IL205 ， IL206 ， IL207 ， IL208 ，
IL211 ， IL212 ， IL213 ，
IL215 ， IL216 ， IL217
小尺寸OPTICALLY
耦合型隔离器
晶体管输出
描述
8
7
6
5
尺寸（mm）
1
2
3
1
2
3
4
4
8
7
6
5
这一系列的光耦合隔离器由
一个砷化镓红外发光二极管和NPN
安装在一个标准的8引脚硅光电晶体管
SOIC封装，这使得它们非常适用于
高密度的应用具有有限的空间。
5.25
特点
4.75
5.0最大
l
标准的SOIC - 8封装与0.05"引线间隔
l
指定的最小值。和最大值。 CTR可达10mA，我
F
,
5V V
CE
4.9最大
3.9 MAX
IL205 ， 40 ％ - 80％
IL206 ， 63 - 125 ％
3.3最大
IL207 ， 100 - 200 ％
IL208 ， 160 - 320 ％
l
10mA时我指定的最小CTR
F
, 5V V
CE
0.3
0.1Min
IL211 ， 20％的
6.15
最大
IL212 ， 50％的
0.35
5.85
1.27
3.81
0.45
IL213 ，100％
l
在1mA时我指定的最小CTR
F
, 5V V
CE
IL215 ， 20％的
应用
IL216 ， 50％的
IL217 ，100％
l
电脑终端机
l
隔离电压， 2500 V
RMS
l
工业系统控制器
l
高BV
首席执行官
（ 70V分）
l
需要混合基质
l
所有电气参数100％测试
高密度安装
l
可在磁带和卷轴 - 加后缀" T& "
l
的系统之间的信号传输
l
定制电可用的选项
不同的潜能和阻抗
绝对最大额定值
（ 25 ° C除非另有说明）
输出晶体管
储存温度
-55℃ + 125
工作温度
-55
0
C至+100
0
C
引线焊接温度
260
0
C
（ 10秒单波）
输入到输出隔离电压
2500V
RMS
输入二极管
正向直流电流
60mA
反向直流电压
6V
峰值正向电流（ TP
≤
10
s)
3A
功耗
100mW
（减免线性1.33mW /
0
C以上25
0
C)
结温
125
0
C
0
0
集电极 - 发射极电压BV
首席执行官
发射极 - 集电极电压BV
ECO
集电极基极电压BV
CBO
集电极电流
集电极电流
（ PW
≤
为10ms ，50％占空比
)
功耗
（减免线性2.00mW /
0
C以上25
0
C)
结温
包
70V
7V
70V
50mA
100mA
150mW
125
0
C
总功耗
250mW
（减免线性3.3mW /
0
C以上25
0
C)
ISOCOM有限公司
1024 S.格林维尔大道，套房240 ，
艾伦， TX 75002 USA
联系电话： （ 214 ） 495-0755传真： （ 214 ） 495-0901
电子邮件info@isocom.com
http://www.isocom.com
DB92440-AAS/A2
ISOCOM COMPONENTS LTD
单元25B ，公园景观西路，
公园景工业村，布伦达路
哈特尔浦，克利夫兰， TS25 1YD
联系电话： （ 01429 ） 863609传真： （ 01429 ） 863581
7/12/00
电气特性（ 25
0
C除非另有说明）
参数
输入
正向电压（V
F
)
电容
反向电流（I
R
)
集电极发射极电压（ BV
首席执行官
)
发射极 - 集电极电压（ BV
ECO
)
集电极 - 基极电压（ BV
CBO
)
集电极 - 发射极暗电流（I
首席执行官
)
CurrentTransferRatio （ CTR ） IL205
IL206
IL207
IL208
IL211
IL212
IL213
再加
IL205
IL206
IL207
IL208
IL215
IL216
IL217
13
22
34
56
20
50
100
0.4
0.4
0.3
3.0
3.0
1.6
2.2
%
%
%
%
%
民
典型值最大值单位
1.2
50
1.5
100
伏特
pF
A
伏特
伏特
伏特
nA
%
%
%
%
%
%
%
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
V
R
= 6V
I
C
= 100 A
I
E
= 100 A
I
C
= 100 A
V
CE
= 10V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5V
产量
70
7
70
50
40
63
100
160
20
50
100
80
125
200
320
I
F
= 1毫安， V
CE
= 5V
%
%
伏特
伏特
pF
V
RMS
s
s
s
s
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2毫安
I
F
= 1毫安，我
C
- 0.1毫安
F = 1MHz的（注1 ）
V
IO
= 500V （注1 ）
集电极 - 发射极饱和电压V
CE
（SAT）
（ IL205到IL213 ）
集电极 - 发射极饱和电压V
CE
（SAT）
（ IL215到IL217 ）
电容输入到输出（C
IO
)
输入到输出绝缘电阻（R
IO
)
10
11
输入到输出绝缘电压（V
IO
)
2500
输出开启时间（t
on
)
输出关闭时间（t
关闭
)
输出上升时间（T
r
)
输出下降时间（t
f
)
注1
I
C
= 2毫安，
V
CC
= 10V ，R
L
= 100
注意事项1.测量与输入引线短接在一起，和输出引线短接在一起。
V
CC
= 10V
R
L
= 100
产量
输入
t
on
t
f
t
关闭
t
r
产量
10%
10%
图1
90%
90%
7/12/00
DB92440-AAS/A2
IL205 ， IL206 ， IL207 ， IL208 ，
IL211 ， IL212 ， IL213 ，
IL215 ， IL216 ， IL217
小尺寸OPTICALLY
耦合型隔离器
晶体管输出
描述
8
7
6
5
尺寸（mm）
1
2
3
1
2
3
4
4
8
7
6
5
这一系列的光耦合隔离器由
一个砷化镓红外发光二极管和NPN
安装在一个标准的8引脚硅光电晶体管
SOIC封装，这使得它们非常适用于
高密度的应用具有有限的空间。
5.25
特点
4.75
5.0最大
l
标准的SOIC - 8封装与0.05"引线间隔
l
指定的最小值。和最大值。 CTR可达10mA，我
F
,
5V V
CE
4.9最大
3.9 MAX
IL205 ， 40 ％ - 80％
IL206 ， 63 - 125 ％
3.3最大
IL207 ， 100 - 200 ％
IL208 ， 160 - 320 ％
l
10mA时我指定的最小CTR
F
, 5V V
CE
0.3
0.1Min
IL211 ， 20％的
6.15
最大
IL212 ， 50％的
0.35
5.85
1.27
3.81
0.45
IL213 ，100％
l
在1mA时我指定的最小CTR
F
, 5V V
CE
IL215 ， 20％的
应用
IL216 ， 50％的
IL217 ，100％
l
电脑终端机
l
隔离电压， 2500 V
RMS
l
工业系统控制器
l
高BV
首席执行官
（ 70V分）
l
需要混合基质
l
所有电气参数100％测试
高密度安装
l
可在磁带和卷轴 - 加后缀" T& "
l
的系统之间的信号传输
l
定制电可用的选项
不同的潜能和阻抗
绝对最大额定值
（ 25 ° C除非另有说明）
输出晶体管
储存温度
-55℃ + 125
工作温度
-55
0
C至+100
0
C
引线焊接温度
260
0
C
（ 10秒单波）
输入到输出隔离电压
2500V
RMS
输入二极管
正向直流电流
60mA
反向直流电压
6V
峰值正向电流（ TP
≤
10
s)
3A
功耗
100mW
（减免线性1.33mW /
0
C以上25
0
C)
结温
125
0
C
0
0
集电极 - 发射极电压BV
首席执行官
发射极 - 集电极电压BV
ECO
集电极基极电压BV
CBO
集电极电流
集电极电流
（ PW
≤
为10ms ，50％占空比
)
功耗
（减免线性2.00mW /
0
C以上25
0
C)
结温
包
70V
7V
70V
50mA
100mA
150mW
125
0
C
总功耗
250mW
（减免线性3.3mW /
0
C以上25
0
C)
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7/12/00
电气特性（ 25
0
C除非另有说明）
参数
输入
正向电压（V
F
)
电容
反向电流（I
R
)
集电极发射极电压（ BV
首席执行官
)
发射极 - 集电极电压（ BV
ECO
)
集电极 - 基极电压（ BV
CBO
)
集电极 - 发射极暗电流（I
首席执行官
)
CurrentTransferRatio （ CTR ） IL205
IL206
IL207
IL208
IL211
IL212
IL213
再加
IL205
IL206
IL207
IL208
IL215
IL216
IL217
13
22
34
56
20
50
100
0.4
0.4
0.3
3.0
3.0
1.6
2.2
%
%
%
%
%
民
典型值最大值单位
1.2
50
1.5
100
伏特
pF
A
伏特
伏特
伏特
nA
%
%
%
%
%
%
%
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
V
R
= 6V
I
C
= 100 A
I
E
= 100 A
I
C
= 100 A
V
CE
= 10V
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5V
产量
70
7
70
50
40
63
100
160
20
50
100
80
125
200
320
I
F
= 1毫安， V
CE
= 5V
%
%
伏特
伏特
pF
V
RMS
s
s
s
s
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2毫安
I
F
= 1毫安，我
C
- 0.1毫安
F = 1MHz的（注1 ）
V
IO
= 500V （注1 ）
集电极 - 发射极饱和电压V
CE
（SAT）
（ IL205到IL213 ）
集电极 - 发射极饱和电压V
CE
（SAT）
（ IL215到IL217 ）
电容输入到输出（C
IO
)
输入到输出绝缘电阻（R
IO
)
10
11
输入到输出绝缘电压（V
IO
)
2500
输出开启时间（t
on
)
输出关闭时间（t
关闭
)
输出上升时间（T
r
)
输出下降时间（t
f
)
注1
I
C
= 2毫安，
V
CC
= 10V ，R
L
= 100
注意事项1.测量与输入引线短接在一起，和输出引线短接在一起。
V
CC
= 10V
R
L
= 100
产量
输入
t
on
t
f
t
关闭
t
r
产量
10%
10%
图1
90%
90%
7/12/00
DB92440-AAS/A2
技术参数
IL311
高性能电压比较器
逻辑图
当GND引脚用作输出输入极性是相反的。
订购信息
IL311N塑料
IL311D SOIC
T
A
= -45 ° C至85°C的
所有的包
引脚分配
最大额定值
符号
V
CC
+
V
EE
V
O
- V
EE
V
EE
V
ID
V
IN
-
P
D
1/θ
JA
T
J（下最大）
TSTG
参数
总电源电压
输出到负电源电压
地面上负电源电压
输入差分电压
输入电压（注）
电压引脚频闪
功耗和热特性
塑料双列直插式封装
减免上述牛逼
A
=+25°C
工作结温
存储温度范围
价值
36
40
30
±
30
±
15
V
CC
到V
CC
- 5
625
5.0
+150
-60到+150
单位
V
V
V
V
V
V
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
注：此等级适用于
±15
伏电源。正输入电压的上限为30伏以上的负
供应量。负输入电压限制为等于负电源电压或30伏以下的
正电源，以较低者为准。
1
IL311
推荐工作条件
符号
V
CC
+
V
EE
T
A
总电源电压
工作温度，所有封装类型
- 45
参数
民
最大
30
+85
单位
V
°C
电气特性
(V
CC
=+15 V, V
EE
= -15 V，T
A
= + 25 ° C除非另有说明
[注1] ）
符号
V
IO
I
IO
I
IB
参数
输入失调电压
（注2 ）
输入失调电流
（注2 ）
输入偏置电流
测试条件
R
S
≤
50千欧，T
A
= +25°C
R
S
≤
50千欧， -45°C
≤
T
A
≤
85°C
T
A
= +25°C
-45°C
≤
T
A
≤
85°C
T
A
= +25°C
T
A
= -45°C
T
A
= +85°C
150000
300
T
A
= +25°C
V
ID
≤
-10 mV时，我
O
-50毫安
-14.5
1.5
13.0
+7.5
-5.0
ns
V
V
mA
mA
保证限制
民
最大
7.5
10
50
100
250
375
500
mV
nA
nA
单位
A
V
t
DLH
V
DS
V
IR
I
CC
I
EE
电压增益
传播延迟时间
饱和电压
输入电压范围
正电源电流
负电源电流
注意事项：
1.失调电压，失调电流和偏置电流规格适用于电源电压范围从单一的
5.0伏的电源达
±15
伏电源。
2.偏移电压和偏移给定的电流到一伏内驱动输出所需的最大值
对任一电源与1.0 mA负载。因此，这些参数定义一个误差范围，并考虑到了
电压增益和输入阻抗的“最坏情况”的效果。
2
IL211AT/IL212AT/IL213AT
特点
N
EW
高电流传输比
IL211AT ， 20 ％的最低
IL212AT -50 ％的最低
IL213AT -100 ％最
隔离电压2500 VAC
RMS
电气规格类似
标准的6针接头
工业标准SOIC- 8表面
安装包
标准引线间隔， 0.05"
可在磁带和卷轴（后缀T）
（符合EIA标准RS481A ）
兼容双波峰焊，气相
和IR再溢流焊接
美国保险商实验室文件＃ E52744
（代码字母P ）
PHOTOTRANSISTOR
小尺寸
表面贴装光耦合器
包装尺寸以英寸（毫米）
.120±.005
(3.05±.13)
.240
(6.10)
引脚1号
.192±.005
(4.88±.13)
.004 (.10)
.008 (.20)
阳极1
0.154 ± 0.005阴极2
C
L (3.91±.13)
NC 3
NC 4
.016 (.41)
.015±.002
(.38±.05)
.008 (.20)
.050 (1.27)
典型值。
.021 (.53)
40°
8
7
6
5
NC
BASE
集热器
辐射源
7°
.058±.005
(1.49±.13)
.125±.005
(3.18±.13)
领导
共面性
±.0015
(.04)
马克斯。
5 °最大。
R.010
（ 0.25 ）最高。
.020±.004
(.15±.10)
2 plc的。
公差：
±.005
（除非另有说明）
特征
(T
A
=25°C)
描述
该IL211AT / 212AT / 213AT光学耦合
对同一个砷化镓红外发光二极管和一个
硅NPN光电晶体管。信号信息，
包括一个DC电平，可以通过设备发送
同时维持电隔离程度高
之间的输入和输出。该IL211AT // 212AT /
213AT采用的是标准的SOIC - 8小外形
包为表面安装它非常
适用于空间有限的高密度的应用。
除了消除通孔的要求，
这个包符合地表标准
安装的设备。
供您选择20 ， 50 ，和100 ％的最低CTR在
I
F
= 10毫安使得这些光电耦合器适用于
各种不同的应用。
最大额定值
辐射源
峰值反向电压....................................... 6.0 V
连续正向电流.......................... 60毫安
在25℃ ............................. 90 mW的功耗
从25℃ ....................... 1.2毫瓦/ °C减免线性
探测器
集电极 - 发射极击穿电压................ 30 V
发射极 - 集电极击穿电压.................. 7 V
集电极 - 基极击穿电压................... 70 V
功耗........................................ 150毫瓦
从25℃ ....................... 2.0毫瓦/ °C减免线性
包
在25 ° C环境总包耗散
（LED +检测器） ...................................... 280兆瓦
从25℃ ....................... 3.3毫瓦/ °C减免线性
存储温度..................... -55 ° C至+ 150°C
工作温度................. -55 ° C至+ 100°C
在260 ℃，焊接时间............................... 10秒。
半导体集团
辐射源
正向电压
反向电流
电容
探测器
击穿电压
符号最小值。典型值。
V
F
I
R
C
O
BV
首席执行官
BV
ECO
1.3
0.1
25
30
7
5
10
MAX 。 UNIT
1.5
100
V
A
pF
V
V
50
nA
pF
%
条件
I
F
= 10毫安
V
R
=6.0 V
V
R
=0
I
C
=10
A
I
E
=10
A
V
CE
=10 V,
I
F
=0
V
CE
=0
I
F
= 10毫安
V
CE
=5 V
集电极 - 发射极
暗电流
I
CEOdark
集电极 - 发射极
电容
C
CE
包
直流电流传输CTR
DC
IL211AT
20 50
IL212AT
50 80
IL213AT
100 130
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE坐
隔离测试
电压
电容，
输入到输出
性，
输入到输出
开关时间
0.4
I
F
= 10毫安，
I
C
= 2.0毫安
VAC
RMS
V
IO
C
IO
2500
0.5
100
3.0
pF
G
s
R
IO
t
ON
, t
关闭
I
C
= 2毫安，
R
E
=100
,
V
CE
=10 V
规格如有变更。
4–4
10.95
IL211AT/IL212AT/IL213AT
特点
N
EW
高电流传输比
IL211AT ， 20 ％的最低
IL212AT -50 ％的最低
IL213AT -100 ％最
隔离电压2500 VAC
RMS
电气规格类似
标准的6针接头
工业标准SOIC- 8表面
安装包
标准引线间隔， 0.05"
可在磁带和卷轴（后缀T）
（符合EIA标准RS481A ）
兼容双波峰焊，气相
和IR再溢流焊接
美国保险商实验室文件＃ E52744
（代码字母P ）
PHOTOTRANSISTOR
小尺寸
表面贴装光耦合器
包装尺寸以英寸（毫米）
.120±.005
(3.05±.13)
.240
(6.10)
引脚1号
.192±.005
(4.88±.13)
.004 (.10)
.008 (.20)
阳极1
0.154 ± 0.005阴极2
C
L (3.91±.13)
NC 3
NC 4
.016 (.41)
.015±.002
(.38±.05)
.008 (.20)
.050 (1.27)
典型值。
.021 (.53)
40°
8
7
6
5
NC
BASE
集热器
辐射源
7°
.058±.005
(1.49±.13)
.125±.005
(3.18±.13)
领导
共面性
±.0015
(.04)
马克斯。
5 °最大。
R.010
（ 0.25 ）最高。
.020±.004
(.15±.10)
2 plc的。
公差：
±.005
（除非另有说明）
特征
(T
A
=25°C)
描述
该IL211AT / 212AT / 213AT光学耦合
对同一个砷化镓红外发光二极管和一个
硅NPN光电晶体管。信号信息，
包括一个DC电平，可以通过设备发送
同时维持电隔离程度高
之间的输入和输出。该IL211AT // 212AT /
213AT采用的是标准的SOIC - 8小外形
包为表面安装它非常
适用于空间有限的高密度的应用。
除了消除通孔的要求，
这个包符合地表标准
安装的设备。
供您选择20 ， 50 ，和100 ％的最低CTR在
I
F
= 10毫安使得这些光电耦合器适用于
各种不同的应用。
最大额定值
辐射源
峰值反向电压....................................... 6.0 V
连续正向电流.......................... 60毫安
在25℃ ............................. 90 mW的功耗
从25℃ ....................... 1.2毫瓦/ °C减免线性
探测器
集电极 - 发射极击穿电压................ 30 V
发射极 - 集电极击穿电压.................. 7 V
集电极 - 基极击穿电压................... 70 V
功耗........................................ 150毫瓦
从25℃ ....................... 2.0毫瓦/ °C减免线性
包
在25 ° C环境总包耗散
（LED +检测器） ...................................... 280兆瓦
从25℃ ....................... 3.3毫瓦/ °C减免线性
存储温度..................... -55 ° C至+ 150°C
工作温度................. -55 ° C至+ 100°C
在260 ℃，焊接时间............................... 10秒。
半导体集团
辐射源
正向电压
反向电流
电容
探测器
击穿电压
符号最小值。典型值。
V
F
I
R
C
O
BV
首席执行官
BV
ECO
1.3
0.1
25
30
7
5
10
MAX 。 UNIT
1.5
100
V
A
pF
V
V
50
nA
pF
%
条件
I
F
= 10毫安
V
R
=6.0 V
V
R
=0
I
C
=10
A
I
E
=10
A
V
CE
=10 V,
I
F
=0
V
CE
=0
I
F
= 10毫安
V
CE
=5 V
集电极 - 发射极
暗电流
I
CEOdark
集电极 - 发射极
电容
C
CE
包
直流电流传输CTR
DC
IL211AT
20 50
IL212AT
50 80
IL213AT
100 130
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE坐
隔离测试
电压
电容，
输入到输出
性，
输入到输出
开关时间
0.4
I
F
= 10毫安，
I
C
= 2.0毫安
VAC
RMS
V
IO
C
IO
2500
0.5
100
3.0
pF
G
s
R
IO
t
ON
, t
关闭
I
C
= 2毫安，
R
E
=100
,
V
CE
=10 V
规格如有变更。
4–4
10.95
技术参数
IL311
高性能电压比较器
逻辑图
当GND引脚用作输出输入极性是相反的。
订购信息
IL311N塑料
IL311D SOIC
T
A
= -45 ° C至85°C的
所有的包
引脚分配
最大额定值
符号
V
CC
+
V
EE
V
O
- V
EE
V
EE
V
ID
V
IN
-
P
D
1/θ
JA
T
J（下最大）
TSTG
参数
总电源电压
输出到负电源电压
地面上负电源电压
输入差分电压
输入电压（注）
电压引脚频闪
功耗和热特性
塑料双列直插式封装
减免上述牛逼
A
=+25°C
工作结温
存储温度范围
价值
36
40
30
±
30
±
15
V
CC
到V
CC
- 5
625
5.0
+150
-60到+150
单位
V
V
V
V
V
V
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
注：此等级适用于
±15
伏电源。正输入电压的上限为30伏以上的负
供应量。负输入电压限制为等于负电源电压或30伏以下的
正电源，以较低者为准。
1
IL311
推荐工作条件
符号
V
CC
+
V
EE
T
A
总电源电压
工作温度，所有封装类型
- 45
参数
民
最大
30
+85
单位
V
°C
电气特性
(V
CC
=+15 V, V
EE
= -15 V，T
A
= + 25 ° C除非另有说明
[注1] ）
符号
V
IO
I
IO
I
IB
参数
输入失调电压
（注2 ）
输入失调电流
（注2 ）
输入偏置电流
测试条件
R
S
≤
50千欧，T
A
= +25°C
R
S
≤
50千欧， -45°C
≤
T
A
≤
85°C
T
A
= +25°C
-45°C
≤
T
A
≤
85°C
T
A
= +25°C
T
A
= -45°C
T
A
= +85°C
150000
300
T
A
= +25°C
V
ID
≤
-10 mV时，我
O
-50毫安
-14.5
1.5
13.0
+7.5
-5.0
ns
V
V
mA
mA
保证限制
民
最大
7.5
10
50
100
250
375
500
mV
nA
nA
单位
A
V
t
DLH
V
DS
V
IR
I
CC
I
EE
电压增益
传播延迟时间
饱和电压
输入电压范围
正电源电流
负电源电流
注意事项：
1.失调电压，失调电流和偏置电流规格适用于电源电压范围从单一的
5.0伏的电源达
±15
伏电源。
2.偏移电压和偏移给定的电流到一伏内驱动输出所需的最大值
对任一电源与1.0 mA负载。因此，这些参数定义一个误差范围，并考虑到了
电压增益和输入阻抗的“最坏情况”的效果。
2
技术参数
IL311
高性能电压比较器
逻辑图
当GND引脚用作输出输入极性是相反的。
订购信息
IL311N塑料
IL311D SOIC
T
A
= -45 ° C至85°C的
所有的包
引脚分配
最大额定值
符号
V
CC
+
V
EE
V
O
- V
EE
V
EE
V
ID
V
IN
-
P
D
1/θ
JA
T
J（下最大）
TSTG
参数
总电源电压
输出到负电源电压
地面上负电源电压
输入差分电压
输入电压（注）
电压引脚频闪
功耗和热特性
塑料双列直插式封装
减免上述牛逼
A
=+25°C
工作结温
存储温度范围
价值
36
40
30
±
30
±
15
V
CC
到V
CC
- 5
625
5.0
+150
-60到+150
单位
V
V
V
V
V
V
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
注：此等级适用于
±15
伏电源。正输入电压的上限为30伏以上的负
供应量。负输入电压限制为等于负电源电压或30伏以下的
正电源，以较低者为准。
1
IL311
推荐工作条件
符号
V
CC
+
V
EE
T
A
总电源电压
工作温度，所有封装类型
- 45
参数
民
最大
30
+85
单位
V
°C
电气特性
(V
CC
=+15 V, V
EE
= -15 V，T
A
= + 25 ° C除非另有说明
[注1] ）
符号
V
IO
I
IO
I
IB
参数
输入失调电压
（注2 ）
输入失调电流
（注2 ）
输入偏置电流
测试条件
R
S
≤
50千欧，T
A
= +25°C
R
S
≤
50千欧， -45°C
≤
T
A
≤
85°C
T
A
= +25°C
-45°C
≤
T
A
≤
85°C
T
A
= +25°C
T
A
= -45°C
T
A
= +85°C
150000
300
T
A
= +25°C
V
ID
≤
-10 mV时，我
O
-50毫安
-14.5
1.5
13.0
+7.5
-5.0
ns
V
V
mA
mA
保证限制
民
最大
7.5
10
50
100
250
375
500
mV
nA
nA
单位
A
V
t
DLH
V
DS
V
IR
I
CC
I
EE
电压增益
传播延迟时间
饱和电压
输入电压范围
正电源电流
负电源电流
注意事项：
1.失调电压，失调电流和偏置电流规格适用于电源电压范围从单一的
5.0伏的电源达
±15
伏电源。
2.偏移电压和偏移给定的电流到一伏内驱动输出所需的最大值
对任一电源与1.0 mA负载。因此，这些参数定义一个误差范围，并考虑到了
电压增益和输入阻抗的“最坏情况”的效果。
2
QQ：2880707522 复制
