【IL211A/212A/213ANEWPHOTOTRANSISTOR小尺寸表面贴装光耦合器特点高电流】,IC型号IL213A,IL213A PDF资料,IL213A经销商,ic,电子元器件-51电子网

IL211A/212A/213A

PHOTOTRANSISTOR

小尺寸

表面贴装光耦合器

特点

高电流传输比

IL211A ， 20 ％的最低

IL212A -50 ％的最低

IL213A -100 ％最

隔离电压2500 VAC

RMS

电气连接特定阳离子类似

标准的6针接头

工业标准SOIC- 8表面

安装包

标准引脚节距， 0.05 ＆ QUOT ;

可在磁带和卷轴选项

（符合EIA标准RS481A ）

兼容双波峰焊，气相

和IR再溢流焊接

美国保险商实验室文件＃ E52744

（代码字母P ）

描述

该IL211A / 212A / 213A光学耦合对

用砷化镓红外发光二极管和硅

NPN光电晶体管。信号信息，其中包括一

DC电平，可以由设备同时被发送

保持电隔离程度高

之间的输入和输出。该IL211A // 212A / 213A

采用的是标准的SOIC - 8小型封装

表面贴装这使得它非常适合

对于空间有限的高密度应用。在

除了消除通孔的要求，

这个包符合地表标准

安装的设备。

供您选择20 ， 50 ，和100 ％的最低CTR在

= 10毫安使得这些光电耦合器适用于

各种不同的应用。

最大额定值

辐射源

峰值反向电压..................................... 6.0 V

连续正向电流......................... 60毫安

25功耗

............................ 90毫瓦

25线性降额

...................... 1.2毫瓦/

探测器

集电极 - 发射极击穿电压............... 30 V

发射极 - 集电极击穿电压................. 7 V

集电极 - 基极击穿电压.................. 70 V

功耗...................................... 150毫瓦

25线性降额

C2.0毫瓦/

包

25总包耗散

C环境

（LED +检测器） .................................... 280兆瓦

25线性降额

...................... 3.3毫瓦/

存储温度...................- 55

C至+150

工作温度...............- 55

C至+100

在260焊接时间

............................. 10秒。

尺寸以英寸（毫米）

.120±.005

(3.05±.13)

.240

(6.10)

引脚1号

.192±.005

(4.88±.13)

.004 (.10)

.008 (.20)

.050 (1.27)

典型值。

.021 (.53)

阳极

0.154 ± 0.005阴极

L (3.91±.13)

.016 (.41)

.015±.002

(.38±.05)

.008 (.20)

BASE

集热器

辐射源

40°

7°

.058±.005

(1.49±.13)

.125±.005

(3.18±.13)

领导

共面性

±.0015

(.04)

马克斯。

5 °最大。

R.010

（ 0.25 ）最高。

.020±.004

(.15±.10)

2 plc的。

特征

(

=25

符号

辐射源

正向电压

反向电流

电容

探测器

击穿电压

暗电流，

集电极 - 发射极

电容，

集电极 - 发射极

包

直流电流传输

比

IL211A

IL212A

IL213A

饱和电压，

集电极 - 发射极

隔离测试

电压

电容，

输入toOutput

性，

输入到输出

开关时间

CTR

100

CESAT

关闭

2500

0.5

100

3.0

130

0.4

VAC

RMS

= 2毫安，

=100

=10 V

= 10毫安，

=5 V

VCEO

VECO

CEOdark

=10

=10 V

1.3

0.1

1.5

100

= 10毫安

=6.0 V

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

条件

= 10毫安，

= 2.0毫安

5–1

图1.正向电压与正向电流

1.4

VF-正向电压 - V

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

TA = 100℃

0.8

0.7

如果 - 正向电流 - 毫安

100

TA = 25°C

TA = -55°C

图5.归集电极 - 基光电流

与LED电流

NICB - 归ICB

标准化为：

VCB = 9.3 V

IF = 10毫安

TA = 25

°C

.01

IF - LED电流 - 毫安

100

图2归一化不饱和和饱和

CTRce与LED电流

1.5

图6.集电极基光电流与LED

当前

1000

中T = 25℃

ICB - 集电极基

电流 -

NCTRce - 归CTRce

1.0

标准化为：

VCE = 10 V

IF = 10毫安

TA = 25

°C

VCE = 5 V

100

VCB = 9.3 V

0.5

VCE = 0.4 V

0.0

100

IF - LED电流 - 毫安

100

I F - LED电流 - 毫安

图3.集电极 - 发射极电流对LED电流

150

TA = 25°C

VCE = 10 V

100

图7.集电极 - 发射极漏电流对

温度

ICEO - 集电极发射极 - NA

冰 - 集电极 - 发射极

电流 - 毫安

103

102

101

100

10-1

10-2

-20

100

TA - 环境温度 -

°C

VCE = 10V

典型

VCE = 0.4 V

IF - LED电流 - 毫安

100

图4.归集电极 - 基光电流

与LED电流

图8.归饱和HFE与基

电流和温度

2.0

NHFE （SAT） - 归

饱和HFE

100

NICB - 归ICB

标准化为：

VCB = 9.3 V

IF = 1毫安

TA = 25

°C

70°C

50°C

25°C

1.5

1.0

标准化为：

IB = 20μA

VCE = 10 V

TA = 25

°C

VCE = 0.4 V

0.5

0.0

100

IB - 基极电流 -

1000

IF - LED电流 - 毫安

100

IL211A/212A/213A

5–2

图9.典型的开关特性与基地

电阻（饱和运算）

100

图10.典型的开关时间

与负载电阻

1000

输入：

500 I

= 10毫安

脉冲宽度= 100毫秒

占空比= 50 ％

100

切换时间（ μS ）

输入：

IF = 10毫安

50脉冲宽度= 100毫秒

占空比= 50 ％

1.0

10K

50K 100K

500K 1M

0.1

0.5 1

50 100

负载电阻RL （ KΩ ）

基极 - 发射极电阻， RBE值（Ω）

IL211A/212A/213A

5–3

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