【IL205A/206A/207/208A小外形表面贴装光电晶体管光耦合器特点高电流传输比， IF =】,IC型号IL208A,IL208A PDF资料,IL208A经销商,ic,电子元器件-51电子网

IL205A/206A/207/208A

小外形表面贴装

光电晶体管光耦合器

特点

高电流传输比， IF = 10 mA时，

VCE = 5 V

IL205A ， 40-80 ％

IL206A ， 63-125 ％

IL207A ， 100-200 ％

IL208A ， 160-320 ％

高BV

首席执行官

, 70 V

隔离测试电压2500 VAC

RMS

工业标准SOIC - 8表面贴装

包

标准引脚节距， 0.05 ＆ QUOT ;

可在磁带和卷轴选项- Fi无线频谱使用费X“ T”

（符合EIA标准RS481A ）

兼容双波峰焊， Fapor相和

IR再溢流焊接

美国保险商实验室文件＃ E52744 （代码

字母P ）

描述

该IL205A / 206A / 207A / 208A光学耦合

对同一个砷化镓红外发光二极管和一个

硅NPN光电晶体管。信号信息，

包括一个DC电平，可以由发送

设备，同时保持electri-高度

输入和输出之间的隔离校准。该IL205 /

6/7/8进来一个标准的SOIC - 8小外形

包为表面安装，这使得它们

非常适合与lim-高密度应用

资讯科技教育的空间。除了通孔消除

的要求，这个包符合标准

表面安装器件。

一个特定的ED最低和最高CTR允许

窄公差的电气设计

相邻电路。高BV

首席执行官

70伏给

更高的安全裕度相比，工业

标准的30伏。

最大额定值

辐射源

峰值反向电压...................................... 6.0 V

连续正向电流.......................... 60毫安

25功耗

............................ 90毫瓦

25线性降额

...................... 1.2毫瓦/

探测器

集电极 - 发射极击穿电压............... 70 V

发射极 - 集电极击穿电压................. 7 V

集电极 - 基极击穿电压.................. 70 V

功耗...................................... 150毫瓦

25线性降额

...................... 2.0毫瓦/

包

25总包耗散

C环境

（LED +检测器） ..................................... 240毫瓦

25线性降额

...................... 3.3毫瓦/

存储温度...................- 55

C至+150

工作温度................- 55

C至+100

在260焊接时间

.............................. 10秒。

尺寸以英寸（毫米）

.120±.005

(3.05±.13)

.240

(6.10)

引脚1号

.192±.005

(4.88±.13)

.004 (.10)

.008 (.20)

.050 (1.27)

典型值。

.021 (.53)

阳极/

阴极

阴极/

阳极

.154±.005

(3.91±.13)

.016 (.41)

BASE

集热器

辐射源

.015±.002

(.38±.05)

.008 (.20)

40°

7°

.058±.005

(1.49±.13)

.125±.005

(3.18±.13)

领导

共面性

±.0015

(.04)

马克斯。

5 °最大。

R.010

（ 0.25 ）最高。

.020±.004

(.15±.10)

2 plc的。

特征

=25

符号

辐射源

正向电压

反向电流

电容

探测器

击穿电压

集电极 - 发射极

发射极 - 集电极

漏电流，

集电极 - 发射极

包

直流电流

转让

IL205A

IL206A

IL207A

IL208A

直流电流

转让

IL205A

IL206A

IL207A

IL208A

饱和电压，

集电极 - 发射极

隔离测试

电压

等效直流

隔离电压

电容，

输入到输出

性，

输入到输出

开关时间

关闭

CTR

100

CTR

CESAT

2500

3535

0.5

100

3.0

0.4

VAC

RMS

VDC

= 2.0毫安，

=100

=10 V

125

200

320

10毫安，

=5 V

首席执行官

ECO

首席执行官

-100毫安

=100

=10 V

1.3

0.1

1.5

100

10毫安

=6.0 V

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

条件

1毫安，

=5 V

= 2.0毫安，

= 10毫安，

5–1

图1.正向电压与正向电流

1.4

图5.归集电极 - 基光电流ver-

SUS LED电流

NICB - 归ICB

VF - 正向电压 - V

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

TA = -55°C

TA = 25°C

标准化为：

VCB = 9.3 V

IF = 10毫安

TA = 25

°C

TA = 85°C

IF - 正向电流 - 毫安

100

.01

IF - LED电流 - 毫安

100

图2归一化不饱和和饱和

CTRce与LED电流

1.5

NCTRce - 归CTRce

ICB - 集电极基

电流 -

1.0

标准化为：

VCE = 10 V

IF = 10毫安

TA = 25

°C

图6.集电极 - 发射极的光电流与LED

当前

1000

TA = 25°C

100

IF - LED币种耳鼻喉 - 毫安

VCB = 9.3 V

VCE = 5 V

0.5

VCE = 0.4 V

0.0

100

IF - LED电流 - 毫安

图3.集电极 - 发射极电流对LED电流

150

TA = 25°C

VCE = 10 V

100

图7.集电极 - 发射极的光电流与LED

当前

ICEO - 集电极发射极 - NA

冰 - 集电极 - 发射极

电流 - 毫安

105

10 4

VCE = 0.4 V

IF - LED电流 - 毫安

100

10 2

10 1

10 0

10 -1

10 -2

-20

100

TA - 环境温度 -

°C

VCE = 10V

典型

图4.归集电极 - 基光电流ver-

SUS LED电流

NICB - 归ICB

100

图8.基极电流对如果和HFE

2.0

NHFE （SAT） - 归

饱和HFE

标准化为：

VCB = 9.3 V

IF = 1毫安

TA = 25

°C

IF - LED电流 - 毫安

100

70°C

25°C

50°C

1.5

1.0

标准化为：

IB = 20μA

VCE = 10 V

TA = 25

°C

VCE = 0.4 V

0.5

0.0

100

IB - 基极电流 -

1000

5–2

IL205A/206A/207A/208A

图9.典型的开关特性与基地

电阻（饱和运算）

100

输入：

IF = 10毫安

50脉冲宽度= 100毫秒

占空比= 50 ％

图10.典型的开关时间与负载电阻

tance

1000

输入：

500 I

= 10毫安

脉冲宽度= 100毫秒

占空比= 50 ％

100

切换时间（ μS ）

1.0

10K

50K 100K

500K 1M

0.1

0.5 1

50 100

基极 - 发射极电阻， RBE值（Ω）

负载电阻RL （ KΩ ）

5–3

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