％的
0.35
5.85
1.27
3.81
0.45
IL213 ，100％
l
在1mA时我指定的最小CTR
F
, 5V V
CE
IL215 ， 20％的
应用
IL216 ， 50％的
IL217 ，100％
l
电脑终端机
l
隔离电压， 2500 V
RMS
l
工业系统控制器
l
高BV
首席执行官
（ 70V分）
l
需要混合基质
l
所有电气参数100％测试
高密度安装
l
可在磁带和卷轴 - 加后缀" T& "
l
的系统之间的信号传输
l
定制电可用的选项
不同的潜能和阻抗
绝对最大额定值
（ 25 ° C除非另有说明）
输出晶体管
储存温度
-55℃ + 125
工作温度
-55
0
C至+100
0
C
引线焊接温度
260
0
C
（ 10秒单波）
输入到输出隔离电压
2500V
RMS
输入二极管
正向直流电流
60mA
反向直流电压
6V
峰值正向电流（ TP
≤
10
s)
3A
功耗
100mW
（减免线性1.33mW /
0
C以上25
0
C)
结温
125
0
C
0
0
集电极 - 发射极电压BV
首席执行官
发射极 - 集电极电压BV
ECO
集电极基极电压BV
CBO
集电极电流
集电极电流
（ PW
≤
为10ms ，50％占空比
)
功耗
（减免线性2.00mW /
0
C以上25
0
C)
结温
包
70V
7V
70V
50mA
100mA
150mW
125
0
C
总功耗
250mW
（减免线性3.3mW /
0
C以上25
0
C)
ISOCOM有限公司
1024 S.格林维尔大道，套房240 ，
艾伦， TX 75002 USA
联系电话： （ 214 ） 495-0755传真： （ 214 ） 495-0901
电子邮件info@isocom.com
http://www.isocom.com
DB92440-AAS/A2
ISOCOM COMPONENTS LTD
单元25B ，公园景观西路，
公园景工业村，布伦达路
哈特尔浦，克利夫兰， TS25 1YD
联系电话： （ 01429 ） 863609传真： （ 01429 ） 863581
7/12/00
电气特性（ 25
0
C除非另有说明）
参数
输入
正向电压（V
F
)
电容
反向电流（I
R
)
集电极发射极电压（ BV
首席执行官
)
发射极 - 集电极电压（ BV
ECO
)
集电极 - 基极电压（ BV
CBO
)
集电极 - 发射极暗电流（I
首席执行官
)
CurrentTransferRatio （ CTR ） IL205
IL206
IL207
IL208
IL211
IL212
IL213
再加
IL205
IL206
IL207
IL208
IL215
IL216
IL217
13
22
34
56
20
50
100
0.4
0.4
0.3
3.0
3.0
1.6
2.2
%
%
%
%
%
民
典型值最大值单位
1.2
50
1.5
100
伏特
pF
A
伏特
伏特
伏特
nA
%
%
%
%
%
%
%
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
V
R
= 6V
I
C
= 100 A
I
E
= 100 A
I
C
= 100 A
V
CE
= 10V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5V
产量
70
7
70
50
40
63
100
160
20
50
100
80
125
200
320
I
F
= 1毫安， V
CE
= 5V
%
%
伏特
伏特
pF
V
RMS
s
s
s
s
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2毫安
I
F
= 1毫安，我
C
- 0.1毫安
F = 1MHz的（注1 ）
V
IO
= 500V （注1 ）
集电极 - 发射极饱和电压V
CE
（SAT）
（ IL205到IL213 ）
集电极 - 发射极饱和电压V
CE
（SAT）
（ IL215到IL217 ）
电容输入到输出（C
IO
)
输入到输出绝缘电阻（R
IO
)
10
11
输入到输出绝缘电压（V
IO
)
2500
输出开启时间（t
on
)
输出关闭时间（t
关闭
)
输出上升时间（T
r
)
输出下降时间（t
f
)
注1
I
C
= 2毫安，
V
CC
= 10V ，R
L
= 100
注意事项1.测量与输入引线短接在一起，和输出引线短接在一起。
V
CC
= 10V
R
L
= 100
产量
输入
t
on
t
f
t
关闭
t
r
产量
10%
10%
图1
90%
90%
7/12/00
DB92440-AAS/A2
QQ：2880707522 复制
